专利名称：Sonos存储器的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种SONOS存储器。
背景技术：
现有SONOS存储器包括数据储存的主区域、备份区域以及外围电路。其中主区域的存储单元由SONOS晶体管组成；并且SONOS晶体管的尺寸满足使SONOS(硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅)晶体管的数据保存特性大于10年，由于数据保存时间长，SONOS晶体管擦写时间必须足够长如2毫秒。备份区域用于临时存储数据，要求工作速度要快，现有器件的备份区域的存储单元采用静态随机存储器(Static Random AccessMemory, SRAM)，备份区域采用SRAM能保证备份区域具有较快的工作速度。但是SRAM在掉电后会使保存的数据丢失，给用户带来不便。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种SONOS存储器，能提高器件的性能，能使器件的备份区域的数据在掉电后不会丢失。为解决上述技术问题，本发明提供的SONOS存储器包括数据储存的主区域和备份区域。所述主区域的存储单元由一个第一 SONOS晶体管组成。所述备份区域的存储单元由两个第二 SONOS晶体管组成，两个所述第二 SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构；所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二 SONOS晶体管的源极连接在一起，一个所述第二 SONOS晶体管的栅极接一个字线、另一个所述第二SONOS晶体管的栅极接另一个的字线，一个所述第二 SONOS晶体管的漏极接一个位线、另一个所述第二 SONOS晶体管的漏极接另一个的位线。所述第二 SONOS晶体管的沟道长度大于所述第一 SONOS晶体管的沟道长度，所述第二 SONOS晶体管的沟道宽度大于所述第一 SONOS晶体管的沟道宽度。进一步的改进是，所述第一 SONOS晶体管的尺寸采用最小设计规则，该最小设计规则的尺寸范围为所述第一 SONOS晶体管的沟道长度小于I微米、沟道宽度小于I微米。进一步的改进是，所述第二 SONOS晶体管的尺寸范围为:沟道宽度大于O微米小于等于10微米、沟道长度大于O微米小于等于2微米。本发明器件的备份区域也是采用SONOS晶体管作为存储单元，通过将备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加，能够提高整个备份区域的工作速度，并使备份区域的工作速度大于主区域的工作速度，满足备份区域的快速工作的要求。同时本发明的备份区域采用SONOS晶体管后，尽管备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加了，但是备份区域的SONOS晶体管仍然具有几小时 几天的数据保存能力，故能使的备份区域的存储的数据在掉电后不会丢失，从而能给用户带来很大的方便。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明:图1是本发明实施例SONOS存储器的版图示意图；图2是本发明实施例SONOS存储器的主区域的存储单元的版图示意图；图3是本发明实施例SONOS存储器的备份区域的存储单元的版图示意图；图4是本发明实施例SONOS存储器的备份区域的存储单元的示意图；图5是SONOS晶体管的擦除电流和擦除时间的关系曲线。
具体实施例方式如图1所示，是本发明实施例SONOS存储器的版图示意图。本发明实施例SONOS存储器包括数据储存的主区域I和备份区域2以及外围区域3。如图2所示，是本发明实施例SONOS存储器的主区域I的存储单元的版图示意图。所述主区域I的存储单元由一个第一 SONOS晶体管组成。所述第一 SONOS晶体管包括栅极
11、源区12和漏区13，所述栅极11、所述源区12和所述漏区13都分别通过金属接触14引出。所述栅极11和字线WL连接，所述源区12接源线SL，所述漏区13接位线BL。所述第
一SONOS晶体管的沟道区域的尺寸包括沟道长度Lengthl和沟道宽度Widthl。所述第一SONOS晶体管的沟道区域的尺寸设计采用最小设计规则，本发明实施例中所述第一 SONOS晶体管沟道宽度/沟道长度为0.32微米/0.17微米。所述第一 SONOS晶体管的擦写时间要足够长如2毫秒并满足使所述第一 SONOS晶体管的数据保存特性大于10年。如图3和4所示，分别是本发明实施例SONOS存储器的备份区域2的存储单元的版图示意图和示意图。所述备份区域2的存储单元由两个第二 SONOS晶体管组成，两个所述第二 SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构。两个所述第二 SONOS晶体管的结构一样，都包括栅极21、源区22和漏区23，所述栅极21、源区22和漏区23都分别通过金属接触24引出。金属接触24和金属连线25连接实现器件的互连。所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二 SONOS晶体管的源极22连接在一起，一个所述第二 SONOS晶体管的栅极21接一个字线WLl、另一个所述第二 SONOS晶体管的21栅极接另一个的字线WL2，一个所述第二 SONOS晶体管的漏极23接一个位线BL1、另一个所述第
二SONOS晶体管的漏极23接另一个的位线BL2。所述第二 SONOS晶体管的沟道长度Length2大于所述第一 SONOS晶体管的沟道长度Lengthl，所述第二 SONOS晶体管的沟道宽度Width2大于所述第一 SONOS晶体管的沟道宽度Widthl。且所述第二 SONOS晶体管的尺寸范围为:沟道宽度大于O微米小于等于10微米、沟道长度大于O微米小于等于2微米。所述第二 SONOS晶体管的尺寸增加后能使所述第二 SONOS晶体管的擦写时间小于所述第一 SONOS晶体管的擦写时间，这样才能提高器件的工作速度。如图4所示，是SONOS晶体管的擦除电流和擦除时间的关系曲线，可知，当器件的擦写时间变小时，得到的擦除电流越小，这样为了使SONOS晶体管的在缩短擦除时间的情况下要读到足够的电流就必须把SONOS晶体管的沟道宽度增加。所以本发明实例中所述第二 SONOS晶体管的沟道宽度要比第一 SONOS晶体管的沟道宽度大。本发明的一个较佳实施例为，所述第二 SONOS晶体管的沟道宽度/沟道长度为I微米/0.5微米，这样，能保证使备份区域在更短的擦写时间如0.5毫秒内得到跟主区域相同的电流。同时擦写时间变短后，晶体管的数据保存时间会变短，作为备份区域，本发明实施例中的所述第二 SONOS晶体管的擦写时间只要满足使所述第二 SONOS晶体管的数据保存特性为几小时 几天即可。同时，本发明实施例SONOS存储器的备份区域2的存储单元共有四种存储状态，分别为11、10,OUOOo以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种SONOS存储器，其特征在于，包括数据储存的主区域和备份区域； 所述主区域的存储单元由一个第一 SONOS晶体管组成； 所述备份区域的存储单元由两个第二 SONOS晶体管组成，两个所述第二 SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构；所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二 SONOS晶体管的源极连接在一起，一个所述第二 SONOS晶体管的栅极接一个字线、另一个所述第二 SONOS晶体管的栅极接另一个的字线，一个所述第二 SONOS晶体管的漏极接一个位线、另一个所述第二 SONOS晶体管的漏极接另一个的位线； 所述第二 SONOS晶体管的沟道长度大于所述第一 SONOS晶体管的沟道长度，所述第二SONOS晶体管的沟道宽度大于所述第一 SONOS晶体管的沟道宽度。
2.如权利要求1所述SONOS存储器，其特征在于:所述第一SONOS晶体管的尺寸采用最小设计规则，该最小设计规则的尺寸范围为所述第一 SONOS晶体管的沟道长度小于I微米、沟道宽度小于I微米。
3.如权利要求1所述SONOS存储器，其特征在于:所述第二SONOS晶体管的尺寸范围为:沟道宽度大于O微米小于等于10微米、沟道长度大于O微米小于等于2微米。
全文摘要
本发明公开了一种SONOS存储器，包括数据储存的主区域和备份区域。本发明器件的备份区域也是采用SONOS晶体管作为存储单元，通过将备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加，能够提高整个备份区域的工作速度，并使备份区域的工作速度大于主区域的工作速度，满足备份区域的快速工作的要求。同时本发明的备份区域采用SONOS晶体管后，尽管备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加了，但是备份区域的SONOS晶体管仍然具有几小时～几天的数据保存能力，故能使的备份区域的存储的数据在掉电后不会丢失，从而能给用户带来很大的方便。
文档编号H01L29/792GK103178063SQ201110435798
公开日2013年6月26日 申请日期2011年12月22日 优先权日2011年12月22日
发明者陈广龙, 谭颖 申请人:上海华虹Nec电子有限公司