一种发光二极管芯片结构的利记博彩app

文档序号:7108247阅读:183来源:国知局
专利名称:一种发光二极管芯片结构的利记博彩app
技术领域
本发明属于光电技术领域,尤其涉及一种发光二极管芯片结构。
背景技术
以蓝宝石为衬底的发光二极管LED,主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED。目前, 发光二极管LED的取光效率较低,大部分能量都转换为热量,为了保证LED的寿命,一般要求散热效果较好的结构,但是,蓝宝石和GaN材料的散热效果较差,如果LED芯片的热量散不出去,则会加速芯片的老化,芯片失效。

发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片结构,旨在解决现有技术中蓝宝石和GaN材料的散热效果较差,如果LED芯片的热量散不出去,则会加速芯片的老化,芯片失效的问题。本发明是这样实现的,一种发光二极管芯片结构,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。本发明结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了 LED的使用寿命。


图I是本发明提供的发光二极管芯片结构的结构示意图。
具体实施例方式 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。图1示出了本发明提供的发光二极管芯片结构的结构示意图,为了便于说明,图中仅给出了与本发明相关的部分。本发明提供的发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底1,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底I上的GaN结构层2,所述GaN结构层2的下表面设置有P电极3和N电极4,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。在本发明中,P电极3和N电极4为整面结构。本发明结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了 LED的使用寿命。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种发光二极管芯片结构,其特征在于,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极 管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。
全文摘要
本发明适用于光电技术领域,提供了一种发光二极管芯片结构,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。本发明结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了LED的使用寿命。
文档编号H01L33/64GK102891247SQ20121034597
公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日
发明者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司
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