专利名称：波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法
技术领域：
本发明涉及一种电抽运随机激射器件，具体为一种基于硅衬底上Au/SiA/CdZnO MIS结构的波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法。
背景技术：
由于光电技术的发展，对紫外、可见区激光器件以及其他短波长光电器件的需求， 使得SiO的随机激光研究受到了越来越多的关注。作为ZnO体系中的重要一员，CdZnO薄膜通过调节Cd的含量，可以有效地将CdZnO薄膜的发光波长调节至可见光区。(J. A. Van Vechten and Τ. K. Bergstresser, Phys. Rev. B. 1,3351 (1970))。如果能够利用 CdZnO 薄膜实现在可见区的随机激射发光，无疑具有积极的现实意义。目前对于CdZnO薄膜的随机激射的研究主要集中在光抽运随机激射上，对于电抽运随机激射的报道还很少。其主要瓶颈在于，一方面CdO在CdO-ZnO合金系统中的固溶度很低(在热平衡状态下大约只有2mol % )，所以很难利用简单的设备制备出高Cd含量的 CdZnO薄膜。另一方面Cd较低的熔沸点又使得制备基于高Cd浓度掺杂的CdZnO薄膜电致发光器件变得十分困难。2007年马向阳等人利用金属-绝缘层-半导体(MIS)结构，成功实现了 ZnO薄膜的电抽运随机激身寸(Xiangyang Ma, Peiliang Chen, DongshengLi, Yuanyuan Zhang, and Deren Yang, Appl. Phys. Lett. 90, 231106 (2007))
发明者杨德仁, 田野, 马向阳 申请人:浙江大学