专利名称：具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app
技术领域：
本发明属于半导体光电子器件技术领域，特别是指ー种具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app。
背景技术：
GaN基LED作为固态光源ー经出现就以其高效、长寿命、环保等优点，被视为爱迪生发明电灯后人类照明史上的第二次革命，成为国际上半导体和照明领域研发与产业关注的焦点。但GaN基LED进入通用照明领域，在技术上和成本上还面临许多难题，需进ー步提高LED的内量子发光效率和光提取效率。采用具有空气桥结构的发光二极管可提高LED的光提取效率，有很好的散热效果。该方法使用自组装技术，エ艺简单，技术先进，有利于大規模生产。
发明内容
本发明目的是提出ー种具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，这种空气桥结构可提闻LED的光提取效率，有很好的散热效果。本发明提供ー种具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，包括I)在蓝宝石衬底上淀积ー层ニ氧化硅掩蔽层，ニ氧化硅掩蔽层的厚度为400nm ；2)在ニ氧化硅掩蔽层上排列ー单层紧密排列的自组装聚苯こ烯球；3)第一次加热，温度为80°C，使自组装聚苯こ烯球与ニ氧化硅掩蔽层结合牢固；4)采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯こ烯球；5)第二次加热，温度为105°C，加热时间为l_5min，使自组装聚苯こ烯球在ニ氧化硅掩蔽层有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装聚苯こ烯球的间隙、表面及ニ氧化硅掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜，金属掩膜的材料为Al或Cr ;并甲苯超声去除自组装聚苯こ烯球表面的金属掩膜；7)采用温度处理，使自组装聚苯こ烯球气化，ニ氧化硅掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；8)刻蚀ニ氧化硅掩蔽层，刻蚀深度到达蓝宝石衬底的表面；9)酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成ニ氧化硅的纳米孔状阵列结构；10)在纳米孔状阵列结构上依次外延U-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；11)将芯片置于HF溶液中超声,使U-GaN层中的ニ氧化娃掩蔽层被腐蚀掉后,被空
为使审查员能进ー步了解本发明的结构、特征及其目的，以下结合附图及较佳具体实施例的详细说明如后，其中
图I是本发明在蓝宝石衬底沉积ニ氧化硅掩蔽层，其中10为蓝宝石衬底，11为ニ氧化娃掩蔽层；图2是本发明自组装聚苯こ烯球俯视图，其中11为ニ氧化硅掩蔽层，20为自组装聚苯こ烯球；图3是本发明单层自组装聚苯こ烯球排列在ニ氧化硅掩蔽层上的截面图，其中10为蓝宝石衬底，11为ニ氧化硅掩蔽层，20为自组装聚苯こ烯球；图4是本发明采用ICP刻蚀自组装聚苯こ烯球，使PS球半径变小后的截面图，其中10为蓝宝石衬底，11为ニ氧化硅掩蔽层，20为自组装聚苯こ烯球；图5是本发明采用ICP刻蚀自组装聚苯こ烯球，使PS球半径变小后的俯视图，其中11为ニ氧化硅掩蔽层，20为聚苯こ烯球；
图6是在自组装聚苯こ烯球表面、间隙及ニ氧化硅掩蔽层表面蒸金属Al或Cr后，超声清洗掉自组装聚苯こ烯球上的金属后的截面图，其中10为蓝宝石衬底，11为ニ氧化硅掩蔽层，20为自组装聚苯こ烯球，金属网孔掩膜60 ；图7是本发明高温去除自组装聚苯こ烯球，剩下金属掩膜的截面图，其中10为蓝宝石衬底，11为ニ氧化硅掩蔽层，60金属网孔掩膜；图8是本发明形成纳米孔状阵列结构的截面图，剰余部分为金属掩膜和未刻蚀掉的ニ氧化硅掩蔽层，其中10为蓝宝石衬底，11为被刻蚀的ニ氧化硅掩蔽层，金属网孔掩膜60 ；图9是本发明在图8基础上去除金属掩膜后的截面图，其中10为蓝宝石衬底，90ニ氧化硅纳米孔状阵列结构；图10是本发明在图9基础上外延U-GaN层，其中10为蓝宝石衬底，11为被刻蚀的~■氧化娃掩蔽层，100为U-GaN层；图11是本发明在U-GaN层上形成n-GaN层，MQW结构，EBL，p-GaN层，其中10为蓝宝石衬底，11为被刻蚀的~■氧化娃掩蔽层，100为U-GaN层，110为n_GaN层，111为MQW结构，112 为 EBL, 113 为 p-GaN 层。
具体实施例方式请參阅图I至图11所示，本发明提供ー种具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，包括以下步骤I)在蓝宝石衬底10淀积ー层ニ氧化硅掩蔽层11，约400nm，形成基片，掩蔽层11也可以是SiN或者其它绝缘介质膜；2)在ニ氧化硅掩蔽层11上排列ー单层紧密排列的自组装聚苯こ烯球20 ;ニ氧化硅掩蔽层11上排列的掩膜为自组装技术，或者用甩膜的方式在基片表面排列ー单层紧密排列的聚苯こ烯或氧化硅纳米小球，还包括其他透明有机球，球的直径在O. I-Ium之间；3)第一次加热，温度为80°C，使自组装聚苯こ烯球20与ニ氧化硅掩蔽层11结合牢固；4)采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯こ烯球20，刻蚀气体为氧气，氧气流量为70sccm，腔压为6mTorr，起辉功率为300W，溅射功率为10W，刻蚀时间为l_2min，使自组装聚苯こ烯球半径减小，也可以采用RIE的来刻蚀；
5)第二次加热，温度为105°C，加热时间为l_5min，自组装聚苯こ烯球20在ニ氧化硅掩蔽层11有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装聚苯こ烯球20的间隙、表面及ニ氧化硅表面蒸金属掩膜60，该金属掩膜60的材料为Al或Cr，并甲苯超声去除自组装聚苯こ烯球20表面的金属掩膜60，ニ氧化娃掩蔽层11表面的属掩膜60结合较紧,则不会被剥离；7)采用温度处理，处理的温度为400-600°C，处理的时间为l_30min，使自组装聚苯こ烯球20气化，ニ氧化硅掩蔽层11上形成网孔状的金属掩膜60 ;网孔状的金属掩膜60的形成是借助于自组装聚苯こ烯球20高温加热后气化除去；8)刻蚀ニ氧化硅掩蔽层11，刻蚀深度到达蓝宝石衬底10的表面，刻蚀气体为氟基气体；9)酸液腐蚀掉网孔状的金属掩膜60，形成ニ氧化硅纳米孔状阵列结构90 ；10)在纳米孔状阵列结构90上依次外延U-GaN层100、n_GaN层110、MQW(多量子讲结构)111、EBL (电子阻挡层)112和P-GaN层113，形成芯片；11)将芯片置于HF溶液中超声，使U-GaN层100中的ニ氧化硅掩蔽层11被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。最后采用激光划出激光划槽，将芯片切割成多个小芯片，但不裂片，小芯片切割成7X9milU0X23mil等尺寸，形成空气桥结构121的发光二极管管芯。以上所述，仅为本发明中的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任 何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换，都应涵盖在本发明的包含范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
权利要求
1.ー种具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，包括 1)在蓝宝石衬底上淀积ー层ニ氧化硅掩蔽层，ニ氧化硅掩蔽层的厚度为400nm； 2)在ニ氧化硅掩蔽层上排列ー单层紧密排列的自组装聚苯こ烯球； 3)第一次加热，温度为80°C，使自组装聚苯こ烯球与ニ氧化硅掩蔽层结合牢固； 4)采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯こ烯球； 5)第二次加热，温度为105°C，加热时间为l_5min，使自组装聚苯こ烯球在ニ氧化硅掩蔽层有稍微塌陷，把点接触变成面接触； 6)在自组装聚苯こ烯球的间隙、表面及ニ氧化硅掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜，金属掩膜的材料为Al或Cr ;并甲苯超声去除自组装聚苯こ烯球表面的金属掩膜； 7)采用温度处理，使自组装聚苯こ烯球气化，ニ氧化硅掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜； 8)刻蚀ニ氧化硅掩蔽层，刻蚀深度到达蓝宝石衬底的表面； 9)酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成ニ氧化硅的纳米孔状阵列结构； 10)在纳米孔状阵列结构上依次外延U-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片； 11)将芯片置于HF溶液中超声,使U-GaN层中的ニ氧化娃掩蔽层被腐蚀掉后,被空气包覆，完成发光二极管的制作。
2.根据权利I所述的具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，其中自组装聚苯こ烯球的直径为O. 1-lum。
3.根据权利I所述的具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，其中采用ICP刻蚀的方法刻蚀自组装聚苯こ烯球，刻蚀气体为氧气，氧气流量为70SCCm，腔压为6mTorr，起辉功率为300W，溅射功率为10W，刻蚀时间为l_2min，使自组装聚苯こ烯球半径减小。
4.根据权利要求I所述的具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，其中甲苯超声的时间为5min。
5.根据权利要求I所述的具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，其中采用温度处理的温度为500-600°C，处理时间为l-30min。
6.根据权利要求I所述的具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，其中将芯片置于HF溶液中超声为40s。
全文摘要
一种具有空气桥结构发光二极管的利记博彩app，包括在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
文档编号H01L33/00GK102683522SQ20121018042
公开日2012年9月19日 申请日期2012年6月4日 优先权日2012年6月4日
发明者刘喆, 吴奎, 张逸韵, 李晋闽, 李璟, 王军喜, 闫建昌, 魏同波 申请人:中国科学院半导体研究所