专利名称：一种氮化镓系高压发光二极管及其利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种氮化镓系高压发光二极管，以及这种二极管的利记博彩app。
背景技术：
具有省电、环保无污染、寿命长、売度闻、反应快、体积小、闻发光效率等优点的发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)组件应用越来越广泛。由直流驱动的LED产品隐藏不少弊端，它们需要与整流器一并使用，其寿命只有2万小时，但直流电驱动的LED产品的寿命却长达5 10万小时。因此，直流驱动的LED产品一生需要多次更换整流器，若应用于固定照明装置上必定造成不便。与之相对，ACLED是一类集成了各种处 理技术的LED产品，它包括多种器件或内核，无需额外的变压器、整流器或驱动电路，交流电网的交流电就可直接对其进行驱动。这使得LED产品无需变流器就可以直接应用于家居及办公室交流电器插头(100 110V/220 230V)，不仅显著降低电路成本，也避免了电源变换过程中损失的能耗。高压(HV) LED在结构上与AC型类似，但集成了一个整流器，这种产品采用单芯片设计，通过配置可降低驱动电流且可将发光芯料进行更广泛的分布以获得更高发光效率。单片结构还提高了电光转换效率(wall plug efficiency),减少了所需的线绑定,简化了封装,降低了整体成本。氮化镓系高压(交流/直流)发光二极管芯片内各单一发光单元是透过金属内连线串联或并联来达到高压(交流/直流)应用，各单一发光单元在内连线之前是绝缘且各自独立。一般氮化镓系高压(交流/直流)发光二极管芯片内各单一发光单元是透过ICP深刻蚀来完成绝缘且各自独立，刻蚀后的侧壁陡峭，不利于连线。虽然能利用调整ICP参数来控制刻蚀形貌，使其侧壁具有一定的倾斜角，从而改善蒸镀工艺的台阶覆盖能力，以便进行金属内连线，但其可控性和重复性仍有待改进。
发明内容
本发明的目的是提供一种氮化镓系高压发光二极管及其利记博彩app，便于进行金属内连线，提闻芯片良品率。本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是，
一种氮化镓系高压发光二极管，包括有发光单兀，该发光单兀形成于同一衬底上，发光单元之间由绝缘沟道隔开，各发光单元通过金属连接线串联或并联，所述绝缘沟道中具有填充层，所述金属连接线位于该填充层上；所述发光单元包括有至少一层N型氮化镓半导体层和一层P型氮化镓半导体层，N型氮化镓半导体层和P型氮化镓半导体层叠合在一起，P型氮化镓半导体层上具有透明导电膜和正电极，N型氮化镓半导体层上具有负电极；所述填充层由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成。上述氮化镓系高压发光二极管的利记博彩app，包括有以下步骤
O在衬底上成长发光外延层；
2)用绝缘耐热材料在发光外延层上形成回蚀阻挡层；3)在回蚀阻挡层及发光外延层中刻蚀形成绝缘沟道，该绝缘沟道延伸至衬底处，将发光外延层分割成独立块；
4)将一层非光敏型材料涂布于回蚀阻挡层外表面，并填充绝缘沟道，形成绝缘耐热的填充层；
5)去除填充层位于回蚀阻挡层外表面的部分，并保留其位于绝缘沟道中的部分；
6)将回蚀阻挡层去除；
7)将发光外延层分割成的独立块分别形成发光单元；
8)完成各发光单元金属内连线。步骤I)中，发光外延层由N型氮化镓半导体层和P型氮化镓半导体层组成； 步骤2)中，绝缘耐热材料以物理气相沉积或化学气相沉积的方式在发光外延层上形成
回蚀阻挡层。本发明的优点在于，利用旋转机涂布一层不导电且耐高温的材料，将各单一发光单元之间的绝缘沟道加以填充，然后再利用回蚀的方式，不管ICP深刻蚀后的侧壁形貌如何，都可以加以填充，最后将发光单元的表面曝露出来，有利于金属内连线，可防止因发光单元高度太大而造成断线或连线不佳。
图I是在衬底上成长外延层的结构示意 图2是在P型氮化镓半导体层上成长回蚀阻挡层的结构示意 图3是在外延层上形成绝缘沟道的结构示意 图4是在外延层上形成填充层的结构示意 图5是回蚀阻挡层暴露后的结构示意 图6是将回蚀阻挡层清除，使P型半导体层暴露后的结构示意 图7是形成发光单元后的结构示意 图8是发光单元金属内连线后的结构示意图。
具体实施例方式为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本发明。如图8所示，本发明提出的氮化镓系高压发光二极管包括有发光单元100，发光单元100形成于蓝宝石衬底200上，发光单元100之间由绝缘沟道300隔开，发光单元100之间通过金属连接线400相连，绝缘沟道300中具有填充层310，金属连接线400位于填充层310上；发光单元100包括有N型氮化镓半导体层110和P型氮化镓半导体层120，P型氮化镓半导体层120上具有透明导电膜121和正电极122，N型氮化镓半导体层110上具有负电极111 ;填充层310由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成，绝缘沟道300是以干法等离子体刻蚀的方式来形成，沟道中无发光单元的材料存在；发光单元100的高度为4μπι 10 μ m0如图I 图8，这种氮化镓系高压发光二极管的利记博彩app包括有以下步骤
O在蓝宝石衬底200上利用有机金属气相沉积(MOCVD)成长由N型氮化镓半导体层110和P型氮化镓半导体层120组成的发光外延层，如图I所示；
2)将一层绝缘耐热材料以非旋转涂布的方式如物理气相沉积或化学气相沉积的方式，在P型氮化镓半导体层110上成长一层致密性良好、不导电且耐高温的材料，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛，形成回蚀阻挡层500，如图2所示；
3)以干法等离子刻蚀的方式，在回蚀阻挡层500及发光外延层中刻蚀形成绝缘沟道300，该绝缘沟道300延伸至蓝宝石衬底200处，将发光外延层分割成若干独立块，如图3所示；
4)将一层非光敏型材料涂布于回蚀阻挡层500外表面，并填充绝缘沟道300，然后以烘烤的方式将材料内的有机物去除，形成绝缘耐热的填充层310，如图4所示；
5)利用ICP刻蚀机，使用CF4,SF6等含氟气体所形成的等离子体，去除填充层310位于回蚀阻挡层500外表面的部分，并保留其位于绝缘沟道300中的部分，如图5所示； 6)利用湿法腐蚀的方式将回蚀阻挡层500去除，去除后的结构如图6所示；
7)利用熟知的发光二极管工艺技术，将发光外延层分割成的独立块分别形成发光单元100，如图7所示；
8 )使用蒸镀和浮胶的方式，完成各发光单元金属内连线，如图8所示。在另一个实施例中，省去回蚀阻挡层，将一层光敏型材料直接涂布于P型氮化镓半导体层外表面和绝缘沟道中，形成填充层，然后利用半导体光刻技术，将该填充层位于P型氮化镓半导体层外表面的部分去除，保留其位于绝缘沟道中的部分，这种方式省去了回蚀阻挡层，填充层的高度比上述实施例中高，较不利于金属连线，但仍优于无填充层的结构。以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
权利要求
1.一种氮化镓系高压发光二极管，包括有发光单元(100)，该发光单元(100)形成于同一衬底(200)上，发光单元(100)之间由绝缘沟道(300)隔开，各发光单元(100)通过金属连接线(400 )串联或并联，其特征在于，所述绝缘沟道(300 )中具有填充层(310)，所述金属连接线(400)位于该填充层(310)上。
2.根据权利要求I所述的一种氮化镓系高压发光二极管，其特征在于，所述发光单元(100)包括有至少一层N型氮化镓半导体层(110)和一层P型氮化镓半导体层(120)，N型氮化镓半导体层(110)和P型氮化镓半导体层(120)叠合在一起，P型氮化镓半导体层(120)上具有透明导电膜(121)和正电极(122)，N型氮化镓半导体层(110)上具有负电极(111)。
3..根据权利要求I所述的一种氮化镓系高压发光二极管，其特征在于，所述填充层(310)由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成。
4.一种氮化镓系高压发光二极管的利记博彩app，其特征在于，包括有以下步骤 O在衬底上成长发光外延层； 2)用绝缘耐热材料在发光外延层上形成回蚀阻挡层； 3)在回蚀阻挡层及发光外延层中刻蚀形成绝缘沟道，该绝缘沟道延伸至衬底处，将发光外延层分割成独立块； 4)将一层非光敏型材料涂布于回蚀阻挡层外表面，并填充绝缘沟道，形成绝缘耐热的填充层； 5)去除填充层位于回蚀阻挡层外表面的部分，并保留其位于绝缘沟道中的部分； 6)将回蚀阻挡层去除； 7)将发光外延层分割成的独立块分别形成发光单元； 8)完成各发光单元金属内连线。
5.根据权利要求4所述的一种氮化镓系高压发光二极管的利记博彩app，其特征在于，步骤I)中，发光外延层由N型氮化镓半导体层和P型氮化镓半导体层组成。
6.根据权利要求4所述的一种氮化镓系高压发光二极管的利记博彩app，其特征在于，步骤2)中，绝缘耐热材料以物理气相沉积或化学气相沉积的方式在发光外延层上形成回蚀阻挡层。
全文摘要
本发明公开一种氮化镓系高压发光二极管，包括有若干发光单元，该发光单元形成于同一衬底上，发光单元之间由绝缘沟道隔开，各发光单元通过金属连接线串联或并联，绝缘沟道中具有填充层，所述金属连接线位于该填充层上；发光单元包括有一层N型氮化镓半导体层和一层P型氮化镓半导体层，P型氮化镓半导体层上具有透明导电膜和正电极，N型氮化镓半导体层上具有负电极；填充层由绝缘耐热材料以旋转涂布的方式形成。利用旋转机涂布一层填充层，将各发光单元之间的绝缘沟道加以填充，然后再利用回蚀的方式，不管ICP深刻蚀后的侧壁形貌如何，都可以加以填充，最后将发光单元的表面曝露出来，可防止因发光单元高度太大而造成断线或连线不佳。
文档编号H01L33/00GK102769023SQ201210290019
公开日2012年11月7日 申请日期2012年8月15日 优先权日2012年8月15日
发明者冯文泉, 武乐可, 熊威, 钟伟荣 申请人:上海蓝宝光电材料有限公司