专利名称：一种半导体生产用湿法蚀刻装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及的是半导体湿法蚀刻技术领域，尤其是一种半导体生产用湿法蚀刻装置。
背景技术：
半导体湿法蚀刻技术通常采用强酸性反应液，使硅片在酸性的反应液中进行可控的蚀刻，达到需要的刻蚀深度，对设备材料、反应液浓度及温度要求严格。目前行业采用的反应装置主要为两类。一类是极其简化的操作台，只有反应槽盛放反应液，通过人工拿取花篮在反应槽中进行反应。这种简单刻蚀装置难以进行反应参数的精确控制，尤其是温度和反应时间，容易导致反应过度或不充分的情况，对产品质量影响较大，同时人工生产效率低，导致生产成本增加；另一类是采用精密的工作台设备，集成化高、控制系统先进，可以通过人机界面进行操作。第二类技术对于生产参数的控制精确，生产效率较高，但是由于设备制造成本高会间接导致生产成本的升高，同时设备操作较复杂， 对人员素质要求较高；设备的维护保养同样比较复杂，由于生产环境的原因，会提高设备的故障率和停机率，同样会导致成本的增加。这是现有技术所存在的不足之处。
发明内容本实用新型的目的，就是针对现有技术所存在的不足，而提供一种新型、简单、实用的一种半导体生产用湿法蚀刻装置。本方案是通过如下技术措施来实现的包括有动力系统、制冷系统、操作台、反应槽、花篮，上述花篮上设置吊臂，上述吊臂上设置机械抓取机构。本实用新型采用的上述吊臂是与上述花篮插接在一起。然后把硅片放入花篮，优点是连接牢固、拆装方便。机械抓取机构包括抓手、臂柱、转盘柱、转盘。上述机械抓取机构中的抓手插入上述吊臂的上部，由于抓手在侧面开口，所以很容易插入吊臂上部，而开口处外沿有一凸起，能阻挡吊臂脱落，上述抓手与臂柱的下端固定，上述臂柱的另一端与转盘柱铰接，上述转盘柱与转盘固联，上述转盘与电机输出轴固联。电机旋转带动花篮做垂直方向的圆周往复运动，从而使花篮内硅片与反应槽内的反应液接触充分，同时可以搅动反应液，使反应液保持浓度均勻。本实用新型的进一步改进还有，上述反应槽放置在上述操作台上，并在上述操作台的外面设置采用防酸工程塑料的防护罩，在上述防护罩上部开有矩形操作窗口，在上述矩形操作窗口的上面设置采用透明防酸材料的前挡板，优点是，在操作时既可以看到操作过程又避免溅出液体伤到操作者。上述防护罩顶部设置集气罩，其形状由下至上呈喇叭口收缩，在上述集气罩的顶部设置排气管道。优点是通过简单的外形对挥发的废气进行收集， 并通过相连的排气管道排放到处理装置。本实用新型的进一步改进还有，在上述操作台下方设置储存窗口。反应液的配置物料存放于此，存取方便。本实用新型的进一步改进还有，上述前挡板上面设有上下调节装置。此前挡板采用透明有机玻璃，中央下部有抓手，可以向上提起玻璃板。前挡板的一端开有矩形槽，螺钉通过长方形的槽固定在操作台侧壁上，固定螺钉仅固定前挡板不向外倾倒，并不紧固住玻璃板，可以再滑槽内上下移动。下有插孔，操作时通过下螺钉固定插孔将有机玻璃板固定在一定的高度，方便操作，反应时，将螺钉拔出，放下玻璃板。防止反应液外溅和有害气体挥发。本实用新型的进一步改进还有，在上述反应槽的内壁设置制冷管，上述制冷管采用耐寒、防酸的塑料管，管道均勻分布在反应槽的四壁上，与反应液接触，对反应液体进行均勻的制冷。上述反应槽设置有导出管路。可以方便的在反应液浓度过低时导出，及时更换补充反应液体。本实用新型的进一步改进还有，上述反应槽内设置温度计，温度计采用耐酸材料包裹，可以随时监控反应液的温度，从而调控制冷能力。本实用新型的进一步改进还有，上述防护罩上设置时间继电器，通过预先设置反应时间，到时自动断路进行反应时间的控制，防止反应时间超出规定值，反应完成有报警声提醒。本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，由于在该方案中控制调节以机械式为主，易于操作，不会出现因设备复杂难以操作导致的操作失误。制冷系统可以将反应液温度控制在零下18摄氏度左右，使反应更加缓慢、均勻、可控。本装置的时间继电器与机械臂结合，可以实现反应时间的设定，从而在加挂材料后不必专人看护，反应时间到时即将材料提出液面并报警提示，可以极大的提高生产效率。本实用新型采用的材料易于获取加工，制造成本低。由此可见，本实用新型与现有技术相比，具有实质性特点和进步，其实施的有益效果也是显而易见的。
图1为本实用新型结构示意图。图2为前挡板的上下调整装置示意图。图3为花篮与吊臂安装结构示意图。图4为图3的A-A剖视图。图5为机械抓取机构示意图。图6为图5的左视图。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过一个具体实施方式
，并结合其附图，对本方案进行阐述。通过附图的图1可以看出，本方案提供了一种半导体生产用湿法蚀刻装置，包括有动力系统、制冷系统、操作台21、反应槽13、花篮20，在上述盛放硅片的花篮20上设置吊臂19，上述吊臂19上设置机械抓取机构8。通过附图的图3、图4可以看出，上述吊臂19是与所述花篮20插接在一起。
4[0030]通过附图的图1、图5、图6可以看出，上述机械抓取机构8中的抓手16插入上述吊臂19的上部，上述抓手16与臂柱18的下端固定，所述臂柱18的另一端与转盘柱15铰接，所述转盘柱15与转盘17固联，所述转盘17与电机输出轴固联。通过附图的图1可以看出，所述反应槽13放置在所述操作台上21，并在所述操作台21的外面设置采用防酸工程塑料的防护罩4，在所述防护罩4上部开有矩形操作窗口 9， 在所述矩形操作窗口 9的上面设置采用透明防酸材料的前挡板1，所述防护罩4顶部设置集气罩7，其形状由下至上呈喇叭口收缩，在所述集气罩7的顶部设置排气管道6。在上述操作台21的下方设置储存窗口 5。通过附图的图2可以看出，上述前挡板1上面设有上下调节装置。在上述反应槽13的内壁设置制冷管10，所述制冷管10采用耐寒、防酸的塑料管， 管道均勻分布在反应槽的四壁上。在上述反应槽13侧面下端设置有导出管路。在上述反应槽10内设置温度计2，采用耐酸材料包裹。在上述防护罩4上设置时间继电器3。本实用新型未经描述的技术特征可以通过现有技术实现，在此不再赘述。当然，上述说明并非是对本实用新型的限制，本实用新型也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本实用新型的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种半导体生产用湿法蚀刻装置，包括有动力系统、制冷系统、操作台(21)、反应槽 (13)、花篮(20)，其特征在于在所述花篮(20)上设置吊臂(19)，所述吊臂(19)上设置机械抓取机构(8)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于所述吊臂 (19)是与所述花篮(20)插接在一起。
3.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于所述机械抓取机构(8)中的抓手(16)插入所述吊臂(19)的上部，所述抓手(16)与臂柱(18)的下端固定，所述臂柱(18)的另一端与转盘柱(15)铰接，所述转盘柱(15)与转盘(17)固联，所述转盘(17)与电机输出轴固联。
4.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于所述反应槽 (13)放置在所述操作台(21)上，并在所述操作台(21)的外面设置采用防酸工程塑料的防护罩(4)，在所述防护罩(4)上部开有矩形操作窗口(9)，在所述矩形操作窗口(9)的上面设置采用透明防酸材料的前挡板(1)，所述防护罩(4)顶部设置集气罩(7)，其形状由下至上呈喇叭口收缩，在所述集气罩(7 )的顶部设置排气管道(6 )。
5.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于在所述操作台(21)的下方设置储存窗口(5)。
6.根据权利要求4所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于所述前挡板 (1)上面设有上下调节装置。
7.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于在所述反应槽(13)的内壁设置制冷管(10)，所述制冷管(10)采用耐寒、防酸的材料，且均勻分布在所述反应槽(13)的内壁上。
8.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于所述反应槽 (13)设置有导出管路。
9.根据权利要求1所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于在所述反应槽(13)内设置采用耐酸材料包裹的温度计(2)。
10.根据权利要求4所述的一种半导体生产用湿法蚀刻装置，其特征在于在所述防护罩(4)上设置时间继电器(3)。
专利摘要本实用新型涉及的是半导体湿法蚀刻技术领域，尤其是一种半导体生产用湿法蚀刻装置。包括有动力系统、制冷系统、操作台(21)、反应槽(13)、盛放硅片的花篮(20)，其特征在于在花篮(20)上设置吊臂(19)，所述吊臂(19)上设置机械抓取机构(8)。由于在该方案中控制调节以机械式为主，易于操作。制冷系统可以控制反应液温度，使反应更加缓慢、均匀、可控。时间继电器与机械臂结合，可以实现反应时间的设定，从而在加挂材料后不必专人看护。反应时间到时即将材料提出液面并报警提示，可以极大的提高生产效率。
文档编号H01L21/306GK201985081SQ201120041290
公开日2011年9月21日 申请日期2011年2月18日 优先权日2011年2月18日
发明者吕明, 李秉永, 郭城, 魏继昊 申请人:山东科芯电子有限公司