多层陶瓷电容器的利记博彩app

文档序号:7102412阅读:118来源:国知局
专利名称:多层陶瓷电容器的利记博彩app
技术领域
本发明涉及多层陶瓷电容器,并且更具体地,涉及能够降低声音噪声并在抑制分层产生的同时实现高电容能力的一种多层陶瓷电容器。
背景技术
通常,使用陶瓷材料的电子元件(例如电容器、感应器、压电元件、压敏电阻或者热 敏电阻等)包括由陶瓷材料制成的陶瓷本体、在该陶瓷本体内形成的内电极以及安装在陶瓷本体的表面以连接该内电极的外电极。在这些陶瓷电子元件中,多层陶瓷电容器由于具有小型化、高电容和易于安装等优点而被广泛用作移动通讯设备(例如电脑、掌上电脑、手机等)的元件。近来,伴随着小型多功能电子器件的增长趋势,对于小型多功能的多层陶瓷电容器的需求也同样增加。因此,近来已经制造电介质层的厚度减小并且层数增加的多层陶瓷电容器。然而,在一些电子设备中,由于使用铁电材料的多层陶瓷电容器的压电现象而产生的声音噪声会导致严重缺陷。声音噪声可能是在配备多层陶瓷电容器的电子设备所产生的噪声中的一个因素。

发明内容
本发明的目的是提供一种小尺寸和高电容的多层陶瓷电容器,并且该多层陶瓷电容器具有高可靠性,能够在抑制分层产生的同时降低声音噪声。根据本发明的一种具体实施方式
,提供了一种多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括多层本体,在该多层本体中沿厚度方向层叠有多个电介质层;和内电极层,该内电极层形成在所述多层本体中并且包括第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极彼此相反设置,同时各个电介质层设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述第一内电极和第二内电极各自的端部彼此相反地交替暴露于所述多层本体的侧面;其中,MAl与CAl之比(MA1/CA1)在O. 07至O. 20之间;其中,所述CAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及所述MAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面中的第一边缘部的面积,该第一边缘部为所述多层本体中除了第一电容形成部之外的部分,在所述第一电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向上重叠。Cl与Al之比(C1/A1)在O. 35至2. O之间,其中,所述Al代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一长度边缘部的面积,所述第一长度边缘部为所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿长度方向延伸的部分,以及所述Cl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一厚度边缘部的面积,所述第一厚度边缘部为在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面中,所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿厚度方向延伸的部分。MA2与CA2之比(MA2/CA2)在O. 10至O. 28之间,其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体面积,以及所述MA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,所述第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。02与81之比(02作1)在0.30至1.35之间,其中,8 I代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截 面中,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。所述电介质层的厚度为3μπι或更小。用于所述电介质层中的陶瓷粉末颗粒的平均粒径为O. 3μπι或更小。根据本发明的另一具体实施方式
,提供了一种多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括多层本体,在该多层本体中沿厚度方向层叠有多个电介质层;和内电极层,该内电极层形成在所述多层本体中并且包括第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极彼此相反设置,同时各个电介质层设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述第一内电极和第二内电极各自的端部彼此相反地交替暴露于所述多层本体的侧面;其中,ΜΑ2与CA2之比(MA2/CA2)在O. 10至O. 28之间;其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及所述ΜΑ2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,该第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。C2与BI之比(C2/B1)在O. 30至I. 35之间,其中,所述BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。所述电介质层的厚度为3μπι或更小。用于所述电介质层中的陶瓷粉末颗粒的平均粒径为O. 3μπι或更小。根据本发明的还一具体实施方式
,提供了一种多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括多层本体,该多层本体包括具有3μπι或更小的厚度的电介质层;和第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极之间设置有所述电介质层,其中,设置在所述第一内电极和第二内电极之间的颗粒数量在所述电介质层的厚度方向上为10个或更多,并且MAl与CAl之比(MA1/CA1)在O. 07至O. 20之间;其中,所述CAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及所述MAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一边缘部的面积,该第一边缘部为所述多层本体中除了第一电容形成部之外的部分,在所述第一电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。Cl与Al之比(C1/A1)在O. 35至2. O之间,其中,所述Al代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一长度边缘部的面积,所述第一长度边缘部为所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿长度方向延伸的部分,以及所述Cl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一厚度边缘部的面积,所述第一厚度边缘部为在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿厚度方向延伸的部分。MA2与CA2之比(MA2/CA2)在O. 10至O. 28之间;其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及所述MA2代表沿宽度和 厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,该第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,所述第二电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。C2与BI之比(C2/B1)在O. 30至I. 35之间,其中,BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。根据本发明的再一具体实施方式
,提供了一种多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括多层本体,该多层本体包括具有3μπι或更小的厚度的电介质层;和第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极之间设置有所述电介质层,其中,设置在所述第一内电极和第二内电极之间的颗粒数量在所述电介质层的厚度方向上为10个或更多,并且ΜΑ2与CA2之比(MA2/CA2)在O. 10至O. 28之间;其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及所述ΜΑ2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,该第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。C2与BI之比(C2/B1)在O. 30至I. 35之间,其中,所述BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。


从以下结合附图的详细描述中,将更清楚地理解本发明上述和其他方面、特征和其它优点。其中图I是根据本发明一个具体实施方式
提供的多层陶瓷电容器的外透视图;图2是图I中根据本发明一个具体实施方式
提供的多层陶瓷电容器沿A-A’方向的截面视图;图3是图I中根据本发明另一 个具体实施方式
的多层陶瓷电容器沿A-A’方向的截面视图;图4是图I中根据本发明一个具体实施方式
提供的多层陶瓷电容器沿B-B’方向的截面视图;图5是图I中根据本发明另一个具体实施方式
提供的多层陶瓷电容器沿B-B’方向的截面视图;图6是显示在图3中的X部分的放大图;以及图7是显示在图5中的Y部分的放大图。
具体实施例方式将结合附图具体描述本发明的具体实施方式
。然而,需要注意的是,本发明的精神并不受限于此处展示的具体实施方式
,并且理解本发明的本领域技术人员通过在相同的精神范围内添加、修改和移除部件,能够容易地实现包含在本发明精神范围内的变劣的发明或者其它具体实施方式
,但这些都应该被认为包括在本发明的精神范围内。图I是根据本发明一个具体实施方式
提供的多层陶瓷电容器的外透视图。图2和图3是图I中的多层陶瓷电容器沿A-A’方向的截面视图。图4和图5是图I中的多层陶瓷电容器沿B-B ’方向的截面视图。图6是显示在图3中的X部分的放大图。图7是显示在图5中的Y部分的放大图。参见图I至图5,根据本发明的一个具体实施方式
的多层陶瓷电容器100可包括多层本体110和外电极130。多层本体110可具有矩形的平行六面体形状。在本发明的一个具体实施方式
中,在层叠方向上的表面分别定义为顶面Tf和底面Bf,在长度方向上的表面分别定义为第一短面(short face) Sfl和第二短面Sf2,在宽度方向上的表面分别定义为第一长面(longface) Lfl 和第二长面 Lf2。同时,关于本发明具体实施方式
中的多层陶瓷电容器,“长度方向”可定义为图I中所示的“L”方向。同样地,“宽度方向”可定义为图I中所示的“W”方向,并且“厚度方向”可定义为“T”方向。此处,“厚度方向”可具有与叠放电介质层的方向(即层叠方向)相同的概念。多层本体110可由在厚度方向T上层叠的多个电介质层形成。构成多层本体110的多个电介质层可处于烧结状态(fired state),以使得相邻电介质层之间的边界不明显。此处,各个电介质层可由具有高介电常数的陶瓷粉末形成,用于此处的陶瓷粉末可包括但不限于钛酸钡(BaTi03)粉末和钛酸锶(SrTi03)粉末等。在本发明的具体实施方式
中,多个电介质层之一的厚度可以是3 μ m或更小,并且设置在单个电介质层中的烧结颗粒的平均粒径可以是O. 3 μ m或更小。S卩,电介质层的平均粒度可以是电介质层的厚度的1/10或更小。因此,在电介质层的厚度方向上,在两个内电极之间或者在单个电介质层中设置的颗粒数量可以是10个或更多。在本发明的具体实施方式
中,电介质层的厚度可以是设置在内电极层121和122之间的电介质层的平均厚度。如图2所示,电介质层的平均厚度可通过扫描电子显微镜(SEM)在多层本体110的长度方向的截面上的图像扫描来测量。如图2所示,例如,平均厚度可由在电介质层的长度方向上的30个位置上的电介质层厚度的测量来获得,这30个位置可等距地设置在电介质层提取面的宽度方向上,该电介质层的提取面通过使用SEM扫描位于多层本体110的中心的沿长度-厚度(L-T)方向的截面而获得,然后平均所测量的厚度值。这30个等间距设置的位置由电容形成部确定,在所参照的电容形成部的区域中,第一和第二内电极121、122层叠。此外,若平均厚度测量的实施是关于10层或更多电介质层时,各电介质层的平均厚度可更具概括性。此外,电介质层的平均厚度也可在利用SM扫描在多层本体110的中心的沿宽度-厚度(W-T)方向的截面而获得的图像上测量。
在此情况下,多层本体110在宽度方向或长度方向上的中心可定义为在多层本体宽度或长度方向上距离该多层本体110在宽度或长度方向上的中心的30%范围内的点。同时,电介质层的平均粒度可通过分析由SEM提取的电介质层的截面的图片来测量。例如,可使用粒度测量软件来测量电介质层的平均粒度,该粒度测量软件支持定义在美国试验材料学会(ASTM) El 12中的平均粒度标准测量方法。多层本体110内可设有多个内电极层120。该内电极层120设置在电介质层的层叠方向上的电介质层中,以使得当具有单个电介质层设置于其中时,内电极层120之间彼此相反设置。多个内电极层120可由导电材料例如镍(Ni)或镍合金制成。镍合金可包括锰(Mn)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)以及镍(Ni)。内电极层120可通过在以特定样式形成于电介质层上的陶瓷基片的表面上刷涂导电胶而形成,该导电胶包括例如镍(Ni)等金属粉末。本发明的具体实施方式
并不限于此,但各内电极层的厚度可以是O. 7 μ m或更小。此外,根据本发明的具体实施方式
,可层叠200层或更多的电介质层,或者500层或更多的电介质层,各电介质层均具有形成在其上的内电极层120。多个内电极层120可包括多个第一内电极121和多个第二内电极122,该第一内电机121和第二内电机122具有相反极性。第一内电极121和第二内电极122可交替地层叠以根据其层叠方向而彼此相反设置,并且在第一内电机121和第二内电极之间设置有电介质层。多个第一内电极121可具有暴露于多层本体110的第一短面Sfl外的一端,同时多个第二内电极122可具有在长度方向与第一内电极121的暴露端反向并暴露于第二短面Sf2的一端。多个第一内电极121的暴露于第一短面Sfl的一端可连接于第一外电极131,同时多个第二内电极122的暴露于第二短面Sf2的一端可连接于第二外电极132。外电极130可包括形成在多层本体110两侧并彼此相反设置的第一外电极131和第二外电极132。如图I所示,第一外电极131可形成为覆盖多层本体110的第一短侧Sfl并且第二外电极132可形成为覆盖多层本体110的第二短侧Sf2。
在本发明的具体实施方式
中,第一外电极131和第二外电极132可形成为覆盖多层本体Iio的两个短侧,但本发明的具体实施方式
不限于此。因此,第一和第二外电极131和132还可形成为覆盖多层本体110的两个长侧Lfl和Lf2。第一外电极131和第二外电极132可彼此电隔离,第一外电极131可电连接于第一内电极121的暴露于多层本体110的第一短侧Sfl的一端,并且外电极132可电连接于第二内电极122暴露于第二短侧Sf2的一端,该第二短侧Sf2在长度方向上面向多层本体110的第一短侧Sfl。因此,外电极130可作为外部端子。外电极130可由铜、铜(Cu)合金等制成。下文中,将描述根据本发明具体实施方式
提供的多层陶瓷电容器的电学特性。
在多层本体110中,电容将形成在一个部分(重叠部分),该部分中,多个第一内电极121和多个第二内电极122在层叠方向重叠,并且除了上述部分之外的其余部分可用作保护形成电容的部分。以下,重叠部分可意指电容形成部,而剩余部分则可意指边缘部。当电压施加到多层本体110时,多层本体110由于压电效应而受到扭曲。这种扭曲由第一电容形成部Cu促成。特别地,当多层本体110安装在电路板中,使得第一和第二内电极121和122平行于电路板表面,多层本体110中发生扭曲最大的点可能是多层本体110的中心点。在此情况下,第一边缘部Mu可用作抑制多层本体110的扭曲。根据本发明具体实施方式
,第一边缘部Mu的面积比可设定在预定范围内,以有效地抑制多层本体Iio的扭曲并且减小多层本体110和电路板之间的振动,从而降低声音噪声。电介质层的厚度可减小并且与此同时,各电介质层内的平均粒度可设定为电介质层厚度的1/10或更小,以减小声音噪声,借此,具有低介电常数的多层陶瓷电容器能够实现。如上所述,当通过减小电介质层的厚度和电介质层内的平均粒度而实现具有低介电常数的多层陶瓷电容器时,声音噪声能够得以降低。不过,当多层本体110内的第一和第二内电极121和122之间的间距,即电介质层的厚度设置为3μπι或更小并且电介质层内的颗粒数量为10或更多时,以这种方式生产的多层陶瓷电容器中的声音噪声能够得到非常显著的降低。从下表I可更清楚地认识到。表I
权利要求
1.多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括 多层本体,在该多层本体中沿厚度方向层叠有多个电介质层;和内电极层,该内电极层形成在所述多层本体中并且包括第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极彼此相反设置,同时各个电介质层设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述第一内电极和第二内电极各自的端部彼此相反地交替暴露于所述多层本体的侧面; 其中,MAl与CAl之比在O. 07至O. 20之间; 其中,所述CAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及 所述MAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一边缘部的面积,该第一边缘部为所述多层本体中除了第一电容形成部之外的部分,在所述第一电容形成部中,所述第一内电极和所述第二内电极在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。
2.根据权利要求I所述的多层陶瓷电容器,其中,Cl与Al之比在O.35至2. O之间, 其中,所述Al代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一长度边缘部的面积,所述第一长度边缘部为所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿长度方向延伸的部分,以及 所述Cl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一厚度边缘部的面积,所述第一厚度边缘部为在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿厚度方向延伸的部分。
3.根据权利要求I所述的多层陶瓷电容器,其中,MA2与CA2之比在O.10至O. 28之间, 其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及 所述MA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,所述第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和所述第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。
4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器,其中,C2与BI之比在O.30至I. 35之间, 其中,所述BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及 所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。
5.根据权利要求I所述的多层陶瓷电容器,其中,所述电介质层的厚度为3μ m或更小。
6.根据权利要求I所述的多层陶瓷电容器,其中,用于所述电介质层中的陶瓷粉末颗粒的平均粒径为O. 3 μ m或更小。
7.多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括多层本体,在该多层本体中沿厚度方向层叠有多个电介质层;和内电极层,该内电极层形成在所述多层本体中并且包括第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极彼此相反设置,同时各个电介质层设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间,并且所述第一内电极和第二内电极各自的端部彼此相反地交替暴露于所述多层本体的侧面; 其中,MA2与CA2之比在O. 10至O. 28之间; 其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,并且 所述MA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,所述第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和所述第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器,其中,C2与BI之比在O.30至I. 35之间, 其中,所述BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及 所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。
9.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器,其中,所述电介质层的厚度为3μ m或更小。
10.根据权利要求7所述的多层陶瓷电容器,其中,用于所述电介质层中的陶瓷粉末颗粒的平均粒径为O. 3 μ m或更小。
11.多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括 多层本体,该多层本体包括具有3μπι或更小的厚度的电介质层;和 第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极之间设置有所述电介质层, 其中,设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间的颗粒数量在所述电介质层的厚度方向上为10个或更多,并且 MAl与CAl之比在O. 07至O. 20之间; 其中,所述CAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及 所述MAl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一边缘部的面积,该第一边缘部为所述多层本体中除了第一电容形成部之外的部分,在所述第一电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。
12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器,其中,Cl与Al之比在O.35至2. O之间, 其中,所述Al代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一长度边缘部的面积,所述第一长度边缘部为所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿长度方向延伸的部分,以及 所述Cl代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一厚度边缘部的面积,所述第一厚度边缘部为在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第一边缘部从所述第一电容形成部沿厚度方向延伸的部分。
13.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器,其中,MA2与CA2之比在O.10至O. 28之间; 其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及 所述MA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,所述第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和所述第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。
14.根据权利要求13所述的多层陶瓷电容器,其中,C2与BI之比在O.30至I. 35之间, 其中,所述BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及 所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。
15.多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括 多层本体,该多层本体包括具有3 μ m或更小的厚度的电介质层;和 第一内电极和第二内电极,该第一内电极和第二内电极之间设置有所述电介质层, 其中,设置在所述第一内电极和所述第二内电极之间的颗粒数量在所述电介质层的厚度方向上为10个或更多,并且 MA2与CA2之比在O. 10至O. 28之间; 其中,所述CA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,并且 所述MA2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二边缘部的面积,所述第二边缘部为所述多层本体中除了第二电容形成部之外的部分,在所述第二电容形成部中,所述第一内电极和所述第二内电极在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上沿厚度方向重叠。
16.根据权利要求15所述的多层陶瓷电容器,其中,C2与BI之比在O.30至I. 35之间, 其中,所述BI代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第一宽度边缘部的面积,所述第一宽度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部从所述第二电容形成部沿宽度方向延伸的部分,以及 所述C2代表沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的第二厚度边缘部的面积,所述第二厚度边缘部为在沿宽度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上,所述第二边缘部的从所述第二电容形成部沿厚度方向延伸的部分。
全文摘要
本发明在此提供了一种多层陶瓷电容器,包括多层本体,在该多层本体中沿厚度方向层叠有多个电介质层;和内电极层,该内电极层形成在所述多层本体中并且包括彼此相反设置的第一内电极和第二内电极,其中,MA1与CA1之比在0.07至0.20之间;其中,CA1代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面上的所述多层本体的面积,以及MA1代表沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面中的第一边缘部的面积,该第一边缘部为所述多层本体中除了第一电容形成部之外的部分,在所述第一电容形成部中,所述第一内电极和第二内电极在沿长度和厚度方向截取的所述多层本体的截面的厚度方向上重叠。
文档编号H01G4/30GK102842426SQ20121021226
公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月21日 优先权日2011年6月23日
发明者安永圭, 李炳华, 朴珉哲, 朴祥秀, 朴东锡 申请人:三星电机株式会社
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1