专利名称：一种半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器。
背景技术：
半透半反式液晶显示器(transflective TFT-L⑶)同时采用了穿透式和反射式的设计，同时具备背光源和反射层，因此在使用时既可以使用自身的背光源也可以利用外在光源，从而无论在强光下或是昏暗处都能向使用者提供良好的观看品质。根据结构不同，现有的半透半反式液晶显示器可以分为两类双液晶层盒厚 (Double Cell Gap)和单液晶层盒厚(Single Cell Gap)。其中，双液晶层盒厚的半透半反式液晶显示器在于其穿透式部分(透射区)和反射式部分(反射区)的液晶层厚度不相同， 透射区的液晶层厚度通常为反射区的两倍；而单液晶层厚度的半透半反式液晶显示器的透射区和反射区具有相同的液晶层厚度。对于双液晶层盒厚的半透半反式液晶显示器，由于透射区与反射区具有不同的液晶层厚度，因此，在这两个区域的交界处液晶分子排列不规则，从而导致该交界处的显示异常(如显示面板漏光)，使得画面对比度等指标严重下降。
实用新型内容本实用新型实施例所要解决的技术问题是提供一种半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器，用以改善画面显示质量。为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供方案如下一种半透半反式的像素结构，包括设置在基板上的反射电极和透射电极；设置在所述基板上，用于遮挡光线从所述基板透射至所述反射电极和透射电极之间的不透明的栅线，所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间，且处于所述反射电极和透射电极的下方；以及，设置在所述栅线上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。优选地，上述的半透半反式的像素结构中，所述栅线为不透明金属栅线。优选地，上述的半透半反式的像素结构中，所述薄膜晶体管的源极与设置在所述基板上的数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极和反射电极电性连接。优选地，上述的半透半反式的像素结构中，所述薄膜晶体管有两个；其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接，源极与设置在所述基板上的数据线电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接。本实用新型还提供了一种半透半反式液晶显示器，包括彩膜基板；接合于所述彩膜基板的薄膜晶体管阵列基板；[0017]夹设于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层；所述薄膜晶体管阵列基板上形成有多个像素结构，每个像素结构分别对应于一透射区和一反射区，所述透射区和所述反射区的液晶层厚度不同；每个所述像素结构包括设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的反射电极和透射电极；设置在所述薄膜晶体管阵列基板上，用于遮挡光线从所述薄膜晶体管阵列基板透射至所述反射区与所述透射区的交界处的不透明的栅线，所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间，且处于所述反射电极和透射电极的下方；以及，设置在所述栅线上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。优选地，上述的半透半反式液晶显示器中，所述栅线为不透明金属栅线。优选地，上述的半透半反式液晶显示器中，每个所述像素结构包括有两个所述薄膜晶体管，其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接，源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接。优选地，上述的半透半反式液晶显示器中，所述薄膜晶体管的源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极电性和所述反射电极电性连接。优选地，上述的半透半反式液晶显示器中，所述透射区的液晶层厚度为所述反射区的液晶层厚度的两倍。从以上所述可以看出，本实用新型实施例提供的半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器中，栅线从像素结构中部穿过而将一个像素一分为二，上半部分为透射区域，下半部分为反射区域，利用栅线遮挡光线从基板透射至液晶层的交界处，从而减少或消除了交界处的异常光，达到了提升画面显示质量的效果。并且，由于本实用新型仅是将栅线位置上移，并没有添加新的遮挡层，因此对像素开口率影响很小。
图1为现有技术的双液晶层盒厚的半透半反式液晶显示器的结构示意图；图2为本实用新型实施例的半透半反式的像素结构示意图。
具体实施方式
本实用新型针对双液晶层盒厚的半透半反式显示器在两种盒厚交界处产生显示异常的缺点进行了改进，在尽量不减小像素开口率的情况下，达到改善显示画面质量的目的。
以下结合附图，通过具体实施例对本实用新型做进一步的说明。首先请参考图1，该图为一种典型的双液晶层盒厚的半透半反式液晶显示器的结构示意图，其中，在彩膜(Color Filter)基板15和薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)阵列基板14之间，夹设有液晶层。液晶层形成有反射区17和透射区16，反射区17包括有一能够反射光线的反射电极171，透射区16包括有一能够透射光线的透射电极
4161。该液晶层针对反射区17和透射区16有不同的厚度(Cell Gap，也称作盒厚)，通常透射区16的液晶层厚度大约为反射区的2倍，以使得经反射区17的反射电极171反射回的环境光，与经过液晶层出射后的背光具有相同的相位差。另外，在彩膜基板15之上还可以依次设置λ /4波片13和偏光板11，在薄膜晶体管阵列基板14的下方还可以依次设置λ /4 波片14和偏光板12。从图1中可以看出，现有技术的双液晶层盒厚的半透半反式液晶显示器，在两种厚度的液晶层交界处不可避免有一个台阶，在这个区域附近的液晶会受此影响排列异常， 进而影响显示效果，使得画面对比度等指标严重下降。本实施例针对以上问题，对半透半反式液晶显示器的像素结构进行改进，请参考图2，本实施例提供的半透半反式的像素结构包括设置在基板(图中未示出)上的不透明的栅线21 ；设置在所述栅线21上的薄膜晶体管(图中未示出)，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线21电性连接；以及，设置在所述基板上的反射电极27和透射电极沈，其中，所述反射电极27和透射电极沈之间电性绝缘；其中，所述栅线21设置在反射电极27和透射电极沈之间，且位于所述反射电极 27和透射电极沈的下方，以遮挡光线从所述基板透射至所述反射电极27和透射电极沈之间。本实施例中，所述栅线21可采用不透明的金属材料制成，具体金属材料可以选用
铝、钼等金属。这样，采用了以上像素结构后，基板之下的背光源所产生的背光在透射过所述基板到达所述栅线时，将被栅线所阻断，从而不会入射到反射电极27和透射电极沈之间，也就不会入射到反射区M和透射区23之间的液晶层交界处，从而能够减少或消除交界处的异常显示，进而改善显示品质。作为一种优选实施方式，本实施例中每个像素结构可以包括有两个所述薄膜晶体管，分别控制所述透射区M和所述反射区23的电压。此时，其中一个薄膜晶体管的漏极四与所述反射电极27电性连接，源极25与设置在所述基板上的数据线22电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极观与所述透射电极26电性连接，源极20与所述数据线22电性连接。上述两个薄膜晶体管可以具有相同大小和性能。作为另一种优选实施方式，本实施例中每个像素结构也可以通过一个所述薄膜晶体管，来同时控制所述透射区和所述反射区的电压。此时，所述薄膜晶体管的源极与设置在所述基板上的数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极电性和所述反射电极电性连接。从以上所述可以看出，传统的半透半反式的像素结构中，栅线从像素区域的一侧经过，而在本实施例中，栅线从像素结构中部穿过而将一个像素一分为二，上半部分为透射区域，下半部分为反射区域。在栅线上对这两个区域可以分别形成一个相同尺寸的薄膜晶体管，分别用来控制各个区域的电压。由于栅线的金属层为不透明金属，从而能够遮挡从基板透射过来的光进入到液晶层的交界处，从而减少或消除了交界处的异常光，进而提升画面显示质量。同时由于仅是栅线上移，并无添加新的遮挡层，因此像素的开口率并不会受到影响。[0044]基于以上的半透半反式的像素结构，本实施例还提供了一种半透半反式液晶显示器，该半透半反式液晶显示器包括彩膜(CF，ColorFilter)基板；接合于所述彩膜基板的薄膜晶体管(TFT)阵列基板；夹设于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层；所述薄膜晶体管阵列基板上形成有多个像素结构，每个像素结构分别对应于一透射区和一反射区，所述透射区和所述反射区的液晶层厚度不同。其中，每个所述像素结构包括设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的反射电极和透射电极；设置在所述薄膜晶体管阵列基板上，用于遮挡光线从所述薄膜晶体管阵列基板透射至所述反射区与所述透射区的交界处的不透明的栅线，所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间，且处于所述反射电极和透射电极的下方；以及，设置在所述栅线上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。优选地，本实施例中，所述透射区的液晶层厚度为所述反射区的液晶层厚度的两倍。当然，所述透射区的液晶层厚度与所述反射区的液晶层厚度之间的比例关系也可以不是严格的两倍关系。所述栅线采用不透明的金属材料制成，具体可以是铝、钼等金属材料。作为一种优选实施方式，上述的半透半反式液晶显示器中，每个所述像素结构包括有两个所述薄膜晶体管，其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接，源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接。作为另一种优选实施方式，上述的半透半反式液晶显示器中，每个所述像素结构可以仅包括有一个所述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极电性和所述反射电极电性连接。从以上所述可以看出，与现有技术有所不同的是，本实施例改变了半透半反式液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板上的栅线位置，将栅线对应设置在所述反射区与所述透射区的交界处的正下方，以遮挡光线从所述薄膜晶体管阵列基板透射至所述交界处，从而能够减少或消除光线经过所述薄膜晶体管阵列基板入射到透射区和反射区的液晶层交界处， 进而能够改善液晶的显示品质。
权利要求1.一种半透半反式的像素结构，其特征在于，包括 设置在基板上的反射电极和透射电极；设置在所述基板上，用于遮挡光线从所述基板透射至所述反射电极和透射电极之间的不透明的栅线，所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间，且处于所述反射电极和透射电极的下方；以及，设置在所述栅线上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。
2.如权利要求1所述的半透半反式的像素结构，其特征在于，所述栅线为不透明金属栅线。
3.如权利要求1所述的半透半反式的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极与设置在所述基板上的数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极和反射电极电性连接。
4.如权利要求1所述的半透半反式的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管有两个；其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接，源极与设置在所述基板上的数据线电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接。
5.一种半透半反式液晶显示器，其特征在于，包括 彩膜基板；接合于所述彩膜基板的薄膜晶体管阵列基板； 夹设于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层； 所述薄膜晶体管阵列基板上形成有多个像素结构，每个像素结构分别对应于一透射区和一反射区，所述透射区和所述反射区的液晶层厚度不同； 每个所述像素结构包括设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的反射电极和透射电极；设置在所述薄膜晶体管阵列基板上，用于遮挡光线从所述薄膜晶体管阵列基板透射至所述反射区与所述透射区的交界处的不透明的栅线，所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间，且处于所述反射电极和透射电极的下方；以及，设置在所述栅线上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。
6.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器，其特征在于，所述栅线为不透明金属栅线。
7.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器，其特征在于，每个所述像素结构包括有两个所述薄膜晶体管，其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接，源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接；另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接，源极与所述数据线电性连接。
8.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接，漏极分别与所述透射电极电性和所述反射电极电性连接。
9.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器，其特征在于，所述透射区的液晶层厚度为所述反射区的液晶层厚度的两倍。
专利摘要本实用新型提供了一种半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器，属于液晶显示技术领域。其中，所述像素结构包括设置在基板上的反射电极和透射电极；设置在所述基板上，用于遮挡光线从所述基板透射至所述反射电极和透射电极之间的不透明的栅线，所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间，且处于所述反射电极和透射电极的下方；以及，设置在所述栅线上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。本实用新型能够减少或消除液晶层交界处的异常光，提升画面显示质量。
文档编号H01L29/786GK202033561SQ20112010225
公开日2011年11月9日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日
发明者孙阳, 张玉婷, 彭宽军 申请人:京东方科技集团股份有限公司