具有多个彼此间有间隔的发射区域的发光设备的利记博彩app

专利名称：具有多个彼此间有间隔的发射区域的发光设备的利记博彩app
技术领域：
说明一种发光设备，以及一种具有这样的发光设备的信号发光体。
背景技术：
待解决的任务在于，说明一种在结构方面紧凑的并且可以简单制造的发光设备。

发明内容
根据该发光设备的至少一个实施方式，该发光设备包括至少一个发射辐射的半导体芯片，该半导体芯片具有至少两个在横向方向上彼此间有间隔地布置的发射区域。每个发射区域都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区。“有间隔地布置”在该上下文中意指，发射区域不彼此渡越和/或相互重叠。例如，发射区域通过在诸如衬底的载体上外延生长的半导体层序列来形成。在此，横向方向可以是平行于外延生长的半导体层序列的方向。半导体层序列可以被划分为各个彼此有间隔地布置并且例如彼此电绝缘的发射区域。例如，在横向方向上在分别相邻的发射区域之间构造至少一个中间区域。该中间区域可以在半导体芯片的俯视图中通过发射区域的侧面以及朝向发射区域的载体表面来限制。换句话说，发射区域的有源区在横向方向上不直接彼此邻接，而是通过中间区域相互分开。在有源区的外部接触下，该有源区发射在电磁辐射的紫外至红外光谱范围内的波范围中的电磁辐射。优选地，发射辐射的半导体芯片的有源区发射在电磁辐射光谱的可见或紫外范围中的光。例如，发射辐射的半导体芯片被施加到接触载体上以用于电接触。接触载体例如是金属板(也就是引线框)、印刷电路板或陶瓷载体。根据至少一个实施方式，发光设备包括用于运行发射区域的操控设备。“运行”在该上下文中意指，操控设备例如借助施加电流能够可预先给定地使发射区域通电和/或可预先给定地给发射区域配备工作电压，使得这些发射区域发射电磁辐射。根据至少一个实施方式，发射区域可以彼此分开地电运行。这可以意指，可以彼此独立地向各个发射区域注入可预先给定强度的电流。同样“可以彼此分开地电运行”可以意指，至少两个彼此有间隔地布置的发射区域在它们的工作电压、工作温度和/或运行持续时间方面是可预先给定地可调整和/或可控制的。根据至少一个实施方式，所述操控设备被设立为依据以下条件中的至少一个:发射区域的运行持续时间、由发射区域发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片的最大运行持续时间的达到、由半导体芯片要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备要照明的对象的光强分布，与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域。这尤其是可以意指，操控设备被设立为依据所述的条件与剩余的发射区域分开地电运行发射区域。“发光面”例如是发射区域中的至少一个的背离载体的外面，其中至少部分地在半导体芯片内产生的电磁辐射经由所述外面离开半导体芯片。在此，这里描述的发光设备尤其是基于以下认识:在发光设备内对由发射辐射的半导体芯片产生的辐射强度的调整和/或调制仅以高的耗费是可能的。为了调整辐射强度，可以用不同的通电高度(Bestromungshohe )来运行半导体芯片。但是这可能与在发光设备运行期间由半导体发射的电磁辐射的辐射强度方面和/或色点(Farbort)方面的波动相关联。此外，通电高度方面的这种变化可以随在运行期间在通电高度与工作电压之间的非线性性而出现。替换或附加地，发射辐射的半导体芯片可以借助脉宽调制信号(也就是PWM信号)来操控并因此快速变换地接通和关断半导体芯片，以便能产生更小的辐射强度。但是，对发射辐射的半导体芯片的这种类型的操控需要用于在发光设备内产生脉宽调制信号的附加电子部件。另一方面，如果应该由半导体芯片产生高的辐射强度，则随之出现的高的电流可能在半导体芯片内或者在发光设备的电子部件内引起电磁干扰，这些电磁干扰可以通过发光设备内的附加器件来抑制或避免。但是，这样的附加器件可能引起高的制造成本并且导致在结构上不那么紧凑的发光设备。如果发光设备包括至少两个发射辐射的半导体芯片以调整辐射强度，则可以分别用不同的通电高度来运行这些半导体芯片。虽然半导体芯片的这种运行是成本有利的，但是这对相应半导体芯片提出了狭隘的、事先确定的规范要求。这种对合适的发射辐射的半导体芯片的预选择可能引起发光设备制造方面的附加成本。在这种情况下，发光设备也可能是不那么紧凑的，因为对于每个所述发射辐射的半导体芯片而言例如必须寻求自己的通电装置或通电引线。现在为了说明一方面可以成本有利地制造而另一方面在结构方面简单且紧凑的发光设备，这里描述的发光设备尤其是利用以下思想:提供至少一个发射辐射的半导体芯片，所述半导体芯片具有至少两个在横向方向上彼此间有间隔地布置的发射区域。换句话说，上述发射辐射的半导体芯片被划分为至少两个发射区域，其中发射区域中的每个均可以通过发光设备的共同的操控设备运行和操控。也就是说，借助操控设备，也就是以最小的耗费可以将发光设备的辐射强度借助对各个发射区域的通电单独地与用户的所需的要求相匹配，并且进行调整。不合适的和/或不需要的发射区域通过操控电路例如不被运行。因此例如在各个发射区域的所发射的色点方面不需要对各个发射区域的狭隘的选择。有利地，这种发光设备在制造方面是成本有利的并且在结构方面是简单和紧凑的。根据至少一个实施方式，发射辐射的半导体芯片包括载体，其中至少两个发射区域共同地外延生长并且固定在载体上。载体例如可以是生长衬底，在该生长衬底上至少两个发射区域共同地外延生长。载体例如还可以构造载体衬底，在该载体衬底上固定至少两个共同在生长衬底上外延生长的发射区域。“共同”在本上下文中意味着，至少两个发射区域同时地并且在至少一个方法步骤中生长或固定，其中发射区域分享生长衬底或载体衬底形式的载体。换句话说，至少两个发射区域构造在载体上，其中各个发射区域还可以在外延生长之后才形成。如果发光设备包括多个载体，则在至少一个载体上在横向方向上并排布置至少两个发射区域。根据至少一个实施方式，至少两个发射区域在横向方向上构造共同的界面。这可以意味着，发射区域在横向方向上接触、彼此相碰或关联。根据至少一个实施方式，发射区域的有源区彼此分开并且发射区域不直接接触。根据至少一个实施方式，至少两个发射区域之间的横向距离优选小于单个发射区域的平均横向扩展的2.5%或小于单个发射区域的平均横向扩展的5%或小于单个发射区域的平均横向扩展的10%。也就是说，两个发射区域之间的距离与发射区域的横向扩展相比小。由于共同生长，发射区域尤其是可以具有竖直方向上的相同扩展、相同的半导体层序列、各个半导体层的竖直方向上的相同扩展和/或相同的材料组成。竖直方向在此例如与发射辐射的半导体芯片的外延生长的半导体层的生长方向平行地伸展。根据至少一个实施方式，操控设备被设立为，在达到至少一个针对由操控设备运行的发射区域的所述条件之后调暗(dimmen)或者去活该发射区域。“调暗”在该上下文中意指，发射区域在达到至少一个所述条件之后例如用较小的电流和/或工作电压继续运行。换句话说，减小由被调暗的发射区域发射的辐射强度。可以设想，至少一个发射区域在发光设备运行期间超过可预先给定的工作温度。例如，这种过热的发射区域可以由操控设备通过减小通电电压和/或工作电压、也就是通过调暗被保护免受过热。有利地，在这种发射区域的情况下可以减小在达到最大工作温度时的损耗功率，以由此保护发射区域本身和例如同样保护发射辐射的半导体芯片免遭破坏。“去活”可以意指，在达到至少一个所述条件之后通过操控设备中断外部能量源与发射区域之间的导电连接。在被去活的发射区域中，在发光设备运行期间不再注入电流。因此被去活的发射区域也不再被运行。例如，在发光设备的运行期间已经耗尽的发射区域可能减小发光设备的光学输出功率。“耗尽的发射区域”在该上下文中意指，这样的发射区域在一定的运行持续时间之后不再满足对这样的发射区域布设的框架规范，例如所辐射出的光的强度。通过去活耗尽的发射区域，防止例如涉及发光设备的光学输出功率和/或运行稳定性的负面效应，即使发射区域在整个运行持续时间上可以保持被连接。根据至少一个实施方式，处于运行中的发射区域的数量在发光设备运行期间是恒定的。例如，已经超过其寿命的发射区域可以通过操控设备去活，并且代替地运行迄今还没有运行的发射区域。有利地，由半导体芯片发射的辐射强度可以在整个运行时间段上保持恒定。根据至少一个实施方式，在低于由半导体芯片发射的电磁辐射的最小强度时接上至少一个发射区域。例如，在发光设备运行开始时对于照明目的来说不需要所有发射区域。也就是说，在发光设备运行开始时通过操控设备仅运行确定数量的发射区域。迄今未使用并由此迄今未运行的发射区域例如可以在已经在开始时运行的发射区域的寿命结束之后被接上，使得由发射辐射的半导体芯片要发射的电磁辐射的强度不降落到可预先给定的值以下。换句话说，接上还未使用的发射区域可以抵抗由发射辐射的半导体芯片发射的强度下降到极限值以下。根据至少一个实施方式，由半导体芯片发射的强度在发光设备运行期间通过操控设备保持恒定。在此情况下也可以设想，在发光设备运行开始时不是所有发射区域都被运行。还未运行的发射区域可以依据在发射区域运行期间减小的辐射强度被逐步地接上。由此对于外部的观察者来说，可以得到在远场中发光设备的恒定亮度图像和/或发光图像的印象。由此，对发光设备布设的运行标准可以在尽可能长的时间段上保持恒定，由此发光设备的寿命可以显著提高。
根据至少一个实施方式，至少一个发射区域被其余发射区域至少部分地包围，其中在发光设备的第一运行模式中只有被包围的发射区域由操控设备运行，并且在第二运行模式中至少一个其余发射区域被运行。“运行模式”在该上下文中意指例如在通电高度、工作电压、运行持续时间和/或工作温度运行参数方面通过操控设备对发射区域的从外部可预先给定的运行。第一运行模式在至少一个所述的运行参数方面不同于第二运行模式。在可预先给定的运行周期、也就是在运行模式的可预先给定的时间区间期间，运行发光设备所用的运行参数可以是不变的。在此，第一和第二运行模式可以在可预先给定的时刻例如通过突然跳转或者依据可预先给定的时间间隔，例如连续或逐步地彼此渡越。根据至少一个实施方式，在第二运行模式中只有其余发射区域由操控设备运行。也就是说，被包围的发射区域不由操控设备在第二运行模式中不由操控设备运行。于是在被包围的发射区域中，例如除了泄漏电流之外不注入电流。根据至少一个实施方式，在第二运行模式中所有发射区域都由操控设备运行。也就是说，在第二运行模式中向所有发射区域中注入分别可通过操控设备预先给定的高度的电流。根据至少一个实施方式，由半导体芯片发射的电磁辐射的强度在第二运行模式中是在第一运行模式中的至少5倍和最高15倍，优选至少7倍和最高12倍那么高。根据至少一个实施方式，由半导体芯片发射的电磁福射的强度在第一运行模式中是在第二运行模式中的至少5倍和最高15倍，优选至少7倍和最高13倍那么高。根据至少一个实施方式,操控设备在低于发光设备的环境亮度时接上至少一个发射区域，或者在超过发光设备的环境亮度时断开至少一个发射区域。例如，发光设备具有亮度传感器，该亮度传感器测量环绕发光设备的环境亮度并且将这些测量数据传送给操控设备，在相应的模拟和/或数字转换之后传送给操控设备，并且所述操控设备基于所述测量数据接上或断开至少一个发射区域。这种发光设备例如可以安装到街灯中，所述街灯在天然光亮度减小期间开始通过接上至少一个发射区域越来越强地辐射，并且反过来在天然光亮度又增加时开始越来越少地辐射。通过接上和断开发射区域，一般地实现了特别简单的调暗，而不需要脉宽调制电路。此外说明一种信号发光体。根据至少一个实施方式，信号发光体包括至少一个如在这里描述的实施方式中的一个或多个中所描述的发光设备。也就是说，针对这里描述的发光设备讲述的特征也针对这里描述的信号发光体公开。根据至少一个实施方式，信号发光体包括至少一个投射面，从发光设备耦合输出的电磁辐射射在该投射面上。例如，投射面是至少部分地辐射可穿透的屏幕。例如，该屏幕集成到信号发光体的反射和/或辐射耦合输出装置中。从发光设备耦合输出的光可以射在投射面上并且从该投射面至少部分地从信号发光体耦合输出。例如，信号发光体是机动车前灯或者安装在机动车前灯中。机动车前灯可以是日间行车灯，其在白天、也就是例如在第一运行模式中辐射出是在夜间、也就是在第二运行模式中例如十倍高的强度。此外，机动车前灯可以是机动车的轮廓灯(也就是位置灯)。同样，信号发光体可以是机动车尾灯，或者安装在机动车尾灯中。例如，由发光设备辐射出的电磁辐射强度在机动车制动时提高到多倍，例如十倍。就此而言，制动可以是发光设备的第二运行模式，并且机动车的自由行驶，也就是在无制动操作时是发光设备的第一运行模式。例如，也可以用第二运行模式来表达制动过程的强度。可以想象，于是第二运行模式与机动车的紧急制动相应，或者制动踏板被压制得越深，发光设备的发光就越亮。同样可以设想，信号发光体是例如用于LCD显示器的背景照明设备，该背景照明设备依据环境亮度在白天以高强度并且在夜间以低强度或者相反地对LCD显示器进行背面照明。“高强度”可以意指，在第一运行模式中只有包围发射区域的发射区域由操控设备运行，并且在黑暗时、也就是在第二运行模式中只有被包围的发射区域由操控设备运行。此外，信号发光体可以是阅读灯或者安装在阅读灯中。如果信号发光体安装在机动车中，则由阅读灯发射的电磁辐射强度在车辆的机动车电池电压波动的情况下也是恒定的。例如，依据机动车的电池电压通过操控设备接上或者例如调暗至少一个发射区域。换句话说，操控设备可以补偿波动的电池电压。同样，信号发光体适合作为疏散路线照明设备，其在正常情况下仅对疏散路线进行标记，因此其中在发光设备的第一运行模式中只有被包围的发射区域由操控设备运行，并且在紧急情况时发光强度升高一直到紧急照明，这可以与发光设备的第二运行模式相应。在第二运行模式中，例如所有发射区域都可以由操控设备运行。如果发光设备例如安装在具有反射器的前灯中，则可以通过不同强度的、用于运行各个发射区域的工作电压，也就是在对发射区域的不同强度操控的情况下，使发光设备的发射图像均匀化，否则由于这样的前灯的反射器的制造容差所述发射图像将会看起来是非均匀的。同样，发光设备可以在针对图像拍摄的照明应用中使用，因为通过由操控设备有针对性地操控发射区域可以实现直到强调不同区域的合适的照亮。此外，可以由操控设备对单独地运行的发射区域、即反射器(例如这里描述的信号发光体投射面)的各个区域进行照明，以便产生如在弯管灯情况下产生的在时间上可变化的发光图像。此外可以设想，在第一运行模式中发光设备是周围环境照明设备，例如在飞机飞行期间，并且在第二运行模式中，例如在登机和从飞机中下机时是登机和/或下机照明设备。


下面借助实施例和所属图更详细阐述这里描述的发光设备以及这里描述的信号发光体。图1在示意性俯视图中示出这里描述的发光设备的实施例。图2a至4d在示意性俯视图中示出这里描述的发射辐射的半导体芯片的各个实施例。图5在示意性截面视图中示出这里描述的半导体芯片的实施例。图6在示意性1-T图表中示出发光设备的不同运行模式。图7A和7B在示意性视图中示出这里描述的信号发光体的实施例。
具体实施方式
在实施例和图中，相同或作用相同的构件分别配备有相同的附图标记。所示出的元件不应被看作是按比例的，更确切地说，为了更好地理解可以夸大地显示各个元件。在图1中借助示意性俯视图示出这里描述的发光设备100，其具有发射辐射的半导体芯片10以及操控设备12。发射辐射的半导体芯片10总共具有5个发射区域11，这些发射区域在横向方向101上彼此间有间隔地布置。横向方向101是平行于半导体芯片10的主延伸方向的方向。在此，横向方向101取决于半导体芯片10内的所选择的参考系。例如，横向方向101是在半导体芯片的主延伸平面中的方向，该主延伸平面围绕半导体芯片
10。如果半导体芯片10具有圆形的发射区域11，则横向方向101可以是在半导体芯片100的主延伸平面中的平行于各个发射区域11的直径的方向。每个所述发射区域11都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区2 (未示出，参见图5)。操控设备12在发射区域11的运行持续时间、由发射区域11发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片10的最大运行持续时间的达到、由半导体芯片10要发射的电磁福射的强度、沿着发射福射的半导体芯片10的发光面的光强分布、由发光设备100要照明的对象的光强分布方面对每个发射区域11与剩余的发射区域11分开地运行。处于运行中的发射区域11的数量在发光设备100运行期间是恒定的，其中在低于由半导体芯片10要发射的电磁辐射的最小强度情况下接上至少一个发射区域11。为此，操控设备12去活分别耗尽的发射区域11，其中接上的发射区域11代替耗尽的发射区域11。此外，操控设备12包括串联电阻接线装置103。借助串联电阻接线装置103可以补偿可变和/或波动的外部工作电压，从而可以遵守特定的运行参数以及对发光设备100的要求，并且在整个运行持续时间上确保由半导体芯片10发射的电磁辐射的尽可能恒定的强度。此外，发光设备100包括至少一个亮度传感器13和/或至少一个温度传感器14。例如，亮度传感器13和温度传感器14由操控设备12本身包括，或者与操控设备12分开地布置在发光设备100内。亮度传感器13测量发光设备100的环境亮度。在模拟地和/或数字地转换了由亮度传感器13测量的亮度测量值之后，借助传输线路131将所述亮度测量值传送给操控设备12。例如，操控设备12基于亮度传感器13的测量值在亮度减小的情况下根据需要接上至少一个发射区域11。温度传感器14测量每一个通过操控设备12运行的发射区域11的工作温度。在此情况下，还借助其它传输线路141将相应转换的温度测量值传送到操控设备12。依据温度测量值，操控设备12可以调暗或去活至少一个迄今运行的发射区域11。图2至图4在示意性俯视图中示出这里描述的发射辐射的半导体芯片10的各个实施例。在此，在图2a和2b中示出的发射辐射的半导体芯片10分别具有两个在横向方向101上彼此有间隔地布置的发射区域11。在图2c至2f中，发射辐射的半导体芯片10分别具有三个发射区域11。从所述的图中可以看出，至少一个发射区域11分别由至少一个其余发射区域11完全包围。换句话说，分别被包围的发射区域11形成半导体芯片10的中心发射区域11，而进行包围的发射区域11 一起形成发射辐射的半导体芯片10的至少一个发射边缘区域。
在图3a至3d中，发射辐射的半导体芯片10分别具有4个发射区域11，并且在图3e至3j中分别具有5个发射区域11。此外，图3k的发射辐射的半导体芯片10具有7个发射区域11，图4a和4b具有9个发射区域11，图4c具有13个发射区域11，以及图4d具有17个发射区域11。换句话说，发射辐射的半导体芯片10根据需要可以具有可预先给定地布置并且分别在几何形状方面单独成形的发射区域11，使得可以实现对发光设备100的相应要求提出的辐射特性。在图5中在示意性截面图中示出这里描述的发射辐射的半导体芯片10，其中在诸如衬底的载体3上外延地沉积两个在横向方向101上相邻的发射区域11。可以看出，发射区域11在横向方向101上分别通过中间区域111彼此有间隔地布置。换句话说，发射区域11的有源区2彼此分开。因此，有源区2在横向方向101上不直接毗邻。在图6中示出发光设备100的不同运行模式的示意性1-T图表。在第一运行模式BI中，在从Ttl (含)至1\ (含)的时间区段中只有被其余发射区域11包围的发射区域11由操控设备12运行。发光设备100因此仅发射具有强度I1的电磁辐射。在时刻T1，操控设备12从外部可预先给定地从运行模式BI切换到第二运行模式B2。在第二运行模式B2中，所有发射区域11都由操控设备12运行。也就是说，在第二运行模式中由发光设备100发射的强度I2大于在第一运行模式BI期间的强度Ip例如，发光设备100是制动灯，其在自由行驶期间、也就是在不制动的情况下处于第一运行模式BI，并且在制动的瞬时例如通过操作制动踏板和/或制动设备从运行模式BI转换到制动模式，也就是转换到运行模式B2。于是例如在制动时的强度I2是强度I1的十倍高。图7A和7B在示意性侧视图中示出这里描述的信号发光体200。信号发光体200具有发光设备100。发光设备100在投射面201的方向上发射可预先给定的强度的电磁辐射。例如，投射面201是用玻璃或者用辐射可穿透的塑料构成的。从发光设备100发射的电磁辐射至少部分地经由投射面201从信号发光体200耦合输出。发光设备100以及投射面201在横向于发光设备100的福射出射方向45的方向上由至少一个反射体202围住,其中反射体202将射在其上的电磁辐射至少部分地偏转到投射面201的方向。例如，反射体202是导光元件或这种导光元件的至少一部分。在这种情况下，反射体202可以是光导或者是光导的一部分。在图7B中示出在从投射面201出发朝着发光设备200的方向上、也就是与辐射出射方向45相反的方向上的信号发光体200。发光设备100又以虚线不出，该发光设备100被投射面201覆盖。例如，在图7A和7B中描述的信号发光体200是机动车前灯、发光体、机动车尾灯或阅读灯。本发明不通过借助实施例的描述来限制。更确切地说，本发明检测每个新特征以及特征的每种组合，这尤其是包含权利要求中的特征的每种组合，即使该特征或该组合本身未明确地在权利要求或实施例中说明。本专利申请要求德国专利申请102010047450.9的优先权，其公开内容通过引用
合并于此。
权利要求
1.发光设备(100)，包括 -至少一个发射辐射的半导体芯片(10)，该半导体芯片具有至少两个在横向方向(101)上彼此间有间隔地布置的发射区域(11)，其中每个发射区域(11)都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区(2); -用于运行发射区域(11)的操控设备(12)，其中 -发射区域(11)能够彼此分开地电运行，以及 -所述操控设备(12)被设立为依据以下条件中的至少一个与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域(11):发射区域(11)的运行持续时间、由发射区域(11)发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片(10)的最大工作温度的达到、由半导体芯片(10)要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备(100)要照明的对象的光强分布。
2.根据上述权利要求的发光设备(100)，其中发射辐射的半导体芯片(10)包括至少一个载体(3)，其中至少两个所述发射区域(11)共同地外延生长并且固定在载体上或者固定在至少一个载体上，并且在低于发光设备(100)的环境亮度情况下操控设备(12)接上至少一个发射区域(11)或者在超过发光设备(100)的环境亮度情况下断开至少一个发射区域。
3.根据权利要求1的发光设备(100)，其中发射辐射的半导体芯片(10)包括至少一个载体(3)，其中至少两个所述发射区域(11)共同地外延生长并且固定在载体上或者固定在至少一个载体 上。
4.根据上述权利要求之一的发光设备(100)，其中操控设备(12)被设立为，在达到至少一个针对由操控设备(12)运行的发射区域(11)的所述条件之后调暗或者去活该发射区域(11)。
5.根据上述权利要求之一的发光设备(100)，其中处于运行中的发射区域(11)的数量在发光设备(100)运行期间是恒定的。
6.根据上述权利要求之一的发光设备(100),其中在低于由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的最小强度情况下接上至少一个发射区域(11)。
7.根据上述权利要求之一的发光设备(100)，其中由半导体芯片(10)发射的强度在发光设备(100)运行期间通过操控设备保持恒定。
8.根据上述权利要求之一的发光设备(100)，其中至少一个发射区域(11)由其余发射区域(11)至少部分地包围，其中在发光设备(100)的第一运行模式(BI)中只有被包围的发射区域(11)由操控设备(12)运行，并且在第二运行模式(B2)中至少一个所述其余发射区域(11)被运行。
9.根据上述权利要求的发光设备(100)，其中在第二运行模式(B2)中只有其余发射区域(11)由操控设备(12)运行。
10.根据权利要求8的发光设备(100)，其中在第二运行模式(B2)中所有发射区域(11)由操控设备(12)运行。
11.根据权利要求8至10之一的发光设备(100)，其中由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的强度在第二运行模式(B2)中是在第一运行模式(BI)中的至少5倍和最高15倍那么闻。
12.根据权利要求7至10之一的发光设备(100)，其中由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的强度在第一运行模式(BI)中是在第二运行模式(B2)中的至少5倍和最高15倍那么闻。
13.根据上述权利要求之一的发光设备(100),其中在低于发光设备(100)的环境亮度情况下操控设备(12)接上至少一个发射区域(11)，或者在超过发光设备(100)的环境亮度情况下断开至少一个发射区域。
14.信号发光体(200)，具有 -至少一个根据上述权利要求之一所述的发光设备(100)，以及 -至少一个投射面(201 )，从发光设备(100)耦合输出的电磁辐射射到所述投射面上。
15.根据权利要求14的信号发光体(200)作为机动车前灯、机动车尾灯或阅读灯中的光源的使 用。
全文摘要
说明了一种发光设备(100)，包括-至少一个发射辐射的半导体芯片(10)，该半导体芯片具有至少两个在横向方向(101)上彼此间有间隔地布置的发射区域(11)，其中每个发射区域(11)都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区(2)；-用于运行发射区域(11)的操控设备(12)，其中-发射区域(11)能够彼此分开地电运行，以及-所述操控设备(12)被设立为依据以下条件中的至少一个与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域(11)发射区域(11)的运行持续时间、由发射区域(11)发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片(10)的最大工作温度的达到、由半导体芯片(10)要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备(100)要照明的对象的光强分布。
文档编号H01L27/15GK103155151SQ201180048215
公开日2013年6月12日 申请日期2011年9月30日 优先权日2010年10月4日
发明者N.赫夫纳, M.布兰德尔 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司