专利名称：层叠陶瓷电子部件的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及层叠陶瓷电子部件，特别涉及具备了具有形成于陶瓷胚体的外表面上的镀膜的外部电极的层叠陶瓷电子部件。
背景技术：
近年，便携式电话、笔记本电脑、数码相机、数字音频设备等电子设备的小型化不断进步，在这些电子设备中多使用能实现小型化和高性能化的层叠陶瓷电子部件。通常，层叠陶瓷电子部件具备陶瓷胚体，其具有多个经层叠的陶瓷层；内部电极，其形成于陶瓷胚体的内部；以及外部电极，其形成于陶瓷胚体的外表面上。而且，层叠陶瓷电子部件配置于安装基板的导电连接盘上，并经由焊料等导电性接合材料安装于基板上。当前，层叠陶瓷电子部件存在进一步小型化的要求。然而，若使层叠陶瓷电子部件小型化，则内部电极彼此对置的有效面积变小，因此特性一般处于下降的趋势。另外，尽管在多端子型的层叠陶瓷电子部件中，需要以窄间距来形成多个条状的外部电极，但在现有的基于厚膜膏的烘焙的方法中，膏涂敷精度有限，从而难以高精度地形成外部电极。鉴于此，提出了通过直接镀敷来形成外部电极的方法。根据该方法，能形成薄且平的外部电极，因此，能相应扩展内部电极的有效面积。另外，由于镀金属在内部电极的露出端析出，因此即使是窄间距，也能高精度地形成外部电极。在如此通过直接镀敷来形成外部电极的情况下，为了实现更可靠的镀生长，例如在专利文献I中提出了使用不对电特性的发现实质性地作出贡献的虚拟导体(紧固片，anchor tab)。根据专利文献I记载的技术,能够不仅在内部电极的露出部,还在虚拟导体的露出部使镀金属析出，从而能更可靠地使镀生长。然而，即使在想要根据专利文献I记载的方法对例如1608 (I. 6mmXO. 8mmXO. 8mm)以下的小型尺寸的电子部件通过电解镀来形成镀膜的情况下，有时也会遭遇没有充分促进镀生长的问题。即，在电解镀中，通过使钢球等导电性介质与内部电极或虚拟导体的露出部接触来通电，从而镀金属在该部分析出。但是，若像上述那样小型化不断发展，则露出部的面积变小，从而介质与露出部之间的接触概率会下降。专利文献I JP特开2004-327983号公报
发明内容
为此，本发明的目的在于提供一种具有能解决上述那样的问题的构造的层叠陶瓷电子部件。 本发明面向具备以下构成的层叠陶瓷电子部件。(I)陶瓷胚体，其层叠多个陶瓷层而形成，作为外表面，具有相互对置的第I及第2主面、相互对置的第I及第2侧面、以及相互对置的第I及第2端面；
(2)第I内部电极，其配置于所述陶瓷胚体的内部，具有第I对置部、以及从第I对置部引出到陶瓷胚体的外表面的第I引出部；(3)第2内部电极，其配置于陶瓷胚体的内部，具有隔着陶瓷层与第I对置部对置的第2对置部、以及从第2对置部引出到陶瓷胚体的外表面的至少两个第2引出部；(4)第I外部电极，其配置于陶瓷胚体的外表面上，覆盖第I引出部的露出端；以及(5)第2外部电极，其配置于陶瓷胚体的外表面上，具有直接覆盖第2引出部的露出端的镀膜，并连接于与第I外部电极不同的电位。而且，本发明所涉及的层叠陶瓷电子部件为了解决前述的技术问题，特征在于具备下面的构成。S卩，其特征在于，当将沿着陶瓷层的层叠方向、第I内部电极以及第2内部电极均不存在的区域定义为非有效区域时，在非有效区域中，按照引出到陶瓷胚体的外表面的至少两处、且与第2外部电极电连接的方式,形成有虚拟通过(du_y through)导体。在优选实施方式中，将第2内部电极配置为从第I侧面延伸至第2侧面，将第2外部电极分别配置于第I及第2侧面上，将虚拟通过导体配置为从第I侧面延伸至第2侧面。在上述优选实施方式中，即使将第2外部电极在第I及第2侧面上分别配置至少一个，也可以将第2外部电极的镀膜配置为环绕第I及第2侧面、以及第I及第2主面。在上述情况下，可以在第I及第2主面的每一个上露出虚拟通过导体的至少一部分。另外，如上述那样，在将第2外部电极的镀膜配置为环绕第I及第2侧面、以及第I 及第2主面的情况下，优选在第I及第2主面的每一个上、且从第I侧面跨至第2侧面，露出虚拟通过导体的至少一部分。另外，在前述的优选实施方式中，优选将第I内部电极配置为从第I端面延伸至第 2端面，将第I外部电极在第I及第2端面上分别配置至少一个。另外，在本发明中，优选将虚拟通过导体形成为长方形形状。根据本发明，在非有效区域中，按照引出到陶瓷胚体的外表面的至少两处即贯通陶瓷胚体、且与第2外部电极电连接的方式，形成有虚拟通过导体。在此，由于虚拟通过导体在陶瓷胚体的外表面的两处以上露出，因此只要钢球等介质与虚拟通过导体的露出部中的一处接触，则也通电到剩下的露出部。也就是，与介质接触的概率变高，通电效率得以提高。由此，缩短用于形成作为第2外部电极的衬底的镀膜的镀敷时间。如此，即使层叠陶瓷电子部件的小型化进步，也能高效地形成第2外部电极的镀膜。
图I是表示作为本发明的第I实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器I 的外观的立体图。图2是图I所示的层叠陶瓷电容器I的、沿平行于陶瓷胚体2的侧面11和12的面的切断部端面图。
图3是图I所示的层叠陶瓷电容器I的、沿平行于陶瓷胚体2的端面13和14的面的切断部端面图。图4是图I所示的层叠陶瓷电容器I的、沿平行于陶瓷胚体2的主面9和10的面的切断部端面图，表示第I内部电极3延伸的面。图5是图I所示的层叠陶瓷电容器I的、沿平行于陶瓷胚体2的主面9和10的面的切断部端面图，表示第2内部电极4延伸的面。图6是图I所示的层叠陶瓷电容器I的、沿平行于陶瓷胚体2的主面9和10的面 的切断部端面图，表示虚拟通过导体5延伸的面。图7是表示作为本发明的第2实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器Ia的外观的立体图。图8是图7所示的层叠陶瓷电容器Ia的、沿平行于陶瓷胚体2的端面13和14的面的切断部端面图。图9是对图8的一部分放大表不的图。图10是作为本发明的第3实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器Ib的、沿平行于陶瓷胚体2的侧面11和12的面的切断部端面图。图11是图10所示的层叠陶瓷电容器Ib的、沿平行于陶瓷胚体2的端面13和14的面的切断部端面图。图12是图10所示的层叠陶瓷电容器Ib的、沿平行于陶瓷胚体2的主面9和10的面的切断部端面图，表示第I内部电极3延伸的面。图13是图10所示的层叠陶瓷电容器Ib的、沿平行于陶瓷胚体2的主面9和10的面的切断部端面图，表示第2内部电极4延伸的面。图14是图10所示的层叠陶瓷电容器Ib的、沿平行于陶瓷胚体2的主面9和10的面的切断部端面图，表示虚拟通过导体5延伸的面。图15是作为本发明的第4实施方式的层叠陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器Ic的、沿平行于陶瓷胚体2的侧面11和12的面的切断部端面图。图16是图15所示的层叠陶瓷电容器Ic的、沿平行于陶瓷胚体2的端面13和14的面的切断部端面图。(符号说明)1,1a, lb, Ic层叠陶瓷电容器2陶瓷胚体3第I内部电极4第2内部电极5虚拟通过导体6，6b第I外部电极7，7a第2外部电极9，10 主面11，12 侧面13，14 端面15陶瓷层
17，21 对置部18，22 引出部19，23，27 露出端25有效区域26非有效区域29,29b第I外部电极的衬底层
30,30b第I外部电极的上层33第2外部电极的衬底层34第2外部电极的上层
具体实施例方式本发明对于1608 (I. 6mmX O. 8mmX O. 8mm)以下的尺寸的层叠陶瓷电子部件特别有用，其中，还对于 1005(1. OmmXO. 5mmXO. 5mm)、0603(0· 6mmXO. 3mmX0. 3mm)、 0402(0. 4mmX0. 2mmX0. 2mm)这样的更小型尺寸的部件有用。以下，在说明用于实施本发明的方式时，作为层叠陶瓷电子部件，例示层叠陶瓷电容器。[第I实施方式]图I至图6是用于说明本发明的第I实施方式图。第I实施方式的层叠陶瓷电容器I是三端子类型。层叠陶瓷电容器I具备陶瓷胚体2 ;配置于陶瓷胚体2的内部的第I 及第2内部电极3以及4和虚拟通过导体5 ;以及配置在陶瓷胚体2的外表面上的第I及第2外部电极6和7。以下，将层叠陶瓷电容器I的构造的细节分为(I)陶瓷胚体、(2)内部电极、(3)虚拟通过导体、(4)外部电极来说明，其后，说明(5)制造方法。(I)陶瓷胚体陶瓷胚体2具有相互对置的第I及第2主面9和10、相互对置的I对侧面11和 12、相互对置的I对端面13和14，来作为其外表面，大致形成为长方体状。优选对陶瓷胚体 2的拐角部和棱部倒角或倒棱。陶瓷胚体2如图2所示，具有由在主面9和10的方向上延伸且在连结一对主面9 和10的方向上所层叠的多个陶瓷层15构成的层叠构造。优选各陶瓷层的厚度为O. 5 IOym0作为构成陶瓷层15的陶瓷材料，例如能使用以BaTi03、CaTi03、SrTi03、CaZr03等为主成分的电介质陶瓷。另外,还可以在这些主成分中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、 Co化合物、Ni化合物、稀土类元素化合物等副成分。(2)内部电极内部电极具备图4所示的多个第I内部电极3和图5所示的多个第2内部电极4。 多个第I内部电极3和多个第2内部电极4在陶瓷胚体2的层叠方向上交替排列。(2)-1.第I内部电极第I内部电极3如图4所示，具有第I对置部17，其与和第I内部电极3相邻的第2内部电极4对置；以及第I引出部18，其从第I对置部17引出到陶瓷胚体2的外表面。 在图4中，用虚线示出了第I内部电极3中的第I对置部17和第I引出部18之间的边界。 在本实施方式中，第I内部电极3形成为长方形形状。另外，第I内部电极3具备两个第I引出部18，两个第I引出部18的一个和另一个分别具备露出到第I及第2端面13和14的露出端19。换言之，将第I内部电极3配置为从第I端面13延伸至第2端面14。(2)-2.第2内部电极第2内部电极4如图5所示，具有第2对置部21，其与和第2内部电极4相邻的第I内部电极3对置；以及至少两个第2引出部22，其从第2对置部21引出到陶瓷胚体2的外表面。在本实施方式中，第2内部电极4形成为十字形状，第2引出部22的数目为两个。两个第2引出部 22的一个和另一个分别具备露出到第I及第2侧面11和12的露出端23。换言之,将第2内部电极4配置为从第I侧面11延伸至第2侧面12。(2) -3.其他作为构成内部电极3和4的导电材料，例如能使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au
坐寸ο另外，内部电极3和4的各厚度优选为O. 3 2. O μ m。在第I内部电极3的第I对置部17和第2内部电极4的第2对置部21夹着陶瓷层15而对置的区域中，产生静电电容。如图2所示，在陶瓷胚体2中，将该区域定义为有效区域25。另一方面，将沿着陶瓷层15的层叠方向的、第I内部电极3和第2内部电极4均不存在的区域定义为非有效区域26。有时也将非有效区域26称为外层。在本实施方式中，非有效区域26分别存在于陶瓷胚体2的第I主面9侧和第2主面10侦U。(3)虚拟通过导体如图2及图3所示，将虚拟通过导体5配置于非有效区域26。将虚拟通过导体5引出到陶瓷胚体2的外表面的至少两处。在本实施方式中，虚拟通过导体5形成为长方形形状，且分别引出到陶瓷胚体2的外表面的两处，即第I侧面11以及第2侧面12。换言之,将虚拟通过导体5配置为从第I侧面11延伸至第2侧面12。如此，虚拟通过导体5具有分别露出到第I及第2侧面11和12的露出端27。虚拟通过导体5如上所述在两处以上具有露出端27，因此若钢球等介质与某个特定的露出端27接触，则也通电到剩余的露出端27。也就是，若虚拟通过导体5具有两处以上的露出端27，则与介质接触的概率变高，通电效率得以提高。由此，将缩短为了形成作为后述的第2外部电极7的衬底层的镀膜所需的镀敷时间。虚拟通过导体5不对静电电容的形成实质性地贡献。此外，尽管有可能在虚拟通过导体5中最接近有效区域25的部分与配置于有效区域25的最上层或最下层的第I内部电极3之间形成静电电容，但在此情况下，能进行设计使得在两者间产生的静电电容极小。例如，将两者间的距离设计为比第I内部电极3与第2内部电极4的对置距离长，或使两者的重合面积比第I内部电极3与第2内部电极4的对置面积小。或者，可以在有效区域25中，将第2内部电极4配置于最上层以及最下层。将虚拟通过导体5如图2以及图3所示，沿着陶瓷层15的层叠方向连续层叠多片。另外，优选将虚拟通过导体5在非有效区域26中分别配置10 60片左右，在此情况下，在第I及第2侧面11和12 (非有效区域26的高度位置)，使作为第2外部电极7的衬底层的镀膜易于生长。虚拟通过导体5优选由与内部电极3和4相同的材料构成，作为构成虚拟通过导体5的导电材料,如前所述,例如能使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。
虚拟通过导体的厚度优选为O. 3 2. O μ m。(4)外部电极(4)-1.第I外部电极将第I外部电极6分别配置于陶瓷胚体2的第I及第2端面13和14上。在本实施方式中，第I外部电极6绕到第I及第2主面9和10、以及第I及第2侧面11和12。 第I外部电极6按照与第I内部电极3电连接的方式覆盖第I引出部I 8的露出端19。第I外部电极6如图2、以及图4至图6所示，包括与第I内部电极3的第I引出端I 8的露出端19接触的衬底层29、以及根据需要形成于其上的上层30。衬底层29能通过烧结金属膜、导电性树脂膜等构成。在衬底层29由烧结金属膜构成的情况下，烧结金属膜可以通过与陶瓷胚体2、内部电极3和4同时焙烧的共烧(cofire) 而得到，也可以通过对焙烧后的陶瓷胚体2涂敷导电性膏并烘焙的后烧(postfire)而得至IJ。在衬底层29由导电性树脂膜构成的情况下，作为导电性树脂膜，能使用对热硬化性树脂和金属填料混合而得到的膜。作为构成衬底层29的金属,例如能使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。在衬底层29由烧结金属膜或导电性树脂膜构成的情况下，优选衬底层29的厚度在最厚的部分为10 50 μ m。上层30由镀膜构成。作为构成镀膜的金属，例如能使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au、Sn、Pb、Pd、Bi、Zn等。作为上层30的镀膜可以构成为多层。图示的上层30由第I 镀层31和形成于其上的第2镀层32构成。在此情况下，优选使第I镀层31由Ni镀膜构成，第2镀层32由Sn镀膜构成。作为上层30的镀膜的厚度优选每层为I 10 μ m。(4)-2.第2外部电极将第2外部电极7连接于与第I外部电极6不同的电位，且分别配置于陶瓷胚体 2的第I及第2侧面11和12上。在本实施方式中，第2外部电极7是带状，且绕到第I及第2主面9和10。但是，第2外部电极7不需要必须绕到第I及第2主面9和10，也能仅配置到第I及第2侧面11和12上。第2外部电极7按照与第2内部电极4和虚拟通过导体5电连接的方式直接覆盖第2引出部22的露出端23以及虚拟通过导体5的露出端27。第2外部电极7如图3至图 6所示，包括与第2内部电极4的第2引出部22的露出端23接触的衬底层33、以及根据需要形成于其上的上层34。衬底层33由镀膜构成。作为构成镀膜的金属，例如能使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd 合金、Au、Sn、Pb、Pd、Bi、Zn等。优选镀膜的厚度在最厚的部分为I 15 μ m。优选镀膜不包含玻璃成分。另外，优选镀膜的每单位体积的金属比例为99体积％以上。在第2外部电极7形成上层34的情况下，优选上述的衬底层33由Ni镀膜构成， 上层34由Sn镀膜构成。(5)制造方法层叠陶瓷电容器I例如按照如下方式制造。(5)-1.准备要作为陶瓷层15的陶瓷生片、内部电极用导电性膏、以及外部电极用导电性膏。内部电极用导电性膏还兼虚拟通过导体用导电性膏。陶瓷生片以及内部电极用和外部电极用的各导电性膏包括粘合剂以及溶剂，能使用公知的有机粘合剂或有机溶剂。(5)-2. 在陶瓷生片上例如通过丝网印刷等以规定的图案来印刷导电性膏，形成内部电极图案以及虚拟通过导体图案。(5)-3.以各自规定片数以及规定顺序对未印刷内部电极图案的外层用陶瓷生片、印刷了虚拟通过导体图案的陶瓷生片、印刷了内部电极图案的陶瓷生片进行层叠，来制作母层叠体。(5)-4.通过等静水压机等手段在层叠方向上按压母层叠体。(5)-5.将母层叠体切割为规定的尺寸，切出未加工的陶瓷胚体。(5)-6.焙烧未加工的陶瓷胚体。由此，得到图示的陶瓷胚体2。尽管焙烧温度还取决于陶瓷或内部电极的材料，但优选为900 1300°C。此后，根据需要，进行滚桶抛光。由此，对陶瓷胚体的拐角部或棱部倒角或倒棱。(5)-7.通过对焙烧后的陶瓷胚体2的两端面13和14涂敷、烘焙导电性膏，形成第I外部电极6的衬底层29。焙烧温度优选为700 900°C。(5)-8.为了在第I外部电极6的衬底层29上不仅形成上层30中的第I镀层31，还形成第2外部电极7的衬底层33，进行镀敷处理。在镀敷处理中，优选应用基于旋转滚桶法的电解镀。在镀敷处理中，使用钢球、钢丸、焊料球等导电性介质。由于虚拟通过导体5分别具有两个露出端27，因此在镀敷工序中，若导电性介质与露出端27中的一个接触，则也通电到剩余的露出端27。也就是，与介质接触的概率变高，通电效率得以提高。由此，将缩短用于形成第2外部电极7的衬底层33的镀敷时间。镀敷处理后，优选以600 900°C的温度进行热处理。由此，镀膜对陶瓷胚体的附着力得以提闻。(5)-9.根据需要，不仅形成第I外部电极6的上层30中的第2镀膜32，还形成第2外部电极7的上层34，因此进行镀敷处理。如上所述，完成层叠陶瓷电容器I。[第2实施方式]图7至图9示出了本发明的第2实施方式。在图7至图9中，对相当于图I至图6所示的要素的要素标注同样的参照符号，并省略重复的说明。在第2实施方式的层叠陶瓷电容器Ia中，特征在于，将第2外部电极7a配置为包含衬底层33和上层34，并环绕陶瓷胚体2的第I及第2侧面11和12、以及第I及第2主面9和10。
由于在用于形成第2外部电极7a的衬底层33的镀敷工序中生成的镀生长的过程中，镀膜按照环绕陶瓷胚体2的方式相连，从而能作为镀敷的析出点的电极面积变大，因此从该时间点起通电效率得以提高，能以单位时间生成的膜厚变厚。也就是，根据本实施方式，在第2外部电极7a的衬底层33形成规定的膜厚的时间变短，实现成本削减。在前述的第I实施方式中，在陶瓷胚体2的主面9和10存在第2外部电极7的前端部分。若由于对该层叠陶瓷电容器I进行安装的基板的挠曲等对第2外部电极7的前端部分施加了应力，则以此处为起点衬底层33脱落的可能性高。然而，在本实施方式中，第2 外部电极7a无前端，没有了前端部分，从而脱落的问题变得难以发生。另外，在第I实施方式中，位于主面9和10上的第2外部电极7的衬底层33的前端部分成为在通过镀敷形成上层34时所使用的镀液的浸溃的入口，从而存在可靠性下降的可能性。然而，在本实施方式中，由于在第2外部电极7a的衬底层33不不存在前端部分， 因此可靠性下降的问题也变得难以发生。另外，由于第2外部电极7a由环绕陶瓷胚体2的镀膜构成，因此能使该第2外部电极7a为沿陶瓷胚体2的外表面的平滑的构造。因此，层叠陶瓷电容器Ia在安装时难以翻滚，能使其姿势稳定。在本实施方式中，优选虚拟通过导体5的至少一部分如在图9中清楚示出了第I 主面9侧那样，在第I及第2主面9和10上、且从第I侧面11跨至第2侧面12露出。由此，由于在主面9和10上也追加镀敷的析出点，因此将促进作为第2外部电极7a的衬底层 33的、环绕的镀膜的形成。此外，虚拟通过导体5在主面9和10上不需要露出整面，可以不连续状地(例如， 斑点状地)分布而露出。但是，优选使虚拟通过导体5的主面9和10中的露出部分从第I 侧面11跨至第2侧面12均一地分布，另外，期望从第I侧面11跨至第2侧面12没有中断地露出。如此，在从第I侧面11跨至第2侧面12即使存在很少的虚拟通过导体5连续露出的部分的情况下，通电面积也从主面9和10中的第I侧面11侧扩及到第2侧面12侦牝因此，通电效率变得最高。为了使虚拟通过导体5露出到第I及第2主面9和10，例如在焙烧后的滚桶抛光的工序中，削除位于第I及第2主面9和10附近的陶瓷层15即可。此外，为了使虚拟通过导体5露出，可以使用喷砂。[第3实施方式]图10至图14示出了本发明的第3实施方式。在图10至图14中，对相当于图I 至图6所示的要素的要素标注同样的参照符号，并省略重复的说明。在第3实施方式的层叠陶瓷电容器Ib中，特征在于，在第I外部电极6b中，由镀膜来构成与第I内部电极3的第I引出部18的露出端19接触的衬底层29b。 优选使作为上述衬底层29b的镀膜的形成条件与在为构成第2外部电极7的衬底层33的镀膜的情况下相同。由此，能通过同时的镀敷来形成第I外部电极6b的衬底层 29b、以及第2外部电极7的衬底层33。在第I外部电极6b中，衬底层29b由镀膜构成，因此能将形成于其上的上层30b 设为单层的镀膜。在此情况下，优选衬底层29b由Ni镀膜构成，上层30b由Sn镀膜构成。在本实施方式中，从图12至图14可知，第I外部电极6b呈带状，并未绕到第I及第2侧面11和12。此外，尽管在图10中示出了将第I外部电极6b绕到第I及第2主面9和10，但也能够不需要绕到第I及第2主面9和10，而仅配置在第I及第2端面13和14上。在本实施方式中，为了使构成第I外部电极6b的衬底层29b以及第2外部电极7的衬底层33的镀膜的生长容易，如图10以及图I 3所示，在与第2内部电极4的同一面上配置有第I虚拟电极41，如图11以及图12所示，在与第I内部电极3的同一面上配置有第2虚拟电极42，如图10以及图14所示，在与虚拟通过导体5的同一面上配置有第3虚拟电极43。第I虚拟电极41以及第3虚拟电极43与第I外部电极6b连接。第2虚拟电极42与第2外部电极7连接。这些第I至第3虚拟电极41 43作为构成第I及第2外部电极6b和7的衬底层29b和33的每一个的镀膜的析出点发挥作用，使通电效率得以提高。另外，还对陶瓷胚体2的强度提高有所贡献。优选第I至第3虚拟电极41 43由与内部电极3和4、以及虚拟通过导体5相同的金属构成。[第4实施方式]图I 5以及图16示出了本发明的第4实施方式。在图15以及图16中，对相当于图I至图6所示的要素的要素标注同样的参照符号，并省略重复的说明。在第4实施方式的层叠陶瓷电容器Ic中，沿着陶瓷层15的层叠方向上下分割了有效区域25，将位于其间的中间层设为非有效区域26，在该非有效区域26配置有虚拟通过导体5。根据本实施方式，作为非有效区域26的中间层能够发挥作用使得因构成陶瓷层15的陶瓷与构成内部电极3和4的金属之间的收缩率的差而引起的内部应力减少。[其他实施方式] 本发明不限于以上说明的层叠陶瓷电容器，还能适用于其他的层叠陶瓷电子部件。例如，在以压电体陶瓷来构成陶瓷胚体的情况下，可以是作为压电部件发挥作用的层叠陶瓷电子部件，在以尖晶石状陶瓷等半导体陶瓷来构成陶瓷胚体的情况下，可以是作为热敏电阻发挥作用的层叠陶瓷电子部件。
权利要求
1.一种层叠陶瓷电子部件，具备 陶瓷胚体，其层叠多个陶瓷层而形成，作为外表面而具有相互对置的第I及第2主面、相互对置的第I及第2侧面、以及相互对置的第I及第2端面； 第I内部电极，其配置于所述陶瓷胚体的内部，具有第I对置部、以及从所述第I对置部引出到所述陶瓷胚体的所述外表面的第I引出部； 第2内部电极，其配置于所述陶瓷胚体的内部，具有隔着所述陶瓷层与所述第I对置部对置的第2对置部、以及从所述第2对置部引出到所述陶瓷胚体的所述外表面的至少两个第2引出部； 第I外部电极，其配置于所述陶瓷胚体的所述外表面上，覆盖所述第I引出部的露出端；和 第2外部电极，其配置于所述陶瓷胚体的所述外表面上，具有直接覆盖所述第2引出部的露出端的镀膜，并连接于与所述第I外部电极不同的电位， 当将沿着所述陶瓷层的层叠方向、所述第I内部电极以及所述第2内部电极均不存在的区域定义为非有效区域时，在所述非有效区域中，按照引出到所述陶瓷胚体的所述外表面的至少两处、且与所述第2外部电极电连接的方式，形成有虚拟通过导体。
2.根据权利要求I所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 将所述第2内部电极配置为从所述第I侧面延伸至所述第2侧面， 将所述第2外部电极分别配置于所述第I及第2侧面上， 将所述虚拟通过导体配置为从所述第I侧面延伸至所述第2侧面。
3.根据权利要求2所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 将所述第2外部电极在所述第I及第2侧面上分别各配置至少一个。
4.根据权利要求2所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 将所述第2外部电极的所述镀膜配置为环绕所述第I及第2侧面、以及所述第I及第2主面。
5.根据权利要求3或4所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 在所述第I及第2主面的每一个上露出所述虚拟通过导体的至少一部分。
6.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 在所述第I及第2主面的每一个上、且从所述第I侧面跨至所述第2侧面，露出所述虚拟通过导体的至少一部分。
7.根据权利要求2 6中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 将所述第I内部电极配置为从所述第I端面延伸至所述第2端面， 将所述第I外部电极在所述第I及第2端面上分别各配置至少一个。
8.根据权利要求I 7中任一项所述的层叠陶瓷电子部件，其中， 所述虚拟通过导体形成为长方形形状。
全文摘要
本发明提供一种层叠陶瓷电子部件。当要通过电解镀来使镀膜在小型尺寸的电子部件的内部电极的露出端析出时，导电性介质与内部电极的露出端接触的概率低，因此不能期望充分的镀生长。为此，当将沿着陶瓷层(15)的层叠方向的、不存在内部电极(3，4)的区域定义为非有效区域时，在非有效区域中，按照引出到陶瓷胚体(2)的外表面的至少两处、且与外部电极(7)电连接的方式，形成有虚拟通过导体(5)。若导电性介质与虚拟通过导体(5)的露出部中的一处接触，则也通电到剩余的露出部。由此，缩短用于形成作为外部电极(7)的衬底的镀膜(33)的时间。
文档编号H01G4/228GK102623176SQ20121000739
公开日2012年8月1日 申请日期2012年1月11日 优先权日2011年1月26日
发明者樱谷昌弘, 羽田野研次郎, 赤泽彻平 申请人:株式会社村田制作所