LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法

专利名称：LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法
技术领域：
本发明涉及LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法。
背景技术：
封装技术对OLED (Organic Light-emitting Display,有机发光显示)器件的寿命和产品性能有着重要影响。传统的OLED封装工艺采用封装玻璃盖 板并在其内部贴附干燥剂的方法，此方法具有工艺成熟、简单并且坚固、抗冲击等方面的优点，但无法满足OLED在柔性显示方面的封装需求。因此，人们开始将目光转向用薄膜封装法对OLED器件进行封装。图I为目前的OLED薄膜封装结构，其包括将OLED器件封装于基板上的薄膜封装层。制作该结构的薄膜封装法是在完成OLED器件的制作后，随即在上面进行钝化层成膜，从而通过薄膜封装层防止水、氧对OLELD器件的侵入，具有低制造成本、可柔性显示，并且如果薄膜封装层是透明结构，还可用于透明显示。目前，绝大部分的OLED器件都是采用LiF作为该OLED器件自身的电子注入层材料，并且采用Al作为OLED器件自身的阴极材料蒸镀而成。而现有的薄膜封装层则主要采用无机化合物层(如Al203、SiNx、Si0x等)或金属层(如金、银、招、铟等)加有机层(如聚娃氧烷、聚四氟乙烯等)的方式。由于上述薄膜封装材料几乎与OLED器件本身的制作材料完全不同，因此还要投入专用于蒸镀薄膜封装层的设备和材料。

发明内容
本发明旨在提供一种LiF膜的用途以及能够在一定程度上阻止水、氧侵入OLED器件的OLED封装结构及封装方法。为此，本发明特别提出LiF膜作为薄膜封装材料在运用薄膜封装法对OLED器件进行封装的工艺上的用途。像素收缩测试图表明，当采用LiF膜作为薄膜封装层时，水汽和氧对OLED器件发光区域的侵蚀效果明显差于未采用薄膜封装层时对OLED器件发光区域的侵蚀效果，说明LiF膜对水汽和氧具有一定阻隔作用，可在一定程度上防止水汽和氧对OLED器件的侵入。作为本发明的OLED封装结构，包括将OLED器件封装于基板上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括LiF膜层。进一步的，该薄膜封装层包括由上LiF膜层、中间吸收层和下LiF膜层构成的复合膜层。薄膜封装层若采用单层LiF膜层虽能在一定程度上阻止水、氧对OLED器件的侵入，并具有成膜工艺简单的优点，但对水、氧的阻隔性能还不够充分。而由上LiF膜层、中间吸收层和下LiF膜层构成的复合膜层既能够加强对水、氧的阻隔性能，并能通过中间吸收层对透过上LiF膜层的部分水、氧进行吸收。为了达到更好的效果，所述薄膜封装层包括至少两层所述的复合膜层。
中间吸收层可以采用现有的A1203、SiNx, SiOx等无机化合物层，也可以是金、银、铝、铟等金属层与聚硅氧烷、聚四氟乙烯等有机层的复合层。作为优选，所述中间吸收层为Al膜层。Al膜能通过化学反应有效吸收透过上LiF膜层的少量水汽和氧，并且Al也是OLED器件自身的阴极材料，这样，可利用现有蒸镀设备制作中间吸收层以及LiF膜层，节省设备投入。作为优选，所述Al膜层的厚度为I至10nm。当Al膜层的厚度为I至IOnm范围时，Al膜层的透光性较好，而LiF膜本身为透明材料，可进行透明薄膜封装。当然，Al膜层的厚度越厚，其封装效果也越好。作为优选，所述LiF膜层的厚度为10至lOOOnm。一般来说，LiF膜层的厚度越厚，对OLED器件的封装效果越好，但随之也将导致材料成本和生产时间的上升。因此，本发明建议将LiF膜层的厚度设定为10至IOOOnm的范围之内。本发明的OLED封装方法，包括在安装有OLED器件的基板上设置用于封装该OLED 器件的薄膜封装层的步骤，该步骤包括设置LiF膜层的操作。其中，LiF膜层的设置可通过电子束蒸镀、热蒸镀等蒸镀技术。进一步的，所述步骤包括1)真空条件下蒸镀形成下LiF膜层；2)真空条件下在所述下LiF膜层上蒸镀形成Al膜层；3)真空条件下在所述Al膜层上蒸镀形成上LiF膜层。作为优选，所述LiF膜层的厚度为10至IOOOnm ；A1膜层的厚度为I至10nm。下面结合附图和具体实施方式
对本发明做进一步的说明。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。


图I为OLED封装结构示意图。图2为本申请实施例2的复合膜层的结构示意图。图3为未设薄膜封装层时的像素收缩测试图。图4为本申请实施例I的像素收缩测试图。图5为本申请实施例2的像素收缩测试图。
具体实施例方式如图I所示，OLED封装结构包括将OLED器件2封装于基板3上的薄膜封装层I，其中，OLED器件2是通过热蒸镀方式将构成该OLED器件2的各层薄膜沉积到基板3上从而制作而成。完成OLED器件2的制作后，通过热蒸镀在OLED器件2的表面蒸镀单层的LiF膜层，其厚度为150nm。通过图3与图4的对比发现，将试样同时放置24小时后，当采用LiF膜作为薄膜封装层时，水汽和氧对OLED器件发光区域的侵蚀效果明显差于未采用薄膜封装层时对OLED器件发光区域的侵蚀效果，说明LiF膜对水汽和氧具有一定阻隔作用，可在一定程度上防止水汽和氧对OLED器件的侵入。需说明，由于水汽和氧气最先与OLED器件的边缘发生化学及物理反应，从而导致OLED器件边缘处的亮度降低或者直至不发光，因此，本申请将LED器件边缘处的发光情况作为评价OLED器件侵蚀效果的标准。LED器件边缘处的不发光区域越大，说明OLED器件侵蚀越严重。
如图2所示，薄膜封装层I是由上LiF膜层101a、中间吸收层102和下LiF膜层IOlb构成的单层的复合膜层10。其中，中间吸收层102为Al膜层102A，其厚度为2nm，上LiF膜层IOla厚度为50nm，下LiF膜层IOlb厚度为50nm。该复合膜层10的利记博彩app为完成OLED器件2的制作后，真空条件下在OLED器件2的表面热蒸镀形成下LiF膜层101b，然后于真空条件下在所述下LiF膜层IOlb上蒸镀形成Al膜层102A，最后同样于真空条件下在所述Al膜层102A上蒸镀形成上LiF膜层101a。通过图4与图5的对比发现，将试样同时放置24小时后，当采用复合膜层10作为薄膜封装层I时，水汽和氧对OLED器件2发 光区域的侵蚀效果明显差于采用单层LiF膜时水汽和氧对OLED器件2发光区域的侵蚀效果。在实施例2的基础上，可以重复进行复合膜层10的蒸镀，进一步提高封装效果。
权利要求
1.LiF膜作为薄膜封装材料在运用薄膜封装法对OLED器件进行封装的工艺上的用途。
2.OLED封装结构，包括将OLED器件(2)封装于基板(3)上的薄膜封装层(I )，其特征在于所述薄膜封装层(I)包括LiF膜层(101 )。
3.如权利要求2所述的OLED封装结构，其特征在于所述薄膜封装层(I)包括由上LiF膜层(101a)、中间吸收层(102)和下LiF膜层(IOlb)构成的复合膜层(10)。
4.如权利要求3所述的OLED封装结构，其特征在于所述薄膜封装层(I)包括至少两层所述的复合膜层(10)。
5.如权利要求3所述的OLED封装结构，其特征在于所述中间吸收层(102)为Al膜层(102A)。
6.如权利要求5所述的OLED封装结构，其特征在于所述Al膜层(102A)的厚度为I至 10nm。
7.如权利要求2至6中任意一项权利要求所述的OLED封装结构，其特征在于所述LiF膜层(101)的厚度为10至IOOOnm0
8.OLED封装方法，包括在安装有OLED器件(2)的基板(3)上设置用于封装该OLED器件(2)的薄膜封装层(I)的步骤，其特征在于该步骤包括设置LiF膜层(101)的操作。
9.如权利要求8所述的OLED封装方法，其特征在于所述步骤包括1)真空条件下蒸镀形成下LiF膜层(IOlb) ;2)真空条件下在所述下LiF膜层(IOlb)上蒸镀形成Al膜层(102A) ；3)真空条件下在所述Al膜层(102A)上蒸镀形成上LiF膜层(101a)。
10.如权利要求9所述的OLED封装方法，其特征在于所述LiF膜层(101)的厚度为10至IOOOnm ；A1膜层(102A)的厚度为I至IOnm0
全文摘要
本发明公开了一种LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法，可在一定程度上阻止水、氧侵入OLED器件。本发明特别提出LiF膜作为薄膜封装材料在运用薄膜封装法对OLED器件进行封装的工艺上的用途。本发明的OLED封装结构，包括将OLED器件封装于基板上的薄膜封装层，所述薄膜封装层包括LiF膜层。本发明的OLED封装方法，包括在安装有OLED器件的基板上设置用于封装该OLED器件的薄膜封装层的步骤，该步骤包括设置LiF膜层的操作。像素收缩测试图表明，当采用LiF膜作为薄膜封装层时，水汽和氧对OLED器件发光区域的侵蚀效果明显差于未采用薄膜封装层时对OLED器件发光区域的侵蚀效果，说明LiF膜对水汽和氧具有一定阻隔作用，可在一定程度上防止水汽和氧对OLED器件的侵入。
文档编号H01L51/52GK102709486SQ20121019086
公开日2012年10月3日 申请日期2012年6月11日 优先权日2012年6月11日
发明者文东星, 田朝勇, 郎丰伟, 高昕伟 申请人:四川虹视显示技术有限公司