专利名称：半导体元件的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种半导体元件，特别是涉及一种可反映出特定金属层所造成的工艺 (即制程，本文均称为工艺)变化的半导体元件。
背景技术：
在集成电路的制作中，为了确保集成电路的电性性能落在规格内，需要设计工具来监控工艺变化。设计工具可包含设计在晶圆的切割线中的金属-氧化物-金属电容器。在传统金属-氧化物-金属(metal-over-metal ；MOM)电容器设计工具中，一 MOM 电容器从各自的晶圆的下金属层延伸至上金属层。二端点(即埠，本文均称为端点)形成在晶圆的表面，且连接至MOM电容器的二电容板。所量测的电容与电阻可反映出制作晶圆的工艺变化。在集成电路制作过程中，残余水气可能会残留在超低介电常数介电层中，其中金属层形成在这些超低介电常数介电层中。残余水气在MOM结构的性能中扮演重要角色。一金属层的特性可能因此而严重影响集成电路的整体性能，故金属层可能需要加以鉴定。然而，传统MOM电容器设计工具仅能用以寻找所有金属层的整体工艺变化。该变化无法反映出每一金属层的工艺变化。因此，测量结果所反映出的特定金属层所造成的工艺变化无法辨识。此外，传统MOM电容器设计工具占据较大晶片面积，在晶片面积的使用上没有效率。由此可见，上述现有的半导体元件在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道， 但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的半导体元件，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的半导体元件存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体元件，所要解决的技术问题是使其可测量出特定金属层所造成的工艺变化，非常适于实用。本发明的另一目的在于，克服现有的半导体元件存在的缺陷，而提供一种新型结构的半导体元件，所要解决的技术问题是使其可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积，从而更加适于实用。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种半导体元件包含一第一 MOM电容器；一第二 MOM电容器直接位于第一 MOM电容器上方且垂直重叠在第一 MOM电容器上，其中每一第一与第二 MOM电容器包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一 MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二 MOM电容器。其中第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体元件，其中各自的该晶圆包含一第一晶片与一第二晶片，一切割线位于该第一晶片与该第二晶片之间，其中该第一端点、该第二端点、该第三端点与该第四端点、以及该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器设置在该切割线中，且该第一端点与该第二端点对准一第一线，该第三端点与该第四端点对准一第二线，其中该第一线与该第二线平行于该切割线的一纵长方向。前述的半导体元件，还包含读啊哦个接地端点位于各自的该晶圆的该表面，其中在各自的该晶圆的一俯视图中，该些接地端点关于该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器对称设置。前述的半导体元件，还包含一第三MOM电容器；一第四MOM电容器，直接位于该第三MOM电容器上方且垂直重叠在该第三MOM电容器上；一第五端点与一第六端点，电性耦合至该第三MOM电容器；以及一第七端点与一第八端点，电性耦合至该第四MOM电容器，该第五端点、该第六端点、该第七端点与该第八端点设置于各自的该晶圆的该表面，其中该第一 MOM电容器与该第三MOM电容器延伸至各自的该晶圆的多个不同金属层，或该第二 MOM 电容器与该第四MOM电容器延伸至各自的该晶圆的多个不同金属层。前述的半导体元件，其中每一该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器包含多个部分延伸至各自的该晶圆的至少三个金属层，且每一该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器在每一个该至少三个金属层中包含多个第一电容器手指；一第一总线，交互连接该些第一电容器手指；多个第二电容器手指，与该些第一电容器手指分开；以及一第二总线，交互连接该些第二电容器手指。前述的半导体元件，其中所述的第一 MOM电容器延伸至各自的该晶圆的一下金属层，且该第二 MOM电容器延伸至各自的该晶圆的一上金属层。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体元件，其包含一晶圆，包含一半导体基材；以及多个金属层位于半导体基材上方。一第一与一第二晶片、一切割线位于第一与第二晶片之间、以及一测试键位于切割线中。前述的测试键包含一待测元件，此待测元件包含一第一 MOM电容器延伸穿过多个第一金属层、以及一第二 MOM电容器延伸穿过位于前述第一金属层上方的多个第二金属层。第一与第二金属层属于前述的金属层。第一 MOM电容器之的至少一部分垂直地重叠在第二 MOM电容器的一部分上。一第一与一第二端点位于晶圆的上表面且电性耦合至第一 MOM电容器；以及一第三与一第四端点位于晶圆的上表面且电性耦合至第二 MOM电容器。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体元件，其中所述的第一端点与该第二端点对准一第一线，且该第三端点与该第四端点对准非平行于该第一线的一第二线，该第一线垂直于该第二线。前述的半导体元件，还包含一第二待测元件，位于该晶圆的一额外切割线中且包含一第三MOM电容器，延伸穿过多个第三金属层，其中该些第一金属层的一第一总数不同于该些第三金属层的一第二总数；以及一第四MOM电容器，直接位于该第三MOM电容器上方。本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种半导体元件，其包含一晶圆，包含一半导体基材与多个个金属层位于半导体基材上方；一第一与一第二晶片位于晶圆中；一切割线位于第一与第二晶片之间；以及一测试键位于切割线中。前述的测试键包含一待测元件，此待测元件更包含一第一 MOM电容器延伸至晶圆的下金属层、以及一第二 MOM电容器直接位于第一 MOM电容器上方且延伸至晶圆的上金属层。全部的第一 MOM电容器实质上重叠在全部的第二 MOM电容器上。一第一端点与一第二端点，位于该晶圆的一上表面，且电性耦合至该第一 MOM电容器；及一第三端点与一第四端点，位于该晶圆的该上表面，且电性耦合至该第二 MOM电容器，其中该第一端点与该第二端点对准一第一线，且该第三端点与该第四端点对准垂直于该第一线的一第二线。本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明半导体元件至少具有下列优点及有益效果本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。综上所述，本发明是有关于一种半导体元件，包含一第一 MOM电容器；一第二MOM 电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM 电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一 MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段， 而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是依照一实施例的一种测试键的剖面图，其中测试键包含一个堆叠在另一个上的二 MOM电容器。图2是延伸至二金属层的此二 MOM电容器之一的部分俯视图。图3是一种晶圆的俯视图，此晶圆包含设置在晶圆的切割线中的测试键。图4A与图4B分别是具有不同结构的多个测试键的俯视图与剖面图。图5与图6是依照各替代实施例的测试键的俯视图。图7是测试键中的待测元件与连接至待测元件的各自端点之间的连接示意图。10 基材20 待测元件20A 待测元件 20B 待测元件20C:待测元件 20D:待测元件22 电容器22A 电容器22B:电容器22_1:电容器手指22_2:电容器手指 22_3:电容器手指22_4:电容器手指 22_5:介层窗22_6:总线24:电容器24A 电容器24B 电容器30 测试键30A 测试键
30B 测试键30C 测试键30D:测试键31 晶片32:切割线34:线36 线100:晶圆G 接地端点Ml 金属层M2 金属层M3 金属层M4 金属层M5 金属层M6 (Mtop)金属层Mi 金属层M(i+1)金属层portl/S 端点port2/S 端点port3/S 端点port4/S 端点
具体实施例方式为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的半导体元件其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。为了方便说明，在以下的实施例中，相同的元件以相同的编号表示。图1是依照一实施例的一种测试键的剖面图，其中测试键包含一个堆叠在另一个上的二 MOM电容器。待测元件(device-under-test ；DUT) 20为MOM电容器设计工具30 (整个描述中也称为测试键(test-key))的一部分。待测元件20包含MOM电容器22、以及直接位于MOM电容器22上方且垂直覆盖MOM电容器22的MOM电容器M。MOM电容器22与M 的电容板彼此分离。每一 MOM电容器22与M延伸至一个或多个金属层。此外，每一 MOM 电容器22与M可包含多个部分延伸至三个或更多个的金属层。在整体描述中，金属层Ml 代表各自晶圆100的下金属层，而金属层Mtop则代表晶圆100的上金属层(例如可高达 M10)。在一实施例中，电容器22所延伸至的最低金属层可为金属层Ml或高于金属层Ml的金属层，例如金属层M2、M3、M4或M5等等。电容器22所延伸至的最高层可为金属层Mtop 或低于Mtop的金属层，例如M(top-l)或M(top-2)等等。电容器22的最高层与电容器M 的最低层可为任意层，提供电容器22的最高层为至少低于电容器M的最低层的一层。举例而言，在如图1所例示的实施例中，金属层M6为Mtop，电容器22延伸至金属层Ml至M3， 且电容器M延伸至金属层M4至M6。此外，电容器22与M之一可能仅延伸至一个或二个金属层，而另一个可能延伸至剩余的金属层中的一些或全部金属层。因此，可藉由变化每一个电容器22与M的最低与最高金属层，来形成具有不同结构的待测元件的各种组合，且这些待测元件20的不同组合可形成在相同晶圆100中。金属层Ml至Mtop设置在基材10的上方，此基材10可为半导体基材。此外，测量端点(埠)？0汁1、？0汁2、？0汁3与？0汁4形成在晶圆100的上表面，测量端点portl、port2、 port3 与 port4 为工艺控制监控(ProcessControl Monitor ；PCM)垫。端点 portl 与 port2 连接至电容器22的二电容板，而端点port3与port4连接至电容器M的二电容板。
在图1中，利用同一图案所遮蔽的电容器22的所有电容器手指互连，且与利用另一图案所遮蔽的电容器22的所有电容器手指分开。类似地，利用同一图案所遮蔽的电容器 24的所有电容器手指互连，且与利用另一图案所遮蔽的电容器M的所有电容器手指分开。每一电容器22与M可包含相同于如图2所示的结构，图2是延伸至二金属层的此二 MOM电容器之一的部分俯视图。其中图2显示了设置在二相邻金属层中的电容器手指 22_1、22_2、22_3与22_4。虽然图2仅绘示了相同于电容器22的结构的构件，电容器M可具有实质相同于电容器22的结构。在一实施例中，假设电容器手指22_1与22_2位于金属层Mi中，其中i为大于零的整数，而电容器手指22_3与22_4位于金属层M(i+Ι)中，则电容器手指22_1与22_2的纵向与电容器手指22_3与22_4的纵向垂直。除了如图2所示的电容器手指，电容器可包含多个部分位于额外层M(i+2)、M(i+3)或M(i+4)(未绘示于图2中) 等等中，金属层Mi、M(i+2)和M(i+4)等中的电容器22的电容器手指可互相平行。类似地， 金属层M(i+l)、M(i+3)和M(i+5)等中的电容器22的电容器手指的纵向可互相平行。介层窗22_5可形成在交互连接电容器手指的总线22_6上，或形成在电容器手指22_1、22_2、 22_3与22_4上。在不同金属层中的每一电容器22与M的每一电容板的部分通过多个介层窗，例如介层窗22_5，交互连接。在晶圆100的俯视图中，电容器M可占据与电容器22实质相同的面积，且电容器 24的长度与宽度可分别相同于电容器22的长度与宽度。此外，在俯视图中，电容器22与 M的对应外边界实质上可互相重叠，如图1所示。因此，全部的电容器22可实质垂直地重叠在全部的电容器M上。在替代实施例中，部分而非全部的电容器22重叠在部分的电容器对上。图3是是一种晶圆的俯视图，此晶圆包含设置在晶圆的切割线中的测试键。此测试键30包含待侧元件20、以及电性连接至待侧元件20的端点portl、port2、port3与 port4(也标示为「S」，代表「信号」)。此外，多个接地端点G也形成在测试键30中，且耦合至电性地线。接地端点G可电性耦合至待侧元件20的一部分，例如防护环(未绘示)，且与端点portl、port2、port3和port4电性分离。测试键30可形成在切割线32中，其中切割线32是位于相邻晶片31之间。在后续的晶粒分割工艺中，切割线32将遭到切割，以分离晶圆100中的晶片。端点portl与port2、及(或许)待测元件20可对准线；34，而端点port3与port4、 及(或许)待测元件20可对准线36。在一实施例中，线36平行切割线32的纵长方向， 而线34垂直于线36且垂直于切割线32的纵长方向。因此，当通过过端点portl与port2 来进行测量时，可将晶圆100设置在第一方向上，如此探针卡(probe card)可准确地接触端点portl与port2，来取得电容器22的电性特性。当通过端点port3与port4来进行测量时，可将晶圆100旋转90度，如此探针卡可准确地接触端点port3与port4，来取得电容器M的电性特性。替代地，端点portl与port2可对准平行于切割线32的纵长方向的线， 而端点port3与port4可对准垂直于切割线32的纵长方向的线。可利用探针卡或探针销 (probe pin)来碰触端点portl、port2、port3与port4、及接地端点G的方式，来测量待测元件20中的电容器22与24 (未绘示于图3中，请参照图1)。藉由通过端点portl与port2 来量测电容器22的电容与电阻，可判断电容器22所延伸至的金属层(例如，图1的金属层 Ml至似)的工艺变化。类似地，藉由通过过端点port3与port4来量测电容器对的电容与电阻，可判断电容器M所延伸至的金属层(例如，图1的金属层M4至M6)的工艺变化。此夕卜，通过端点portl与port2，可判断电容器22的电容器手指之间的金属电容、以及电容器手指与基材10(图1)之间的金属对基材电容。通过端点port3与port4，可判断电容器M 的电容器手指之间的金属电容。图4A是绘示晶圆100的俯视示意图，晶圆100具有多个测试键30 (表示为测试键 30A、30B、30C与30D)位于晶圆100的切割线32中。在不同测试键30中的待测元件20 (包含待测元件20A、20B、20C与20D)可具有相同或不同结构。举例而言，图4B是绘示待测元件 20A与20B的剖面示意图。待测元件20A中的电容器22A与待测元件20B中的电容器22B 可延伸至不同金属层，及/或待测元件20A中的电容器24A与待测元件20B中的电容器MB 可延伸至不同金属层。电容器22A所延伸至的金属层的总数可与电容器22B所延伸至的金属层的总数相同或不同。类似地，电容器24A所延伸至的金属层的总数可与电容器24B所延伸至的金属层的总数相同或不同。举例而言，电容器22A可延伸穿过金属层Ml至M4，而电容器22B可延伸穿过金属层Ml至M3。藉由具有不同结构且延伸至不同金属层的不同测试键30 (图4A)，可从不同测试键30的量测结果获得或计算出每一金属层Ml至Mtop中的工艺变化。图5与图6是是依照各替代实施例的测试键的俯视图。其绘示依照各替代实施例的端点Portl至port4的配置。图5绘示了依照地-信号-地-信号-地(GSGSG)图案的四端子测试键30的配置。图6绘示了依照地-信号-信号-地(GSSG)图案的四端子测试键30的配置。在图5与图6所示的每一实施例中，端点portl与port2对准线34，端点 port3与port4对准线36，且线34平行于线36。此外，线34与36可垂直于切割线32的纵长方向，虽然线34与36也可配置成平行于切割线32的纵长方向。在图3、图5与图6所示的实施例中，在各自的晶圆100的俯视图中，可将接地端点G关于待测元件20对称地设置， 例如成一循环对称图案。对于量测图5与图6中的测试键30，通过端点portl与port2进行量测时，可将晶圆100设置在一方向上，如此探针卡可准确地接触端点portl与port2，来取得电容器22 的电性特性。通过端点port3与port4进行量测时，可在不旋转的情况下，将晶圆100偏移一段距离，如此探针卡可准确地接触端点port3与port4，来取得电容器M的电性特性。图7是是测试键中的待测元件与连接至待测元件的各自端点之间的连接示意图。 其示意性地绘示待测元件20，且显示出端点portl至port4如何通过金属线与介层窗而电性耦合至待测元件20。可注意的一点是，虽然端点portl至port4是绘示在相同剖面图中， 但端点portl至port4实际上可位于不同平面上，如图3、图5与图6所示。藉由形成包含多个堆叠电容器的多个待测元件，可节省用以形成设计工具的晶片面积。此外，藉由形成包含延伸至不同金属层的多个电容器的多个不同待测元件，可获得每一金属层的工艺变化。举例而言，若第一待测元件的一电容器延伸至金属层Ml至M3，而第二代测元件的一电容器延伸至金属层Ml至M4，则金属层M4可造成超出第一待测元件的工艺变化的第二待测元件的额外工艺变化，因此可获得金属层M4的工艺变化，而用以引导电路设计。依照多个实施例，一种半导体元件包含一第一 MOM电容器；一第二 MOM电容器直接位于第一 MOM电容器上方且垂直重叠在第一 MOM电容器上，其中每一第一与第二 MOM电容器包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一 MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。依照另一些实施例，一种晶圆，包含一半导体基材；以及多个个金属层位于半导体基材上方。此晶圆更包含一第一与一第二晶片、一切割线位于第一与第二晶片之间、以及一测试键位于切割线中。前述的测试键包含一待测元件，此待测元件包含一第一 MOM电容器延伸穿过多个第一金属层、以及一第二 MOM电容器延伸穿过位于前述第一金属层上方的多个第二金属层。第一与第二金属层属于前述的金属层。第一 MOM电容器的至少一部分垂直地重叠在第二 MOM电容器的一部分上。此晶圆更包含一第一与一第二端点位于晶圆的上表面且电性耦合至第一 MOM电容器；以及一第三与一第四端点位于晶圆之上表面且电性耦合至第二 MOM电容器。依照又一些实施例，一种晶圆，包含一半导体基材与多个金属层位于半导体基材上方；一第一与一第二晶片位于晶圆中；一切割线位于第一与第二晶片之间；以及一测试键位于切割线中。前述的测试键包含一待测元件，此待测元件更包含一第一 MOM电容器延伸至晶圆的下金属层、以及一第二 MOM电容器直接位于第一 MOM电容器上方且延伸至晶圆的上金属层。全部的第一 MOM电容器实质上重叠在全部的第二 MOM电容器上。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种半导体元件，其特征在于其包含 一第一 MOM电容器；一第二 MOM电容器，直接位于该第一 MOM电容器上方且垂直重叠在该第一 MOM电容器上，其中每一该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器包含多个平行电容器手指； 一第一端点与一第二端点，电性耦合至该第一 MOM电容器；以及一第三端点与一第四端点，电性耦合至该第二 MOM电容器，其中该第一端点、该第二端点、该第三端点与该第四端点设置于各自的一晶圆的一表面。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中各自的该晶圆包含一第一晶片与一第二晶片，一切割线位于该第一晶片与该第二晶片之间，其中该第一端点、该第二端点、该第三端点与该第四端点、以及该第一MOM电容器与该第二MOM电容器设置在该切割线中，且该第一端点与该第二端点对准一第一线，该第三端点与该第四端点对准一第二线，其中该第一线与该第二线平行于该切割线的一纵长方向。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于还包含读啊哦个接地端点位于各自的该晶圆的该表面，其中在各自的该晶圆的一俯视图中，该些接地端点关于该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器对称设置。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于还包含 一第三MOM电容器；一第四MOM电容器，直接位于该第三MOM电容器上方且垂直重叠在该第三MOM电容器上；一第五端点与一第六端点，电性耦合至该第三MOM电容器；以及一第七端点与一第八端点，电性耦合至该第四MOM电容器，该第五端点、该第六端点、 该第七端点与该第八端点设置于各自的该晶圆的该表面，其中该第一 MOM电容器与该第三 MOM电容器延伸至各自的该晶圆的多个不同金属层，或该第二MOM电容器与该第四MOM电容器延伸至各自的该晶圆的多个不同金属层。
5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中每一该第一MOM电容器与该第二 MOM电容器包含多个部分延伸至各自的该晶圆的至少三个金属层，且每一该第一 MOM电容器与该第二 MOM电容器在每一个该至少三个金属层中包含多个第一电容器手指；一第一总线，交互连接该些第一电容器手指； 多个第二电容器手指，与该些第一电容器手指分开；以及一第二总线，交互连接该些第二电容器手指。
6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一MOM电容器延伸至各自的该晶圆的一下金属层，且该第二 MOM电容器延伸至各自的该晶圆的一上金属层。
7.一种半导体元件，其特征在于其包含 一晶圆，包含一半导体基材；及多个金属层，位于该半导体基材上方； 一第一晶片与一第二晶片，位于该晶圆上； 一切割线，介于该第一晶片与该第二晶片之间；以及一测试键，位于该切割线中且包含 一第一待测元件，包含一第一 MOM电容器，延伸穿过多个第一金属层；及一第二 MOM电容器，延伸穿过位于该些第一金属层上方的多个第二金属层，其中该些第一金属层与该些第二金属层属于该些金属层，其中该第一 MOM电容器的至少一部分垂直重叠在该第二 MOM电容器的一部分上；一第一端点与一第二端点，位于该晶圆的一上表面，且电性耦合至该第一 MOM电容器；及一第三端点与一第四端点，位于该晶圆的该上表面，且电性耦合至该第二 MOM电容器。
8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第一端点与该第二端点对准一第一线，且该第三端点与该第四端点对准非平行于该第一线的一第二线，该第一线垂直于该第二线。
9.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于还包含 一第二待测元件，位于该晶圆的一额外切割线中且包含一第三MOM电容器，延伸穿过多个第三金属层，其中该些第一金属层的一第一总数不同于该些第三金属层的一第二总数；以及一第四MOM电容器，直接位于该第三MOM电容器上方。
10.一种半导体元件，其特征在于其包含 一晶圆，包含一半导体基材；及多个金属层，位于该半导体基材上方； 一第一晶片与一第二晶片，位于该晶圆中； 一切割线，位于该第一晶片与该第二晶片之间；以及一测试键，位于该切割线中且包含 一待测元件，包含一第一 MOM电容器，延伸至该晶圆的一下金属层；一第二 MOM电容器，直接位于该第一 MOM电容器上方且延伸至该晶圆的一上金属层，其中全部的该第一 MOM电容器重叠在全部的该第二 MOM电容器上；一第一端点与一第二端点，位于该晶圆的一上表面，且电性耦合至该第一 MOM电容器；及一第三端点与一第四端点，位于该晶圆的该上表面，且电性耦合至该第二 MOM电容器， 其中该第一端点与该第二端点对准一第一线，且该第三端点与该第四端点对准垂直于该第一线的一第二线。
全文摘要
本发明是有关于一种半导体元件，包含一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
文档编号H01L29/92GK102468346SQ20111008994
公开日2012年5月23日 申请日期2011年4月8日 优先权日2010年10月29日
发明者刘莎莉, 卢泽华, 陈家忠, 黄崎峰 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司