专利名称：不合格多晶扩散方块电阻的返工方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及不合格多晶扩散方块电阻的返工方法。
背景技术：
在太阳能电池制作过程中，扩散方块是非常重要的一个参量，方块，即方块电阻。考虑一块长为1、宽为a、厚为t的薄层，如果该薄层材料的电阻率为P，则该整个薄层的电
阻为
权利要求
1.一种不合格多晶扩散方块电阻的返工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: (1)配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液，所述硫酸的用量为50 100L，所述硫酸的浓度为质量分数为98%的工业浓硫酸，所述硝酸和氢氟酸的用量为300L，所述硝酸的浓度为300 550g/L,所述氢氟酸的浓度为20 60g/L ； (2)将所述刻蚀液盛入温度为5 20°C的槽体； (3)将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀，所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为0.8 2m/min。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀包括: 将所述不合格多晶扩散方块电阻正面朝下置入所述刻蚀液进行背腐蚀。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀包括: 将所述不合格多晶扩散方块电阻正面朝上置入所述刻蚀液进行背腐蚀。
4.如权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，配置所述刻蚀液时所述硫酸的用量为80L。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，配置所述刻蚀液时所述硝酸的浓度为400g/L，所述氢氟酸的浓度为30g/L。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将所述刻蚀液盛入温度为5 20°C的槽体具体为:将所述刻蚀液盛入温度为8°C的槽体。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述进行背腐蚀时所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为1.3m/min。
8.如权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，配置所述刻蚀液时所述硫酸的用量为80L,所述硝酸的浓度为400g/L,所述氢氟酸的浓度为30g/L ； 所述将所述刻蚀液盛入温度为5 20°C的槽体具体为:将所述刻蚀液盛入温度为8°C的槽体； 所述进行背腐蚀时所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为1.3m/min0
全文摘要
本发明实施例提供一种不合格多晶扩散方块电阻的返工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤(1)配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液；(2)将所述刻蚀液盛入温度为5～20℃的槽体；(3)将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀，所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为0.8～2m/min。本发明实施例提供的方法可以有效地去除不合格多晶扩散方块电阻正面或背面扩散上的磷，使得在返工时不合格多晶扩散方块电阻具有一个干净的扩散面，后续重新进行扩散时方块的均匀度较高。
文档编号H01L31/18GK103117325SQ20111036584
公开日2013年5月22日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日
发明者孙林 申请人:浚鑫科技股份有限公司