电子束写入系统以及电子束写入的方法

专利名称：电子束写入系统以及电子束写入的方法
技术领域：
本发明主要涉及半导体エ艺，特别涉及使用电子束写入介质的技木。
背景技术：
电子束(electron-beam或e-beam)写入是涉及ー种使用电子束使介质产生改变的エ艺方法。更明确来说，在一些エ艺方法中，使用电子束将所设计的图案写入介质中。举例来说，使用电子束写入的介质包括半导体晶片和光掩模(photomasks),例如熔融娃石和铬光掩模。电子束写入的エ艺方式提供了一种降低使用一般光学技术在解晰上的限制的方法。在一些常见的系统中使用单ー电子束将所设计的图案写入光掩模中。在一常见的 系统中，为了降低电子束衔接效应(beam-stitching-effect),使用单ー电子束产生的多重曝光用以施加设计所需的剂量(dosage)至介质中。剂量是有关于使用电子束在一设定的点或区域曝光的数量，例如，利用电子束电流乘上在ー设定区域的曝光时间来计算剂量。假设电子束一直保持在一固定的电流，剂量将会随着电子束通过ー设定区域曝光的次数而增カロ。此外，传统上来说，产能和根据特定通过数量的电子束所施加的剂量成反比。单ー电子束曝光的エ艺方法在一些应用上速度过慢，因此，在一些应用上因而发展出使用大量电子束的技术来改善此问题。常见的大量电子束曝光技术是使用一具有多孔径的来源来产生平行的电子束，其中每一平行电子束可个别地用以控制相关的配置、尺寸、剂量以及晕圈(blur)。此外，每ー电子束可个别地调整。在ー常见的技术中，所设定的平行电子束用以同时写入介质的平行书写带中。电子束通过偏移来产生在X方向的移动，且通过扫描介质的移动来产生在I方向的移动。根据上述的移动方向可产生ー锯齿状的移动轨迹，再根据此移动轨迹来施加设计所需的剂量，和产生平行的书写帯。然而，一个问题伴随着常见的大量电子束曝光技术而产生，且没有方法可完全改善此问题，此问题是电子束和电子束间的差异所造成的书写带中的一个或多个和其它书写带彼此不相同，且/或书写带在设定的剂量下脱离。精确地校准全部的电子束是困难的，所以在ー些常用的技术中通过根据相邻电子束间的写入区域的重叠，来解决电子束和电子束的差异所产生的问题。重叠的写入区域可视为线步(stitch)，且当不考虑部分书写带吋，线步可用以平均相邻电子束间电子束和电子束间的差异。大量电子束曝光技术可使用高斯电子束(Gaussian beams)或图案电子束(patterned beams),其中高斯电子束的姆ー电子束为ー单ー电子束,且其中图案电子束姆一电子束包括非个别控制而是分配在一阵列中的子电子束所产生的集合。上述常用的电子束エ艺技术都存在着一些缺点。举例来说，如同上述，使用具有多重曝光的单ー电子束会有速度过慢的问题，也就是说，对于一些应用上其无法达到足够的产能。此外，ー些常用的大量电子束エ艺技术使用线步的方法，也因为用以写入重叠的区域的时间的影响，同样具有产能上的问题。因此，在半导体エ艺时需要更有效率和有效的电子束写入技术。

发明内容
为了克服现有技术的缺陷，本发明ー实施例提供一种电子束写入方法，包括配置一介质在ー电子束写入装置中，以使得上述介质通过一平台的协助，且曝光于ー电子束源之下；以及通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束，写入ー图形至上述介质中，其中上述图形包括多个书写带，以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每ー平行的上述书写帯。本发明ー实施例提供一种电子束写入系统，包括一平台，其中一介质配置在上述平台上方；一写入装置，用以写入配置在上述平台上方的上述介质，上述写入装置包括一电子束源用以产生N个独立控制电子束，其中N个为一大于I的整数；以及ー电脑控制系统，可用以写入一图形至上述介质上的平行的多个书写带，其中每ー上述书写带通过使用上述N个独立控制电子束中的多个电子束来写入。

本发明ー实施例提供一种电子束写入方法，包括配置一电子束源，通过使用N个独立控制电子束以写入在一介质上的多个书写带中；通过使用多个上述N个独立控制电子束中的多个电子束写入每ー上述书写带中，且通过使用上述N个独立控制电子束组成的一单一子集合写入每ー上述书写带中，用以平均个别上述独立控制电子束间的偏移。不同的实施例在此技术上都有其优点。举例来说，在不同实施例中，使用多个电子束写入每ー书写带，因此具有可平均电子束和电子束间的差异的优点，而不用使用线步。由上述实施例所述的内容可得知，此方法并不可完全消除电子束和电子束间的差异。然而，使用多个电子束写入每ー书写带来减轻电子束和电子束间的差异的影响，在许多应用中已可达到足够的改善。此外，如上所述，在一些实施例中，可调整參数(例如电子束电流和写入速度)以使得产能不会有不理想的結果。此外，在一些实施例中，通过施用上述多重写入的技术，来完成灰阶写入的动作。


附图简单说明图I是显示根据本发明的实施例所述的网络系统100的简化图。图2是显示根据本发明的实施例所述的电脑系统200的简化区块图。图3是显示根据本发明的实施例所述的电子束写入的流程图300。图4是显示根据本发明的实施例所述的一具有书写带401的介质400的示意图。图5是显不在电子束写入时根据本发明ー实施例所述的介质500的不意图。图6是显示根据本发明一实施例所述的电子束配置600示意图。图7是显示用以强调电子束配置600中通过每一子电子束所涵盖的个别像数示意图。图8是显示根据本发明一实施例在上述图6和图7所示的X方向的像素投影示意图。图9是显示根据本发明一实施例所述的使用超过ー像素宽度的电子束和电子束间的偏移所产生的X方向投影的示意图。
图10是显示根据本发明实施例所述的子电子束所组成的7x7阵列1000示意图。主要附图标记说明100 网络系统；102 网络；110、111、112 服务器;120 用户端；130 硬件；131 写入装置； 132 平台；200 电脑系统；202 处理器；204、212 总线；206 内存控制器；208 内存；210 输入/输出桥接器；214 调制解调器/网络连接器；216 硬盘；218 鼠标/键盘；400、500 介质；401a-f、501a_d 书写带；403,404,405,503,504,505 区域；402、502、711_714 圆点；410、510 线段；600 电子束配置；610、620、630、640 电子束；611、621、631、641 子电子束；1000 阵列。
具体实施例方式本发明所公开的实施例是有关于半导体エ艺的技木，特别是有关于使用电子束写入的系统和方法。虽然在实施例中所讨论是施用在光掩模和半导体晶片的エ艺技术，然而，对于任何本领域普通技术人员，在阅读完说明书内容后可了解，本发明所公开的实施例可适用于任何系统，通过此エ艺技木，用以写入适当的介质中。本发明所公开的内容提供了许多不同的实施例或范例，应用在不同实施例中的不同技术特征，将在读完本说明书后可了解。具体的实施例的内容和作法将在下面描述，以简化本发明的公开。当然，这些实施例并非用以限制本发明。此外，在不同实施例中，本发明可能会重复使用相同的附图标记和/或文字。使用这些索引标号和/或文字的目的是为了简化和阐明本发明，但并非用以表示在不同实施例和/或所公开的结构必须具有相同的特征。
图I是显示根据本发明的实施例所述的网络系统100的简化图。网络系统100包括，ー网络102用以提供耦接至网络系统100的不同设备和电脑之间的通信。网络102可用以当作不同的网络型态，像是互联网(internet)、内部网络(intranet)、局域网络(localarea network, LAN)、广域网络(wide area network, WAN),或其它用以提供不同设备和网络之间电性连接的网络架构。网络102可包括一或多种不同的连线方式，像是有线、无线、光纤、人造卫星，或其它通信介质。在一实施例中，不同服务器110-112电性连接至网络102。此外，一用户端120也电性连接至网络102。服务器110-112为超文件传输协议(hypertext transfer protocol,HTTP)服务器、文件传输协议(file transfer protocol,FTP)服务器、应用服务器，或其它用以提供数据来源，像是网页或其它内容，至与其电性连接的用户端120。用户端120电性连接至电子束写入硬件130，电子束写入硬件130用以从用户端120接收文件，且根据所接收文件的数据，将数据写入一物理介质中。文件中的数据包括通过配置描述语言，像是⑶S-II或0ASIS，来储存或传输的配置方式。在此实施例中，电子束写入硬件130包括写入装置131和平台132，写入装置131包括一电子束来源，且可操作用 以同时产生多个电子束，平台132则用以支援传输介质。在一写入过程中，写入装置131和平台132两者或其中之一移动用以产生图形架构。根据下方实施例的目的，平台132在y方向移动，且通过偏移来产生在X方向的移动，但此实施例并非用以限制本发明，也可能使用其它写入移动的方法。像是用户端120且/或服务器110-112的电脑提供控制指令和数据至电子束写入硬件130，用以协助写入设计的图形至介质中。举例来说，在一写入过程中，一台或多台电脑可控制平台132的移动以及/或偏移。图2是显示根据本发明的实施例所述的电脑系统200的简化区块图，电脑系统200如同图I所示的用户端120，或任何服务器110-112，且电脑系统200用以应用在本发明的实施例所述的电子束写入系统中。电脑系统200包括和系统总线204内部电性连接的处理器202。系统总线204用以耦接至电脑系统200的子系统和元件。与内存208内部电性连接的内存控制器206耦接至内存208和处理器202之间用以提供两者间的通信。内存208可储存执行的指令，并用以提供写入的功能，在底下将会有更详尽的描述。输入/输出桥接器210和系统总线204相互电性连接,且输入/输出桥接器210中一个或多个输入/输出元件和输入/输出总线212相互电性连接。举例来说，硬盘216 (或其它内存，像是ー闪存)提供非短暂和非易变的储存，以及ー调制解调器或网络连接器214提供一通信界面，此通信界面用以提供电脑系统200和网络上一个或多个数据源之间通信的转换。此外，使用者输入元件，像是鼠标/键盘218，耦接至输入/输出总线212，以及用以提供使用者输入至电脑系统200。电脑系统200的配置是根据本发明所述的实施例来作描述及选择。图3是显示根据本发明的实施例所述的电子束写入的流程图300。根据本发明的ー实施例，流程图300是显示根据图I服务器110-112中的一台或多台、用户端120，以及电子束写入硬件130所进行的流程。在区块305中，介质配置在电子束写入装置中，因此，介质通过平台的协助，且曝光于电子束写入源之下。系统写入图形至介质中，其中图形是由多个平行的书写带所组成。区块305还包括校正电子束写入源，因而产生N个独立控制电子束，其中N是一大于I的整数。此外，区块310包括设定每一电子束的配置、尺寸、以及剂量。在区块315中，通过N个独立控制电子束，完成写入介质的动作。在一实施例中，每ー书写带使用超过ー电子束来完成写入，但不一定会使用到全部N个独立控制电子束。此外，在此实施例中，尽管每一书写带为介质中具有单ー电子束剂量的区域，电子束和电子束间的差异的影响依旧存在。实施例所述的书写带显示于图4和图5中。电子束和电子束间的差异导致単一书写带中的剂量产生变化，然而，使用多个电子束写入一指定的书写带中，可减轻单一书写带和多个书写带中的变化。电子束写入エ艺包括，写入一物理介质中。在一实施例中，电子束写入エ艺在一设计上用以蚀刻来自半导体晶片的材料，以促进晶片构造的制造。在一实施例中，电子束写人工艺用以移除部份经由铬和熔融硅石所制成的光掩模。光掩模可用以在半导体元件的エ艺上。当有些图形的特征太细微以致于无法使用其它一般エ艺技术，像是光刻(photolithography),来产生时，电子束写入エ艺提供一种有效的方法以产生图形在物理介质上。 在一些实施例中所公开的范围并非用以限制本发明图3所示的步骤。可通过其它实施例作适当的更动和替换。举例来说，在一些实施例中，会重复多次图3所示的步骤，用以写入多个复杂的结构至介质中。此外，在其它实施例中包括，适用于光掩模、半导体晶片或其它介质写入后的エ艺步骤。如下所示，在一些实施例中包括，使用偏移装置控制每ー电子束以写入锯齿状轨迹。在其它实施例中，扫描装置或偏折装置用以提供写入相关的动作。在一些实施例中，使用高斯电子束，在另ー些实施例中，则使用图案电子束。接着来看图4，图4是在电子束写入エ艺时，根据本发明一实施例所显示的一具有书写带401的介质400。圆点402显示ー电子束在一时间点的配置，且其它图4的圆点也以类似的方式显示。在图4中，每ー书写带401的区域需重复曝光。线段410呈现在书写带401a上由电子束所产生的轨迹。在图4中，平台(图未显示)在y方向的移动，且偏移装置用以产生在X方向相关的移动。上述在X方向和I方向的移动即是线段410所呈现的轨迹。邻近于圆点402的圆点呈现ー电子束使用类似上述的方式，写入图形至书写带401a中。两电子束一起用以写入图形至书写带401a中。虽然在此实施例中呈现书写带404和405未经重复曝光但在不同实施例中包括，确保书写带404和405为重复曝光的技木。举例来说，测试曝光(dummy exposure)可用以重复曝光书写带404和405。此外,平台可用以配置在介质，使得可在介质上提供适当的重复曝光设定。在一些实施例中，图4所示的技术比一般上述的衔接技术，还能使得电子束和电子束间产生较一致的結果。如图4所示，每ー书写带401使用特定的电子束来产生。在一些实施例中，在単一书写带中使用双倍的电子束，对产能并不会有不利的影响。假如在一书写带401的设定剂量为I単位，当重复写入速度为两倍吋，电子束可保持在ー电流量。既然每一书写带401为重复曝光，因此每ー书写带401累积的剂量为一単位，且因为写入速度为两倍，因此仅需花费一半的単位时间。在所节省的另一半的単位时间，电子束可以移动到不同但尺寸类似的介质，用以写入一単位的剂量。因此，电子束在一単位时间可得到充分的利用。根据ー些实施例所述的经验法则，用以增加速度的系数同于产生曝光的系数，因而可达到相同的产能。图5是显示在电子束写入时根据本发明ー实施例所述介质(部分介质)500的示意图。如图5所示，书写带501通过此电子束エ艺来进行4倍曝光，且线段510显示通过圆点502表示的电子束写入的轨迹。书写带501a、501c和501d是显示具有少于4倍曝光的区域。只有书写带501b完全为4倍曝光区域503，书写带501a、501c和501d则包含少于4倍曝光的区域504和505。如上述谈论的图4，许多不同エ艺技术可用以提供适合的4倍曝光。举例来说，在一实施例中，测试曝光可被用以施加在书写带501a、501c和501d上。额外且/或可替换的エ艺方式包括，可移动电子束至开始写入时的右方或左方的邻近区域。举例来说，在一实施例中，10个圆点502是以用来表示10个电子束。在电子束由介质横移之后，平台移动至介质上配置的位置，因此，10个电子束以X方向移动至10个不同位置，且开始写入至最接近原来10个电子束的右方(或左方)，也因此，可写入额外的书写带以及提供4倍曝光至区域504 (且/或505)。上述操作方式，可通过每ー书写带所使用的任何数目的电子束，以实现在本发明任何实施例中。 再一次地说明，图5所示的操作方式，可显示不在产能上具有负面影响的方法。举例来说，如同上述图4所示，写入速度可通过曝光系数来増加。事实上，在图4及图5所述的实施例中，写入速度可通过任何适当的系数来増加或減少。图6是显不根据本发明一实施例所述的电子束配置600不意图。电子束配置600包括四独立控制电子束610、620、630和640。每ー独立控制电子束610、620、630和640包括一子电子束组成的MxM阵列，其中M为一大于I的整数(在此实施例中M = 7)。在其它实施例中，M可以为任何适当的大于I的整数。图6所示的子电子束为子电子束611 (包括在电子束610中)、子电子束621 (包括在电子束620中)、子电子束631 (包括在电子束630中)以及子电子束641 (包括在电子束640中)。在此所述的子电子束并不能独立控制。电子束610覆盖在电子束620上方，电子束620覆盖在电子束630上方，且电子束630覆盖在电子束640上方。在每ー相邻电子束间因为彼此具有X和y方向的偏移，因此，电子束610、620、630和640并非直接完全覆盖在彼此上方。此外，有一角度偏移α是关于扫描的方向(在此实施例中，假设扫描的方向即y方向)。此外，在这实施例中，当在扫描ー设定的书写带吋，就不使用X方向的移动，因此在图6和图7所谈论的移动是有关于y方向的移动。图7是显示用以强调电子束配置600中通过每一子电子束所涵盖的个别像素示意图，其中图7显不的姆ー圆点表不一子电子束。图7中姆ー圆点为图6中四7x7阵列中姆一子电子束的配置，其中共有196圆点。图7也显示根据本发明的实施例所述的扫描方向和角度偏移。在写入吋，电子束投影至图6和图7所示的介质，且介质根据相应的电子束源以提供扫描的移动方向。在这实施例中，同时显示了电子束610、620、630、640。示意图710是显示随着ー垂直于扫描方向的线段的像素投影。X和y方向的偏移以及角度的偏移产生ー架构，其中相邻的像素来自不同的电子束。在示意图710中，第一像素来自电子束610，第二像素来自电子束620，第三像素来自电子束630，以及第四像素来自电子束640。在示意图710中，像素根据上述的配置方式朝X方向重复来产生。示意图710也是描述了通过电子束配置600写入的书写带，此书写带包括了来自四不同电子束610、620、630,640的圆点711、712、713、714，且电子束610、620、630、640的子电子束的分布方式可平
均电子束和电子束间差异。图8是显示根据本发明一实施例在上述图6和图7所示的X方向的像素投影示意图。在图6-8的一实施例中，每ー书写带由多个独立电子束所涵盖，且相邻的像素是由不同电子束来曝光。在图8中，书写带I是通过ー组四独立电子束来曝光，书写带2是通过另ー组四独立电子束来曝光。虽然在图8并未显示，但在此特别说明，不同组的电子束可用以曝光书写带I和书写带2两者或其中之一之后续曝光(sequent exposure)。后续曝光可更加改善电子束和电子束间的差异所产生的影响，且也能够使用灰阶(gray-level)写入。在图8中，X和y方向以及角度的偏移结合所产生的累积偏移相当于ー像素的宽度。一像素宽度偏移产生图7和8所示的图形，其中像素具有随着X方向(和y方向扫描相垂直)产生的重复项目。在其它实施例中，会使用超过ー像素宽度的累积的电子束和电子束间的偏移。图 9是显示根据本发明一实施例所述的使用超过ー像素宽度的电子束和电子束间的偏移所产生的X方向投影。如图9所示，用以涵盖一书写带的电子束的结合为非固定和非规则性的。每ー书写带是通过个别电子束组成的不同结合来曝光，此做法可更加改善电子束和电子束间的差异所产生的影响。虽然书写带I和3是显示其和书写带2是使用不同的圆点来曝光，但可理解的是，其它书写带是由书写带I和3所延伸出去，以及写入那些额外书写带(图未显示)的电子束施加适合的曝光以增加像素至书写带I和3。如上述图6-9所示，根据本发明的实施例，是使用四或八电子束，但其并非用以限定本发明。更确切地说，不同实施例可包括任何不同数目的电子束。此外，X和y方向仅用以描述本发明，并非用以限定在不同实施例中需使用任何特定的方向。图10是显示根据本发明实施例所述的子电子束所组成的7x7阵列1000。Pb为阵列1000中子电子束之间的间隔。Pproj为一子电子束投影在介质的宽度。a array为ー角度偏移(8. 13度或O. 14度)。在此实施例中，像素尺寸为3. 5nm。下述方程式是显示此实施例每次扫描所涵盖的区域。可以注意的是，为了具有理想的产能，电子束电流和写入的速度可通过下述方程式来作调整。下述方程式所帯入的数值仅为用以叙述本发明，并非用以限制此实施的范围。考虑Pproj为像素尺寸3. 5nm的倍数的情况Pproj — Pb sm{aarray ) = 105nm = 3 x 3.5nm ^ Pb = 74.25 m电子束偏移=I像素若Wproj=书写带宽度相应书写带宽度的子电子束数目
Nsu—ams =像寸== 144一书写带包含的电子束数目ΑΓ 相应书写带宽度的电子束数目_144 —μ
^beams 一一 フ-Zl
上 N subbeamsarrav,每次扫描所包含的书写带数目
总电子束数目13000 ホの_ 一书写带包含的电子束数目—21 '每次扫描所涵盖的区域

姆次扫描所包含的书写带数据X书写带宽度=619X504nm = O. 312mm不同的实施例在此技术上都有其优点。举例来说，在不同实施例中，使用多个电子束写入每ー书写带，因此具有可平均电子束和电子束间的差异的优点，而不用使用线步。由上述实施例所述的内容可得知，此方法并不可完全消除电子束和电子束间的差异。然而，使用多个电子束写入每ー书写带来减轻电子束和电子束间的差异的影响，在许多应用中已可达到足够的改善。此外，如上所述，在一些实施例中，可调整參数(例如电子束电流和写入速度)以使得产能不会有不理想的結果。此外，在一些实施例中，通过施用上述多重写入的技术，来完成灰阶写入的动作。虽然本说明书使用所公开的实施例来描述本发明的主题，但所公开的实施例是用以保护本发明的权利要求，并非用以限定本发明的范围。因此，本说明书所公开的实施例，对于任何本领域普通技术人员，将很快可以理解上述的优点。在阅读完说明书内容后，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以广义的方式作适当的更动和替换。
权利要求
1.一种电子束写入方法，适用于一介质，包括 配置上述介质在一电子束写入装置中，以使得上述介质由一平台所支撑，且曝光于一电子束源之下；以及 通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束，写入一图形至上述介质中，其中上述图形包括多个书写带，以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每一平行的上述书写带。
2.如权利要求I所述的电子束写入方法，其中上述书写带并非通过线步的方式分离。
3.如权利要求I所述的电子束写入方法，其中每一上述独立控制电子束包括一高斯电子束，以及其中上述高斯电子束施用于产生一锯齿状结构。
4.如权利要求I所述的电子束写入方法，其中每一上述独立控制电子束包括具有多个非独立子电子束的一图形电子束。
5.如权利要求44所述的电子束写入方法，其中上述独立控制电子束发生重叠是根据一彼此相关的偏移，该偏移大于或等于一像素，以及根据扫描的一方向所产生的一角度偏移。
6.如权利要求5所述的电子束写入方法，其中上述独立控制电子束发生重叠，使得在上述介质的上述独立控制电子束的一投影产生一配置，其中通过不同上述独立控制电子束之一写入相邻的像素。
7.如权利要求I所述的电子束写入方法，其中上述独立控制电子束的施用通过电子束偏移以及上述电子束源在上述介质相应的移动或至少二者之一。
8.—种电子束写入系统,包括 一平台，用以设置一介质； 一写入装置，用以写入配置在上述平台上方的上述介质，上述写入装置包括一电子束源用以产生N个独立控制电子束，其中N为一大于I的整数；以及 一电脑控制系统，用以 写入一图形至上述介质上的平行多个书写带，其中每一上述书写带是通过使用上述N个独立控制电子束中的多个电子束来写入。
9.如权利要求8所述的电子束写入系统，其中上述独立控制电子束包括，多个高斯电子束，以及其中上述电脑控制系统根据X方向和y方向的移动通过上述高斯电子束完成写入的动作。
10.如权利要求8所述的电子束写入系统，其中每一上述独立控制电子束包括，多个子电子束组成的一 MxM阵列，其中M为一大于I的整数，上述子电子束为非独立控制。
11.如权利要求10所述的电子束写入系统，其中上述电脑控制系统写入至上述介质是通过重叠具有一彼此相关的偏移和根据一扫描方向所产生的一角度偏移的上述N个独立控制电子束，以使得随着垂直于上述扫描方向的一线段产生的N个独立控制电子束的一投影，具有来自不同独立控制电子束之一的邻近像素。
12.如权利要求8所述的电子束写入系统，其中上述独立控制电子束的施用通过电子束偏移以及上述电子束源在上述介质相应的移动或至少二者之一。
13.一种电子束写入方法，适用于一介质，包括 配置一电子束源，通过使用N个独立控制电子束以写入在上述介质上的多个书写带中； 通过使用多个上述N个独立控制电子束中的多个电子束写入每一上述书写带中，且通过使用上述N个独立控制电子束组成的一单一子集合写入每一上述书写带中，用以平均个别上述独立控制电子束间的偏移。
14.如权利要求13所述的电子束写入方法，其中每一上述独立控制电子束包括一高斯电子束。
15.如权利要求14所述的电子束写入方法，其中每一上述独立控制电子束通过使用至少电子束偏移以及上述电子束源在上述介质相应的移动之一，在每一上述书写带写入一锯齿状轨迹。
16.如权利要求13所述的电子束写入方法，其中每一上述独立控制电子束包括，具有MxM个非独立的多个子电子束构成的一阵列的一图形电子束，重叠具有一彼此相关的偏移和根据一扫描方向所产生的一角度偏移的上述独立控制电子束，以使得在上述介质上随着垂直于上述扫描方向的一线段产生的独立控制电子束的一投影，具有一图像，其中上述图像的邻近像素是来自不同独立控制电子束之一。
17.如权利要求13所述的电子束写入方法，其中上述独立控制电子束的一移动是使用直线扫描，以及其中上述独立控制电子束是同步施用于每一上述书写带中。
全文摘要
一种电子束写入系统以及电子束写入方法，该方法包括配置一介质在一电子束写入装置中，以使得上述介质通过一平台的协助，且曝光于一电子束源之下；以及通过使用上述电子束源的多个独立控制电子束，写入一图形至上述介质中，其中上述图形包括多个书写带，以及其中还使用上述独立控制电子束中的多个电子束写入每一平行的上述书写带。本发明的电子束写入方法更为有效。
文档编号H01L21/027GK102683182SQ20111035264
公开日2012年9月19日 申请日期2011年11月7日 优先权日2011年3月18日
发明者林世杰, 林本坚, 王文娟, 许照荣 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司