通道网络结构及其方法

文档序号:7085926阅读:224来源:国知局
专利名称:通道网络结构及其方法
技术领域
本发明的不同方面涉及集成电路,更具体地,涉及用于集成电路的电路连接器和通道(via)网络。
背景技术
多种不同类型的集成电路和相关部件在制造エ艺期间和制造エ艺之后易受不期望的应カ和其他条件的影响。例如,对于集成电路(IC)エ业来说,对IC的键合焊盘的机械破坏是常见的制造和可靠性问题。这种破坏例如可能是由于探測(例如,在功能测试期间)或导线键合或设置金属凸块(例如,在芯片封装期间)而引起的,并且可能涉及由于焊盘与下部IMD的较差粘合(例如,与温度和/或键合有夫)而引起的焊盘金属剥落。在基于Al的互连技术和基于Cu的互连技术中均可能出现类似的破坏。导线键合引起的焊盘破坏(例如,由于芯片封装之前焊盘上由探測引起的破坏,而被触发/增强),可能在组装制造中 引起生产线产率损失(例如,由于金属剥落和键合损失以及其他情况而引起)。由于在现场的温度周期之后或者在产品的寿命测试期间的金属剥落和键合翘起,这会导致产品可靠性较差。在通过基于Cu的导线键合来实现芯片封装的情况下,这些问题可能更严重。为了解决这样的问题,通常致力于使制造期间的晶片制造エ艺和/或新产品尤其适于具有挑战性的应用条件,例如,适用于汽车电路中。在一些情况下,添加附加的焊盘以减小或消除探測破坏和键合破坏之间的相互影响。还可以使用更强和/或更硬的焊盘材料,但是在整个集成电路上实现鲁棒的強度仍然是成问题的(例如,由于集成电路中其他相对脆弱的部分)。例如,金属间电介质通常是易碎的,并且可能在探測、导线键合或设置金属凸块期间破裂。在拉线(wire-pull)测试期间或者在寿命测试或现场应用中的温度循环期间,这些破裂可能变大,从而导致键合球翘起或者甚至导致焊盘叠层剥落。因此,多种集成电路芯片的制造和实现仍然是具有挑战性的。

发明内容
多个示例实施例涉及ー种针对多种集成电路应用的具有集成通道网络的电路连接器(例如,键合焊盘),并且解决了包括上述问题在内的多种问题。多个实施例涉及ー种集成电路器件,所述集成电路器件在该集成电路器件的结构上提供表面,并且在所述表面处包括至少ー个键合焊盘接触部。对于每个键合焊盘接触部,该集成电路器件还包括位于该键合焊盘接触部下方的多个通道网络层,所述多个通道网络层将该键合焊盘接触部与ー个或多个金属层相连。每个通道网络层包多个通道条带,所述多个通道条带被配置和布置为基本上平行于所述表面沿着不同方向延伸,以促进对键合焊盘接触部的结构支撑。绝缘材料位于每层中的通道条带之间。另ー示例实施例涉及ー种制造集成电路器件的方法,所述集成电路器件在所述集成电路器件的结构上提供表面。在表面下方的绝缘材料中形成金属层,在金属层之间的绝缘材料中形成多个通道网络层。每个通道网络层包括多个通道条带,所述多个通道条带基本上平行于所述表面沿不同方向延伸,以促进对通道条带上方的键合焊盘接触部的结构支撑,所述通道条带将键合焊盘接触部与金属层相连。另ー示例实施例涉及ー种集成电路器件。集成电路器件包括由金属间电介质层隔开的多个金属层;金属层中上部金属层上的顶部金属间电介质层;以及多个键合焊盘叠层。每个键合焊盘叠层包括键合焊盘接触部,沿着顶部金属间电介质层的表面横向地延伸。在键合焊盘接触部下方的每个金属间电介质层中,由互连的通道条带组成网络,通道条带基本上平行于键合焊盘接触部沿不同方向延伸,以促进键合焊盘接触部的结构支撑,由金属间电介质层将每个键合焊盘接触部的通道条带与其他键合焊盘接触部的通道条带分开。以上论述并非g在描述本公开的每个实施例或每种实现方式。附图和以下描述也举例说明了不同实施例。



结合附图,通过以下详细描述,可以更完整地理解各个示例实施例,附图中图I示出了根据本发明示例实施例具有通道网络结构的焊盘叠层的顶视图和截面图;图2示出了根据本发明另ー示例实施例的通道网络;图3示出了根据本发明另ー示例实施例的另一通道网络;图4示出了根据本发明另ー示例实施例的另ー焊盘叠层和通道网络的顶视图和截面图。
具体实施例方式尽管本发明可以具有多种修改和替换形式,然而仅以示例的形式在附图中示出了本发明的细节并对其进行详细描述。然而应理解,本发明不限于描述的具体实施例。与之不同,本发明将覆盖落入包括权利要求所限定方面的本发明范围之内的所有修改、等同和替换。此外,贯穿本文使用的术语“示例”是说明性的而非限制性的。相信本发明可以应用于多种不同类型的电路、设备和装置,这些电路、设备和装置涉及对键合焊盘、凸块焊盘或其他电路连接器的使用。尽管本发明不必一定局限于此,然而通过论述相关示例可以理解本发明的不同方面。根据示例实施例,ー种电路连接器网络包括键合焊盘接触部或凸块焊盘接触部,每个键合焊盘接触部或凸块焊盘接触部连接至由通道条带组成的一个或多个网络,所述通道条带在焊盘接触部下方的ー层或多层中支撑键合焊盘接触部或凸块焊盘接触部。每个网络包括横向连接结构,所述横向连接结构对键合焊盘接触部或凸块焊盘接触部提供了强度。可以使用多种材料中的ー种或多种来形成通道网络,可以结合其他电路部件的形成将通道网络制造成集成电路的一部分(例如,作为将功能电路部件(例如晶体管)与焊盘接触部相连的金属层的形成过程的一部分)。可以以多种排列方式和数量来形成通道条带,以适合不同的应用,例如,以交叉图案、以放射状图案以及以其他图案来形成通道条带,通道条带的数目被设置为适合键合焊盘连接和/或满足期望的网络强度。例如,通道网络可以用于支撑键合焊盘接触部和/或凸块焊盘接触部,以减小或消除可能由于探测、导线键合或设置金属凸块(metal bumping)而引起的机械破坏,所述探測、导线键合或设置金属凸块例如可能与集成电路芯片的制造、封装、组装或测试有夫。在多种实现方式中,网络促进或增强了金属层与下部金属间电介质(MD)层的粘合,从而减小或防止了焊盘金属的剥落。在多种情况下,键合焊盘接触部或凸块焊盘接触部是键合焊盘叠层或凸块焊盘叠层(可以简单地称作键合焊盘或凸块焊盘)的一部分,所述键合焊盘叠层或凸块焊盘叠层包括材料叠层,如本文所述,所述材料叠层包括支撑焊盘接触部的下部金属和电介质层。在一些实现方式中,通道网络被配置为充分地支撑键合焊盘叠层和/或凸块焊盘叠层,以便于将焊盘叠层放置在集成电路器件的有源区上方(例如,针对有源上键合(bond-on-active)实现方式)。在一些实现方式中,通道网络被配置为在使用了 Au的应用中使用Cu或Al线代替Au来充分地支撑键合焊盘叠层和/或凸块焊盘叠层。在这些实现中,充分地支撑是指以下支撑量对于使用了通道网络的应用而言,该支撑量防止焊盘叠层的一部分(例如,上部键合焊盘接触部和/或凸块焊盘接触部下方的电介质材料和/或金属层)破裂,以在基本上所有(例如,至少95% )的连接条件下都能够将焊盘耦合至外部电路。根据本文描述的ー个或多个实施例,可以使用多种材料作为键合焊盘接触部、通道和/或互连。例如,可以使用W或Cu来形成通道网络,如本文所述,所述通道网络支撑键合焊盘接触部和/或凸块焊盘接触部。可以使用诸如Ti、TiN、TiW、W或TiTa之类的材料作为针对接触部/通道栓塞的阻挡材料(例如,对于由W或Cu制成的通道条带网络)。还可以使用金属间电介质(IMD),如,娃、氧化物、氧化娃(TE0S或基于娃烧的(silane-based))、氮氧化硅、氮化硅、氮化物和/或各种低k材料。在多种实现方式中,将通道网络制造为使得键合焊盘叠层(包括ー个或多个特定于焊盘的支撑通道网络)中頂D所在的层是金属占主导的金属-頂D混合层。金属-頂D混合层被形成得足够强(例如,不易碎)和足够硬,以至于能够承受高剪切力(shear force)并使能量分布在更广的区域(例如,在键合球的边缘周围),从而由于金属通道网络的存在 而减小或消除了 MD中的大断裂。例如,这种断裂可能出现在芯片封装/组装过程中的探测(例如,在进行电子分拣探测期间)、导线键合或设置金属凸块期间。在一些实施例中,焊盘叠层的至少ー些金属层为金属板的形式,在某些实施例中除了顶部金属层之外如此。每个通道网络中通道的数目、位置和互连可以被设置为适于具体应用。例如,在具体层中通道网络与頂D的比值可以在0.3和0.75之间。在一些实施例中,焊盘和通道网络被配置和布置为与集成电路芯片的頂D中的一个或多个通道网络的覆盖范围成比例,进一歩地,与通道网络所在的MD的厚度的三次幂成比例。在一些实现方式中,还通过増大MD (例如,顶部MD)的厚度来提高焊盘强度(例如,通过将MD厚度增大25%能够使MD上形成的键合焊盘的强度/硬度増大95% )。在一些实施例中,通道网络包括相对于表面而布置的多级(level),在所述表面上键合焊盘接触部与通道网络相连。在一些实现方式中,在网络中的不同位置使用不同的材料和/或不同的通道尺寸,以根据需要在所选位置处定制网络的強度,同时还节省了网络其他部分中材料、制造或其他方面的成本。例如,可以在最靠近要被支撑的键合焊盘接触部的ー个(或多个)通道网络层中使用诸如钨之类的硬材料,而在网络的其他部分中使用较廉价的(通常强度较低的)材料。如本文不同实施例中所述,所谓键合焊盘或凸块,例如可以对应于从集成电路器件到外部部件的连接。在这些情况下,术语键合焊盘与凸块或凸块焊盘(例如,称作接触部或叠层)通常彼此间以及与其他描述之间是可互換的,只要它们一般地适用于在集成电路或诸如印刷电路板之类的其他部件的表面处或表面附近的电路连接器。多个其他示例实施例涉及形成用干支撑键合焊盘接触部的通道网络的方法以及相关的集成电路器件。在具体实施例中,如下形成集成电路器件。交替形成金属层和MD层,以随后形成(顶部)键合焊盘金属接触层。在ー个或多个IMD内,形成通道网络以支撑键合焊盘金属接触层。在一些实现方式中,在IMD中按一定图案形成沟槽,以设置通道条带的图案。沿着与键合焊盘所在表面基本上平行的方向,并且沿不同方向形成沟槽,以便于对通道条带上方的键合焊盘接触部的结构支撑。然后在沟槽中形成通道条带,通道条带可以将键合焊盘接触部电连接至金属层。在一些实施例中,独立于通道条带和/或与通道条带 一起,经由其他电路连接器来进行键合焊盘(例如,键合焊盘的上部接触部)与其他金属层的电连接。在一些实施例中,将通道条带形成为彼此相交,并且形成重叠型或网格型图案。例如,通道条带可以沿X方向和y方向布置,或者沿三个或更多方向布置,相对于彼此在ー个或多个角度上,以弧形延伸,以及沿径向方向延伸。还可以实质上在与通道网络层相连的键合焊盘下方的器件部分内形成通道条带。此外,可以如本文其他地方所述那样设置通道条带的材料、厚度和结构,以适合具体应用。此外,可以将MD层形成为具有一定厚度以便于实现期望的支撑(例如,可以使紧靠键合焊盘接触部下方的上部頂D层制造得更厚,以便于实现增强的支撑)。可以以多种エ艺将实现本文描述的通道条带实现到焊盘,例如,Al互连W通道栓塞エ艺技术和Cu互连/通道大马士革(damascene)技术,其中上下两个金属级具有相同电势,或者下部金属层不包括在键合焊盘叠层中。对于Cu互连/通道大马士革实施例,可以将较厚的阻挡层用于顶部金属,以加强抑制对键合焊盘叠层的机械破坏。此外,在使用了通道的所有级处的垂直通道条带可以彼此对齐/重叠。可以结合不同实施例来实现多种制造方法。对于Al互连W通道栓塞技木,沉积并图案化Al金属,然后沉积金属间电介质MD并将其平坦化。然后在MD中形成通道孔洞和通道条带,并用W填充。每个后续级同样从Al金属沉积开始来如此形成。对于Cu互连技木,沉积并平坦化电介质材料,然后形成通道孔洞/通道条带开口和金属沟槽。用Cu来填充通道孔洞/条带和金属沟槽,エ艺在下一级再次从电介质沉积开始来继续进行。现在转向附图,图I示出了根据本发明另ー示例实施例的具有通道网络结构100的键合焊盘叠层的顶视图和截面图。在图I的三幅图中,图IA示出了通道网络结构的顶视图,图IB和IC分别示出了图IA所示的A-A和B-B截面。首先參考图IA的顶视图,通道网络结构100包括沿X方向和y方向(例如,相对于集成电路器件的横向方向)彼此相交和/或交叉的多个通道条带。X方向上的通道条带包括通道条带110 (在截面B-B处),y方向上的通道条带包括通道条带120。条带在ー种或多种绝缘类型的材料(例如,电介质)102中,所述绝缘类型的材料还支撑条带。參考图IB的截面A-A,在上表面处并且在包括多个通道条带122的通道网络上方,形成键合焊盘接触部130,所述多个通道条带122沿图IA的y方向延伸并且基本上平行于表面。通道条带122支撑键合焊盘接触部130,并且还将键合焊盘接触部连接至下方的金属层140。以示例的方式在金属层140下方示出了附加的通道条带和(交替的)金属层(可以使用更少或更多的通道网络以适合不同的实施例)。键合焊盘与金属层140的连接可以包括电连接,例如用以连接至电路部件。还可以采用其他电连接(例如,直接连接至键合焊盘接触部130),所示的金属层通常用作支撑,并不一定需要促进例如在集成电路的操作中实现的任何电连接。參考图IC的截面B-B,键合焊盘接触部130在通道条带110上,所述通道条带110沿图IA的X方向延伸并且也基本上平行于上表面。因此通道条带110延伸的长度基本上与键合焊盘接触部130的长度相同,实质上全部(例如,大部分,或者几乎全部)通道条带都在键合焊盘下方。通道条带的长度是指相对于厚度而言较长的方向(X和y)上的长度(例如,长度至少比厚度大ー个数量级)。因此,可以利用通道网络叠层来支撑多个键合焊盘,每个键合焊盘具有其自己的叠层,例如以在集成电路型器件中实现。
器件100可以以多种方式来实现。例如,如上所述,器件可以作为集成电路芯片的一部分,如图所示包括多个键合焊盘和支撑通道网络叠层。器件100还可以耦合至或容纳集成电路芯片并提供与集成电路芯片的互连。此外,如上所述,器件100(或在其他图中所示并且在下文中论述的器件)可以包括多种不同材料和尺寸的通道条带,以适合具体应用。在一个实例中,最靠近键合焊盘的第一通道网络层(例如,图IB和IC中的122和110)包括第一材料的通道条带,第一材料与其他通道互连层(例如,在金属层140下方)中通道条带的第二材料不同。例如,相对于下部层中的通道条带而言,条带122和110可以由更高屈服强度(yield strength)(例如,相对于使材料开始塑性形变的力)的材料形成。这种方法促进了在下部通道网络中使用更廉价的材料或具有其他期望特性的材料,同时限制对上部通道网络使用高屈服強度的材料,以充分地支撑键合焊盘接触部130。作为涉及变化的通道条带的另ー实施例,将最靠近键合焊盘的ー层或多层中的通道条带(例如,图IB和IC中的122和110)形成为具有比下部通道条带大的截面。这促使实现了更大的強度来支撑键合焊盘接触部130,同时节省了下部层中的材料。还可以定制通道的厚度和数目以适合施加到键合焊盘接触部的预期力,从而在材料和制造成本与条带的強度之间获得折中。其他实施例涉及不同通道网络层中的材料和厚度变化,以适合类似的需求。參考图2,根据本发明另ー示例实施例,通道网络200包括沿着弧形(例如,圆形)方向延伸的通道条带以及沿径向方向延伸的通道条带。弧形通道包括通道210,径向通道包括通道220,弧形通道和径向通道位于绝缘材料202中并且分别以示例的方式被标记。通道网络220可以形成在ー个或多个MD层中,以支撑键合焊盘接触部,如,图IA中的键合焊盘接触部130。图3示出了根据本发明另ー示例实施例的另一通道网络结构300,该通道网络结构300具有网络层中分离的四组通道条带。例如,通道子网络组305被标记,并且具有分别在X方向和y方向上的通道,包括通道310和320,形成在绝缘型材料302中。其他实施例涉及更少或更多的这种组。在一些实现方式中,通道组彼此重叠和/或彼此耦合以进ー步支撑上部的键合焊盘。图4示出了根据本发明另ー示例实施例的另ー焊盘和通道网络400的顶视图(图4A)和截面图(图4B、4C和4D)。在图4中,使用与图I所示通道网络层相类似的通道网络层来支撑上部的键合焊盘接触部,同样按类似网格的图案形成金属层。首先參考图4A,在绝缘材料402中沿X方向和y方向将通道条带(标记了条带410和420作为示例)图案化。还以类似的方式将ー个或多个下部金属层(分别标记了沿着X方向和I方向延伸的金属层条带430和432作为示例)图案化。參考图4B,图4B示出了图4A中的截面A_A,键合焊盘接触部440由通道网络支撑,通道网络包括沿I方向延伸的通道条带422。还按条带形式来图案化金属层434,条带434也沿着y方向延伸。參考图4C,通道条带412沿X方向延伸,在包括键合焊盘接触部440和层436的金属层之间交替。这种图案化金属层的方法例如还可以与针对通道条带和金属层中的一方或双方使用其他图案化方法(如其他图中所示)相结合来执行。參考图4D,示出了涉及图4A中截面A-A的另ー实施例。键合焊盘接触部440由通道网络来支撑,通道网络包括沿I方向延伸的通道条带422。还按条带形式来图案化金属层434,条带434也沿y方向延伸(例如,可以例如如图所示在键合焊盘叠层中没有上部金属和通道网络的情况下实现)。上部通道被示为与下部层分离。基于以上论述和说明,本领域技术人员容易理解,可以对本发明进行各种修改和改变,而不必严格遵循本文示出和描述的示例实施例和应用。例如,可以相对于术语“上方”和“下方”来修改层的取向(例如,转动或翻转器件),同时保持图中所示和/或本文描述的空间关系。此外,尽管出于示例的目的在图中以相对少的通道条带示出了通道网络,然而在各个键合焊盘下方可以实现多个这样的条带,并且条带之间的间隔距离比所示的要小。可以设置条带的数目以促进期望的強度等级,期望的強度可以是针对具体应用而定制的。就金属层的形状和/或键合焊盘的开ロ区域而言,可以支撑其他形式的(例如,方形、矩形、圆形、八边形、椭圆形)键合焊盘接触部。此外,可以对厚度、宽度和其他结构特性进行改变,同时总体上在本文描述的通道网络结构中提供支撑。通道网络还可以以耦合至其他通道,如,基本上垂直于键合焊盘而延伸的点通道。这种修改不脱离本发明的真实精神和范围,本发明的真实精神和范围包括所附权利要求中阐述的真实精神和范围。权利要求
1.一种集成电路器件,在集成电路器件的结构上提供表面,所述集成电路器件包括 所述表面处的至少一个键合焊盘接触部; 位于每个键合焊盘接触部下方并且将该键合焊盘接触部与金属层相连的至少一个通道网络层,每个通道网络层包多个通道条带,所述多个通道条带被配置和布置为基本上平行于所述表面沿着不同方向延伸,以促进对该键合焊盘接触部的结构支撑;以及 绝缘材料,在每层中的通道条带之间。
2.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,通道网络层中的至少一个通道网络层的通道条带包括多个相交的通道条带。
3.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,多个通道条带基本上平行于所述表面横向地延伸到与键合焊盘接触部沿所述表面的横向尺寸基本上相等的长度。
4.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,对于每个通道网络层,该通道网络层实质上位于在与该通道网络层相连的键合焊盘接触部下方的集成电路器件部分内。
5.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,所述集成电路器件包括封装,被配置为耦合至集成电路芯片。
6.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,最靠近键合焊盘接触部的第一通道网络层包括具有第一材料的通道条带,所述第一材料不同于比第一通道网络层距离键合焊盘接触部远的另一通道互连层中的通道条带所具有的第二材料,所述第一材料的机械强度比第二材料大。
7.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,最靠近键合焊盘接触部的第一通道网络层包括通道条带,所述通道条带的截面大于比第一通道网络层距离键合焊盘接触部远的另一通道互连层中的通道条带的截面。
8.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,最靠近键合焊盘接触部的第一通道网络层包括第一材料的通道条带,所述第一材料不同于比第一通道网络层距离键合焊盘接触部远的另一通道互连层中的通道条带的第二材料,而且所述第一材料的通道条带的截面比所述另一通道互连层中的通道条带的截面大,第一材料且截面较大的通道条带提供的结构支撑强于所述另一通道互连层中的通道条带所提供的结构支撑。
9.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,通道网络层中至少一个通道网络层的通道条带以弧形延伸,另一通道网络层中的通道条带沿着与弧形的方向相交的径向方向延伸。
10.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,绝缘材料包括在键合焊盘接触部与最靠近所述表面的下部金属层之间的绝缘材料层,所述绝缘材料层比最靠近所述表面的金属层与另一较下的金属层之间的绝缘材料层厚。
11.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,通道网络层中的至少一个通道网络层包括在所述表面下方彼此横向相邻布置且基本上均等地隔开的通道网络。
12.根据权利要求I所述的集成电路器件,其中,将至少一个金属层图案化成网络结构,所述网络结构与所述至少一个金属层紧邻的通道网络层中的通道条带的网络结构相匹配。
13.—种制造集成电路器件的方法,在所述集成电路器件的结构上提供表面,所述方法包括在至少一种绝缘材料中,形成至少一个通道网络层,每个通道网络层包括多个通道条带,所述多个通道条带被配置和布置为基本上平行于所述表面沿不同方向延伸,以促进对通道条带上方的键合焊盘接触部的结构支撑。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,形成至少一个通道网络层包括在绝缘材料中形成多个沟槽,所述沟槽基本上平行于所述表面延伸;以及利用导电材料填充所述沟槽以形成通道条带。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,形成至少一个通道网络层包括在通道网络层的至少一个通道网络层中形成相交的通道条带。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,形成至少一个通道网络层包括实质上在与所述至少一个通道网络层相连的键合焊盘接触部下方的集成电路器件部分内,形成通道网络。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,形成至少一个通道网络层包括在最靠近键合焊盘接触部的第一通道网络层中形成第一材料的通道条带,以及在比所述第一通道网络层距离键合焊盘接触部远的另一通道互连层中形成第二材料的通道条带,所述第一材料的机械强度比第二材料大。
18.根据权利要求13所述的方法,其中,形成至少一个通道网络层包括在最靠近键合焊盘接触部的第一通道网络层中形成通道条带,所述通道条带的截面大于比所述第一通道网络层距离键合焊盘接触部远的另一通道互连层中的通道条带的截面。
19.根据权利要求13所述的方法,还包括通过在键合焊盘接触部与最靠近所述表面的下部金属层之间形成比最靠近所述表面的金属层与另一较下的金属层之间的绝缘材料层厚的绝缘材料层,来形成绝缘材料。
20.—种集成电路器件,包括 由金属间电介质层隔开的多个金属层; 金属层中上部金属层上的顶部金属间电介质层; 多个键合焊盘叠层,每个键合焊盘叠层包括 键合焊盘接触部,沿着顶部金属间电介质层的表面横向地延伸, 在键合焊盘接触部下方的每个金属间电介质层中,由互连的通道条带组成的网络,所述通道条带被配置和布置为基本上平行于键合焊盘接触部沿不同方向延伸,以促进键合焊盘接触部的结构支撑,金属间电介质层将每个键合焊盘接触部的通道条带与其他键合焊盘接触部的通道条带分开。
全文摘要
一种以鲁棒的电路连接器来配置的电路器件。结合各个示例实施例,一种集成电路器件包括在键合焊盘接触部下方的一个或多个通道网络层,所述一个或多个通道网络层将键合焊盘接触部与一个或多个下部金属层相连。每个通道网络层包括多个通道条带,所述多个通道条带基本上平行于键合焊盘接触部沿不同方向延伸,以结构支撑键合焊盘接触部。
文档编号H01L21/60GK102738104SQ201210090658
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月30日 优先权日2011年4月4日
发明者李源, 索姆·纳瑟, 马尔腾·范多特 申请人:Nxp股份有限公司
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