专利名称：一种可见光全光谱高反射率led封装结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种新型的LED封装结构，尤其涉及到一种提高LED光效与显示指数，降低光衰的封装基座。
背景技术：
LED作为一种新型光源，由于具有节能、环保、寿命长、启动速度快、能控制发光光谱和禁止带幅的大小使色彩度更高等传统光源无可比拟的优势而得到了空前的发展。—般而言，传统的白光LED封装结构,如图I,主要设有一具凹槽Al的基座A,该凹槽Al内结合一芯片B，该芯片B再通过一连结线C与另一支架D连结，最后再通过一透光层E的射出成型，将基座A、芯片B、连结线C及另一支架D结合为一体，完成LED的封装。但普通LED的发光是各向的，同时所激发的荧光粉发出的光也是各向的。而上述传统的LED结构使射向LED芯片背面与侧面的光的提取效率较低，这部分光通过在密封物中的多次反射和折射而最终转化为热量。这样不但降低了 LED的光效，而且还使得热量无法及时导出而聚集在芯片的背面。从而造成芯片的温度逐渐升高，以致影响LED芯片的光输出和寿命。目前的改进方法是在基座A的凹槽Al内镀上高反射率的金属Ag薄膜，使基座的反射率大幅提高。但这又带来一个问题，金属Ag薄膜在点亮的LED芯片的高温下容易发黄变色，从而降低了蓝光波段的反射率，降低了封装LED的光效与显色指数，加快了 LED的光衰。基于现有普通LED封装结构以及其改进方法的不足，本实用新型设计了 “一种可见光全光谱高反射基板固晶的LED封装方案”。
发明内容本实用新型旨在解决现有技术的前述问题，因此本实用新型的一个目的是提供一种在全可见光光谱内稳定耐用的高反射率基座及LED封装结构。以提高白光LED的出光效率，同时增强白光LED显色指数与光通量的稳定性。本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的本实用新型提供了一种可见光全光谱高反射率的LED封装结构，包括一镀有非金属或金属化合物或有机物的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层的封装基座，或本身为可见光全光谱高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成的封装基座，其中可见光的波长为400nm-760nm，可见光波段的反射率均高于85% ;在封装基座上形成有电极；蓝光LED芯片，芯片采用固晶方式固定于封装基座的高反射面之上；以及密封物，密封物覆盖所述LED芯片与所述基座，以保护所述LED芯片与高反射率基座的高反射率表面。镀有薄膜或涂层的封装基座，其薄膜或涂层镀于基座上用于固晶的一面；封装基座本身为可见光全光谱高反射率的材料制成的，其用于固晶的一面在可见光波段具有高反射率。[0011]本实用新型提供的LED封装结构如图2所示，其包括镀有可见光全光谱高反射非金属或金属化合物或有机物薄膜或涂层102的封装基座10或封装基座10本身为可见光全光谱高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成，对于镀有薄膜或涂层的封装基座10用于固晶的一面101镀有可见光全光谱高反射薄膜或涂层102，同时其上形成有两电极501与502,对于封装基座10本身为可见光全光谱高反射率的材料制成的,其用于固晶的一面在可见光波段的平均反射率高于85 %;同时其上形成有两电极501与502 ;蓝光LED芯片20，芯片采用固晶方式固定于封装基座的高反射率表面102之上；以及密封物40，密封物覆盖所述LED芯片20与所述高反射率表面102，以保护所述LED芯片与高反射率表面。所述的对于镀有可见光全光谱高反射薄膜或涂层的封装基座，其薄膜或涂层位于所述LED芯片所处平面的下方并与其紧贴且平行，薄膜或涂层在可见光全光谱的反射率均闻于85 % ο所述的对于封装基座本身为可见光全光谱高反射率的非金属材料制成的，其用于固晶的一面与LED芯片所处平面的下方并与其紧贴且平行，且可见光全光谱反射率均高于85%。所述的可见光全光谱高反射既可以是具有镜面反射的抛光面，也可以是具有漫反射的非抛光表面。对于镜面反射的可见光全光谱高反射薄膜可以是沉积选自于Si02、Ti02、MgF、A1203、Ta205、Zr02和Hf205组成的组中的布拉格反射镜薄膜，也可以是选自于由Si02、Zr02、Τ 02组成的组中的二维光子晶体材料。对于散射的非抛光表面的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层或基座可以是选自于高纯氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化钡、磷酸钙、磷酸钡、硫酸钡、硅酸钙组成的组中的材料，但不仅限于上述材料。所述对于镀有可见光全光谱高反射非金属薄膜或涂层的封装基座包括在其上形成有电极的印刷电路板、金属、非金属、金属化合物或有机物基座。所述密封物由在其内混合并均匀分散荧光体的透明环氧树脂胶或硅胶成型制成。本实用新型的提供了一种新型LED芯片封装结构，其能够有效反射由于LED芯片与荧光粉各向发光而射向基座与侧面的光，将这部分光经过反射后由正面射出，这样增加了 LED的光效。同时由于材料采用化合物薄膜，其在高温下的化学稳定性明显强于Ag薄膜，不易变色使得LED的显色指数的稳定性得到增强，光衰也明显降低。本实用新型的其他特点及具体实施例可于以下配合附图
的详细说明中进一步了解。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。 图I是现有普通LED芯片的封装结构；图2是本实用新型实施例的整体结构侧视图；图3是本实用新型实施例的整体结构俯视图；图4是本实用新型实施例的可见光全光谱高反射薄膜的反射率；
具体实施方式
参照图2与图3，本实用新型是这样实施的在铝制LED封装基座10的上表面101上利用磁控溅射沉积技术沉积Si02/Ti02布拉格高反射膜102，其中膜系的设计是按照在折射率为I. 5的硅胶中的高反射率薄膜设计的，其反射率见图4，结构示于表I。
权利要求1.一种可见光全光谱高反射率的LED封装结构，其特征为该封装结构包括一具有可见光全光谱高反射率的封装基座；在封装基座上形成有电极；蓝光LED芯片，芯片采用固晶方式固定于封装基座的高反射面之上；以及密封物，密封物覆盖所述LED芯片与所述基座，以保护所述LED芯片与基座的高反射率表面。
2.根据权利要求I所述的LED封装结构，其特征在于基座上用于固晶的一面在可见光波段具有高反射率。
3.根据权利要求I所述的LED封装结构，其特征在于可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，可见光全光谱高反射率的封装基座在可见光波段的反射率均高于85%。
4.根据权利要求I所述的LED封装结构，其特征在于所述可见光全光谱高反射率的封装基座位于所述LED芯片所处平面的下方并与其紧贴且平行。
5.根据权利要求I所述的LED封装结构，其特征在于所述的可见光全光谱高反射封装基座选用具有镜面反射的抛光面，或选用具有散射的非抛光表面。
专利摘要本实用新型涉及一种利用可见光全光谱高反射的非金属或金属化合物或有机物材料提高白光LED光效与显色指数同时降低光衰的LED封装基座与封装结构。其中可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm，高反射率材料在可见光光谱的反射率均大于85%。LED封装基座(10)，其特征在于，其用于固晶的一面(101)镀有由非金属或金属化合物或有机物材料制成的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层(102)，或者基座(10)本身由高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成且其上表面(101)具有可见光全光谱高反射率。LED封装(20)，其特征在于，在所述高反射率面(102)或(101)上采用固晶安装LED芯片，芯片与基底电极(501)与(502)相连。
文档编号H01L33/48GK202423371SQ20112030824
公开日2012年9月5日 申请日期2011年8月20日 优先权日2011年8月20日
发明者兰海, 刘著光, 曹永革, 王充, 王文超, 王方宇, 邓种华 申请人:中国科学院福建物质结构研究所