专利名称：Cmos工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及集成电路制造，具体而言，涉及CMOS工艺中的图案化方法。
背景技术：
在集成电路的形成中，需要对集成电路的元件进行图案化以形成所期望的形状。典型的图案化工艺包括:形成光刻胶，使用光刻掩模使光刻胶曝光，图案化光刻胶，以及使用经图案化的光刻胶来蚀刻光刻胶下面的层。结果，将经图案化的光刻胶的布局转印到下面的层。然后，去除光刻胶。在图案化光刻胶中，各种因素(诸如，光学邻近效应)可以导致光刻胶的图案偏离相应的光刻掩模的图案。该偏离可以被称为偏置。在某些位置，诸如，在光刻胶线的线端处，其偏置比在其他位置更为明显。偏置的非均匀性导致集成电路制造工艺出现问题。
发明内容
一方面，本发明提供了一种方法，所述方法包括:形成光刻胶图案；对所述光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，所述光刻胶图案的第二部分未暴露于光；将光酸反应材料涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上；所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应形成膜；以及去除所述光酸反应材料的未与所述光刻胶图案反应的部分，其中，使所述膜留在所述光刻胶图案上。在所述的方法中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含所述光刻胶图案的端部，其中，所述光酸反应材料与所述端部的侧壁相接触，并且其中，所述第二光刻胶图案的所述第二部分包含所述光刻胶图案的中部。在所述的方法中，在所述光刻胶图案中包含沟槽，其中，所述光刻胶图案的所述第二部分包含与所述沟槽的端部邻近的部分，并且其中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含与所述沟槽的中部邻近的部分。上面所述的方法进一步包括使用所述光刻胶图案和所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的层，其中，去除所述层的位于所述沟槽正下方的部分以在所述层中形成沟槽。在所述的方法中，所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应的步骤包括烘烤所述光酸反应材料和所述光刻胶图案。所述的方法进一步包括使用所述光刻胶图案和所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的层。在所述的方法中，所述光酸反应材料包含光刻胶增强光刻辅助化学收缩(RELACE)。在所述的方法中，所述光酸反应材料包含用于对所述光刻胶图案中的光酸进行淬火的淬火剂。另一方面，本发明还提供了一种方法，所述方法包括:在层上方形成光刻胶图案；增加所述光刻胶图案的第一部分中的光酸的光酸浓度，其中，所述光刻胶图案的第二部分中的所述光酸的第二光酸浓度基本上没有增加；将聚合物涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上；烘烤所述聚合物和所述光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案中的所述光酸与所述聚合物反应形成膜，其中，与所述光刻胶图案的所述第一部分重叠的所述膜的第一部分具有第一厚度，并且其中与所述光刻胶图案的所述第二部分重叠的所述膜的第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；去除所述聚合物的未与所述光刻胶图案反应的部分；以及使用所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分以及所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的所述层。在所述的方法中，增加所述光酸浓度的步骤包括使所述光刻胶图案的所述第一部分暴露于光，其中，所述光刻胶图案的所述第二部分未暴露于所述光。在所述的方法中，所述膜形成在所述光刻胶图案的所述第一部分的顶面和侧壁上。在所述的方法中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含所述光刻胶图案的端部，并且其中，所述光刻胶图案的所述第二部分包含所述光刻胶图案的中部。在所述的方法中，在所述光刻胶图案中包含沟槽，并且其中，所述光刻胶图案的所述第二部分包括与所述沟槽的端部邻近的部分，并且其中，所述光刻胶图案的所述第一部分包括与所述沟槽的中部邻近的部分。在所述的方法中，使用水来实施去除所述聚合物的未与所述光刻胶图案反应的部分的步骤，从而溶解所述聚合物的部分。又一方面，本发明还提供了一种方法，所述方法包括:在衬底上方涂敷光刻胶；在第一光刻胶曝光步骤中使所述光刻胶曝光；使所述光刻胶显影形成光刻胶条；在第二光刻胶曝光步骤中使所述光刻胶条的端部曝光，其中，所述光刻胶条的中部未被曝光；在所述第二光刻胶曝光步骤之后，将光酸反应材料涂布在所述光刻胶条的所述端部和所述中部上，其中，所述光酸反应材料接触所述光刻胶条的侧壁；烘烤所述光酸反应材料和所述光刻胶条，其中，所述光刻胶条中的所述光酸与所述光酸反应材料反应，形成不溶于水的膜；以及在水中溶解所述光酸反应材料的未与所述光刻胶条反应的部分，其中，所述膜不溶于水。所述的方法进一步包括使用所述光刻胶条的所述端部和所述中部以及所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶条下方的层。在所述的方法中，所述层是介电层。在所述的方法中，所述膜的与所述光刻胶条的所述端部重叠的部分具有第一厚度，并且其中，所述膜的与所述光刻胶条的所述中部重叠的部分具有小于所述第一厚度的
第二厚度。在所述的方法中，烘烤步骤实施约30秒至约3分钟的时间周期。在所述的方法中，在约23°C至约200°C的温度下实施烘烤步骤。
为了更全面地理解实施例及其优势，现将结合附图所进行的描述作为参考，其中:图1至图6是根据一些示例性实施例的图案化工艺的中间阶段的截面图以及俯视图；以及图7至图15是根据可选示例性实施例的图案化工艺的中间阶段的截面图以及俯视图。
具体实施例方式下面，详细讨论本发明各实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。所讨论的具体实施例仅仅是说明性的，而不用于限制本发明的范围。根据各个示例性实施例提供图案化工艺，其中，对图案化工艺中的偏置进行补偿。根据示例性实施例，示出了形成光刻胶图案的中间阶段，该光刻胶图案用于图案化下面的部件。论述了实施例的变化。在所有各个视图和说明性实施例中，类似的参考标号用于表示类似的元件。图1至图6示出了根据一些示例性实施例形成集成电路元件的截面图和俯视图。参考图1，提供了衬底20。衬底20可以是半导体衬底，例如，硅衬底。层22形成在衬底20的上方，并且将对该层进行图案化。在一些示例性实施例中，层22可以用于形成各种类型的集成电路元件，包括但并不限于:介电区域、导电区域、栅电极以及栅极电介质、通孔等。在其他实施例中，随后形成的光刻胶图案用于在衬底20中形成集成电路元件，这些元件可以包括阱区域、扩散区域、浅沟槽隔离区域等。因此，在这些实施例中，不形成层22，并且可以将随后涂敷的光刻胶24涂敷在衬底20上。在一些实施例中，将光刻胶24作为均厚层涂敷在层22上方。然后，使用光刻掩模26使光刻胶24曝光。光刻掩模26包括允许光穿过的透明部分26A，以及阻挡光的不透明部分26B。在使用光27使光刻胶24曝光之后，去除部分光刻胶24，并且使光刻胶24的剩余部分未被去除。光刻胶24的剩余部分在下文中被称为光刻胶图案28。在一些示例性实施例中，去除了光刻胶24的暴露于光27的部分，而没有去除光刻胶24的未曝光部分。在可选的实施例中，去除了光刻胶24的未暴露于光27的部分,而没有去除光刻胶24的曝光部分。光刻胶图案28可以是光刻胶条(strip)，该光刻胶条具有相应的长度，该相应的长度明显大于其相应的宽度。图2示出了一些示例性光刻胶图案28的俯视图，这些光刻胶图案28具有线/条状形状。一些光刻胶图案28的线端可以面对着其他一些光刻胶图案28的线端。由于光刻作用，光刻胶图案28的线端可以从期望的位置凹进。例如，虚线29代表了光刻胶图案28的线端的期望的位置，其中，该期望的位置也是光刻掩模26的透明部分26A和不透明部分26B (图2中未示出，请参考图1)之间的界面。然而，光刻胶图案28的线端的实际位置是从实线28’凹进。期望位置29和实际位置28’之间的距离D被称为图案化偏置。参考图3A，将光刻掩模30设置在光刻胶图案28的上方。在所示出的示例性实施例中，光刻胶图案28的一些线端部分(在下文中被称为光刻胶(PR)部分28A)与光刻掩模30的透明图案30A重叠。光刻胶图案28的一些其他部分(在下文中被称为PR部分28B)与光刻掩模30的不透明图案30B重叠。在一些实施例中，PR部分28A包括光刻胶图案28的所有线端部分。PR部分28B可以包括光刻胶图案28的中间部分。图3B示出了图3A所示的结构的截面图，其中，该截面图由图3A中的平面剖切线(plane crossing line) 3B-3B获得的。通过将光32通过光刻掩模30投射到光刻胶图案28来实施曝光。因此，PR部分28A暴露于光32。由于光刻掩模30的不透明部分30B阻挡了光32，所以PR部分28B未暴露于光32。作为曝光的结果，在PR部分28A中产生了光酸。可以意识到，在暴露于光32之前，在PR部分28A和28B中可以包括或可以不包括光酸。PR部分28A的曝光导致在PR部分28A中产生了额外的光酸。结果，PR部分28A中的光酸浓度升高超过了 PR部分28B中的光酸浓度。参考图4，在光刻胶图案28上涂布光酸反应材料34。光酸反应材料34与PR部分28A和PR部分28B的顶面以及侧壁相接触。在一些实施例中，光酸反应材料34包括聚合物。光酸反应材料34还可以包括用于对光刻胶图案28中的光酸进行淬火的淬火剂。另外，光酸反应材料34可以包括额外的材料，诸如，硅填充料。该额外的材料可以具有以下功能，诸如，控制所得到的膜36的尺寸(临界尺寸)，以及改进蚀刻选择性。在示例性实施例中，光酸反应材料34中的聚合物包含由Clariant Corporation(克莱恩公司)制造的光刻胶增强光刻辅助化学收缩(Resist Enhancement Lithography Assisted Chemical Shrink,RELACE)。在可选实施例中，收缩聚合物材料可以进一步包括交联剂、淬火剂、S1、表面活性齐U、和/或热生酸剂(TAG)等等。然后，实施烘烤工艺。在一些示例性实施例中，烘烤可以实施约30秒至约3分钟的时间周期。烘烤的温度可以在约23°C和约200°C之间，或可以在约100°C和约130°C之间。在烘烤工艺过程中，光酸反应材料34与PR部分28A中的光酸反应，从而在PR部分28A的顶面和侧壁上形成了膜36。根据一些实施例，膜36不溶于水。由于PR部分28B也可以包括光酸，所以膜36也可以形成在PR部分28B的顶面和侧壁上。在其中PR部分28B不包括光酸的实施例中，在PR部分28B上基本上不形成膜36。由于PR部分28B中的光酸(如果有的话)的浓度低于PR部分28A中的光酸的浓度，所以PR部分28B上的膜36的厚度T2小于PR部分28A上的膜36的厚度Tl。在一些示例性实施例中，厚度T2小于约95%的厚度Tl。可以通过在图3A和图3B中所示的步骤中增大PR部分28A的曝光来增大厚度Tl。在反应之后，去除了光酸反应材料34的未反应部分。在一些示例性实施例中，将光酸反应材料34的未反应部分溶解在水中。由于膜36不溶于水，所以其保持未被去除。参考俯视5，在反应以及去除了光酸反应材料34的未反应部分之后，所得到的图案包括光刻胶图案28和膜36。光刻胶图案28和膜36的组合图案的尺寸相对于光刻胶图案28的尺寸增大了。图案的扩增在横向方向上平行于衬底20的主表面(图4)。与PR部分28A邻近的尺寸的增大大于与PR部分28B邻近的尺寸的增大。由于PR部分28A是线端部分，所以较大的增加补偿(至少部分地)了在形成光刻胶图案28中所产生的线端偏置D(图2)，该偏置在图1和图2所示的步骤中产生。在一些实施例中，通过调节光酸反应材料34(图4)中的淬火剂的量，可以调节膜36的厚度Tl和T2(请参考图4)，并且可以调节偏置D的补偿量。光刻胶图案28和膜36结合在一起用作蚀刻掩模，从而可以图案化下面的层22 (图4)。图6示意性地示出了所得到的图案40的俯视图，所得到的图案40可以是如图4中所示的层22(图案化后)的剩余部分。图案40的线端部分可以具有宽度W2，该宽度W2大于图案40的中间部分的宽度Wl。在一些示例性实施例中，宽度W2可以比宽度Wl宽约5%、或约50%。因此，图案化掩模(包括PR图案28和膜36)的增大的尺寸被转印到下面的图案40。在上面所论述的实施例中，每个光刻胶图案28均具有一个已示出的端部，而另一个端部未示出。可以注意到，也可以使光刻胶图案28中的每一个或一些的另一个端部在使光刻胶图案28的已示出的端部暴露于光的步骤(图3A和图3B)期间曝光。因此，具有厚度T2(图4)的膜36也形成在光刻胶图案28的未示出的端部上。图7Α至图15示出了根据可选实施例的形成一些图案的中间阶段的截面图和俯视图。除非另有说明，这些实施例中的元件的材料以及形成方法基本上与图1至图6所示的实施例中利用类似的参考标号所表示的类似元件的材料以及形成方法相同。因此，可以在图1至图6所示的实施例中得到图7Α至图15所示的实施例的形成细节。参考图7Α，形成了光刻胶图案28。根据一些示例性实施例，形成光刻胶图案28包括:涂敷均厚的光刻胶层24，使用光刻掩模26使光刻胶层24曝光，以及去除部分光刻胶层
24。光刻胶层24的剩余部分因此形成了光刻胶图案28。图7Β示出了光刻胶图案28的俯视图。由图7Β中的平面剖切线7Α-7Α获得图7Α中的截面图。图8Α和图8Β分别示出了在光刻胶图案28的一部分曝光中的俯视图和截面图。由图8Α中的平面剖切线8Β-8Β获得了图8Β中的截面图。将光刻掩模30设置在光刻胶图案28的上方。光刻胶图案28之一的PR部分28Α与光刻掩模30的透明部分重叠，而PR部分28Β与光刻掩模30的不透明部分重叠。如图8Β所示，部分28Α接受由光32引起的曝光，并且因此在部分28Α中产生了更多的光酸。因此，PR部分28Β中的光酸浓度低于PR部分28Α中的光酸浓度。接着，如图9所示，在PR部分28Α和28Β上涂布光酸反应材料34。实施烘烤工艺，从而通过光酸反应材料34与光酸的反应而形成膜36。PR部分28Β上的膜36的厚度Τ2小于PR部分28Α上的膜36的厚度Tl。然后，去除光酸反应材料34的未反应的部分。可以看出，位于PR部分28Α的相对侧壁上的膜36的部分具有基本上相同的厚度。因此，所得到的蚀刻掩模(其包括PR部分28Α和膜36)的尺寸的增大与PR部分28Α的位置自对准。图10示出了所得到的图案的俯视图，该图案包括膜36和膜36下面的光刻胶图案28。现在，图10中的蚀刻掩模图案之一包括窄部和宽部37。接着，如图10所示的PR部分28Α和28Β以及膜36被用作蚀刻掩模，从而例如通过蚀刻图7Α中的层22形成如图11所示的图案40。图案40是层22的剩余部分。在常规工艺中，形成图11中的图案40的宽部可能需要通过双重图案化工艺来实现。然而，该双重图案化工艺会出现未重叠对准的问题，因为在两个图案化工艺中产生的图案可能不能准确对准。当光刻胶图案彼此非常接近时，两个图案化工艺中产生的图案不对准可能对集成电路的性能和合格率造成显著影响。然而，根据实施例，在图10中宽图案37的形成在X方向上是自对准的。虽然在Y方向上可能是未对准的，而且宽部37可能在Y方向上不能准确定位，但是Y方向上的不对准所产生的影响小于X方向上的不对准图12至图15示出了形成沟槽的中间阶段的俯视图。参考图12，形成并图案化光刻胶28，并且在光刻胶28中形成沟槽44。接着，参考图13，将光刻掩模30设置在光刻胶28上方。光刻掩模30的阴影部分代表的是阻挡光的不透明部分30Β，而光刻掩模30的非阴影部分30Α代表的是透明部分。在一些示例性实施例中，不透明部分30Β与每个沟槽44的一个端部或两个端部都重叠。不透明部分30Β还与围绕着沟槽44的端部的PR部分28Β重叠。光刻掩模30的透明部分30A与图12所示的图案的剩余部分重叠。例如，光刻掩模30的透明部分30A可以与每个沟槽44的中部以及位于沟槽44的中部的相对侧上的PR部分28A重叠。接着，投射光32以使PR部分28A曝光，而PR部分28B未被曝光。然后，去除光刻掩模30。在后续步骤中，将光酸反应材料34(未示出，与图4中所示的类似)涂布在图13所示的结构上，从而使得光酸反应材料34与如图13所示的PR部分28A和PR部分28B相接触。在烘烤工艺之后，形成了膜36。图14示出了光刻胶28和膜36的组合图案的俯视图。可以看出，在沟槽44的中部，形成了更多的膜36，并且因此使得所得到的沟槽44在中部变得更窄。部分沟槽44比端部处宽。图15示出了在位于光刻胶图案28下方的层48中形成的沟槽46的俯视图。图14中的光刻胶图案28和膜36被用作用于蚀刻层48的蚀刻掩模。因此，将图14中的沟槽44的图案转印到层48中的沟槽46。在一些实施例中，层48可以是介电层，以及沟槽46可以用于在介电层48中形成金属线、金属栅极等，其中，可以使用镶嵌工艺将金属填充到沟槽46中。由于在线端处，用于蚀刻层48的图案化偏置更为明显，所以图14所示的沟槽图案可以补偿沟槽46的端部处增加的偏置。原因在于，沟槽的中部通常具有较小的偏置。因此，如图14所示，根据实施例窄化沟槽44的中部。这相当于加宽端部。根据实施例，可以选择性地扩增掩模(诸如，光刻胶)的部分。因此，线端偏置是可以得到补偿的。也可以使用根据实施例的方法来形成需要另外使用双重图案化技术来形成的图案。根据实施例，一种方法包括:形成光刻胶图案，以及对光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，光刻胶图案的第二部分未暴露于光。将光酸反应材料涂布在光刻胶图案的第一部分和第二部分上。该光酸反应材料与光刻胶图案反应形成膜。然后，去除光酸反应材料的未与光刻胶图案反应的部分，并且使膜留在光刻胶图案上。根据其他实施例，一种方法包括:在层上方形成光刻胶图案，增加光刻胶图案的第一部分中的光酸的光酸浓度，其中，光刻胶图案的第二部分中的光酸的第二光酸浓度基本上没有增加。将聚合物涂布在光刻胶图案的第一部分和第二部分上。然后，烘烤聚合物和光刻胶图案，其中，光刻胶图案中的光酸与聚合物反应形成膜。与光刻胶图案的第一部分重叠的膜的第一部分具有第一厚度，以及与光刻胶图案的第二部分重叠的膜的第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。去除聚合物的未与光刻胶图案反应的部分。光刻胶图案的第一部分和第二部分以及膜用作蚀刻掩模以蚀刻位于光刻胶图案下方的层。根据又一些实施例,一种方法包括:在衬底上方涂敷光刻胶，在第一光刻胶曝光步骤中使光刻胶曝光，使光刻胶显影以形成光刻胶条，以及在第二光刻胶曝光步骤中使光刻胶条的端部曝光。光刻胶条的中部未被曝光。在第二光刻胶曝光步骤之后，将光酸反应材料涂布在光刻胶条的端部和中部上，其中，光酸反应材料接触光刻胶条的侧壁。烘烤光酸反应材料和光刻胶条，其中，光刻胶条中的光酸与光酸反应材料反应，从而形成不溶于水的膜。然后，光酸反应材料的未与光刻胶条反应的部分溶于水，而膜不溶于水。尽管已经详细地描述了实施例及其优势，但应该理解，可以在不背离所附权利要求限定的实施例主旨和范围的情况下，做各种不同的改变、替换和更改。而且，本申请的范围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员根据本发明将很容易理解，根据本发明可以使用现有的或今后开发的用于执行与本文所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求应该在其范围内包括这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤。此外，每条权利要求构成单独的实施例，并且多个权利要求和实施例的组合在本发明的范围内。
权利要求
1.一种方法，包括: 形成光刻胶图案； 对所述光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，所述光刻胶图案的第二部分未暴露于光; 将光酸反应材料涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上； 所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应形成膜；以及 去除所述光酸反应材料的未与所述光刻胶图案反应的部分，其中，使所述膜留在所述光刻胶图案上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含所述光刻胶图案的端部，其中，所述光酸反应材料与所述端部的侧壁相接触，并且其中，所述第二光刻胶图案的所述第二部分包含所述光刻胶图案的中部。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述光刻胶图案中包含沟槽，其中，所述光刻胶图案的所述第二部分包含与所述沟槽的端部邻近的部分，并且其中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含与所述沟槽的中部邻近的部分。
4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括使用所述光刻胶图案和所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的层，其中，去除所述层的位于所述沟槽正下方的部分以在所述层中形成沟槽。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应的步骤包括烘烤所述光酸反应材 料和所述光刻胶图案。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用所述光刻胶图案和所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光酸反应材料包含光刻胶增强光刻辅助化学收缩(RELACE)。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光酸反应材料包含用于对所述光刻胶图案中的光酸进行淬火的淬火剂。
9.一种方法，包括: 在层上方形成光刻胶图案； 增加所述光刻胶图案的第一部分中的光酸的光酸浓度，其中，所述光刻胶图案的第二部分中的所述光酸的第二光酸浓度基本上没有增加； 将聚合物涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上； 烘烤所述聚合物和所述光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案中的所述光酸与所述聚合物反应形成膜，其中，与所述光刻胶图案的所述第一部分重叠的所述膜的第一部分具有第一厚度，并且其中与所述光刻胶图案的所述第二部分重叠的所述膜的第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度； 去除所述聚合物的未与所述光刻胶图案反应的部分；以及 使用所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分以及所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的所述层。
10.一种方法，包括: 在衬底上方涂敷光刻胶；在第一光刻胶曝光步骤中使所述光刻胶曝光； 使所述光刻胶显影形成光刻胶条； 在第二光刻胶曝光步骤中使所述光刻胶条的端部曝光，其中，所述光刻胶条的中部未被曝光； 在所述第二光刻胶曝光步骤之后，将光酸反应材料涂布在所述光刻胶条的所述端部和所述中部上，其中，所述光酸反应材料接触所述光刻胶条的侧壁； 烘烤所述光酸反应材料和所述光刻胶条，其中，所述光刻胶条中的所述光酸与所述光酸反应材料反应，形成不溶于水的膜；以及 在水中溶解所述光酸反应 材料的未与所述光刻胶条反应的部分，其中，所述膜不溶于 水。
全文摘要
一种方法包括形成光刻胶图案，以及对光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，光刻胶图案的第二部分未暴露于光。将光酸反应材料涂布在光刻胶图案的第一部分和第二部分上。该光酸反应材料与光刻胶图案反应形成膜。然后，去除光酸反应材料的未与光刻胶图案反应的部分，并且使膜留在光刻胶图案上。本发明提供了CMOS工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿。
文档编号H01L21/027GK103177937SQ20121005876
公开日2013年6月26日 申请日期2012年3月7日 优先权日2011年12月22日
发明者谢铭峰, 张庆裕 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司