专利名称：结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池的利记博彩app
结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池技术领域
本发明关於一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，其目的系将此设计充分吸收太阳光频谱，以提升硅薄膜太阳能电池效率。
背景技术：
目前，在所有薄膜太阳能电池的开发中皆致力於提升太阳能电池的效率，以藉此降低薄膜太阳能电池的成本。业界关於硅薄膜太阳能电池的开发多为非晶硅薄膜，或是双结串联硅薄膜。其中氢化非晶硅薄膜能隙为1. 8电子伏特，双结串联氢化硅薄膜则为能隙1. 8 电子伏特的氢化非晶硅薄膜与能隙1.1电子伏特的氢化微晶硅薄膜的串联组合，但此两者皆无法充份完全吸收太阳光频谱。发明内容
本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶娃薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
具体实施方示兹将本发明配合附图，详细说明如下请参阅第一图，为本发明之动作流程方块示意图。由图中可知，首先在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层，接著沉积N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜，再接著N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜，再接著沉积N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜，最后为沉积第三透明导电层、金属电极。
请参阅第二图，第二图是在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层之示意图。在玻璃11上 依续沉积第一透明导电层12、金属背电极13与第二透明导电层14。
请参阅第三图，第三图是沉积N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜之示意图。在第二透明导电层14上依续沉积N型氢化微晶硅薄膜21、1型氢化微晶硅薄膜22、P型氢化微晶硅薄膜23。
请参阅第四图，第四图是沉积N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜之示意图。在P型氢化微晶硅薄膜23上依续沉积N型氦化非晶硅薄膜31、1 型氦化非晶硅薄膜32、P型氦化非晶硅薄膜33。
请参阅第五图，第五图是沉积N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜之示意图。在P型氦化非晶硅薄膜33上依续沉积N型氢化非晶硅薄膜41、1 型氢化非晶硅薄膜42、P型氢化非晶硅薄膜43。
请参阅第六图，第六图是沉积第三透明导电层、金属电极之示意图。在P型氢化非晶硅薄膜43上依续沉积第三透明导电层51、金属电极52。
下面结合附图与实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明之动作流程方块示意图。图2是在玻璃上沉积第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层之示意图。图3是沉积N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜之示 意图。图4是沉积N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜之示 意图。图5是沉积N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜之示 意图。图6是沉积第三透明导电层、金属电极之示意图。主要兀件符号说明11…玻璃12…第一透明导电层13…金属背电极14… 第二透明导电层21…N型氢化微晶娃薄膜22…I型氢化微晶娃薄膜23…P型氢化微 晶硅薄膜31…N型氦化非晶硅薄膜32…I型氦化非晶硅薄膜33…P型氦化非晶硅薄 膜41…N型氢化非晶硅薄膜42…I型氢化非晶硅薄膜43…P型氢化非晶硅薄膜51 …第三透明导电层52…金属电极。
权利要求
1.一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极；本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
2.根据权利要求1所述的一种氢化娃与氦化娃制作三结基材型娃薄膜太阳能电池，其中该第一透明导电层薄膜，第二透明导电层薄膜與第三透明导电层，薄膜材料涵盖铟锡氧化物(Indium Tim Oxide)、招锋氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化锡(Sn02:F)与嫁锋氧化物(Gallium Zinc Oxide)。
3.3.根据权利要求1所述的一种结合氢化娃与氦化娃制作三结基材型娃薄膜太阳能电池，其中I型氢化微晶硅薄膜的能隙为1.1电子伏特。
4.4.根据权利要求1所述的一种结合氢化娃与氦化娃制作三结基材型娃薄膜太阳能电池，其中I型氦化非晶硅薄膜的能隙为1. 6电子伏特。
5.5.根据权利要求1所述的一种结合氢化娃与氦化娃制作三结基材型娃薄膜太阳能电池，其中I型氢化非晶硅薄膜的能隙为1. 8电子伏特。
全文摘要
本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
文档编号H01L31/0392GK103022060SQ20111028575
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月23日 优先权日2011年9月23日
发明者陈宏昌, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司