专利名称：一种复合式大功率元器件用基板的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种金属基板，具体涉及一种复合式大功率元器件用基板。
背景技术：
在电子工业中，通常大功率的通讯路板或大功率LED光源进行正常工作下，会产生大量的热，这些热量若不及时排出到环境中，会引起电子元器件温度的升高，影响其正常工作，有时甚至损毁。目前，为了达到良好的散热效果，通常利用的基板为陶瓷基板或金属基板，金属基板在运用时必须在其与线路板之间设置一层绝缘层，来保证电路的隔离，而该绝缘层的导热系数较低，导致整个金属基板的散热性能下降；然而采用陶瓷基板，散热效果较好，但成本较高，且不能实现热电分离。因此，一种导热性能较好且成本较低，又具有热电分离优势的复合式大功率元器件用基板亟待提出。
实用新型内容为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种导热性能较好且成本较低，又具有热电分离优势的复合式大功率元器件用基板。为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下一种复合式大功率元器件用基板， 包括金属基板和陶瓷基板，所述金属基板上开设有第一腔体，所述陶瓷基板装设于所述第一腔体中；所述陶瓷基板上装设有大功率元器件，所述大功率元器件通过金属连线和金属基板线路直接连接，电流不会经过陶瓷基板底部。优选的，所述金属基板的上端面设置有绝缘层。优选的，所述绝缘层上设置有连接引线的接线端。优选的，所述陶瓷基板与所述第一腔体相匹配。优选的，所述陶瓷基板上开设有第二腔体，所述大功率元器件装设于所述第二腔体中。通过上述技术方案，本实用新型技术方案的有益效果是一种复合式大功率元器件用基板，包括金属基板和陶瓷基板，所述金属基板上开设有第一腔体，所述陶瓷基板装设于所述第一腔体中；所述陶瓷基板上装设有大功率元器件，所述大功率元器件通过金属连线和金属基板线路直接连接，电流不会经过陶瓷基板底部；采用本实用新型提供的复合式大功率元器件用基板，既具有效果好、热电分离的优势，又具有低成本的优点；将装有大功率元器件的陶瓷基板，装设于所述金属基板上，当大功率元器件工作时，所述陶瓷基板将产生的热传给所述金属基板(中间没有绝缘层的介入)，在相同传热效率的条件下，本实用新型所采用的陶瓷基板体积较小，成本较低，一定程度上提高了经济效益。另外，采用所述的复合式大功率元器件用基板，元器件从陶瓷基板的上方与接线端进行电连接，产生的热从陶瓷基板的下方进行散热，产出的热再传导到金属基板上，进一步进行散热，电从陶瓷基板的上方引出，热从陶瓷基板的下方引出，从而实现了热电分离。
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型一种隔离式金属基板实施例1的剖面图；图2为本实用新型一种隔离式金属基板实施例2的剖面图。图中数字所表示的相应部件名称1.金属基板2.陶瓷基板3.绝缘层4.接线端5.第一腔体 6.大功率元器件
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。本实用新型提供了一种导热性能较好且成本较低，又具有热电分离优势的复合式大功率元器件用基板。实施例1，如图1所示，一种复合式大功率元器件用基板，包括金属基板1和陶瓷基板2，所述金属基板1上开设有第一腔体5，所述陶瓷基板2装设于所述第一腔体5中，所述陶瓷基板 2与所述第一腔体5相匹配，所述陶瓷基板2上装设有大功率元器件6，所述大功率元器件 6通过金属连线和金属基板线路直接连接，电流不会经过陶瓷基板底部。所述陶瓷基板2上开设有第二腔体(未示出)，所述大功率元器件6装设于所述第二腔体中。其工作原理是将设置有大功率元器件6的陶瓷基板2，装设于所述金属基板1上的第一腔体5中，当大功率元器件6工作时，陶瓷基板2将大功率元器件6产生的大量的热散出，由于陶瓷基板2设置于所述第一腔体5中，在相同传热效率的条件下，本实用新型所采用的陶瓷基板2体积较小，成本较低，一定程度上提高了经济效益；同时，陶瓷基板2与所述金属基板1相接触的面积增大，则由陶瓷基板2向金属基板1散热的面积增大，陶瓷基板 2将大功率元器件6产生的热迅速通过金属基板1散发出去，从而提高了散热效率，保护了元器件。本实施例中的陶瓷基板2的形状可以为棱柱、圆柱还可以是锥形，具体的实施方式视具体情况而定，对此，本实用新型不做任何限定，以能够实现本实用新型为主。通过本实施例的技术方案，除了能使复合式大功率元器件用基板达到导热性能较好、成本较低的目的之外，大功率元器件6从陶瓷基板2的上方与接线端进行电连接，产生的热从陶瓷基板2的下方进行散热，产出的热再传导到金属基板1上，进一步进行散热，电从所述陶瓷基板2的上方引出，热从所述陶瓷基板2的下方引出，从而实现了热电分离。采用上述实施例技术方案的有益效果是一种复合式大功率元器件用基板，包括金属基板1和陶瓷基板2，所述金属基板1上开设有第一腔体5，所述陶瓷基板2装设于所述第一腔体5中；所述陶瓷基板2上装设有大功率元器件6 ；采用本实用新型提供的复合式大功率元器件用基板，既具有效果好、热电分离的优势，又具有低成本的优点；将装有大功率元器件6的陶瓷基板2，装设于所述金属基板1上，当大功率元器件6工作时，所述陶瓷基板2将产生的热传给所述金属基板1，在相同传热效率的条件下，本实用新型所采用的陶瓷基板2体积较小，成本较低，一定程度上提高了经济效益。实施例2，如图2所示，其余与上述实施例相同，不同之处在于，所述金属基板1的上端面设置有绝缘层3，所述绝缘层3上设置有连接引线的接线端4。采用本实施例技术方案，同样能使复合式大功率元器件用基板达到导热性能较好、成本较低的目的，同时，还可以通过在金属基板上设置绝缘层3，在所述绝缘层3上设置接线端4，大功率元器件6从陶瓷基板2的上方与绝缘层3上的所述接线端4进行电连接， 产生的热从陶瓷基板2的下方进行散热，产出的热再传导到金属基板1上，进一步进行散热，从而实现了热电分离。通过上述技术方案，本实用新型技术方案的有益效果是一种复合式大功率元器件用基板，包括金属基板1和陶瓷基板2，所述金属基板1上开设有第一腔体5，所述陶瓷基板2装设于所述第一腔体5中；所述陶瓷基板2上装设有大功率元器件6，所述大功率元器件6通过金属连线和金属基板线路直接连接，电流不会经过陶瓷基板底部；采用本实用新型提供的复合式大功率元器件用基板，既具有效果好、热电分离的优势，又具有低成本的优点；将装有大功率元器件的陶瓷基板2，装设于所述金属基板1上，当大功率元器件6工作时，所述陶瓷基板2将产生的热传给所述金属基板1，在相同传热效率的条件下，本实用新型所采用的陶瓷基板2体积较小，成本较低，一定程度上提高了经济效益。另外，采用所述的复合式大功率元器件用基板，元器件6从陶瓷基板2的上方与接线端4进行电连接，产生的热从陶瓷基板2的下方进行散热，产出的热再传导到金属基板1 上，进一步进行散热，电从陶瓷基板2的上方引出，热从陶瓷基板2的下方引出，实现了热电分离。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求1.一种复合式大功率元器件用基板，其特征在于，包括金属基板和陶瓷基板，所述金属基板上开设有第一腔体，所述陶瓷基板装设于所述第一腔体中；所述陶瓷基板上装设有大功率元器件，所述大功率元器件通过金属连线和金属基板线路直接连接，电流不会经过陶瓷基板底部。
2.根据权利要求1所述的复合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述金属基板的上端面设置有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的复合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述绝缘层上设置有连接引线的接线端。
4.根据权利要求3所述的复合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述陶瓷基板与所述第一腔体相匹配。
5.根据权利要求1-4任一项所述的复合式大功率元器件用基板，其特征在于，所述陶瓷基板上开设有第二腔体，所述大功率元器件装设于所述第二腔体中。
专利摘要本实用新型公开了一种复合式大功率元器件用基板，包括金属基板和陶瓷基板，所述金属基板上开设有第一腔体，所述陶瓷基板装设于所述第一腔体中；所述陶瓷基板上装设有大功率元器件，所述大功率元器件通过金属连线和金属基板线路直接连接，电流不会经过陶瓷基板底部；采用本实用新型提供的复合式大功率元器件用基板，既具有效果好、热电分离的优势，又具有低成本的优点；将装有大功率元器件的陶瓷基板，装设于所述金属基板上，当大功率元器件工作时，所述陶瓷基板将产生的热传给所述金属基板，在相同传热效率的条件下，本实用新型所采用的陶瓷基板体积较小，成本较低，一定程度上提高了经济效益。
文档编号H01L23/373GK202034362SQ201120129798
公开日2011年11月9日 申请日期2011年4月28日 优先权日2011年4月28日
发明者李蕊, 熊大曦 申请人:苏州科医世凯半导体技术有限责任公司