专利名称：具有对称馈给结构的基板支架的利记博彩app
技术领域：
本发明的实施例大体而言关于基板处理装置。
背景技术：
随着器件的关键尺寸持续缩小，原本在大尺寸下可能无关或不太重要的因素在较小尺寸下可变得关键。发明人已提供在处理基板时可促进改进的处理结果的改进的设备。
发明内容
本文揭示用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种基板支架可包括:基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至基板；内部导体，所述内部导体围绕所述第一电极的与支撑表面相对的表面的中心耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，且在远离基板支架的支撑表面的方向上平行于中心轴线且围绕中心轴线从第一电极延伸；外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。在一些实施例中，所述外部导体可耦接至电接地。在一些实施例中，DC能量可经由沿中心轴线延伸的第二导体而提供至第二电极。在一些实施例中，AC能量可经由关于中心轴线对称地安置的多个第三导体而提供至一个或多个加热器电极。在一些实施例中，第二导体及第三导体可安置于所述内部导体的轴向开口中。在一些实施例中，一种等离子体处理设备可包括:处理腔室，所述处理腔室具有内部容积，其中基板支架安置于所述内部容积中，所述基板支架具有支撑表面及中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架中以在基板存在于所述基板支架上时将RF功率提供至基板；内部导体，所述内部导体的第一端围绕所述第一电极的背对所述支撑表面的表面的中心而耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，并平行于所述中心轴线且围绕所述中心轴线而远离所述第一电极延伸；第一导体，所述第一导体接近于所述内部导体的与所述第一端相对的第二端而耦接至所述内部导体，所述第一导体从所述中心轴线朝向从所述中心轴线离轴安置的RF功率源侧向延伸，所述RF功率源用以将RF功率提供至所述第一电极；外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。下文描述本发明的其它及进一步的实施例。
可通过参考在附图中描绘的本发明的说明性实施例来理解上文简要概述且在下文更详细论述的本发明的实施例。然而，应注意，附图仅说明本发明的典型实施例，且因此不应认为限制本发明的范围，因为本发明可容许其它同等有效的实施例。
图1描绘根据本发明的一些实施例的处理腔室的示意性侧视图。图2描绘根据本发明的一些实施例的基板支架的示意性侧视图。图3描绘根据本发明的一些实施例的围绕中心轴线布置的多个导体的俯视横截面图。图4描绘根据本发明的一些实施例的耦接至基板支架的机构的示意性侧视图。为便于理解，已尽可能使用相同标号来标示各图中共同的相同元件。各图并非是按比例绘制，且可能为清楚起见而加以简化。可预期，一个实施例的元件及特征可有益地并入到其它实施例中而无需进一步叙述。
具体实施例方式本文揭示了用于处理基板的设备。发明人已发现，具有不对称电馈结构以将电功率提供至安置于基板支架中的电极的基板支架可造成处理不均匀性，例如，诸如安置于基板支架顶上的基板上的蚀刻速度及蚀刻尺寸不均匀性。由此，发明人已提供一种对称电馈结构，所述对称电馈结构可并入到基板支架中以有利地改进蚀刻速度及/或蚀刻尺寸均匀性。在一些实施例中，本发明的设备可通过以下操作来有利地减小沿基板表面的电磁偏斜:通过将电功率经由相对于基板支架的中心轴线对称地布置的一个或多个导体传导至基板支架的各组件，及/或通过提供用于限定或均匀地分布电场及/或磁场的一个或多个元件。图1描绘可用以实践如本文所论述的本发明实施例的种类的说明性蚀刻反应器100的示意图。反应器100可单独利用或更通常地作为集成式半导体基板处理系统或多腔集成设备(诸如CENTURA 集成式半导体基板处理系统，可从Applied Materials (应用材料)公司(Santa Clara,加利福尼亚)购得)的处理模块而利用。合适蚀刻反应器100的实例包括ADVANTEDGE 系列蚀刻反应器(诸如AdvantEdge S或AdvantEdge HT)> DPS*
系列蚀刻反应器(诸如DPS 1 ‘、DPS* I〗、DPS AE、DPS HT、DPS G3多蚀刻器)或可从Applied Materials (应用材料)公司购得的其它蚀刻反应器。也可使用其它蚀刻反应器及/或多腔集成设备，包括其它制造商的蚀刻反应器及/或多腔集成设备。反应器100包含:处理腔室110，所述处理腔室110具有基板支架116，基板支架116安置于形成在导电主体(壁)130内的处理容积117内；以及控制器140。对称电馈通件150可被提供以将电能耦接至安置于基板支架116内的一个或多个电极，如下文所论述地。腔室110可提供有基本上平坦的介电顶板120。或者，腔室110可具有其它类型的顶板，例如圆顶形顶板。包含至少一个感应线圈元件112的天线安置于顶板120上方(图示两个共轴元件112)。感应线圈元件112经由第一匹配网络119耦接至等离子体功率源118。等离子体功率源118通常可能能够产生高达3000W(在50kHz至13.56MHz范围中的可调谐频率下)。如图1中所说明地，基板 支架116可包括多个组件，诸如电极、加热器等，所述组件可通过安置于基板支架116下方的一个或多个机构148来操作。举例而言，且如图1中所示，所述一个或多个机构可经由安置穿过导电主体130的开口 115而耦接至基板支架116。波纹管152可被提供以促进维持处理腔室的内部与处理腔室外部之间的密封，同时允许基板支架相对于处理腔室移动。举例而言，波纹管152可随着基板支架116在处理容积117内被抬高或降低而压缩或膨胀。所述一个或多个机构148可包括提升机构154，所述提升机构154可用以相对于安置在基板支架116上方的一个或多个等离子体产生元件(诸如感应线圈元件112)来抬高及降低基板支架116。下文将参照图4进一步详细描述所述一个或多个机构148。图2描绘根据本发明的一些实施例的基板支架116及对称电馈结构150的示意性侧视图。如图2中所说明的，基板支架可包括具有中央开口 202的基底200。中央开口 202可(例如)用以提供穿过其中的一个或多个导体，以耦接来自安置于基板支架116下方的所述一个或多个机构148的射频(RF)功率、交流电(AC)功率或直流电(DC)功率中的一个或多个。基底200可具有突出部分204以便于将基底200耦接至处理腔室的其它组件。基板支架116可包括安置于基板支架116内的第一电极206，以在将基板(诸如基板114 (图1中所示))安置于基板支架116上时将RF功率提供至所述基板。第一电极206可包括中心轴线208。内部导体210可耦接至所述第一电极206。内部导体210可为圆柱形管，所述圆柱形管的中心轴线与中心轴线208对准，使得内部导体210可以对称方式将RF能量提供至第一电极206。内部导体210大致平行于中心轴线208且围绕中心轴线208远离第一电极206而延伸。内部导体210可延伸穿过基底200中的中央开口 202 (如图所示)、穿过波纹管152 (图示于图1中)并延伸至一个或多个机构148 (如下文描述的图4中所说明的)中。内部导体210可包含任何合适的传导材料，诸如铜(Cu)、铝(Al)、镀金的铜等。在一些实施例中，内部导体可包含铜。基板支架116进一步包括围绕内部导体210的至少部分而安置的外部导体212。类似于内部导体210，外部导体212在形状上可为管状，且大致平行于中心轴线208且围绕中心轴线208而延伸。外部导体212可包含任何合适的传导材料，诸如铝(Al)、铜(Cu)等。在一些实施例中，外部导体212可包含Al。外部导体212可远离安置于基底200上方的导电平板214而延伸。外部导体212可(诸如)通过使外部导体212的相对端耦接至箱400 (箱400含有一个或多个机构148，如图4中所示且在下文中加以描述)而耦接至电接地。或者，外部导体212可单独接地(未不出)。外部介电层216可安置于内部导体210与外部导体212之间以使外部导体212与内部导体210电隔离。外部介电层216可包含任何合适的介电材料，诸如含有聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene (PTFE))的材料，诸如 TEFLO N K)(可从DuPont (Wilmington, Delaware)购得)等。在一些实施例中，夕卜部介电层216可包含PTFE。在操作中，诸如RF能量的电能可流经内部导体210而流至第一电极206。电场通常可存在于内部导体210与接近于内部导体210的任何其它导电元件之间。另外，可通过流经内部导体210的电流而感应磁场。外部导体212可用以将电场及磁场限定至内部导体210与外部导体212之间的区域，例如限定至包括外部介电层216的区域。将电场及磁场限定至此区域可导致电场及磁场分布的改进的均匀性，这可导致安置于基板支架116顶上的基板114上的改进的蚀刻速度及蚀刻尺寸均匀性。另外，导电平板214可类似地用以限定电场及磁场及/或使电场及磁场关于导电平板214对称地分布。另外，导电平板214可用作屏蔽件，以使基板214与由其它组件(诸如下文描述的图4中所说明的第一导体408)引起的不对称电场及磁场隔离。基板支架116可进一步包括安置于第一电极206与导电平板214之间的介电层218。介电层218可包含处理兼容介电材料，诸如Rex0I he (—种交联聚苯乙烯，可从C-Lec Plastics 公司(Philadelphia, Pennsylvania)购得)等。介电层 218 可用以限制(例如)第一电极206与导电平板214之间的功率损失。在一些实施例中，基板支架116可包括安置于第一电极206上方的静电卡盘(ESC) 220。ESC大致可包含基底层226，基底层226具有安置于基底层226之上的介电层248。基底层226可为冷却平板以便于将静电卡盘220在操作期间保持在所要的温度下。举例而言，基底层226可包含高度导热性材料，诸如铝或铜，且可具有一个或多个通道用于使热传递流体流经所述通道。ESC220可包括第二电极222。在一些实施例中，第二电极222可安置在介电层248内。第二电极222可耦接至DC能量源以经由第二导体236将基板114静电地紧固至基板支架116。在一些实施例中，第二导体236可沿轴线208而安置且安置于内部导体210的轴向开口内，以便使来自所提供的DC能量的任何RF干扰最小化，且使任何这种RF干扰对称。在一些实施例中，第二导体236可为导电杆。第二导体236可由任何合适的处理兼容导电材料制造而成。在一些实施例中，第二导体236包含铜。在一些实施例中，ESC220可进一步包括一个或多个加热器电极238。在一些实施例中，所述一个或多个加热器电极238可安置于介电层248内。所述一个或多个加热器电极238可按任何合适的图案提供，且可布置于一个或多个加热器区域中以提供用于加热基板的所期望加热图案。所述一个或多个加热器电极238可经由多个第三导体234而耦接至AC能量源。将AC能量施加至所述一个或多个加热器电极238使得所述电极因电阻性加热(即，焦耳加热)而变热。在一些实施例中，第三导体234可为导电杆。第三导体234可由任何合适的处理兼容导电材料制造而成。在一些实施例中，第三导体234包含铜。在一些实施例中，电力分配平板240可被提供以导引从所述多个第三导体234至所述一个或多个加热器电极238的连接。举例而言，在一些实施例中，电力分配平板240可包括印刷电路板(PCB) 242等，以用于连接至所述多个第三导体234且用于向多个AC端子224提供导电路径(例如，电迹线)。AC端子绝缘体平板244可安置于PCB242之上以使所述导电路径及AC端子224与邻近的导电元件(诸如ESC220的基底层226)绝缘。导体246可被提供以将所述AC端子224耦接至所述多个第三导体234中的各个导体。在一些实施例中，导体246可为导电杆。在一些实施例中，导体246可包含铜。在一些实施例中，第三导体234可关于中心轴线208对称地安置。在一些实施例中，第三导体234可关于中心轴线208对称地安置，且可安置于内部导体210的轴向开口内(如图所示)。在一些实施例中，AC端子224可关于中心轴线208对称地安置，例如，使每一AC端子224与所述多个第三导体234中的各个导体对准。发明人已发现，第三导体234关于中心轴线208的对称布置可进一步使RF干扰最小化，且可进一步改进处理性能，诸如改进基板上的蚀刻速度均匀性及/或蚀刻尺寸均匀性。在一些实施例中，第二导体236及所述多个第三导体234可经导引而穿过内部导体210的开放中央部分。内部介电层228可安置于内部导体210内，且可使第二导体236及所述多个第三导体234经导引穿过安置穿过所述内部介电层228的通路。内部介电层228的所述通路可使第二导体236及所述多个第三导体234彼此绝缘、与内部导体210绝缘，且与其它邻近的导电组件或层绝缘。内部介电层228的所述通路可进一步将第二导体236及所述多个第三导体234定位于所要的位置或定位成所要的图案，诸如对称图案。内部介电层228可包含与上文对于外部介电层216所论述的材料类似的介电材料。如图2中和图3中的俯视横截面图中所示，内部介电层228大致安置于内部导体210内，但可延伸超出内部导体210的末端，以环绕延伸超出内部导体210的末端的第二导体236及所述多个第三导体234的长度的至少一部分。举例而言，内部介电层228可包括第一部分230，第一部分230环绕所述多个第三导体234的朝向电力分配平板240延伸经过内部导体210的末端的部分。第二部分232可环绕第二导体236的朝向第二电极222延伸经过内部导体210的末端的部分。图3说明根据本发明的至少一些实施例的对称电馈结构150的示意性部分俯视图。如图3中所示，对称电馈结构150包括由外部介电层216分开的内部导体210及外部导体212。内部介电层228使第二导体236与所述多个第三导体234绝缘且将第二导体236与所述多个第三导体234定位成所要的图案(例如，对称地)。举例而言，第二导体236可沿中心轴线208在中心安置于内部介电层228中，且所述多个第三导体234可关于中心轴线208对称地安置。图4描绘根据本发明的至少一些实施例的对称电馈结构150的下部部分的示意性侧视图，所述附图示出耦接至基板支架116的一个或多个机构148。如图4中所示，对称电馈结构150的下部部分可提供至RF能量源的连接，且视情况选择性地提供至一个或多个AC或DC能量源的连接。举例而言，内部导体210可(例如)经由第一导体408耦接至RF功率源406，以经由第一导体408将RF能量提供至第一电极206。在一些实施例中，第二导体236可耦接至DC功率源402以将DC能量提供至第二电极222，以静电地将基板保持在基板支架116上。在一些实施例中，所述多个第三导体234可耦接至AC电源404以将AC能量提供至电极238，从而将热量提供至基板。第一导体408可围绕内部导体210的外表面而耦接至内部导体210，以将RF能量对称地提供至内部导体210。第一导体408可从中心轴线208朝向RF功率源406侧向延伸，所述RF功率源406可安置至中心轴线208的侧部。RF功率源406可经由匹配网络410而耦接至第一导体408。RF功率源406可对于特定应用提供处于任何合适频率及功率下的RF能量。在一些实施例中，RF功率源406可能能够提供处于约13.56MHz的频率下的高达约1500W的RF能量。RF功率可以连续波或脉冲模式提供。在一些实施例中，第二介电层414可被提供以使第一导体408与邻近的导电组件(诸如，下文论述的接地箱400，所述接地箱400围封电馈结构150的下部部分)电隔离。在一些实施例中，且如图4中所示，第一导体408可内嵌于第二介电层414内。尽管第一导体408安置成与内部导体210成角度，此情形可能导致在由RF电流产生的电磁场中的干扰，但导电平板214可用以限制由第一导体408的定向引起的电磁效应。同样地，可能因为第一导体的定向而产生的电场中的任何不对称性应该对于在安置于基板支架116上的基板上执行的处理具有有限影响或无影响。在一些实施例中，介电端盖416可围绕RF馈给结构150的末端而提供。举例而言，介电端盖416可围绕内部介电层228的延伸超出内部导体210的部分而置放。在一些实施例中，介电端盖416可覆盖内部介电层228的延伸超出第二介电层414的部分。介电端盖416可具有多个开口以允许电馈结构150的导体延伸穿过其中。所述导体可通过耦接至多个导体234及导体236的各个导电路径而分别耦接至DC电源402及/或AC电源404。举例而言，印刷电路板(PCB) 418可被提供而具有形成于所述PCB中或所述PCB上的电迹线，以将所述多个导体234导引至AC电源404。单独的导电路径可被提供以将导体236耦接至DC电源402。在一些实施例中，端子420 (以虚线示出)可被提供以便于将导体236耦接至DC电源402。端子420可延伸穿过整个PCB418或仅穿过PCB418的一部分。在一些实施例中，PCB418可包含基底422、由基底422支撑的基板424、以及罩盖426。罩盖426可覆盖基板424，且将基板424保持在基底422与罩盖426之间。可在罩盖426中提供若干开口，以便于进行至导体234、236、端子420及/或在基板424中或基板420上或通过基板424的任何电迹线的电连接。在一些实施例中，接地箱400可被提供以将对称电馈结构150的下部部分基本上围封于(例如)将RF能量耦接至内部导体210的区域中。接地箱400可包括开口 401，经由所述开口 401，可安置对称电馈结构150的一个或多个组件，诸如，外部介电层216、内部导体210、内部介电层228、第二导体236，及多个第三导体234。在一些实施例中，且如图4中所示，波纹管152的末端及外部导体212的末端可接近于开口 401而耦接至接地箱400。在一些实施例中,接地箱400可提供用于外部导体212的电接地。接地箱400也可具有开口 403以便于将第二导体236及所述多个第三导体234导引至各个DC功率源及AC功率源。如图所示，内部介电层228及/或介电端盖416可使第二导体236及第三导体234与接地箱400电隔离。在一些实施例中，额外导体可被提供以将第二导体236及所述多个第三导体234分别耦接至DC功率源402及AC功率源404。返回至图1，控制器140包含中央处理单元化 山144、存储器142及用于0 仍44的支持电路146，且便于对腔室110的组件的控制。为如上所述便于对处理腔室110的控制，控制器140可为任何形式的通用计算机处理器(所述通用计算机处理器可在用于控制各种腔室的工业设定中使用)及子处理器中的一种。CPU144的存储器142或计算机可读介质可为易获得的存储器中的一种或多种，诸如`随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘，或任何其它形式的数字存储(本地或远程)。支持电路146耦接至CPU144以用于以常规方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路及子系统等。用于处理基板114的方法(诸如蚀刻工艺利记博彩app等)可大体上作为软件例程存储于存储器142中。所述软件例程也可由位于远离由CPU144控制的硬件的第二 CPU (未图示)来存储及/或执行。在操作中，将基板114置放于基板支架116上，且将处理气体从气体显示板138经由进入口 126供应，并形成气体混合物。通过将来自等离子体源118及RF功率源406的功率分别施加至感应线圈元件112及第一电极206，将所述气体混合物在腔室110中激发为等离子体155。使用节流阀127及真空泵136来控制腔室110的内部中的压力。通常，腔室壁130耦接至电接地134。使用流过壁130的含有液体的管道(未图示)来控制壁130的温度。可通过使基板支架116的温度稳定来控制基板114的温度。在一个实施例(未图示)中，可经由气体管道将来自气体源的氦气提供至在基板114之下形成于基板支架116表面中的通道(未图示)。可使用氦气来促进基板支架116与基板114之间的热传递。在处理期间，可通过诸如上文论述的多个AC端子224之类的电阻性加热器来将基板支架116加热至稳态温度，且接着氦气促进对基板114的均匀加热。使用这种热控制，基板114可得以维持在约O摄氏度至约150摄氏度的温度下。尽管关于感应耦合的等离子体蚀刻腔室来进行描述，但其它蚀刻腔室也可用以实践本发明，所述其它蚀刻腔室包括具有远程等离子体源的腔室、电子回旋共振(ECR)等离子体腔室等。此外，将RF能量提供至安置于基板支架中的电极的其它非蚀刻腔室也可根据本文提供的教示加以修改。由此，本文已揭示了用于处理基板的设备。本发明设备的至少一些实施例可包括可有利地改进基板处理(诸如蚀刻速度及/或蚀刻尺寸均匀性)的对称电馈结构。本发明的对称电馈结构及合并有所述对称电馈结构的基板支架可通过以下操作来有利地减小沿基板表面的电磁偏斜:通过将电功率经由相对于基板支架的中心轴线对称地布置的一个或多个导体传导至基板支架的各组件，及/或通过提供用于限定或均匀地分布电场及/或磁场的一个或多个兀件。尽管上文针对本发明的实施例，但可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其它及进一步的实施例。
权利要求
1.一种基板支架，所述基板支架包含: 基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线.第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至所述基板； 内部导体，所述内部导体围绕所述第一电极的与所述支撑表面相对的表面的中心而耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，且在远离所述基板支架的所述支撑表面的方向上平行于所述中心轴线且围绕所述中心轴线从所述第一电极延伸； 外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及 外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。
2.如权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述外部导体耦接至电接地。
3.如权利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 导电平板，所述导电平板耦接至所述外部导体。
4.如权利要求3所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 介电层，所述介电层安置于所述第一电极与所述导电平板之间。
5.如权利要求4所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 第一导体，所述第一 导体在所述第一电极下方耦接至所述内部导体，所述第一导体从所述内部导体侧向延伸至从所述中心轴线离轴安置的RF功率源，所述RF功率源用以将RF功率提供至所述第一电极，其中所述导电平板安置于所述第一电极与所述第一导体之间。
6.如权利要求5所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 接地层，所述接地层围绕所述第一导体而安置；以及 第二介电层，所述第二介电层安置于所述第一导体与所述接地层之间以使所述接地层与所述第一导体电隔离。
7.如权利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 内部介电层，所述内部介电层安置于所述内部导体内。
8.如权利要求7所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 第二电极，所述第二电极在所述第一电极上方安置于介电层中，以在将DC能量供应至所述第二电极时静电地保持安置于所述基板支架上的基板。
9.如权利要求8所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 第二导体，所述第二导体沿所述中心轴线在中心安置于所述内部介电层中，且将所述第二电极耦接至DC功率源。
10.如权利要求8所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 多个第三导体，所述多个第三导体安置于所述内部介电层中，其中所述多个第三导体关于所述中心轴线对称地安置；以及 多个加热器电极，所述多个加热器电极安置在所述第一电极与所述支撑表面之间，以在基板存在于所述基板支架上时响应于将AC能量施加至所述多个加热器电极而将热量提供至所述基板，其中所述多个第三导体中的各个第三导体耦接于所述多个加热器电极中的对应加热器电极。
11.如权利要求10所述的基板支架，其特征在于，所述加热器电极安置于多个区域中。
12.如权利要求10所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 电力分配平板，所述电力分配平板安置于所述第一电极上方，以将所述多个第三导体中的各个导体耦接至所述多个加热器电极中的对应加热器电极。
13.如权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 静电卡盘，所述静电卡盘安置于所述第一电极与所述支撑表面之间，其中所述静电卡盘包含:第二电极，所述第二电极在所述第一电极上方安置于介电层中，以在将DC能量供应至所述第二电极时静电地保持安置于所述基板支架上的基板；以及多个加热器电极，所述多个加热器电极安置于所述第一电极与所述支撑表面之间，以在基板存在于所述基板支架上时响应于将AC能量施加至所述多个加热器电极而将热量提供至所述基板； 隔离平板，其中所述第一电极安置于所述隔离平板与所述静电卡盘之间；以及 接地平板，其中所述接地平板安置于所述隔离平板的与所述第一电极相对的一侧上。
14.一种等离子体处理设备，包含: 处理腔室，所述处理腔室具有内部容积，基板支架安置于所述内部容积中，所述基板支架具有支撑表面及中心轴线； 第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架中以在基板存在于所述基板支架上时将RF功率提供至所述基板； 内部导体，所述内部导体的第一端围绕所述第一电极的背对所述支撑表面的表面的中心而耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，并平行于所述中心轴线且围绕所述中心轴线远离所述第一电极而延伸； 第一导体，所述第一导体接近于所述内部导体的与所述第一端相对的第二端而耦接至所述内部导体，所述第一导体从所述中心轴线朝向从所述中心轴线离轴安置的RF功率源侧向延伸，所述RF功率源用以将RF功率提供至所述第一电极； 外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及 外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离； 导电平板，所述导电平板安置于所述第一电极与所述第一导体之间，其中所述导电平板耦接至所述外部导体，且其中所述导电平板及外部导体耦接至电接地；以及介电层，所述介电层安置于所述导电平板与所述第一电极之间。
15.如权利要求14所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体处理设备进一步包含: 第二电极，所述第二电极在所述第一电极上方安置于介电层中，以在将DC能量供应至所述第二电极时静电地保持安置于所述基板支架上的基板； 多个加热器电极，所述多个加热器电极安置于所述第一电极与所述支撑表面之间，以在基板存在于所述基板支架上时响应于将AC能量施加至所述多个加热器电极而将热量提供至所述基板； 第二导体，所述第二导体沿所述中心轴线在中心安置在所述内部介电层中； DC功率源，所述DC功率源经由所述第二导体耦接至所述第二电极； 多个第三导体，所述多个第三导体安置于所述内部介电层中，其中所述多个第三导体关于所述中心轴线对称地安置；以及 电力分配平板，所述电力分配平板安置于所述第一电极上方，以将所述多个第三导体中的各个导体耦接至所 述多个加热器电极中的对应加热器电极。
全文摘要
本文揭示用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种基板支架可包括基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至所述基板；内部导体，所述内部导体围绕所述第一电极的与所述支撑表面相对的表面的中心而耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，并在远离所述基板支架的所述支撑表面的方向上平行于所述中心轴线且围绕所述中心轴线从所述第一电极延伸；外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；及外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。所述外部导体可耦接至电接地。
文档编号H01L21/3065GK103081086SQ201180041097
公开日2013年5月1日 申请日期2011年10月20日 优先权日2010年10月22日
发明者X·林, D·A·小布齐伯格, X·周, A·恩盖耶, A·希内尔 申请人:应用材料公司