专利名称：电子材料的清洗方法和清洗系统的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及在要求极严格的控制的电子部件制造领域、具体为半导体基板、液晶显示屏、有机EL显示屏及其光掩模等的制造领域中用于将电子材料上的抗蚀剂等有效剥离除去的清洗方法和清洗系统。
背景技术：
在半导体的制造エ序中，包含在半导体晶片的表面局部注入作为杂质的金属离子的エ序。该エ序中，为了防止向不希望的部分的注入，由感光性树脂材料等构成的抗蚀剂作为掩模材料被形成图案，在抗蚀剂表面也注入同等浓度的离子。由于离子注入后的抗蚀剂在制造上是无用的产物，所以进行用于从晶片表面上剥离除去的抗蚀剂除去处理。
这样的抗蚀剂除去处理中，用灰化装置将抗蚀剂灰化后，运进清洗装置，利用清洗液除去抗蚀剂残渣。但是，进行利用灰化装置的灰化处理时，存在未被抗蚀剂保护的部分受到损害的问题。对于该问题，专利文献I中记载了，对晶片表面供给硫酸和过氧化氢的混合液SPM，利用SPM所含的过ー硫酸(H2SO5)的氧化カ将晶片表面无用的抗蚀剂剥离除去。另外，即使用SPM清洗时，离子的注入量为高浓度的情况下，由于抗蚀剂的表面变质，所以有时也无法良好地除去抗蚀剂或除去抗蚀剂花费时间。因此，对于这种情况，专利文献I中提出了一种处理方法，其中，在单片式的清洗装置上设置SPM供给喷嘴和用于将液滴射流的二流体喷嘴，供给液滴射流后，供给高温SPM，将抗蚀剂从晶片上剥离除去。然而，在利用SPM的抗蚀剂剥离处理中，由于ー边通过混合硫酸和双氧水来維持氧化カー边进行清洗，所以一旦使用，试剂的氧化カ就降低了。因此，在利用单片式清洗装置的抗蚀剂除去エ序中使用SPM的情况下，存在的缺点是，若将试剂循环再利用，则清洗力不稳定，进而由于大量耗费硫酸和双氧水，所以运行成本高，并产生大量的废液。与此相对，本发明人等提出了一种清洗方法和清洗系统，其中，作为SPM清洗液的替代，将电解硫酸所得的含有过ー硫酸等氧化性物质的电解硫酸液作为清洗液，循环使用硫酸(例如，专利文献2、3)。根据该方法，可以容易地维持氧化カ为一定程度以上，并且几乎不用补充注入试剂或换入新试剂，所以可期待试剂量的大幅削減。另外，由于可以连续制造氧化力強的清洗液，所以期待可以实现不进行灰化处理的剥离清洗(无灰化的清洗)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2005-109167号公报专利文献2 :日本特开2006-114880号公报专利文献3 :日本特开2006-278687号公报
发明内容
发明要解决的课题在专利文献I所记载的利用SPM的抗蚀剂剥离处理方法中，制造エ序变复杂，导致制造所需要的时间有增长的倾向，因而期望缩短包括抗蚀剂剥离エ序在内的各エ序所需要的时间。另外，在使用电解硫酸溶液得到的含过硫酸的硫酸溶液进行无灰化的抗蚀剂剥离清洗的情况下，未被剥离的抗蚀剂残渣易于残留在电子材料上，因而期望在后级的湿式清洗中以短时间确实地除去残渣。因此，考虑适用专利文献2和专利文献3中提出的清洗方法。通过该清洗方法，可以在削减试剂用量、废液量的同时获得较高的清洗效果。另外，专利文献3所记载的清洗方法也可适用于单片式的清洗。但是，这些专利文献中所记载的清洗方法，在直至从硅晶片上完全除去成为无用物的抗蚀剂为止的时间方面，存在进ー步改善的空间。本发明是鉴于上述课题做出的，目的在于提供可缩短电子材料的抗蚀剂的剥离处理所需要的时间、进而通过抗蚀剂剥离后的湿式清洗可在短时间内确实地除去抗蚀剂残渣的电子材料的清洗方法和清洗系统。 解决课题的方法为了解决上述课题，第一，本发明提供ー种电子材料的清洗方法，其特征在干，具有试剂清洗エ序，该试剂清洗エ序使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料；和湿式清洗エ序，该湿式清洗エ序使由气体和液体形成的液滴的射流接触上述电子材料(发明I)。根据上述发明(发明I)，由于接触由气体和液体形成的液滴的射流的湿式清洗エ序具有高清洗力，所以可以缩短其后的漂洗清洗时间或不需要漂洗清洗。通过将这样的湿式清洗エ序配置在利用抗蚀剂剥离能力优异的功能性试剂进行的清洗エ序之后，与现有方法相比，可以大幅度缩短清洗所需要的时间。在上述发明(发明I)中，优选将接触了上述电子材料的功能性试剂回收，将该功能性试剂再次电解后进行再利用(发明2)。根据上述发明(发明2)，通过重复利用功能性试剂，可以大幅削减试剂的用量、废液量，同时可以缩短被清洗材料的处理时间，谋求处理量的提高。在上述发明(发明1、2)中，优选使上述功能性试剂以被加热到100 200°C的状态接触电子材料(发明3)。根据上述发明(发明3)，使功能性试剂中含有的过硫酸有效发挥作用，获得充分的清洗效果，同时可以防止功能性试剂沸腾，进而可以防止超过构成装置的部件的耐热常
用温度。在上述发明(发明I 3)中，优选上述功能性试剂的硫酸浓度为80 96质量％(发明4)。根据上述发明(发明4)，可以利用电解硫酸所得到的功能性试剂，发挥充分的清洗效果。在上述发明(发明I 4)中，优选用于上述硫酸的电解的电极的至少阳极为导电性金刚石电极，上述功能性试剂含有通过利用上述阳极的氧化反应而生成的过硫酸(发明5)。根据上述发明(发明5)，通过在阳极使用导电性金刚石电极，可以有效制造清洗能力强的过硫酸，同时可以提高电极的耐久性。在上述发明(发明I 5)中，优选上述由气体和液体形成的液滴的射流是由选自氮、氧、稀有气体、清洁空气、ニ氧化碳、臭氧中的一种气体或两种以上的混合气体、和纯水形成的(发明6)。根据上述发明(发明6)，不会对电子材料造成不良影响，可以在短时间有效进行湿式清洗。在上述发明(发明I 6)中，优选将上述电子材料固定在旋转装置上进行单片清洗(发明7)。根据上述发明(发明7)，可以ー边旋转电子材料，ー边有效进行向电子材料表面浇上功能性试剂、液滴的射流的单片式的旋转清洗。 另外，第二，本发明提供ー种电子材料清洗系统，其特征在干，具备试剂清洗设备，该试剂清洗设备使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料；和湿式清洗设备，该湿式清洗设备使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料(发明8)。根据上述发明(发明8)，由于接触由气体和液体形成的液滴的射流的湿式清洗设备具有高清洗力，所以可以缩短其后的漂洗清洗时间或不需要漂洗清洗。通过具有这样的湿式清洗设备和利用抗蚀剂剥离能力优异的功能性试剂进行的清洗设备，与现有方法相比，可以大幅度缩短清洗所需要的时间。在上述发明(发明8)中，优选具备回收设备，该回收设备回收接触了上述电子材料的功能性试剂(发明9)。根据上述发明(发明9)，通过试剂清洗设备用功能性试剂清洗电子材料后，通过回收设备回收该功能性试剂，再次用电解装置电解后重复利用，由此可以大幅削减试剂的用量、废液量，同时可以缩短被清洗材料的处理时间，谋求处理量的提高。在上述发明(发明8、9)中，优选具备加热设备，该加热设备加热上述功能性试剂(发明10)。根据上述发明(发明10)，可以加热到这样的温度，有效进行清洗。所述温度下使功能性试剂中含有的过硫酸有效发挥作用，获得充分的清洗效果，同时可防止功能性试剂沸腾，进而可防止超过构成装置的部件的耐热常用温度。在上述发明(发明8 10)中，优选上述试剂清洗设备具有电解反应装置，该电解反应装置电解硫酸溶液来制造含过硫酸的硫酸溶液(发明11)。根据上述发明(发明11)，可以利用电解反应装置电解硫酸，制造适于清洗的含过硫酸的硫酸溶液，发挥充分的清洗效果。在上述发明(发明8 11)中，优选上述电解反应装置的电极的至少阳极为导电性金刚石电极(发明12)。根据上述发明(发明12)，通过在阳极使用导电性金刚石电极，可以有效制造清洗能力强的过硫酸，同时可以提高电极的耐久性。在上述发明(发明8 12)中，优选上述湿式清洗设备具备二流体喷嘴，该ニ流体喷嘴具有纯水供给管道和气体供给管道(发明13)。根据上述发明(发明13)，将由气体和液体形成的液滴有效喷出，不会对电子材料造成不良影响，可以在短时间有效进行湿式清洗。在上述发明(发明8 13)中，优选具备旋转装置，该旋转装置可固定上述电子材料(发明14)。
根据上述发明(发明14)，可以ー边旋转电子材料，ー边有效进行向电子材料表面浇上功能性试剂、液滴的射流的单片式的旋转清洗。发明的效果根据本发明的电子材料的清洗方法,接触由气体和液体形成的液滴的射流的湿式清洗エ序，与以往用于湿式 清洗的APM或HPM相比，具有高清洗力，因而可以缩短其后的漂洗清洗时间或不需要漂洗清洗。通过将这样的湿式清洗エ序配置在利用抗蚀剂剥离能力优异的功能性试剂进行的清洗エ序之后，与现有方法相比，可以大幅度缩短清洗所需要的时间。
图I是表示本发明的一个实施方式的电子材料清洗系统的流程图。
具体实施例方式以下參照
本发明的实施方式。图I是表示本发明的一个实施方式的电子材料清洗系统的流程图。在图I中，电子材料清洗系统具备试剂清洗设备I、湿式清洗设备2和单片式清洗装置3。试剂清洗设备I具有功能性试剂蓄存槽6，其上分別连通了与未图示的浓硫酸罐连接的浓硫酸供给管道4和与未图示的超纯水制造装置连接的纯水供给管道5 ;和电解反应装置8，其介由浓硫酸电解管道7，与该功能性试剂蓄存槽6连接。该电解反应装置8介由过硫酸供给管道9，与功能性试剂蓄存槽6连通，由此形成了循环管道。而且，该功能性试剂蓄存槽6介由功能性试剂供给管道10可将功能性试剂Wl供给于单片式清洗装置3。此夕卜，在浓硫酸电解管道7上设置有液体输送泵11和冷却器12，在过硫酸供给管道9上设置有气液分离装置13，在功能性试剂供给管道10上设置有试剂供给泵14、过滤器15和作为加热设备的加热器16。该加热器16通过未图示的控制设备可将功能性试剂Wl控制在后述的规定温度。另外，湿式清洗设备2具备与未图示的超纯水制造装置连接的作为液体的纯水的供给管道21、与作为气体的氮气源(未图示)连通的氮气供给管道22、以及这些纯水供给管道21和氮气供给管道22分别连接于其上的内部混合型二流体喷嘴23，从二流体喷嘴23的前端可喷射由氮气和超纯水形成的液滴W2。单片式清洗装置3具备清洗盒31和设置在该清洗盒31上的旋转装置32，成为清洗对象的作为电子材料的硅晶片33可固定在该旋转装置32上。而且，在单片式清洗装置3上附设回收设备41。该回收设备41由硫酸排液槽42和硫酸排液供给管道43构成，在该硫酸排液供给管道43上分別设置有液体输送泵44、过滤器45和冷却器46。进而，在单片式清洗装置3上附设纯水系废液槽47。上述那样的构成的清洗系统中，在电解反应装置8中将阳极和阴极配成对进行电解。对该电极的材质没有特别限制，然而，在将作为电极一般广泛利用的钼用作阳极的情况下，无法有效制造过硫酸，存在钼溶出的问题。因此，在本实施方式中，在电极的至少阳极使用导电性金刚石电扱。已知，使用导电性金刚石电极，在电流密度为O. 2A/cm2左右的条件下，由硫酸离子或硫酸氢离子可生成过ニ硫酸离子(Ch. Comninellis etal. , Electrochemical and Solid-State Letters, Vol. 3, No. 2, pp. 77-79, 2000) 作为上述导电性金刚石电极，可以举出以硅晶片等半导体材料作为基板，在该基板表面合成膜厚20μπι以上的导电性金刚石薄膜而得到的电极；不使用基板，析出合成为板状的自立(self stand)型导电性多晶金刚石。此外，导电性金刚石薄膜是在合成金刚石薄膜时掺杂硼或氮而赋予了导电性的薄膜，通常，一般是掺杂硼。它们的掺杂量过少吋，不产生技术意义，而过多时，掺杂效果饱和，因而相对于金刚石薄膜的碳量，掺杂量适合为50 20000ppm的范围。在本实施方式中，导电性金刚石电极通常使用板状的电极，但也可以使用将网眼结构物制成板状而得到的电极。在该电解反应装置8内的电解处理中，优选将导电性金刚石电极表面的电流密度设定为10 100000A/m2，使浓硫酸在与金刚石电极面平行方向以10 10000m/h的液体流通线速度进行接触处理。另外，作为成为清洗对象的硅晶片33，例如，可以使用在半导体基板、液晶显示屏、有机EL显示屏及其光掩模等的制造エ序中形成了抗蚀剂图案的电子材料。此外，通常，电子材料上的抗蚀剂膜的厚度为0. I 2. Ομπι左右，但并不受该厚度的任何限定。 对于上述构成的清洗系统，说明其作用。首先，从浓硫酸供给管道4向功能性试剂蓄存槽6供给浓硫酸，同时从纯水供给管道5供给纯水，由此调整硫酸的浓度。此时，优选使功能性试剂蓄存槽6中的硫酸的浓度为80 96质量％。然后，当在功能性试剂蓄存槽6中蓄存了规定量的浓硫酸时，启动液体输送泵11，将浓硫酸供给于电解反应装置8。此时，如果电解温度过高，则电解效率降低，而且电极的损耗也増大。但是，如果电解温度过低，则用于后述的试剂清洗エ序时的加热能量増大，因而优选利用冷却器12将浓硫酸冷却为10 90°C、特别是40 80°C。然后，通过用电解反应装置8电解硫酸，从而生成过硫酸。本实施方式中生成的过硫酸表示过ー硫酸(H2SO5)和过ニ硫酸(H2S2O8)。这些过一硫酸和过ニ硫酸都具有高氧化カ。这样生成的过硫酸从过硫酸供给管道9回流到功能性试剂蓄存槽6中。通过反复进行该操作，在功能性试剂蓄存槽6中蓄存由过硫酸和硫酸构成的功能性试剂W1，当硫酸浓度成为80 96质量％(过硫酸浓度为2 20[g/L(換算为S2O8)])时，启动试剂供给泵14，从功能性试剂供给管道10将功能性试剂Wl供给到单片式清洗装置3中。过硫酸浓度小于2[g/L (換算为S2O8)]时，氧化力不足，得不到抗蚀剂的剥离效果等充分的对硅晶片33的清洗效果，另ー方面，过硫酸浓度大于20 [g/L (换算为S2O8)]时，从电流效率方面考虑，是没有效率的。此时，如果功能性试剂Wl的温度过低，无法得到充分的清洗效果，另一方面，如果温度过高，虽也取决于硫酸浓度等但硫酸溶液会沸腾，因而优选通过加热器16加热为100 200°C、特别是 100 180°C。然后，从功能性试剂供给管道10向被固定在单片式清洗装置3的旋转装置32上的硅晶片33供给功能性试剂W1，同时使硅晶片33旋转，使功能性试剂Wl接触硅晶片33，由此，将硅晶片33上的抗蚀剂等剥离(试剂清洗エ序)。对上述那样的试剂清洗エ序的清洗时间没有特别限制，根据抗蚀剂在作为被清洗材料的硅晶片33上的附着状況、该剥离清洗之前有无灰化处理、功能性试剂Wl中的过硫酸浓度和溶液温度、其后的湿式清洗エ序的条件等而不同，然而通常优选为10 300秒、特别是15 120秒左右。这样清洗后的功能性试剂Wl被蓄存在回收设备41的硫酸排液槽42中，然后，通过液体输送泵44从硫酸排液供给管道43被送回功能性试剂蓄存槽6。此时，如上所述硫酸的温度过高吋，电解效率降低，而且电极的损耗増大，因而优选利用冷却器46将硫酸排液冷却为10 90°C、特别是40 80°C后，送回功能性试剂蓄存槽6。当这样结束试剂清洗エ序时，转移到湿式清洗エ序，然而在该抗蚀剂的剥离清洗エ序与湿式清洗エ序之间可以进行利用漂洗水的漂洗清洗。但是，漂洗清洗不是必须的，可以不进行漂洗清洗就进行湿式清洗。在进行漂洗清洗エ序的情况下，作为漂洗水，通常使用超纯水。此处，超纯水例如是指比电阻为18ΜΩ ·_以上、金属离子浓度为5ng/L以下、残留离子浓度为10ng/L以下、ImL中O. I μ m以上的微粒数为5个以下、TOC为O. I 10 μ g/L的水质的水。湿式清洗エ序中，在从纯水供给管道21供给纯水的同时从氮气供给管道22供给氮气，使其在内部混合型的二流体喷嘴23中合流。该二流体喷嘴23中，将氮气和纯水在喷嘴内部混合，通过从二流体喷嘴23向固定在单片式清洗装置3的旋转装置32上的硅晶片33进行喷射，使由氮气和超纯水形成的液滴W2与硅晶片33接触，从而清洗硅晶片33 (湿式 清洗エ序)。对上述那样的湿式清洗エ序的清洗时间没有特别限制，根据上述的试剂清洗エ序的条件、湿式清洗エ序的条件等不同，然而通常优选为10 300秒、特别是15 120秒左右。另外，氮气(气体)和纯水以相对于纯水的体积I供给氮气(气体)10 10000即可。上述湿式清洗后，依据常规方法进行旋转干燥、IPA干燥，完成一系列的抗蚀剂剥离清洗除去处理，除去了抗蚀剂的电子材料被输送给下面的エ序。另外，如上所述进行清洗后的液滴W2被蓄存于纯水系废液槽47后，经由规定的处理后，排到外部环境中或者被再利用。通过连续或断断续续重复这样的操作，可以依次处理硅晶片33。此外，对一片硅晶片33也可以重复多次上述操作。以上，基于上述实施方式说明了本发明，但本发明并不限于上述实施方式。例如，在本实施方式中，对单片式清洗的情况进行了说明，但也适用分批式清洗。另外，在本实施方式中，作为由气体和液体形成的液滴，使用由氮气和纯水构成的液滴，但作为该气体，可以使用臭氧气体、氢气、氧气等各种气体。进而，在上述实施方式中，对于未对电子材料实施灰化的情况进行了说明，但也可以在进行功能性试剂清洗之前进行灰化处理。灰化处理通过依据常规方法利用氧等离子体等对电子材料上的抗蚀剂进行灰化处理来进行。但是，在本发明中，只要使用通过硫酸溶液的电解而制造的含过硫酸的硫酸溶液，即使省略灰化处理，也不会引起抗蚀剂残渣的问题，能够确实地清洗除去抗蚀剂，省略灰化处理可使一系列的抗蚀剂剥离处理所需的时间和成本大幅削減。
实施例以下，举出实施例和比较例，更具体说明本发明。(实施例I)
使用图I所示的试验装置，进行剥离除去12英寸晶片的抗蚀剂的试验，该晶片通过用KrF准分子激光器制作了图案，以As离子的注入浓度1E+15 [原子/cm2]形成有抗蚀齐 。试验条件是，一边调整硫酸浓度为92质量％、过硫酸浓度为10g/L (換算为S2O8)左右一边用电解反应装置8电解，使功能性试剂蓄存槽6中拥有约30L该硫酸(功能性试剂Wl)，通过试剂供给泵14将该功能性试剂Wl —边用加热器16加热ー边供给于单片式清洗装置3。用加热器16将功能性试剂Wl加热到180°C，以160 170°C供给到固定于单片式清洗装置3内的硅晶片33上，进行试剂清洗エ序。该试剂清洗エ序通过使功能性试剂Wl向硅晶片33的供给量为约I升/分钟、连续供给2分钟功能性试剂Wl来进行。接着，利用以纯水100毫升/分钟、N2气体50升/分钟的流量供给于二流体喷嘴23中而形成的液滴W2的射流，清洗60秒，进行湿式清洗エ序。其后，进行旋转干燥，完成抗蚀剂剥离处理，从功能性试剂Wl的供给开始到抗蚀剂剥离处理完成为止，包括旋转干燥在内，可以用4分钟完成。(实施例2)
如实施例1，但在将试剂清洗エ序的时间设定为30秒的同时将湿式清洗エ序的时间设定为30秒，清洗重复2次后，进行旋转干燥，除此以外同样地进行抗蚀剂剥离处理。其结果，从功能性试剂Wl的供给开始到抗蚀剂剥离处理完成为止，包括旋转干燥在内可以用4分钟完成。(比较例I)如实施例1，但湿式清洗エ序中用纯水以2升/分钟清洗I分钟后，进行旋转干燥，除此以外同样地进行抗蚀剂剥离处理。其结果，大量抗蚀剂残渣附着在硅晶片33上，没有完成抗蚀剂剥离处理。因此，对未完成处理的带抗蚀剂残渣的硅晶片33，进ー步进行2分钟利用功能性试剂Wl的清洗，用纯水以2升/分钟处理I分钟，但通过目视确认抗蚀剂残渣仍未完全除棹。由此可知，仅通过用纯水进行湿式清洗エ序，试剂清洗エ序中的功能性试剂Wl的量或清洗时间即使为2倍，抗蚀剂的剥离也有困难。(比较例2)如实施例1，但将试剂清洗エ序的时间设定为10分钟，并且将湿式清洗エ序设定为用纯水以2升/分钟处理I分钟，然后进行旋转干燥，除此以外同样地进行抗蚀剂剥离处理。其结果，大量抗蚀剂残渣附着在硅晶片33上，没有完成抗蚀剂剥离处理。因此，依次延长试剂清洗エ序的时间直至抗蚀剂无残留，确认试剂清洗エ序需要15分钟。由此可知，在仅用纯水进行湿式清洗エ序时，试剂清洗エ序的清洗时间需要非常长，清洗效率不好。符号说明I试剂清洗设备2湿式清洗设备3单片式清洗装置6功能性试剂蓄存槽(试剂清洗设备)8电解反应装置(试剂清洗设备)10功能性试剂供给管道(试剂清洗设备)14试剂供给泵(试剂清洗设备)16加热器(加热设备试剂清洗设备)
21纯水供给管道(湿式清洗设备)22氮气供给管道(湿式清洗设备)23二流体喷嘴(湿式清洗设备)33硅晶片(电子材料)41回收设备42硫酸排液槽(回收设备)43硫酸排液供给管道(回收设备)Wl功能性试剂 W2由氮气和超纯水形成的液滴(由气体和液体形成的液滴)
权利要求
1.一种电子材料的清洗方法，其特征在于，具有 试剂清洗エ序，该试剂清洗エ序使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料；和 湿式清洗エ序，该湿式清洗エ序使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料。
2.如权利要求I所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，将接触了所述电子材料的功能性试剂回收，将该功能性试剂再次电解后进行再利用。
3.如权利要求I或2所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，使所述功能性试剂以被加热到100 200°C的状态接触电子材料。
4.如权利要求I 3中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，所述功能性试剂的硫酸浓度为80 96质量％。
5.如权利要求I 4中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在于， 用于所述硫酸的电解的电极的至少阳极为导电性金刚石电扱， 所述功能性试剂含有通过利用所述阳极的氧化反应而生成的过硫酸。
6.如权利要求I 5中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在于，所述由气体和液体形成的液滴的射流是由选自氮、氧、稀有气体、清洁空气、ニ氧化碳、臭氧中的一种气体或两种以上的混合气体、和纯水形成的。
7.如权利要求I 6中任一项所述的电子材料的清洗方法，其特征在干，将所述电子材料固定在旋转装置上进行单片清洗。
8.一种电子材料清洗系统，其特征在于，具备 试剂清洗设备，该试剂清洗设备使电解硫酸所得到的功能性试剂接触电子材料；和 湿式清洗设备，该湿式清洗设备使由气体和液体形成的液滴的射流接触所述电子材料。
9.如权利要求8所述的电子材料清洗系统，其特征在于，具备回收设备，该回收设备回收接触了所述电子材料的功能性试剂。
10.如权利要求8或9所述的电子材料清洗系统，其特征在干，具备加热设备，该加热设备加热所述功能性试剂。
11.如权利要求8 10中任一项所述的电子材料清洗系统，其特征在于，所述试剂清洗设备具有电解反应装置，该电解反应装置电解硫酸溶液来制造含过硫酸的硫酸溶液。
12.如权利要求8 11中任一项所述的电子材料清洗系统，其特征在于，所述电解反应装置的电极的至少阳极为导电性金刚石电扱。
13.如权利要求8 12中任一项所述的电子材料清洗系统，其特征在于，所述湿式清洗设备具备二流体喷嘴，该ニ流体喷嘴具有纯水供给管道和惰性气体供给管道。
14.如权利要求8 13中任一项所述的电子材料清洗系统，其特征在于，具备旋转装置，该旋转装置可固定所述电子材料。
全文摘要
一种电子材料清洗系统具备试剂清洗设备(1)、湿式清洗设备(2)和单片式清洗装置(3)。试剂清洗设备(1)具有功能性试剂蓄存槽(6)和介由浓硫酸电解管道(7)与该功能性试剂蓄存槽(6)连接的电解反应装置(8)。该功能性试剂蓄存槽(6)介由功能性试剂供给管道(10)可将功能性试剂(W1)供给于单片式清洗装置(3)。湿式清洗设备(2)具备纯水的供给管道(21)、与氮气源连通的氮气供给管道(22)、以及这些纯水供给管道(21)和氮气供给管道(22)分别连接于其上的内部混合型二流体喷嘴(23)。从二流体喷嘴(23)的前端可喷射由氮气和超纯水形成的液滴(W2)。根据所述电子材料清洗系统，可以缩短电子材料的抗蚀剂的剥离处理所需的时间，进而通过抗蚀剂剥离后的湿式清洗，可以在短时间内确实地除去抗蚀剂残渣。
文档编号H01L21/027GK102844845SQ201180013890
公开日2012年12月26日 申请日期2011年3月2日 优先权日2010年3月15日
发明者山川晴义, 床嶋裕人 申请人:栗田工业株式会社