专利名称：高频模块的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种安装在树脂基板上的电子部件被树脂覆盖、且由电子部件构成的电路被屏蔽的高频模块的制造方法。
背景技术：
通过附图对以往的高频模块进行说明。图10是以往的高频模块的剖面图。印刷线路板2由热硬化性树脂形成。在印刷线路板2的上表面安装有电子部件3。另外，电子部件3是半导体元件等，半导体元件与印刷线路板2之间利用引线接合来连接。在印刷线路板2的上表面可以安装电子部件3之外的部件。利用电子部件3形成高频电路。在印刷线路板2的上表面形成树脂部4，电子部件3埋设在树脂部4内。在印刷线路板2的上表面的周边部形成与高频电路的接地连接的连接图案5。 屏蔽膜6是厚膜导体。屏蔽膜6以覆盖树脂部4的上表面和侧面以及印刷线路板2的侧面的一部分的方式形成。连接图案5的端部以从树脂部4的侧面露出的方式设置，在连接图案5的露出部与屏蔽膜6电连接。接下来，用图11对以往的高频模块I的制造方法进行说明。图11是表示以往的高频模块的制造方法的流程图。在步骤Sll中，在连接了多个印刷线路板2的状态下，在各自的印刷线路板2上安装电子部件3。在步骤S12中，在步骤Sll之后，在印刷线路板2的上表面利用传递成型法以覆盖电子部件3的方式形成树脂部4。形成树脂部4的树脂4A是热硬化性树脂。在步骤S13中，在步骤S12之后，在将印刷线路板2彼此连接的位置上形成凹部，使连接图案5从树脂部4的侧面露出。在步骤S14中，在步骤S13之后，在树脂部4的上表面涂覆导电性糊剂6A，并硬化。此时，导电性糊剂6A被埋入凹部内。在步骤S15，在步骤S14之后，切断印刷线路板2彼此的连接部分。由此，完成了高频模块I。近年来，在便携式设备上安装这种高频模块I的情况越来越多。薄型化高频模块I的要求也不断提高。具体而言，要求其厚度为包括印刷线路板2的厚度在内不到1mm。为了满足这一要求，可以考虑使印刷线路板2或树脂部4或电子部件3的厚度变薄，并且将电子部件3面朝下安装。但是，由于以往的高频模块I是利用传递成型法形成的，因此，树脂部4中容易产生内部应力(残留应力)。如果使印刷线路板2或树脂部4或电子部件3的厚度变薄，则由于内部应力的缘故，印刷线路板2或树脂部4或电子部件3或者高频模块整体容易产生变形。内部应力是由于传递成型法成型时的树脂4A的流动容易程度或流动的不均匀性等诸多条件而产生的。该不均匀性当在多个高频模块I上一并形成树脂部4时特别明显，各自的高频模块I中会产生内部应力之差。综上所述，在以往的高频模块I中，由于用树脂部4覆盖高频电路，因此，有时印刷线路板2或树脂部4或电子部件3会变形，该变形会导致偏差。其结果是，高频电路特性的偏差有时会变大。特别是，当在印刷线路板2上形成高频电路时，高频电路特性的偏差对高频模块产生的影响非常显著。另外，作为与本申请发明相关的现有技术文献，例如有专利文献I。现有技术文献专利文献专利文献I JP特开2004-172176号公报
发明内容
发明的概要本发明是具有树脂基板、电子部件、树脂部和屏蔽金属膜的高频模块的制造方法。电子部件被安装在树脂基板上。树脂部形成在树脂基板上且埋设电子部件。屏蔽金属膜覆 盖树脂部的表面。在树脂基板上由电子部件形成高频电路。本发明的高频模块的制造方法包括以下步骤。步骤I):将安装了电子部件的树脂基板以电子部件与树脂槽相对置的方式放置；步骤2):直至树脂槽内的非流动状态的树脂成为流动状态为止进行软化，并且抽吸在树脂基板与树脂之间所形成的空间的空气；步骤3):然后，使树脂基板与树脂的液面接触；步骤4):然后，对树脂加压，使树脂流入树脂基板与电子部件之间；步骤5):然后，硬化树脂，在树脂基板上形成树脂部；以及步骤6):然后，在树脂部的表面形成屏蔽金属膜。利用该方法，能够减小树脂部内的内部应力，实现电路特性的偏差小的高频模块。
图I是本发明的实施方式中的高频模块的剖面图。图2是表示本发明的实施方式中的高频模块的制造方法的流程图。图3是本发明的实施方式中的树脂部形成装置的概略剖面图。图4是表示本发明的实施方式中的树脂部形成步骤的制造方法的流程图。图5是本发明的实施方式的树脂基板安装步骤中的树脂部形成装置和制造中的高频模块的概略剖面图。图6是本发明的实施方式的浸溃步骤中的树脂部形成装置和制造中的高频模块的概略剖面图。图7是本发明的实施方式的加压流入步骤中的树脂部形成装置和制造中的高频模块的概略剖面图。图8是本发明的实施方式中的其他高频模块的剖面图。图9是表示本发明的实施方式中的其他高频模块的制造方法的流程图。图10是以往的高频模块的剖面图。图11是表示以往的高频模块的制造方法的流程图。
具体实施例方式以下，对本实施方式的高频模块21进行说明。
图I是本发明的实施方式中的高频模块的剖面图。高频模块具有树脂基板22、安装于树脂基板22的电子部件24、形成在树脂基板22上并且埋设了电子部件24的树脂部25以及覆盖树脂部25的表面的屏蔽金属膜26。树脂基板22是玻璃环氧树脂材料的多层基板。树脂基板22是例如四层基板，厚度为0. 2mm。在树脂基板22上利用焊锡23安装半导体元件或芯片部件等的电子部件24。作为电子部件24的半导体元件是厚度为0. 35mm的芯片尺寸的封装，用焊锡凸块以面朝下的状态倒装芯片安装在树脂基板22上。凸块之间的间距为大约0. 25mm,凸块之间的距离为大约0. 12mm,电子部件24和树脂基板22之间的间隔为大约0. 12_。另外，在安装芯片部件的情况下，芯片部件和树脂基板22之间的间隔为大约0. 08_。
电子部件24形成高频电路(图中没有表示)。通过在树脂基板22上安装电子部件24而在树脂基板22上形成高频电路(例如接收电路或发送电路等)。在本实施方式中，电子部件24是用焊锡凸块与树脂基板22连接的。但是，也可以在电子部件24上形成柱形凸块等，并利用各向异性导电膜(ACF)或各向异性导电糊剂(ACP)或非导电膜(NCF)或非导电糊剂(NCP)等安装在树脂基板22上。树脂部25形成在树脂基板22的上表面，埋设有电子部件24。另外，在树脂部25中使用了热硬化性树脂。屏蔽金属膜26以覆盖树脂部25的表面(上表面和整个四个侧面)的方式形成。屏蔽金属膜26是例如厚度为大约I微米的溅射薄膜，因此，是非常薄并且针孔(pin hole)等很少的致密的膜。屏蔽金属膜26使用了导电性良好的铜。因此，屏蔽性良好，闻频1旲块21具有很强的抗干扰等的能力。在树脂基板22上形成接地图案27。接地图案27直至设置到树脂基板22的周边部，在树脂基板22的侧面形成了接地图案27的露出部。接地图案27与屏蔽金属膜26在露出部连接。在图I中，接地图案27虽然被设置在树脂基板22的内层，但也可以是被设置在树脂基板22的表层(与树脂部25接触之处)。不过，理想的情况是接地图案27与屏蔽金属膜26的连接是通过内层进行的。由于接地图案27是金属，所以，与树脂部25的附着力小。因此，如果将接地图案27的露出部设在树脂基板22的表层，则在后面要提到的分割步骤S53等中，在接地图案27与树脂部25之间的界面容易产生剥离等情况。通过从树脂基板22的内层延设接地图案27，即使是厚度I微米的溅射薄膜，也能使屏蔽金属膜26难以产生裂纹等情况。因此，能够实现屏蔽性良好的高频模块21。接地图案27经由连接导体29A与树脂基板22的下表面的安装焊盘30A连接。在高频模块21被安装在主基板(图中没有表示)上的情况下，安装焊盘30A与主基板的接地连接。由此，在树脂基板22上形成的高频电路的上方向和横向方向由屏蔽金属膜26包围。因此，能够降低在高频电路处理的(或产生的)高频信号泄漏到外部，或者在外部产生的高频噪声进入高频模块21内的高频电路中的情况。其结果是，能够实现抗电干扰性能强的高频模块21。另外，在本实施方式中，如图I所示，在电子部件24的下方的树脂基板22的内层形成了接地图案27。由此，在树脂基板22上形成的高频电路被接地图案27和屏蔽金属膜26包围。因此，能够实现抗电干扰性能更强的高频模块21。
接地图案27不与高频电路的接地(图中没有显示)连接。高频电路的接地与树脂基板22的表面的接地端子28连接，并且经由将树脂基板22的上下表面之间导通的连接导体29B被导出到树脂基板22的下表面的安装焊盘30B。如上所述，高频电路的接地与屏蔽金属膜26高频(电)分离。因此，很难发生高频电路的高频信号由屏蔽金属膜26辐射到外部、或使附着到屏蔽金属膜26的高频噪声进入高频电路内的情况。接下来，通过附图对高频模块21的制造方法进行说明。图2是表示本发明的实施方式中的高频模块的制造方法的流程图。在安装步骤S51中，在将多个树脂基板22连接的状态下，在树脂基板22上安装电子部件24，在树脂基板22上形成高频电路。具体而言，在树脂基板22的上表面印刷油脂状的焊锡23，安装电子部件24，回流焊接在树脂基板22上。另外，在电子部件24的下表面侧形成高频电路，电子部件24被倒装芯片地安装在高频电路的形成面与树脂基板22相对置的方向上(面朝下)。
另外，在安装步骤S51中，当完成电子部件24的安装之后，进行高频电路的特性检查。在该检查中，对成为规定的特性范围之外的情况进行修改作业。作为该修改作业，进行常数不同的芯片部件的替换作业或模式电感(pattern inductor)的微调(triming)等。在树脂部形成步骤S52中，在安装步骤S51之后，在树脂基板22的上表面形成树脂部25。另外，在本实施方式的树脂部25中使用热硬化性的树脂25A。在分割步骤S53中，在树脂部形成步骤S52之后，使用切割旋转齿将树脂基板22从被连接的状态分割成单片的状态。由此，将在树脂基板22的连接部上形成的树脂部25和树脂基板22的连接部除去，分割成一个一个的树脂基板22。通过该分割而在树脂基板22的侧面形成接地图案27的露出部。在屏蔽金属膜形成步骤S54中，利用金属溅射在树脂部25的表面(上表面和侧面)和树脂基板22的侧面形成金属的溅射薄膜作为屏蔽金属膜26。由此，屏蔽金属膜26在被设置在树脂基板22的侧面的接地图案27的露出部与接地图案27连接。在屏蔽金属膜形成步骤S54之后，对高频模块21进行最终的特性检查，完成高频模块21。根据以上的制造方法，由于屏蔽金属膜26是在分割步骤S 53之后形成的，因此，不会因为切割而对屏蔽金属膜26造成损伤。这特别是在屏蔽金属膜26的膜厚较薄的情况下非常有效。接下来，通过附图对树脂部形成步骤S52进行说明。首先，对用于在树脂基板22上形成树脂部25的树脂部形成装置61进行说明。图3是本发明的实施方式的树脂部形成装置61的概略剖面图。树脂部形成装置61具有树脂基板搭载部62和树脂槽63。在树脂基板搭载部62上搭载树脂基板22。在本实施方式中，以电子部件24朝向下方的方向(即，电子部件24与树脂槽63相对置的方向)安装树脂基板22。在树脂基板搭载部62上设置了吸着树脂基板22的构成。在树脂基板搭载部62的下方设有具有注入树脂25A的空间的树脂槽63。树脂槽63能够在上下方向上移动。另外，树脂槽63的底部63A与整个树脂槽63的移动相独立，能够单独地在上下方向(图3的箭头100的方向)上移动。在树脂基板搭载部62或树脂槽63设置了加热部(图中没有表示)，这些加热部对树脂基板22或树脂25A加热。另外，在树脂部形成装置61中设置压缩机等，通过抽吸树脂槽63内或树脂槽63与树脂基板搭载部62之间的空气，能够在几乎是真空的状态下形成树脂部25。图4是表示本发明的实施方式的树脂部形成步骤S52的制造方法的流程图。图5 图7是表示构成树脂部形成步骤S52的各步骤的制造方法的图。按照图4的步骤的顺序，对使用树脂部形成装置61的情况下的树脂部形成步骤S52进行详细说明。图5是本发明的实施方式的树脂基板搭载步骤中的树脂部形成装置和制造中的高频模块的概略剖面图。在图4和图5中，在软化步骤S71中，在安装步骤S51之后，将树脂基板22以电子部件24的搭载面一侧朝向下方的方式安装在树脂基板搭载部62。另外，在树脂槽63内投入非流动状态(未熔融的固体或胶状)的树脂25A，加热并软化树脂25A一直到成为能够流动的状态为止。并且，与该处理并行地抽吸树脂25A与树脂基板22之间的空间64的空气。该抽吸一直进行到空间64成为几乎真空状态为止，在树脂25A完全熔融之后结束。由于树脂槽63或树脂基板搭载部62是事先加热到树脂25A熔融的温度，因此，能够在短时间使树脂25A软化。另外，虽然抽吸空间64的空气的作业和使树脂25A软化到能够流动的状态的作业哪一个先进行都可以，但如果并行地实施则能够缩短时间。在投放至树脂槽63之前的树脂25A是粒状，将用计量容器等所计量的规定量的树脂25A投入树脂槽63。在此，树脂25A使用如下的热硬化性树脂该热硬化性树脂在小于第一温度的情况下不具有流动性，而在第一温度以上且小于第二温度的情况下产生流动性，在第二温度以上的第三温度下硬化。如上所述，由于在将树脂25A投放至树脂槽63的阶段，树脂25A为粒状，因此，能够精确度高地计量。另外，也容易实现计量或投放的自动化。软化步骤S71按照以下的顺序进行。事先利用加热部将树脂基板搭载部62和树脂槽63的温度加热到树脂25A熔融(产生流动性)的温度(第一温度)以上，而不到树脂25A硬化的温度(第二温度)的温度。本实施方式中的树脂25A使用在大约小于140°C的温度下流动性小，而在大约140°C以上大约小于175°C的温度下呈最软化并产生流动性，在大约175°C以上的第三温度下硬化的环氧系热硬化性树脂。因此，将树脂基板搭载部62和树脂槽63的温度设定为大约140°C以上大约小于175°C。树脂基板搭载部62具有在图3的水平方向上滑动的结构。通过树脂基板搭载部62的滑动，使树脂槽63的上方成为开放状态。在该状态下，从树脂槽63的上方投入规定量的树脂25A。这样一来，投入之后立即开始对树脂25A的加热。另一方面，通过树脂基板搭载部62的滑动，会使下方成为开放状态，因此，在树脂基板搭载部62的下表面上，以电子部件24成为下方的朝向来吸着树脂基板22。然后，树脂基板搭载部62再次滑动，在树脂槽63的上方的位置处停止。这样一来，在树脂25A的投入和树脂基板22的搭载完成后，开始空间64的空气的抽吸。然后，在树脂25A熔融到完全成为能够流动的状态之后，停止抽吸，维持该真空状态。另外，在本实施方式的树脂部形成装置61中，虽然树脂基板搭载部62进行了水平滑动，但也可以是树脂槽63进行滑动。另外，也可以使树脂基板搭载部62和树脂槽63中的至少一方在上下方向上移动。不过，在这种情况下，将树脂槽63与树脂基板搭载部62之间的距离要预先隔开到能够进行树脂25A的投入或树脂基板22的搭载作业的程度。图6是本发明的实施方式的浸溃步骤中的树脂部形成装置和制造中的高频模块、的概略剖面图。在浸溃步骤S72中，当进行软化步骤S71之后，在熔融成能够流动的状态的树脂25A中浸溃电子部件24，使树脂基板22的下表面与熔融的树脂25A的液面接触。具体而言，使树脂槽63和底部63A以几乎相同的速度向上方(图5的箭头101的方向)移动，树脂基板22夹在树脂槽63与树脂基板搭载部62之间。此时，需要在树脂槽63与树脂基板22之间不生成间隙。因此，在树脂槽63中，优选在与树脂基板22的下表面相抵接之处设置橡胶密封圈(图中没有表示)等。然后，树脂槽63在上升到规定位置(树脂槽63与树脂基板22相抵接的位置)之后停止。在该状态下，树脂25A的液面被设置成与树脂基板22的下表面还未接触。这样一来，能够减少树脂25A从树脂槽63溢出的情况。不过，此时，优选使电子部件24与树脂25A的液面接触。由于树脂25A的表面张力的原因，树脂25A会沿着电子部件24的侧面涌上。或者，树脂25A会进入电子部件24与树脂基板22之间的间隙。其结果是，在之后的加压流入步骤S73中，树脂25A易于被填充进电子部件24与树脂基板22之间的非常狭小的间隙内。另一方面，底部63A在树脂部25的移动停止后还继续向上方移动。由此，树脂25A的 液面会与树脂基板22的下表面接触。图7是本发明的实施方式的加压流入步骤中的树脂部形成装置和制造中的高频模块的概略剖面图。浸溃步骤S72完成后，看上去电子部件3在树脂25A内的完全埋设好像已经完成。但是，在电子部件24与树脂基板22之间还存在没有填充树脂25A之处。因此，在浸溃步骤S72之后进行加压流入步骤S73。在加压流入步骤S73中，对树脂25A(朝图7的箭头102的方向)加压，利用该压力使树脂25A强制性地流入未填充的间隙中。此时，由树脂槽63和树脂基板22围起的空间，除了电子部件24与树脂基板22之间的未填充的非常窄的间隙之外，都已被树脂25A填埋。因此，即使对树脂25A加压，底部63A也几乎不会上升，只有树脂25A的压力上升。然后，继续加压使该压力达到规定值，并维持该压力。另外，在加压流入步骤S73中，树脂25A的温度在第一温度以上且小于第二温度这一点很重要。由此，能够在电子部件24或芯片部件与树脂基板22之间的非常狭窄的间隙中可靠地填充树脂25A。另外，在本实施方式中，焊锡23是锡和银系的无铅焊锡，其熔点是大约200°C。如上所述，由于将焊锡23的熔点设为第二温度以上，因此，在加压流入步骤S73中，焊锡23不会熔融。因此，电子部件24很难与树脂基板22剥离。 在硬化步骤S74中，在加压流入步骤S73之后，通过进一步将树脂25A加热到第二温度以上的第三温度从而使树脂25A硬化。由此，会在树脂基板22上形成树脂部25。另夕卜，至少在树脂25A的流动性消失之前的期间内，优选在硬化步骤S74中也维持在加压流入步骤S73所施加的压力。由此，很难在电子部件24与树脂基板22之间留有空间(void)等。通过以上的制造方法，由于在加压流入步骤S73施加压力，因此，树脂25A也被可靠地填充到电子部件24与树脂基板22之间的非常狭窄的间隙中。另外，由于只在加压流入步骤S73施加压力，所以，能够减小向电子部件24施加的应力。因此，电子部件24或树脂基板22等的变形变小。其结果是，高频电路与屏蔽金属膜26之间、或高频电路与树脂基板22之间以及树脂基板22与屏蔽金属膜26之间的距离等的偏差能够减小。由此，能够减小它们之间具有的散杂电容值的偏差，因此，能够实现偏差少的高频模块21。另外，在浸溃步骤S72中只浸溃电子部件24，在加压流入步骤S73中产生树脂25A的流动。因此，与传递成型法相比，树脂25A的流动距离非常短。因此，在硬化之后，因树脂25A的流动不均等原因导致的内部应力也能够减小。由此，还能够减小电子部件24、树脂基板22或树脂部25本身的变形。因此，能够更减小散杂电容值的偏差。其结果是，能够实现高频电路特性的偏差小的高频模块21。特别是在本实施方式中，由于是面朝下地倒装芯片式安装电子部件24，所以，电子部件24与树脂基板22之间变得非常靠近。因此，在形成于电子部件24中的高频电路与接地图案27之间会具有很大的散杂电容。该散杂电容的偏差对电子部件24的高频电路的特性会产生很大影响。这一点从在树脂25A内埋设高频电路上来看非常重要。即，在安装步骤 S11中的高频特性的检查中，即使在判断为合格的范围中，如果电子部件24、树脂基板22或树脂部25本身的变形很大，则也有可能在形成树脂部25之后变成不合格。但是，在形成树脂部25之后，由于修理非常困难，因此，除了废弃之外别无对策，成品率变得非常恶化。因此，通过使用本实施方式的制造方法，减小树脂25A的流动距离来减小残留在树脂25A内部的残留应力，减小对电子部件24、树脂基板22或树脂部25自身等施加的应力。由此，能够减小树脂部25形成后的闻频特性的偏差，实现成品率闻的闻频|旲块21。而且，减小该残留应力会对高频模块21的特性的长期可靠性也产生很大影响。即，可以认为是由于温度变化等原因，使树脂部25或树脂基板22产生伸缩，树脂部25内的内部应力的分布会发生变化。由此，电子部件24或树脂基板22或树脂部25等的变形量发生变化。其结果是，电子部件24和树脂基板22或接地图案27或屏蔽金属膜26之间的散杂电容的值与制造阶段的值相比会发生变化。因此，由于能够利用上述制造方法减小内部应力，所以，能够实现面对温度变化等情况也能够长期地维持稳定的特性的高频模块21。于是，由于在加压流入步骤S73将树脂25A强制地填充到间隙中，因此，与印刷法或接合法等方法相比，在电子部件24与树脂基板22之间也能够可靠地填充树脂25A。因此，能够实现可靠性非常高的高频模块21。如上所述，根据本实施方式，能够减少由于加压压力而导致电子部件24或芯片部件被破坏的情况，另外，也能够减小电子部件24的变形。因此，能够使电子部件24的厚度变得很薄。所以，与以往的传递成型相比，即使在电子部件24或芯片部件的上部形成的树脂部25的厚度很薄，也能够在电子部件24的上部可靠地形成树脂部4。这是因为电子部件24的上部的树脂部25是通过在浸溃步骤S72浸溃而形成的。由此，能够实现薄型的高频模块21。在本实施方式中制作了厚度为0. 8mm的高频模块21。另外，除了上述模块之外，也能够制造厚度为0. 5mm的高频模块21。虽然该高频模块21非常薄，树脂基板22的厚度为0. Imm,电子部件24的厚度为0. 25mm，但变形也小，特性的偏差也小。另外，虽然电子部件24与树脂基板22之间为0. 08mm，非常的窄，但在该间隙中也能够可靠地填充树脂25A。另外，虽然电子部件24的上部的树脂部4的厚度为0. 07mm,非常的薄，但也形成了厚度稳定的树脂部4。接下来，通过附图对本实施方式中的其他的高频模块进行说明。图8是本发明的实施方式中的其他的高频模块81的剖面图。在图I所示的高频模块21中，树脂基板22的侧面与树脂部25的侧面在一条直线上，屏蔽金属膜26 —直形成到树脂基板22的侧面的下端为止。另一方面，高频模块81与高频模块21相比，在以下两点上不同，第一点在树脂基板22的侧面的下部形成有带阶梯部82 ;第二点屏蔽金属膜26在树脂基板22的侧面一直形成到带阶梯部82的上端为止。在树脂基板22的侧面比带阶梯部82更靠上的部分与树脂部25的侧面在一条直线上，接地图案27的露出部分也形成在树脂基板22的侧面比带阶梯部82更靠上的部分。接下来，利用附图对高频模块81的制造方法进行说明。图9是表示高频模块81的制造方法的流程图。另外，在图9中，对与图2相同的步骤使用相同的编号，并省略其说明。在图9中，到树脂部形成步骤S52为止的步骤与高频模块21的制造方法相同。在树脂部形成步骤S52之后进行沟形成步骤S91。在沟形成步骤S91中，不将树脂基板22切断成单片的状态，而留着树脂基板22的连接部分，设为高频模块被连接的状态。在连接部分，在树脂部25和树脂基板22上形成沟。
在沟形成步骤S91之后进行屏蔽金属膜形成步骤S54。在形成在树脂部25的周围(上面和侧面)以及树脂基板22上的沟部分(带阶梯部82的上表面和树脂基板2的侧面)形成屏蔽金属膜26。在屏蔽金属膜形成步骤S54之后进行分割步骤S92。在该分割步骤S92中，使用宽度比沟窄的切割旋转齿等，以比沟窄的宽度切断树脂基板22的连接部。这样一来，在分割步骤S92中，很难对屏蔽金属膜26造成伤害等。因此，能够实现良好的屏蔽作用。在本实施方式的情况下，能够在树脂基板22被连接的状态下进行屏蔽金属膜形成步骤S54。另外，如果在屏蔽金属膜形成步骤S54与分割步骤S92之间设置特性检查步骤，则该检查也能够在连接状态下进行，因此，生产率非常好。另外，作为屏蔽金属膜的形成方法，除了溅射法之外，也可以使用真空蒸镀法、离子电镀法和化学气相沉积法(CVD(Chemical VaporDeposition))等方法。产业上的可利用性本发明的高频模块，具有即使在薄型化时特性的偏差也小的效果，作为安装在便携式电子设备等中的高频模块很有用。附图标记的说明21,81 高频模块22树脂基板23焊锡24电子部件25树脂部25A树脂26屏蔽金属膜28接地端子27接地图案29A、29B 连接导体30A、30B 安装焊盘61树脂部形成装置62树脂基板搭载部63树脂槽63A底部64空间
82带阶梯部100、101、102 箭头权利要求
1.一种高频模块的制造方法，该高频模块具有 树脂基板； 安装在上述树脂基板上的电子部件； 形成在上述树脂基板上且埋设上述电子部件的树脂部；以及 覆盖上述树脂部的表面的屏蔽金属膜， 在上述树脂基板上由上述电子部件形成高频电路， 上述高频模块的制造方法包括 将安装了上述电子部件的上述树脂基板以上述电子部件与树脂槽相对置的方式放置的步骤； 直至上述树脂槽内的非流动状态的树脂成为流动状态为止进行软化，并且抽吸在上述树脂基板与上述树脂之间所形成的空间的空气的步骤； 在使上述树脂软化，且抽吸了上述空间的空气之后，使上述树脂基板与上述树脂的液面接触的步骤； 在使上述树脂基板与上述树脂的液面接触之后，对上述树脂加压，使上述树脂流入上述树脂基板与上述电子部件之间的步骤； 在使上述树脂流入上述树脂基板与上述电子部件之间之后，硬化上述树脂，在上述树脂基板上形成上述树脂部的步骤；以及 当在上述树脂基板上形成了上述树脂部之后，在上述树脂部的表面形成屏蔽金属膜的步骤。
2.根据权利要求I所述的高频模块的制造方法，其中， 对于上述树脂，使用在小于第一温度的情况下不具有流动性、在上述第一温度以上而小于第二温度的情况下产生流动性、且在上述第二温度以上的第三温度下硬化的热硬化性树脂，在上述第一温度以上而小于上述第二温度的情况下，使上述树脂流入上述树脂基板与上述电子部件之间。
3.根据权利要求2所述的高频模块的制造方法，其中， 使用具有上述第二温度以上的熔点的焊锡来进行上述电子部件与上述树脂基板之间的连接。
4.根据权利要求2所述的高频模块的制造方法，其中， 在硬化上述树脂的步骤中，一边向上述树脂施加压力、一边将上述树脂加热到上述第三温度以上。
5.根据权利要求I所述的高频模块的制造方法，其中， 上述高频模块构成为上述树脂基板是多层基板，在上述树脂基板的与上述树脂相接的面或内层形成接地图案，在上述树脂基板的侧面形成上述接地图案的露出部，在上述露出部处，上述接地图案与上述屏蔽金属膜连接， 上述高频模块的制造方法还包括 在硬化上述树脂的步骤之后，在形成上述屏蔽金属膜的步骤之前，将上述树脂部的一部分除去的步骤；以及 在除去了上述树脂部之处，形成上述接地图案的露出部的步骤， 在形成上述屏蔽金属膜的步骤中，在上述露出部处，将上述屏蔽金属膜与上述接地图案连接。
6.根据权利要求I所述的高频模块的制造方法，其中， 上述电子部件包括半导体元件。
7.根据权利要求I所述的高频模块的制造方法，其中， 上述电子部件以面朝下的状态被安装在上述树脂基板上。
全文摘要
将安装了电子部件的树脂基板以使电子部件与树脂槽相对置的方式安置。直至使树脂槽内的非流动状态的树脂成为流动状态为止一直进行软化，并且，抽吸在树脂基板与树脂之间所形成的空间的空气。使树脂基板与树脂的液面接触。对树脂加压，使树脂流入树脂基板与电子部件之间。使树脂硬化，在树脂基板上形成树脂部。在树脂部的表面形成屏蔽金属膜。由此，能够减小树脂部内的内部应力，并能够实现电路特性的偏差小的高频模块。
文档编号H01L23/00GK102763205SQ20118000970
公开日2012年10月31日 申请日期2011年2月9日 优先权日2010年2月19日
发明者中口昌久, 北川元祥, 小仓智英, 木村润一, 神庭操, 蛭间孝之 申请人:松下电器产业株式会社