专利名称：晶舟和炉管的利记博彩app
技术领域：
晶舟和炉管技术领域[0001]本实用新型涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种晶舟和炉管。
技术背景[0002]在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。[0003]在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管。一般的，现有的炉管，包括晶舟、保温桶和石英基座，所述石英基座设置在保温桶内，所述晶舟设置在保温桶上。具体请参阅图1和图2，其中，图1所示是现有的晶舟的结构示意图，图2所示是现有的晶舟的晶圆托块的结构示意图。现有的晶舟包括顶板111、底板112以及连接于所述顶板111和所述底板112之间的若干支柱113，所述支柱113的数量通常是四根，所述四根支柱113分别沿其纵向间隔设置若干对应的晶圆托块114，所述晶圆托块114分别向晶舟内部横向凸出，所述晶圆托块114用于放置晶圆(未图示)，且所述晶圆托块114和晶圆的接触面是平面。[0004]一方面，由于晶舟的立柱113为四根，在晶舟升降过程中容易因震动致使晶圆碰撞立柱113，致使晶圆上对应立柱113的部位产生大量的颗粒物质。[0005]另一方面，由于石英基座在多晶硅淀积中容易产生薄膜，且由于这层薄膜比较疏松，而现有的晶舟的底板112上的通孔1121比较大，因此，该薄膜容易从保温桶及晶舟底板 112的通孔1121中逸出并附着到晶圆上，造成晶圆上颗粒物质超标。[0006]再一方面，现有的晶圆托块114和晶圆的接触面是平面，因此，晶圆放置到晶圆托块114上后，在震动中容易自由滑动，造成晶圆严重偏离所需的位置，使得后续对晶圆位置的调整工作比较繁重，不利于生产效率的提高。[0007]因此，如何提供一种可以减小颗粒物质产生的晶舟和炉管是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。实用新型内容[0008]本实用新型的目的在于提供一种晶舟和炉管，可以在晶圆的运输过程中减少颗粒物质的产生。[0009]为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案[0010]一种晶舟，包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，所述支柱的数量是三根。[0011]优选地，在上述的晶舟中，所述若干支柱分别沿支柱的纵向间隔设置若干对应的晶圆托块，所述晶圆托块分别向晶舟内部横向凸出。[0012]优选地，在上述的晶舟中，所述晶圆托块呈阶梯状。[0013]优选地，在上述的晶舟中，所述晶圆托块包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶的一端与对应的立柱固定连接，另一端与第二台阶连接，所述第一台阶的台面和所述第二台阶的台面通过过渡连接面连接。[0014]优选地，在上述的晶舟中，所述过渡连接面为斜面。[0015]优选地，在上述的晶舟中，所述过渡连接面为曲面。[0016]优选地，在上述的晶舟中，所述底板还设有通孔和热应力槽，所述热应力槽从底板中部沿底板径向延伸到底板的边缘，所述通孔设置在底板的中部，所述通孔的直径等于热应力槽的宽度。[0017]本实用新型还公开了一种炉管，包括如上所述的晶舟、保温桶和石英基座，所述石英基座设置在保温桶内，所述晶舟设置在保温桶上。[0018]优选地，在上述的炉管中，所述底板还设有通孔和热应力槽，所述热应力槽从底板中部沿底板径向延伸到底板的边缘，所述通孔设置在底板的中部，所述通孔的直径等于热应力槽的宽度。[0019]本实用新型的有益效果如下[0020]本实用新型提供的晶舟和炉管，一方面，由于将支柱的数量从现有的四根改成三根，根据三点确定一个平面的原理，可以使得支柱更加平稳地支撑晶圆，防止在晶舟移动过程中晶圆碰撞立柱，从而避免因碰撞而产生的颗粒物质，确保晶圆所处环境的洁净度，最终提高产品良率；[0021]另一方面，将底板的通孔的直径缩小至热应力释放所需的距离，可以防止保温桶内部的多晶硅薄膜从该通孔处逸出，从而进一步减少颗粒物质产生，以确保产品良率；[0022]再一方面，由于所述晶圆托块呈阶梯状，S卩，所述晶圆托块包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶的一端与对应的立柱固定连接，所述第一台阶的另一端与第二台阶连接， 所述第一台阶的台面和所述第二台阶的台面通过过渡连接面连接，当晶圆需要放置在晶圆托块时，操作人员可以通过目测可以比较准确地将晶圆放置在晶圆托块的合适位置即第二台阶上，当放置位置略有偏差时，晶圆可以在过渡连接面上通过重力作用进行自对准，从而可以提高晶圆的初始对准精度，为后续对晶圆位置的精确调整提供便利，从而提高调整效率。
[0023]本实用新型的晶舟由以下的实施例及附图给出。[0024]图1是现有的晶舟的结构示意图；[0025]图2是现有的晶舟的晶圆托块的结构示意图；[0026]图3是本实用新型实施例的炉管的结构示意图；[0027]图4是本实用新型实施例的晶舟的结构示意图；[0028]图5是本实用新型实施例的晶舟的晶圆托块的结构示意图之一；[0029]图6是本实用新型实施例的晶舟的晶圆托块的结构示意图之二。
具体实施方式
[0030]以下将对本实用新型的晶舟和炉管作进一步的详细描述。[0031]下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。[0032]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。[0033]为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率， 仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。[0034]请参阅图3和图4，其中，图3是本实用新型实施例的炉管的结构示意图，图4是本实用新型实施例的晶舟的结构示意图。[0035]如图3所示，这种炉管，包括晶舟210、保温桶220和石英基座230，所述石英基座 230设置在保温桶220内，所述晶舟210设置在保温桶220上。[0036]如图4所示，所述晶舟210，包括顶板211、底板212以及连接于所述顶板211和所述底板212之间的若干支柱213，所述支柱213的数量是三根。所述若干支柱213分别沿支柱213的纵向间隔设置若干对应的晶圆托块214，所述晶圆托块214分别向晶舟内部横向凸出。三根支柱213的水平高度一致的晶圆托块214用于支撑同一晶圆(未图示)。由于将支柱213的数量从现有的四根改成三根，根据三点确定一个平面的原理，可以使得晶圆托块214更加平稳地支撑晶圆，防止在晶舟移动过程中晶圆碰撞立柱213，从而避免因晶圆和立柱213碰撞而产生颗粒物质，确保晶圆所处环境的洁净度，以提高产品良率。[0037]较佳地，本实施例中，所述晶圆托块214呈阶梯状。所述晶圆托块214包括第一台阶2141和第二台阶2142，所述第一台阶2141的一端与对应的立柱213固定连接，所述第一台阶2141的另一端与第二台阶2142连接，所述第一台阶2141的台面和所述第二台阶2142 的台面通过过渡连接面2143连接。当晶圆需要放置在晶圆托块214时，操作人员可以通过目测比较准确地将晶圆放置在晶圆托块214的合适位置即第二台阶2142上，当放置位置略有偏差时，通常晶圆的部分委员过渡连接面2143上，此时，晶圆可以在过渡连接面2143上通过重力作用进行自对准，从而可以提高晶圆的初始对准精度，为后续对晶圆位置的精确调整提供便利，从而提高调整效率。[0038]所述第一台阶2141的台面和第二台阶2142的台面之间可以通过曲面连接，如图5 所示。所述第一台阶2141的台面和第二台阶2142的台面之间也可以通过斜面连接，如图 6所示。所述斜面和所述曲面即为所述过渡连接面2143。本实施例中，所述第一台阶2141 的台面和第二台阶2142的台面通过曲面连接，从而可以使得晶圆在晶圆托盘214上的自对准更加平稳。[0039]请继续参阅图4，所述底板212还设有通孔2121和热应力槽2122，所述热应力槽 2122从底板212中部沿底板212径向延伸到底板212的边缘，所述通孔2121设置在底板 212的中部，所述通孔2121的直径等于热应力槽2122的宽度。将底板212的通孔2121的直径缩小至热应力释放所需的距离，可以防止保温桶内部的多晶硅薄膜从该通孔2121处逸出，从而进一步减少颗粒物质产生，以确保产品良率。[0040]综上所述，本实用新型提供的晶舟和炉管，一方面，由于将支柱的数量从现有的四根改成三根，根据三点确定一个平面的原理，可以使得支柱更加平稳地支撑晶圆，防止在晶舟移动过程中晶圆碰撞立柱，从而避免因碰撞而产生的颗粒物质，确保晶圆所处环境的洁净度，最终提高产品良率。另一方面，将底板的通孔的直径缩小至热应力释放所需的距离， 可以防止保温桶内部的多晶硅薄膜从该通孔处逸出，从而进一步减少颗粒物质产生，以确保产品良率。再一方面，由于所述晶圆托块呈阶梯状。所述晶圆托块包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶的一端与对应的立柱固定连接，所述第一台阶的另一端与第二台阶连接， 所述第一台阶的台面和所述第二台阶的台面通过过渡连接面连接。当晶圆需要放置在晶圆托块时，操作人员可以通过目测可以比较准确地将晶圆放置在晶圆托块的合适位置即第二台阶上，当放置位置略有偏差时，晶圆可以在过渡连接面上通过重力作用进行自对准，从而可以提高晶圆的初始对准精度，为后续对晶圆位置的精确调整提供便利，从而提高调整效率。[0041]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种晶舟，包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，其特征在于，所述支柱的数量是三根。
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述若干支柱分别沿支柱的纵向间隔设置若干对应的晶圆托块，所述晶圆托块分别向晶舟内部横向凸出。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述晶圆托块呈阶梯状。
4.根据权利要求3所述的晶舟，其特征在于，所述晶圆托块包括第一台阶和第二台阶， 所述第一台阶的一端与对应的立柱固定连接，所述第一台阶的另一端与第二台阶连接，所述第一台阶的台面和所述第二台阶的台面通过过渡连接面连接。
5.根据权利要求4所述的晶舟，其特征在于，所述过渡连接面为斜面。
6.根据权利要求4所述的晶舟，其特征在于，所述过渡连接面为曲面。
7.根据权利要求1 6中任意一项所述的晶舟，其特征在于，所述底板还设有通孔和热应力槽，所述热应力槽从底板中部沿底板径向延伸到底板的边缘，所述通孔设置在底板的中部，所述通孔的直径等于热应力槽的宽度。
8.一种炉管，其特征在于，包括如权利要求1 6中任意一项所述的晶舟、保温桶和石英基座，所述石英基座设置在保温桶内，所述晶舟设置在保温桶上。
9.根据权利要求8所述的炉管，其特征在于，所述底板还设有通孔和热应力槽，所述热应力槽从底板中部沿底板径向延伸到底板的边缘，所述通孔设置在底板的中部，所述通孔的直径等于热应力槽的宽度。
专利摘要本实用新型公开了一种晶舟，包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，所述支柱的数量是三根。还公开了一种炉管，包括晶舟、保温桶和石英基座，所述石英基座设置在保温桶内，所述晶舟设置在保温桶上，所述晶舟采用如上所述的晶舟。一方面，由于将支柱的数量从现有的四根改成三根，根据三点确定一个平面的原理，可以使得支柱更加平稳地支撑晶圆，防止在晶舟移动过程中晶圆碰撞立柱，从而避免因碰撞而产生的颗粒物质，确保晶圆所处环境的洁净度，最终提高产品良率。另一方面，将底板的通孔的直径缩小至热应力释放所需的距离，可以防止保温桶内部的多晶硅薄膜从该通孔处逸出，从而进一步减少颗粒物质产生，以确保产品良率。
文档编号H01L21/67GK202259222SQ20112039561
公开日2012年5月30日 申请日期2011年10月17日 优先权日2011年10月17日
发明者任瑞龙, 沈建飞 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司