专利名称：蜂窝状硅片的制造工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种硅片制造领域，特别是涉及蜂窝状硅片的制造工艺。
背景技术：
目前，电器行业朝着高集成、高电压、大功率的方向发展。由于市场上对六角形硅片这一原料供小于求，使得六角形硅片的商业价格一直较高。而现有六角形硅片的制造方法，是通过对经过合金化处理的扩散片，实施划片(如附图
3所示)之后才能制得产品，由于划片的技术限制，无论传统刀片及激光划片均只能直线运行，造成了在切割时硅片的大量浪费。现有制造方法存在下述缺点①由于需要通过划片才能制得六角形硅片，因而制造步骤复杂、且易损伤硅片；②由于划片后制得六角形硅片的外围产生了若干个三角形区域， 使得硅片的利用率低下；不仅生产成本高，而且造成硅片资源的浪费。说明书内容针对现有技术的不足，本发明提供二极管用玻璃钝化工艺。为实现上述目的，本发明采用如下技术方案实现蜂窝状硅片的制造工艺，由如下步骤组成(1)将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象，将其放在勻胶台的吸盘上，调整位置后均勻的滴上光刻胶，进行勻胶；待上胶后的扩散片风干后，放入烘箱内，控制温度在 110°C范围内，烘焙25 30分钟；(2)保持在步骤⑴中得到的扩散片与边缘之间的距离在0.5 1.0mm范围内，控制光刻时间在40 80秒范围内，将扩散片进行双面光刻；(3)将步骤O)中得到的扩散片放入显影液中，控制清滤时间在2 4分钟范围内，将扩散片进行第一次清滤；再将经第一次清滤的扩散片，控制清滤时间在1 2分钟范围内，将扩散片进行第二次清滤；(4)将步骤(3)中经两次清滤的扩散片放入烘箱内，控制温度在135 140°C范围内，烘焙25 30分钟进行坚膜处理；(5)将步骤中经坚膜处理的扩散片冷却后，放入腐蚀液内，控制酸腐蚀时间在 5 14分钟范围内，进行酸腐蚀；(6)将步骤(5)中经酸腐蚀的扩散片装有去离子水的水槽内清洗8 10分钟；(7)将步骤(6)中经清洗的扩散片进行剥离，即得到所需的蜂窝状硅片。所述的步骤(3)中第一次清滤所用的显影液选用苏州瑞红RFX-2277型号的显影液。所述的步骤(3)中第二次清滤所用的漂洗液选用苏州瑞红RFP-2202型号的漂洗液。所述的步骤(5)中腐蚀液选用硝酸氢氟酸冰乙酸5 1 4 1 3容积比的混合液。本发明的技术方案中扩散片进行清洗，保证其表面洁净度，充分清洁之后在扩散片的两面均勻的涂抹光刻胶，之后对光刻胶进行固化，使其不会流动及被碰伤，为了防止众多的六角形硅片不易散架，具有六角形蜂窝状图纹区的边缘，因此控制扩散片的边缘之间的距离保持在0. 5 1. Omm范围内，同时使用双面光刻，避免了单面光刻存在的弊端。因为， 在酸腐时只能进行单面酸蚀，印记处无法完全被酸液侵蚀，酸腐后留得的留底会非常厚，力口到了裂片时的难度，且容易出现裂片时扩散片不规则崩裂的情况，严重影响产品良率及出率，双面光刻后的双面酸腐可以很好的解决这个问题，因此本发明的技术方案采用双面光刻替代单面腐蚀；本发明的有益效果在于本发明采用双面同步光刻，因而扩散片的上下表面直接得到相互重合的六角形的光刻图形，经过酸腐蚀和清洗后，可直接通过人工剥离得到六角形硅片，即不需划片就可得到产品。本发明提供的制造工艺所生产的成品具有成型正确，不易损伤硅片以及原料硅片的利用率高，生产成本低等特点。
具体实施例方式下面通过具体实施例，对本发明做详细的描述。实施例1蜂窝状硅片的制造工艺，由如下步骤组成(1)将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象，将其放在勻胶台的吸盘上，调整位置后均勻的滴上光刻胶，进行勻胶；待上胶后的扩散片风干后，放入烘箱内，控制温度在 110°C范围内，烘焙25分钟；(2)保持在步骤⑴中得到的扩散片与边缘之间的距离在0. 5mm范围内，控制光刻时间在40秒范围内，将扩散片进行双面光刻；(3)将步骤O)中得到的扩散片放入苏州瑞红RFX-2277型号的显影液中，控制清滤时间在2分钟范围内，将扩散片进行第一次清滤；再将经第一次清滤的扩散片放入苏州瑞红RFP-2202型号的漂洗液中，控制清滤时间在1分钟范围内，将扩散片进行第二次清滤；(4)将步骤(3)中经两次清滤的扩散片放入烘箱内，控制温度在135°C范围内，烘焙25分钟进行坚膜处理；(5)将步骤(4)中经坚膜处理的扩散片冷却后，放入腐蚀液内，控制酸腐蚀时间在 5分钟范围内，进行酸腐蚀，所述的腐蚀液选用硝酸氢氟酸冰乙酸5 1 1容积比的混合液。(6)将步骤(5)中经酸腐蚀的扩散片装有去离子水的水槽内清洗8分钟；(7)将步骤(6)中经清洗的扩散片进行剥离，即得到所需的蜂窝状硅片。实施例2蜂窝状硅片的制造工艺，由如下步骤组成(1)将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象，将其放在勻胶台的吸盘上，调整位置后均勻的滴上光刻胶，进行勻胶；待上胶后的扩散片风干后，放入烘箱内，控制温度在 110°C范围内，烘焙30分钟；(2)保持在步骤(1)中得到的扩散片与边缘之间的距离在Imm范围内，控制光刻时间在80秒范围内，将扩散片进行双面光刻；
(3)将步骤O)中得到的扩散片放入苏州瑞红RFX-2277型号的显影液中，控制清滤时间在4分钟范围内，将扩散片进行第一次清滤；再将经第一次清滤的扩散片放入苏州瑞红RFP-2202型号的漂洗液中，控制清滤时间在2分钟范围内，将扩散片进行第二次清滤；
(4)将步骤(3)中经两次清滤的扩散片放入烘箱内，控制温度在140°C范围内，烘焙30分钟进行坚膜处理；
(5)将步骤(4)中经坚膜处理的扩散片冷却后，放入腐蚀液内，控制酸腐蚀时间在 5分钟范围内，进行酸腐蚀，所述的腐蚀液选用硝酸氢氟酸冰乙酸5 4 3容积比的混合液。
(6)将步骤(5)中经酸腐蚀的扩散片装有去离子水的水槽内清洗10分钟；
(7)将步骤(6)中经清洗的扩散片进行剥离，即得到所需的蜂窝状硅片。
实施例3
蜂窝状硅片的制造工艺，由如下步骤组成
(1)将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象，将其放在勻胶台的吸盘上，调整位置后均勻的滴上光刻胶，进行勻胶；待上胶后的扩散片风干后，放入烘箱内，控制温度在 110°C范围内，烘焙观分钟；
(2)保持在步骤⑴中得到的扩散片与边缘之间的距离在0. 8mm范围内，控制光刻时间在80秒范围内，将扩散片进行双面光刻；
(3)将步骤O)中得到的扩散片放入苏州瑞红RFX-2277型号的显影液中，控制清滤时间在3分钟范围内，将扩散片进行第一次清滤；再将经第一次清滤的扩散片放入苏州瑞红RFP-2202型号的漂洗液中，控制清滤时间在2分钟范围内，将扩散片进行第二次清滤；
(4)将步骤(3)中经两次清滤的扩散片放入烘箱内，控制温度在136°C范围内，烘焙观分钟进行坚膜处理；
(5)将步骤(4)中经坚膜处理的扩散片冷却后，放入腐蚀液内，控制酸腐蚀时间在 5分钟范围内，进行酸腐蚀，所述的腐蚀液选用硝酸氢氟酸冰乙酸5 3 2容积比的混合液。
(6)将步骤(5)中经酸腐蚀的扩散片装有去离子水的水槽内清洗10分钟；
(7)将步骤(6)中经清洗的扩散片进行剥离，即得到所需的蜂窝状硅片。
权利要求
1.蜂窝状硅片的制造工艺，其特征在于，由如下步骤组成(1)将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象，将其放在勻胶台的吸盘上，调整位置后均勻的滴上光刻胶，进行勻胶；待上胶后的扩散片风干后，放入烘箱内，控制温度在110°c范围内，烘焙W 30分钟；(2)保持在步骤⑴中得到的扩散片与边缘之间的距离在0.5 1.0mm范围内，控制光刻时间在40 80秒范围内，将扩散片进行双面光刻；(3)将步骤O)中得到的扩散片放入显影液中，控制清滤时间在2 4分钟范围内，将扩散片进行第一次清滤；再将经第一次清滤的扩散片放入漂洗液，控制清滤时间在1 2分钟范围内，将扩散片进行第二次清滤；(4)将步骤(3)中经两次清滤的扩散片放入烘箱内，控制温度在135 140°C范围内， 烘焙25 30分钟进行坚膜处理；(5)将步骤(4)中经坚膜处理的扩散片冷却后，放入腐蚀液内，控制酸腐蚀时间在5 14分钟范围内，进行酸腐蚀；(6)将步骤(5)中经酸腐蚀的扩散片装有去离子水的水槽内清洗8 10分钟；(7)将步骤(6)中经清洗的扩散片进行剥离，即得到所需的蜂窝状硅片。
2.根据权利要求1所述的蜂窝状硅片的制造工艺，其特征在于所述的步骤(3)中第一次清滤所用的显影液选用苏州瑞红RFX-2277型号的显影液。
3.根据权利要求1所述的蜂窝状硅片的制造工艺，其特征在于所述的步骤(3)中第二次清滤所用的漂洗液选用苏州瑞红RFP-2202型号的漂洗液。
4.根据权利要求1所述的蜂窝状硅片的制造工艺，其特征在于所述的步骤(5)中腐蚀液选用硝酸氢氟酸冰乙酸5 1 4 1 3容积比的混合液。
全文摘要
本发明公开了一种蜂窝状硅片的制造工艺，将清洗和烘干后的扩散片作为加工对象进行匀胶，待上胶后经烘焙后，将扩散片进行双面光刻，将双面光刻得到的扩散片分别放入显影液和漂洗液中进行清滤，清滤后的扩散片进行坚膜处理，再放入腐蚀液内，进行酸腐蚀，经酸腐蚀的扩散片清洗、剥离，即得到所需的蜂窝状硅片，本发明提供的制造工艺所生产的成品具有成型正确，不易损伤硅片以及原料硅片的利用率高，生产成本低等特点。
文档编号H01L21/02GK102543677SQ201110430209
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月21日 优先权日2011年12月21日
发明者郭宁 申请人:常州星海电子有限公司, 常州星海科技有限公司