专利名称：高电压硅整流二极管的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种高电压硅整流二极管，尤其是涉及一种设置有焊片和引线装置的高电压硅整流二极管。
背景技术：
现有的二极管一般包括有晶粒，即通常所说的PN结，晶粒被封装在塑料内，然后晶粒的左右两端通常两条引线引出，同时所采用的原料中铅等金属元素较多。实用新型发明人在使用中发现现有技术至少存在下述问题一、现有晶粒的制作过程由于材料所限， 二极管的击穿电压一半较低；二，所采用的材料不够环保，超过我国和欧盟等地区的环保标准，大量使用对环境造成较大破坏。有鉴于此，本实用新型发明人乃积极开发研究，并为改进上述产品的不足，经过长久努力研究与实验，终于开发设计出本实用新型的高电压硅整流二极管。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种高电压硅整流二极管，能够解决现有技术中二极管耐压值较低、容易受到污染及不够环保的问题。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种高电压硅整流二极管，包括晶粒和环氧模塑料，所述晶粒的PN结沉积较厚，所述晶粒的外侧设置有引线装置，所述晶粒与引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒和引线装置的一端包覆在内。优选地，所述引线装置为一干字结构，包括一连接层、一防护层和一引线，所述连接层与所述焊片相接，所述引线的一端连接至连接层中央，所述防护层中央与所述引线连接。优选地，所述晶粒和所述连接层相连侧的表面积相等。优选地，所述高电压硅整流二极管为环保材料制作。采用本实用新型的技术方案后，由于在所述晶粒的PN结沉积较厚，晶粒的两侧设置有引线装置，引线装置设置为干字结构，包括有连接层和防护层，因此该二极管能够承受较高的反向电压，防护层能够使得对引线加工时不会污染晶粒，使得本实用新型二极管的连接强度和工作稳定性得到提高，同时采用环保材料制作，更能保护环境。
图1是本实用新型实施例的结构示意图。图2是本实用新型实施例分解结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施方式对本实用新型作进一步详细说明。请参阅图1和图2，为本实用新型一种具体实施方式
，一种高电压硅整流二极管， 包括晶粒1和环氧模塑料4，所述晶粒1的PN结沉积较厚，能够承受反向电压较高，本实用新型产品能够承受反向电压为5000伏特，所述晶粒的外侧设置有引线装置，所述晶粒1和引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料4将所述晶粒1和引线装置的一端包覆在内。这样，引线装置的设置可使得本实用新型的连接更为可靠。[0018]采用本实用新型的技术方案后，由于PN结的设置较厚，并且外表采用阻介系数较高的环氧模塑料封装，因此，本实用新型产品最高能承受5000伏特电压，最大平均正向整流电流为200毫安，单一正向峰值浪涌电流可达30A，并具有低正向压降、高电流容量、引线可焊性及高稳定性等特点，同时可在二极管本体上标明极性，适用于在需要的任何位置安装。作为优选方式，所述引线装置为一干字结构，包括一连接层2、一防护层3和一引线5，所述连接层2与晶粒1相接，所述引线5的一端连接至连接层2中央，所述防护层3中央与所述引线5连接并与所述连接层2隔有适当距离。如此，当所所述引线装置与所述晶粒1焊接在一起，同时所述晶粒1和所述连接层2相连侧的表面积相等，这样大幅提高了晶粒1与引线装置的连接面积，使得连接稳固性大幅提高。在二极管的制作工艺中，对引线的处理中存在电镀锡这样一个步骤，在该步骤中引线5放入电镀槽中滚动时，由于防护层3的存在，使得电镀液不至于粘附在晶粒1上，从而确保了产品的质量。同时，所述高电压硅整流二极管为环保材料制作，二极管的组成材料晶粒1、引线装置等均采用符合中国“电子信息产品污染控制管理办法”的有关规定，同时也符合欧盟环保法规标准，产品中五氧化砷等15种高关注物质含量均低于0. 的标准，能够节省资源、 减少对环境的污染。同时，采用本实用新型的技术方案后，本实用新型产品反向击穿电压大于等于 5000V，反向漏电流小于5微安，额定整流电流为0. 2A，正向电压降小于5伏，产品性能符合设计要求和国家标准。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
权利要求1.一种高电压硅整流二极管，包括晶粒和环氧模塑料，其特征在于所述晶粒的PN结沉积较厚，所述晶粒的外侧设置有引线装置，所述晶粒与引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒和引线装置的一端包覆在内。
2.根据权利要求1所述的高电压硅整流二极管，其特征在于所述引线装置为一干字结构，包括一连接层、一防护层和一引线，所述连接层与所述焊片相接，所述引线的一端连接至连接层中央，所述防护层中央与所述引线连接。
3.根据权利要求1所述的高电压硅整流二极管，其特征在于所述晶粒和所述连接层相连侧的表面积相等。
4.根据权利要求1至3任一所述的高电压硅整流二极管，其特征在于所述高电压硅整流二极管为环保材料制作。
专利摘要本实用新型公开了一种高电压硅整流二极管，包括晶粒和环氧模塑料，所述晶粒的PN结沉积较厚，所述晶粒的外侧设置有引线装置，所述晶粒与引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒和引线装置的一端包覆在内。本实用新型产品可广泛适用于各种需要使用高电压硅整流二极管的场合。
文档编号H01L29/417GK202084549SQ20112000840
公开日2011年12月21日 申请日期2011年1月12日 优先权日2011年1月12日
发明者张春培 申请人:连云港金堂福半导体器件有限公司