专利名称：形成无氢含硅介电薄膜的方法
形成无氢含硅介电薄膜的方法发明背景发明领域本发明的实施例一般关于形成不含氢元素的介电薄膜的方法。更特别的是，此发明是关于利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)エ艺来形成无氢含硅介电层的方法。相关技术的描述显示器件已经使用于广泛的电子应用上，例如:电视、监视器、手机、MP3播放器、电子书阅读器和个人数字助理(personal digital assistants, PDAs)等等。显示器件一般被设计为藉由对液晶施加电场而产生所需的影像，所述液晶填补两基板之间的间隙并具有可控制介电场强度的各向异性介电常数。藉由调节传输通过基板的光量，可有效控制亮度和影像的強度、品质和功率消耗。各式各样的显示器件，例如:主动式矩阵液晶显示器(active matrix liquidcrystal display, AMLCD)或主动式矩阵有机发光二极管(active matrix organic lightemitting diodes,AMOLED),可应用为采用触控面板的显示装置的光源。透明非晶氧化物半导体(transparent amorphous oxide semiconductor ；TA0S)或金属氧化物材料广泛用为显示器件中的半导体材料，以改进器件的电性能。被用于透明非晶氧化物半导体(TAOS)或金属氧化物材料的例子包括非晶铟镓锌氧化物(amorphous gallium indium zinc oxide ；a-1GZ0)、氧化锌等等。然而，在エ艺期间，等离子体可能使透明非晶氧化物半导体(TAOS)或金属氧化物材料受损。此外，相邻的介电层中所含有的氢元素，可能会有害地渗入透明非晶氧化物半导体(TAOS)或金属氧化物材料，且可能攻击透明非晶氧化物半导体(TAOS)或金属氧化物材料，因而导致漏电或其他类型的器件失效。此外，其中ー种可能发现的伤害为，由于氢原子施主效应的影响，可能失去半导体特性并转变成导体。因此，需要一种能制造具有改善的电性能及稳定度的薄膜晶体管器件的方法。
发明内容
本公开的实施例一般提供利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)エ艺，形成供显示器件所用的无氢含硅层的方法。在薄膜晶体管(TFT)器件或其他适合的显示器应用中，无氢含硅层可作为钝化层、栅极介电层、蚀刻终止层或其他适合的层。在一个实施例中，一种用以在薄膜晶体管中形成无氢含娃层的方法包括:供应包括无氢含娃气体和反应气体的气体混合物进入等离子体增强化学气相沉积腔室，其中无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组，并且在该气体混合物的存在下，在基板上形成无氢含硅层。在另ー个实施例中，一种用以在薄膜晶体管中形成无氢含硅层的方法包括:供应包括无氢含硅气体和反应气体的气体混合物进入等离子体增强化学气相沉积腔室，其中无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组，其中以约大于10的气流比例(以容积计)供应无氢含硅气体与反应气体，接着在该气体混合物的存在下，在基板上形成无氢含娃层。
在另ー个实施例中，一种用以在薄膜晶体管中形成无氢含硅层的方法包括:提供基板到处理腔室，所述基板上形成有活性层，其中活性层选自由a-1GZO (非晶铟镓锌氧化物)、InGaZnON,ZnO、ZnON、ZnSnO、CdSnO、GaSnO,TiSnO、CuAlO、SrCuO,LaCuOS, GaN、InGaN,AlGaN及InGaAlN所组成的群组；供应包括无氢含硅气体和反应气体的气体混合物进入等离子体增强化学气相沉积腔室，其中无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组，并于该气体混合物存在下，在设置于基板上的活性层上形成无氢含硅层。附图的简要描述藉由參照说明于附图中的本发明的实施例，可获得并了解上文所简述并详细描述于下文中的本发明的特征。
图1为薄膜晶体管器件结构的截面图；图2描绘可根据本发明的一个实施例，可被用于沉积无氢含硅层的处理腔室的截面图；图3描绘根据本发明的实施例,在器件结构中形成无氢含娃层的方法的一个实施例的流程图；以及图4为根据本发明的另ー实施例的薄膜晶体管器件结构的截面图。为有助于理解，在可能的情况下使用相同的參考标号以指明对于诸附图公用的相同元件。可想到的是，一个实施例的元件和特征可有利地加入另ー实施例中而无需进ー步复述。然而，应注意的是，附图仅说明本发明的示例性实施例，因此不应视为限制本发明的范围，因为本发明也允许其它等效实施例。详细描沭本公开的数个实施例一般提供形成供显示器件所用的无氢含硅层的方法。在TFT器件、OLED器件、LED器件、或其他合适的显示器应用中，无氢含硅层可用作钝化层、栅极介电层、蚀刻终止层、或其他合适的层。图1描绘薄膜晶体管器件150，该薄膜晶体管器件150设置在基板100上。在基板100上形成且图案化栅极电极层102，接着是第一栅极绝缘层104。第二栅极绝缘层或钝化层106可视情况形成于第一栅极绝缘层104之上。在一个实施例中，该栅极电极层102可由任何合适的金属材料制造，例如铝(Al)、钨(W)、铬(Cr)、钽(Ta)、钥(Mo)或上述金属的组合。用于第一及第ニ栅极绝缘层104、106的适用材料可为氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)或其相似物。活性层108形成于第二栅极绝缘层106之上。在没有第二绝缘层106的实施例中，活性层108可直接形成于第一栅极绝缘层104之上。活性层108可选自透明的金属氧化物材料，该材料具有高电子迁移率也具有低温制造处理需求，因此允许挠性基板材料(例如塑胶材料)在低温下进行处理，而不会有基板损伤。合适的活性层108实例包括a-1GZ0 (非晶铟镓锌氧化物)、I nGaZnON、ZnO、ZnON、ZnSnO、CdSnO、GaSnO、T i SnO、CuA 10、Sr CuO、LaCuOS、GaN、InGaN, AlGaN 或 InGaAlN 等。活性层108形成后，可形成蚀刻终止层114于活性层108之上。蚀刻终止层114可类似于第一和第二栅极绝缘层104、106，由无氢含硅层形成。蚀刻终止层114可被图案化以在活性层108上形成期望图案，以在后续的蚀刻エ艺中，方便将特征结构转印至设置在基板100上的薄膜层上。虽然图1所描述的蚀刻终止层114被图案化成期望的图案，值得注意的是蚀刻终止层114可以是任何形式，包括在器件150中的整个连续无变化的薄膜或所需的任意不同的特征结构。在一个实施例中，如图1所示，蚀刻终止层114可为单层的介电层，由氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、金属介电层(如Ta2O5或TiO2)或其他所需的适合的介电层所制造。在一个实施例中，蚀刻终止层114可为复合薄膜形式，包括相邻于活性层108而设置的第一介电层和第一介电层上的第二介电层。当第一介电层直接接触活性层108,第一介电层可配置为无氢介电层,第一介电层的制造方法參考图3进ー步于下文中讨论。第二介电层可以是任何适合的介电层，包括含氢介电层或无氢介电层。蚀刻终止层114形成后，接着将源扱-漏极金属电极层110设置于蚀刻终止层114上。随后，进行蚀刻エ艺以在源扱-漏极金属电极层110中形成通道120，该蚀刻エ艺利用下方的蚀刻终止层114作为阻挡层，以避免过度蚀刻至下面的活性层108。蚀刻处理后，接着将钝化层112形成于覆盖蚀刻终止层114的源扱-漏极金属电极层110上，以完成形成薄膜晶体管器件150的エ艺。值得注意的是，第一和第二绝缘层104、106、蚀刻终止层114和钝化层112可依不同的器件需求和设计所需为单层或多层的形式。在一个实施例中，源扱-漏极金属电极层110的范例包括铜(Cu)、金、银(Ag)、铝(Al)、钨(W)、钥(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、上述金属的合金和组合。蚀刻终止层114和钝化层112的适合示例包括氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、或氮化硅(SiN)等。由于常规エ艺通常使用硅烷(SiH4)气体当作形成器件结构中的含硅层的前驱物，源自于硅烷(SiH4)气体的氢元素通常会在沉积エ艺期间被并入所得的含硅层中。如上所述，氢元素可能会被包含在相邻于活性层108和源扱-漏极金属电极层110的某些层中，例如栅极绝缘层104、106、蚀刻终止层114或钝化层112，而可能不利于活性层108的电性。因此，无氢含硅层被用来形成薄膜晶体管器件150中的介电材料，包括栅极绝缘层104、106，蚀刻终止层114或钝化层112，以减少薄膜晶体管器件150中含有的氢元素。可通过利用无氢含硅气体当作前驱物以获得无氢含硅层。示例性エ艺的详细描述将会參考图3在下文作进ー步讨论。图2是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室(处理腔室)200的一个实施例的横截面示意图，无氢含硅层(例如栅极绝缘层104、106、蚀刻终止层114或钝化层112)可在此处理腔室200中沉积。一款适当的等离子体增强化学气相沉积腔室可由位于加州圣大克劳拉市的应用材料股份有限公司供应。也可以考虑使用其他沉积腔室，包括那些来自其他制造商的沉积腔室，来实施本发明。此处理腔室200 —般包括壁202、底部204、盖子205和基板支撑件230，前述部件定义出エ艺容积206。可透过阀208进入此エ艺容积206，从而基板可被移进和移出处理腔室200。基板支撑件230包括用来支撑基板100的基板接收面232和耦接升降系统236以升降基板支撑件230的支杆234。遮蔽环233可选择性地放置在基板100的周缘上。举升销238可移动地配置穿过基板支撑件230，以将基板100移至或移离基板接收面232。基板支撑件230也可包括加热及/或冷却元件239，以维持基板支撑件230处在期望的温度下。基板支撑件230也可包括接地带231，以在基板支撑件230周围提供射频(RF)返回路径。喷头210藉由悬吊装置214于喷头210的周围处耦接至背垫板212。喷头210也可藉由ー个或多个中心支撑件216来耦接至背垫板212，以避免电压骤降及/或控制喷头210的平直度/曲率。气体源220耦接背垫板212，以经由背垫板212并经由喷头210提供气体到基板接收面232。真空泵209耦接到处理腔室200，以控制エ艺容积206处在期望压力下。RF功率源222耦接至背垫板212及/或喷头210，以提供RF功率到喷头210，在喷头和基板支撑件230间产生电场，从而可自存在于喷头210和基板支撑件230之间的气体产生等离子体。可使用多种RF频率，如介于约0.3MHz与约200MHz之间的频率。在一实施例中，以13.56MHz的频率来提供RF功率源。远端等离子体源224 (例如感应耦合的远端等离子体源)也可耦合在气体源220和背垫板212之间。在处理基板100之间，可提供清洁气体至远端等离子体源224，以产生并提供远端等离子体来清洁处理腔室的组件。清洁气体可被提供至喷头210的RF功率源222进ー步激发。合适的清洁气体包括但不限定为NF3、F2和SF6。提供大面积基板至处理腔室200中，无氢含硅层形成于该大面积基板上，该大面积基板可具有10，OOOcm2或以上的表面积，例如40，OOOcm2或以上,且例如55，OOOcm2或以上。可了解到,在处理之后,基板可被切割以形成较小的显示器件。在一实施例中，可设定加热及/或冷却元件239，以于沉积期间提供约400°C或更低的基板支撑件温度，例如介于约100°C与约400°C之间，或介于约150°C与约300°C之间，例如约2000C o沉积期间，置于基板接收面232上的基板的顶表面和喷头210之间的间距可介于约400mil与约I, 200mil之间，例如介于约400mil与约800mil之间。控制器248耦接至处理腔室200。控制器248包括中央处理单元(CPU) 260、存储器258和辅助电路262。控制器248用来控制エ艺顺序，调节从气体源220进入处理腔室200的气流并控制来自RF功率源222和远端等离子体源224的功率。CPU260可为任何形式的可以エ业设定使用的通用计算机处理器。软件程序可被储存于存储器258，例如随机存取存储器、只读存储器、软盘或硬盘驱动器，或者其他形式的数字储存器。传统上，辅助电路262耦接至CPU260，而且可包括高速缓冲存储器、时钟电路、输入/输出子系统和电源等等。当软件程序被CPU260所执行吋，软件程序会将CPU转化成为专用目的计算机(控制器)248，该专用目的计算机(控制器)248控制处理腔室200，以使得エ艺(例如下述的エ艺300)依照本发明来进行。软件程序也可由第二控制器(未绘示于图中)储存及/或执行，第二控制器位在处理腔室200的远端。图3描绘エ艺300的一个实施例的流程图，该エ艺300用以形成无氢含硅层，该无氢含硅层适于作为设置在薄膜晶体管器件(例如图1描绘的薄膜晶体管器件150)中的栅极绝缘层、蚀刻终止层、钝化层或其他适合的介面层。此エ艺可在如图2所描述的处理腔室200或其他适合的处理腔室中执行。エ艺300说明ー种形成适用在薄膜晶体管器件或ニ极体器件中的无氢含硅层的方法。エ艺300由步骤302开始，在处理腔室(如图2所描绘的处理腔室200)中提供基板100 (如图1所描绘的基板100)，用以于基板100上形成薄膜晶体管器件150。エ艺300可用来形成无氢含硅层，该无氢含硅层可用来形成栅极绝缘层(例如第一和第二绝缘层104、106)、蚀刻终止层114或钝化层112，如參照图1所述。值得注意的是，基板100可具有先前形成于该基本100上的薄膜、结构或层等的不同組合，以便形成不同的器件结构或基板100上的不同的薄膜堆迭。在一个实施例中，基板100可以是任ー种玻璃基板、塑料基板、聚合物基板、金属基板、単一的基板、卷绕式基板或其他适合形成薄膜晶体管于该基板上的透明基板。于步骤304，供应气体混合物到处理腔室200内。气体混合物至少包括无氢含硅气体。无氢含硅气体可作为硅源前驱物以提供硅原子，用以在基板上形成无氢含硅层。无氢含硅气体的适当示例包括SiF4、SiCl4、Si2Cl6或其他类似物。此外，在气体混合物中也供应反应气体，以跟无氢含硅气体反应，以在基板上形成期望的无氢含硅层。在期望有无氢氧化硅(SiO2)层的ー个实施例中，反应气体为提供氧源的含氧气体，以与无氢含硅前驱物反应以形成无氢的氧化硅层。适合的含氧气体的示例包括o2、n2o、no2、o3、co、co2及类似物。反应气体也可以是无氢气体。在期望有无氢氮化硅(SiN)层的ー个实施例中，反应气体是含氮气体，以提供氮源以形成无氢的氮化硅层。适合的含氮气体的示例包括NH3、N2及其类似物。在期望有无氢(SiON)层ー个实施例中，反应气体可为含氮和氧的气体以提供氮及氧源以形成无氢的氮氧化硅层。形成氮氧化硅的含氮及氧的气体的示例包括02、N2O, NO2, NH3、N2> O3> CO、CO2、其组合物或类似物。在一个实施例中，用以形成氮氧化硅的含氧及氮的气体包括N20、NO2、或O2和NH3气体的组合、或O2和N2气体的组合。在沉积期间，以预定的气流比例供应无氢含硅气体和反应气体。在一个实施例中，气体混合物中无氢含硅气体对反应气体的气流比例(如，气流容积比)控制在大于10，如介于约5与约100之间，或介于约20与约60之间，如约40。或者，可以介于约IOsccm与约200sccm之间的流速供应无氢含硅气体进入处理腔室，且可以介于约IOOOsccm和约5000sccm之间的流速供应反应气体进入处理腔室。也可以在气体混合物中供应惰性气体。可以介于约IOOOsccm和约5000sccm之间的流速供应气体混合物中的惰性气体。于步骤306，施加RF功率到处理腔室200，以自气体混合物形成等离子体。在沉积期间也施加RF功率以维持等离子体。在一个实施例中，可供应介于约100mWatt/cm2与约1000mffatt/cm2之间的RF功率密度。提供介于约IOOkHz与约IOOMHz之间的RF功率，例如约 350kHz 或约 13.56MHz o此外，在沉积期间也可控制若干项エ艺參数。可依据基板的尺寸控制基板到气体分配板组件的间距。在一个实施例中，顶表面积大于I平方公尺的基板的处理间距被控制在介于约400mils与约1200mils之间，例如介于约400mils与约850mils之间，如580mils。可将基板温度控制在约100°C与约500°C之间，例如约250°C。可将エ艺的压カ维持在约
0.5Torr 与约 3Torr 之间。图4描绘设置于基板100上的薄膜晶体管器件160的另ー个实施例。相似于图1描绘的形成于基板上的薄膜晶体管器件结构，薄膜晶体管器件160包括设置在基板100上的栅极电极层102，以及随后形成于栅极电极层102上的第一栅极绝缘层104和可任选的第ニ栅极绝缘层106。活性层108接着形成在第二栅极绝缘层106上。不同于图1描绘的结构，在图4所描绘的薄膜晶体管器件160中，移除了蚀刻终止层，且源扱-漏极金属电极层110形成于第二栅极绝缘层106上。随后，执行背通道蚀刻(back-channel-etching ;BCE)エ艺以蚀刻或图案化源扱-漏极金属电极层110，以便依需求在源扱-漏极金属电极层110中及/或可能部分地在活性层108中形成通道116。值得注意的是，可使用适合的掩模(例如光刻胶层或硬掩模层)，以便依需求将期望的特征结构、沟槽或通道转移至源扱-漏极金属电极层110中。背通道蚀刻(BCE)エ艺可以是任何适合的蚀刻エ艺，包括:干式蚀刻、湿式蚀刻、离子等离子体蚀刻等等，以在源扱-漏极金属电极层110中及/或部分地在活性层108中形成通道116。进行背通道蚀刻(BCE)エ艺以蚀刻源扱-漏极金属电极层110，直到下方的活性层108的一部分经由通道116被暴露出来为止，以完成背通道蚀刻(BCE)エ艺。背通道蚀刻(BCE)エ艺结束后，钝化层112接着形成在基板100上，用以填充形成在薄膜晶体管器件160中的通道116的一部分。值得注意的是，可依需求在任何步骤中执行附加的エ艺步骤，以便于基板上形成器件结构。例如，可依需要进行附加的エ艺步骤(例如光刻胶的涂布或剥除エ艺)，以协助转移特征结构到器件上。在其他的例子中，也可执行附加的退火、蚀刻、沉积和清洁エ艺，以便在基板上形成薄膜晶体管器件。根据上面的讨论，所期望的是相邻于活性层108和源扱-漏极金属电极层110所形成的介电层具有尽可能最低的氢含量。因此，与形成在薄膜晶体管器件160中的活性层108和源扱-漏极金属电极层110相邻设置的第一和第二栅极绝缘层104、106、蚀刻终止层114和钝化层112或任何适合的介面层可被选择而通过上述的エ艺300制造，利用无氢含硅气体当作硅源前驱物，以按任何适当的形式(包括单层或带有ー或多个薄膜层堆迭的复合层)形成与活性层108和源极-漏极金属电极层110相邻设置的第一和第二栅极绝缘层104、106、蚀刻终止层114、钝化层112或任何其他适合的介面层的其中任一者作为无氢含娃层，。在一个实施例中，可利用无氢含娃气体，如SiF4、SiCl4、Si2Cl6或其他相似的无氢含硅气体，和反应气体当作前驱物来获得无氢含硅层，如參考图3的エ艺300所述。因此，藉由在薄膜晶体管器件中形成相邻于活性层和源扱-漏极电极层的无氢含硅层，本文所描述的方法有利于改善薄膜晶体管器件的电子性能和稳定度。虽然上述是针对本发明的实施例，可以在不偏离基本范围被设计出其他或更进ー步的发明实施例，而本发明的保护范围由随附的权利要求决定。
权利要求
1.一种在薄膜晶体管中形成无氢含娃层的方法，包括: 供应气体混合物至等离子体增强化学气相沉积腔室内，所述气体混合物包括无氢含硅气体和反应气体，其中所述无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组；以及 在有所述气体混合物存在的情况下，在所述基板上形成无氢含硅层。
2.按权利要求1所述的方法，其中所述反应气体选自由02、N2O,NO2, O3 > CO和CO2所组成的群组。
3.按权利要求2所述的方法，其中所述无氢含硅层为氧化硅层。
4.按权利要求1所述的方法，其中所述反应气体选自由NH3和N2所组成的群组。
5.按权利要求4所述的方法，其中所述无氢含硅层为氮化硅层。
6.按权利要求1所述的方法，其中所述反应气体选自由N20、N02、02和NH3气体的组合，以及O2和N2气体的组合所组成的群组。
7.按权利要求6所述的方法，其中所述无氢含硅层为氮氧化硅层。
8.按权利要求1所述的方法，其中所述无氢含硅层为薄膜晶体管器件中的钝化层、栅极绝缘层、蚀刻终止层。
9.按权利要求1所述的方法，其中所述无氢含硅层是介面层，所述介面层设置为邻近形成于薄膜晶体管器件中的活性层或源极-漏极金属电极层。
10.按权利要求9所述的方法，其中所述介面层为复合薄膜，所述复合薄膜具有设置于所述活性层上的所述无氢含硅层以及设置于所述无氢含硅层上的含硅介电层。
11.按权利要求10所述的方法，其中所述活性层选自由a-1GZO(非晶氧化铟镓锌)、InGaZnON,ZnO,ZnON,ZnSnO,CdSnO,GaSnO,TiSnO,CuAlO,SrCuO,LaCuOS,GaN,InGaN,AlGaN或InGaAlN所组成的群组。
12.按权利要求1所述的方法，其中形成所述无氢含硅层进一歩包括: 在所述气体混合物中施加RF功率，以在所述气体混合物中形成等离子体，其中以介于约100mWatt/cm2与约1000mWatt/cm2之间的功率密度提供所述RF功率。
13.按权利要求1所述的方法，其中以约大于10的以容积计的气流比例供应所述无氢含硅气体与所述反应气体。
14.一种在薄膜晶体管中形成无氢含娃层的方法,包括: 供应气体混合物至等离子体增强化学气相沉积腔室内，所述气体混合物包括无氢含硅气体和反应气体，其中所述无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组，其中以约大于10的以容积计的气流比例供应所述无氢含硅气体与所述反应气体；以及 在有所述气体混合物存在的情况下，在所述基板上形成无氢含硅层。
15.按权利要求14所述的方法，其中所述反应气体选自由02、N20、N02、NH3、N2、03、C0和CO2所组成的群组。
16.按权利要求14所述的方法，其中所述无氢含硅层为薄膜晶体管器件中的钝化层、栅极绝缘层、蚀刻終止层。
17.按权利要求14所述的方法，其中所述无氢含硅层是介面层，所述介面层设置成邻近形成于薄膜晶体管器件中的活性层或源极-漏极金属电极层。
18.一种在薄膜晶体管中形成无氢含娃层的方法,包括: 提供基板到处理腔室，所述基板上形成有活性层，其中所述活性层选自由a-1GZO (非晶氧化铟镓锌)、InGaZnON, ZnO、ZnON、ZnSnO、CdSnO、GaSnO, TiSnO、CuAlO、SrCuO, LaCuOS,GaN、InGaN, AlGaN 或 InGaAlN 所组成的群组； 供应气体混合物至等离子体增强化学气相沉积腔室内，所述气体混合物包括无氢含硅气体和反应气体，其中所述无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组；以及在有所述气体混合物存在的情况下，在设置于所述基板上的所述活性层上形成无氢含娃层。
19.按权利要求18所述的方法，其中以约大于10的以容积计的气流比例供应所述无氢含娃气体与所述反应气体。
20.按权利要求18所述的方法，其中所述反应气体选自由02、N20、N02、NH3、N2、03、C0和CO2所组成的 群组。
全文摘要
本公开的实施例一般提供在薄膜晶体管(TFT)器件中形成无氢含硅层的方法。在TFT器件、光电二极管、半导体二极管、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)或其他适合的显示器应用中，无氢含硅层可以作为钝化层、栅极介电层、蚀刻终止层或其他适合的层。在一个实施例中，在薄膜晶体管中形成无氢含硅层的方法包括供应包括无氢含硅气体和反应气体的气体混合物进入等离子体增强化学气相沉积腔室内，其中无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组；以及在有该气体混合物存在的情况下，在基板上形成无氢含硅层。
文档编号H01L21/205GK103098185SQ201180044023
公开日2013年5月8日 申请日期2011年8月9日 优先权日2010年8月20日
发明者崔寿永 申请人:应用材料公司