具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法

专利名称：具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法，尤其涉及具有波长变换层的发光二极管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法。
背景技术：
由于当前的发光二级管具有能够实现轻薄短小化、节省能源和长时间维持寿命的优点，正被利用为包括移动电话在内的各种显示装置的背面光源，且由于贴装发光二级管的发光元件(即，发光二级管封装)能够实现具有高演色性的白色光，因而期待着取代诸如荧光灯的白色光源而应用于普通的照明之中。另外，有各种利用发光二级管实现白色光的方法，然而通常使用通过组合释放430nm 470nm的蓝色光的InGaN发 光二级管和能够将所述蓝色光变换为长波长的荧光体而实现白色光的方法。例如，白色光可通过蓝色发光二极管和被所述蓝色发光二极管激发而释放黄色的黄色荧光体的组合而实现，或者可通过蓝色发光二极管和绿色荧光体及红色荧光体的组合而实现。以往，白色发光元件通过将含有荧光体的树脂涂布于贴装有发光二级管的封装件的凹陷区域内而形成。但是，随着在封装件内涂布树脂，具有荧光体无法在树脂内均匀地分布，且无法以均一的厚度形成树脂的问题。据此，正在研究在发光二级管之上粘贴波长变换片(sheet)的方式。波长变换片例如可以将荧光体混合到玻璃等之中而形成。通过将这种波长变换片粘贴在发光二极管的上表面，从而能够在芯片级(chip level)实现白色光。但是，由于波长变换片粘贴于发光二级管的上表面，因此局限于在具有光主要朝发光二级管的上表面释放的结构的发光二级管中实现白色光的情形。在发光二级管的侧面，例如在具有朝生长基板的侧面释放相当量的光的结构的发光二级管中，不合适利用波长变换片的波长变换。另外，在封装件中涂布含有荧光体的树脂时，由于在将引线键合到发光二级管之后涂布树脂，因此发光二级管的电极被含有荧光体的树脂覆盖也不会成为问题。但是，当在芯片级形成波长变换层时，要求在形成波长变换层之后将引线键合到发光二级管。据此，为了通过波长变换层键合引线，有必要露出电极，而且要求将波长变换层形成为能够容易地键合引线的技术。

发明内容
技术问题本发明所要解决的问题在于提供一种能够在芯片级执行波长变换等光变换的发光二极管芯片及其制造方法。
本发明所要解决的另一问题在于提供一种对于通过基板的侧面释放出的光也能够执行波长变换的发光二极管芯片及其制造方法。本发明所要解决的另一问题还在于提供一种在能够执行波长变换等光变换的同时能够容易地对键合引线进行键合的发光二级管芯片及其制造方法。本发明所要解决的另一问题还在于提供一种能够防止在波长变换层变换的光再次入射到发光二极管芯片内部时产生的损耗的发光二极管芯片。本发明所要解决的另一问题还在于提供一种能够缓和波长变换层被光损伤的发光二级管芯片。技术方案
根据本发明一形态的发光二极管芯片包括基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；电极，电连接于所述半导体层叠结构体；附加电极，形成于所述电极上；波长变换层，覆盖所述半导体层叠结构体的上部。进而，所述附加电极贯穿所述波长变换层。通过采用所述附加电极，可提供执行波长变换的同时能够容易地键合引线的发光二极管芯片。而且，所述发光二极管芯片还可以包括介入于所述波长变换层和所述半导体层叠结构体之间的分隔层。所述分隔层由绝缘层形成。进而，所述分隔层可包括分布布拉格反射器，而且还可以包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半导体层叠结构体之间的应力缓和层。所述分隔层介入于所述波长变换层和所述半导体层叠结构体之间，使所述波长变换层从所述半导体层叠结构体隔开。所述分隔层防止有可能因因从半导体层叠结构体释放的光而引起的所述波长变换层内的荧光体的黄变。所述分布布拉格反射器可通过交替布置折射率不同的多个绝缘层(例如，SiO2/TiO2或Si02/Nb205)而形成。所述分布布拉格反射器通过调整这些绝缘层的光学厚度，使在所述活性层生成的光透过，并反射在所述波长变换层变换的光。另外，所述应力缓和层缓和在所述分布布拉格反射器中引发的应力，防止所述分布布拉格反射器从其下方的层(例如，半导体层叠结构体)剥离。所述应力缓和层可由旋涂式玻璃层(SOG)或多孔氧化硅膜形成。另外，高硬度透明树脂可覆盖所述波长变换层。在此，高硬度透明树脂是指邵氏硬度值为60A以上的透明树脂。在若干实施例中，所述发光二极管芯片还可以包括位于所述基板下面的下部分布布拉格反射器。所述下部分布布拉格反射器不仅对于在活性层中产生的光，对于可视光区域的几乎全部区域，均可具有相对高的反射率。例如，所述下部分布布拉格反射器对于蓝色区域的光、绿色区域的光以及红色区域的光具有90%以上的反射率。而且，所述下部分布布拉格反射器上可设置有金属层。金属层可由反射金属形成。另外，所述附加电极可具有相比所述电极更窄的宽度，且离所述电极越远，宽度可变得越窄。据此，可以将所述附加电极稳定地粘贴于所述电极，可保证之后键合引线的工艺的可靠度。在若干实施例中，所述波长变换层的上部面实际上平坦(flat)。在其他实施例中，所述波长变换层的上部面基于半导体层叠结构体的表面结构(topology)均匀地形成。在若干实施例中，电连接于所述半导体层叠结构体的电极可包括电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极、电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极。而且，所述附加电极可包括形成于所述第一电极之上的第一附加电极；形成于所述第二电极上的第二附加电极。所述第一附加电极和第二附加电极贯穿所述波长变换层而露出于外部。而且，所述第一附加电极和第二附加电极的上部面可以与所述波长变换层的上部面一致。与此不同，电连接于所述半导体层叠结构体的电极可以是电连接于所述第一导电型半导体层。所述第二导电型半导体层位于所述基板和所述第一导电型半导体层之间。此时，连接于所述第二导电型半导体层的电极上有可能没有形成附加电极。进而，所述波长变换层可覆盖所述基板的侧面。据此，对于从基板的侧面释放的光也能够执行波长变换。所述基板侧面的波长变换层的厚度实质上可与所述半导体层叠结构体上部的波长变换层的厚度相同。 根据本发明又一形态的发光二极管芯片，包括基板；多个半导体层叠结构体，位于所述基板上，分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；第一电极，电连接于一个半导体层叠结构体；第二电极，电连接于另一半导体层叠结构体；第一附加电极，形成于所述第一电极上；第二附加电极，形成于所述第二电极上；波长变换层，覆盖所述多个半导体层叠结构体的上部。而且，所述第一附加电极和所述第二附加电极贯穿所述波长变换层。进而，还可以包括相互电连接所述多个半导体层叠结构体的配线。另外，所述发光二极管芯片还可以包括介入于所述波长变换层和所述多个半导体层叠结构体之间的分隔层。所述分隔层由绝缘层形成。进而，所述分隔层进一步可包括介入于所述波长变换层和所述多个半导体层叠结构体之间的分布布拉格反射器。而且，应力缓和层可介入于所述分布布拉格反射器和所述多个半导体层叠结构体之间。所述第一附加电极和第二附加电极可具有分别比所述第一电极和第二电极更窄的宽度，而且，所述第一附加电极和第二附加电极分别离所述第一电极和第二电极越远，宽度变得越窄。另外，所述第一电极可电连接于所述一个半导体层叠结构体的第一导电型半导体层，所述第二电极可电连接于所述另一个半导体层叠结构体的第二导电型半导体层。根据本发明的又一形态，提供一种搭载有发光二极管芯片的发光二级管封装件。该封装件包括引线端子、发光二极管芯片以及连接所述引线端子和所述发光二极管芯片的键合引线。所述键合弓I线连接所述发光二极管芯片的附加电极和所述弓丨线端子。根据本发明的又一形态的发光二极管芯片制造方法包括在支撑基板上排列多个裸芯片，各个所述裸芯片包括基板、半导体层叠结构体、电连接于所述半导体层叠结构体的电极，该半导体层叠结构体为位于所述基板上的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；；在各个所述裸芯片的电极上形成附加电极；在所述支撑基板上形成覆盖所述多个裸芯片和所述附加电极的透明涂层；去除所述透明涂层的上部，露出所述附加电极；去除所述支撑基板；分离所述透明涂层，以分离为单独的发光二极管芯片。由于在支撑基板上的裸芯片上形成均匀的透明涂层，因此还可以在裸芯片的基板侧面形成均匀的透明涂层。而且，通过使用附加电极，可以在裸芯片上以均匀的厚度形成透明涂层，且可容易地键合引线。进而，由于所述支撑基板会被去除，因此可以减少在活性层中生成的光的散热路径。所述透明涂层根据其使用目的可包含多种材料。例如，所述涂层并不局限于此，可包括荧光体或扩散材料。据此，所述透明涂层可应用为波长变换层或扩散层。电连接于所述半导体层叠结构体的电极可包括电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极和电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极。而且，形成所述附加电极的步骤可包括在所述第一电极上形成第一附加电极，在所述第二电极上形成第二附加电极。所述第一附加电极和第二附加电极的上部面可位于相同高度。据此，在去除了所述透明涂层的上部之后，透明涂层的上部面和所述第一附加电极和第二附加电极的上部面
可以位于相同的面上。在若干实施例中，形成所述附加电极的步骤可以在将所述裸芯片排列于支撑基板之前预先执行。在其他实施例中，形成所述附加电极的步骤可以在将所述裸芯片排列于支撑基板之后执行。进而，所述方法还可包括在形成所述透明涂层之前形成覆盖所述支撑基板上所排列的多个裸芯片的分隔层。所述分隔层可以由单个绝缘层或多个绝缘层形成，且可以由透明树脂、氧化硅膜或氮化硅膜形成。而且，所述分隔层还可以包括应力缓和层，所述分布布拉格反射器可形成于所述应力缓和层之上。在若干实施例中，所述裸芯片还可以包括位于所述半导体层叠结构体上部的分布布拉格反射器。而且，所述裸芯片还可以包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半导体层叠结构体之间的应力缓和层。另外，去除所述支撑基板的步骤可以在分离所述透明涂层之前执行，但并不局限于此，还可以在去除所述透明涂层的上部之前执行，或者在分离所述透明涂层之后执行。在若干实施例中，所述裸芯片可以包括位于所述基板上的多个半导体层叠结构体。进而，所述裸芯片还可以包括相互连接所述多个半导体层叠结构体的多个配线。而且，所述裸芯片还可包括位于所述多个半导体层叠结构体上部的分隔层。所述分隔层可以由绝缘层形成，且可包括分布布拉格反射器。并且，所述分隔层可进一步包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半导体层叠结构体之间的应力缓和层。根据本发明的又一形态的发光二级管封装件，包括子底座基板；具备第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，且具备电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极和电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极，在上面设置所述第一电极和第二电极中的至少一个的、贴装于所述子底座基板上的裸芯片；露出形成于所述裸芯片上面的所述第一电极和第二电极中的至少一个，且将所述裸芯片的上面和侧面覆盖为一体，并至少覆盖所述子底座基板的上面的一部分的波长变换层。在此，所述子底座基板可包括沿着所述裸芯片的侧面形成的多个狭缝。而且，所述多个狭缝每一个可具有开口形状。而且，所述波长变换层可通过所述多个狭缝中的至少一部分覆盖所述子底座基板的内部侧面。另外，所述子底座基板和所述裸芯片可进行金属键合。而且，所述发光二级管封装件还包括形成有电源供应用引线的基板；电连接所述电源供应用引线与所述第一电极和所述第二电极的键合引线；包封所述裸芯片的透镜。根据本发明的又一形态的发光二级管封装件的制造方法，包括如下步骤准备子底座基板；将分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层的多个裸芯片贴装于所述子底座基板上；形成电连接于所 述第一导电型半导体层的第一电极，并形成电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极；形成露出形成于所述裸芯片的上面的所述第一电极和第二电极中的至少一个，将所述裸芯片的上面和侧面覆盖为一体，且至少覆盖所述子底座基板的上面的一部分的波长变换层。在此，形成所述第一电极和第二电极的步骤可包括步骤将所述第一电极和第二电极中的至少一个形成于所述裸芯片上面。另外，所述发光二级管封装件的制造方法进一步可包括步骤利用模具对所述第一电极和第二电极加压，以避免所述模具与所述第一电极和第二电极之间产生缝隙。在此，形成所述波长变换层的步骤可包括步骤在所述模具的内部空间注入含有荧光体的树脂而进行固化。另外，准备所述子底座基板的步骤可包括步骤沿着贴装所述裸芯片的区域形成多个狭缝。在此，所述多个狭缝可分别形成开口形状。而且，形成所述波长变换层的步骤可包括步骤将所述波长变换层形成为通过所述多个狭缝中的一部分狭缝覆盖所述子底座基板的内部侧面。而且，所述发光二极管封装件的制造方法还可包括步骤在所述波长变换层和所述裸芯片之间形成透明树脂层。另外，所述发光二级管封装件的制造方法还包括步骤将所述子底座基板以单独的发光二级管芯片为单位进行切割。在此，所述发光二级管封装件的制造方法还可以包括步骤在具有引线的基板上贴装被切割的所述单独的裸芯片；将所述第一电极和第二电极分别与键合引线电连接；形成包封所述单独的发光二极管芯片的透镜。技术效果根据本发明，能够提供对于通过基板的侧面释放的光也能够执行波长变换的发光二极管芯片。而且，能够提供通过采用附加电极，在执行波长变换的同时还可以容易地执行引线键合的发光二极管芯片。并且，根据本发明，通过采用分隔层，能够防止波长变换层内的荧光体因半导体层叠结构体中释放的光而受到损伤。而且，所述分隔层包括分布布拉格反射器，能够防止在波长变换层变换的光再次入射到半导体层叠结构体内部,据此能够改善光效率。


图1为用于说明本发明一实施例提供的发光二极管芯片的剖视图。图2为用于说明根据本发明另一实施例提供的发光二极管芯片的剖视图。图3为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图4为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片的剖视图。图5为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。·图6为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图7为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图8为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图9为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图10为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图11为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图12为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图13为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图14为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图15为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图16为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图17为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图18为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片的剖视图。图19为用于说明搭载本发明一实施例提供的发光二极管芯片的发光二极管封装件的剖视图。图20为用于说明本发明一实施例提供的发光二极管芯片制造方法的多个剖视图。图21为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管的上部平面图。图22为示出从C-C'线观察图21的发光二极管的剖面的图。图23为示出根据本发明一实施例形成多个发光二极管的子安装基板的图。图24为放大图23中用圆表示的区域的图。图25为用于说明本发明一实施例提供的发光二极管封装件的制造方法的流程图。图26为按照步骤分别示出本发明一实施例提供的发光二级管封装件的制造方法的图。图27为用于说明搭载本发明一实施例提供的发光二极管的发光二级管封装件的首1J视图。图28为用于说明本发明的另一实施例提供的发光二极管的剖视图。
具体实施例方式以下，参照附图详细说明本发明的各个实施例。以下介绍的实施例是作为示例而提供的，以将本发明的思想充分地传递给本领域技术人员。因此，本发明并不局限于以下说明的实施例，可以具体化为其他形态。而且，在图中，构成要素的宽度、长度、厚度等也有可能被夸张地表示，以方便说明。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
图1为用于说明本发明一实施例提供的发光二极管芯片101的剖视图。发光二极管芯片101包括基板21 ;包括第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29的氮化镓系半导体层叠结构体30 ;第一电极41 ;第二电极42 ;第一附加电极43 ;第二附加电极44以及透明涂层(例如，波长变换层50)。而且，第一导电型半导体层25和基板21之间可以介入缓冲层23。基板21具有半导体层叠结构体所处的上表面、与所述上表面方向相反的下表面、连接上表面和下表面的侧面。基板21只要是透明基板则没有特别的限制，可以是能够生长氮化物半导体层的基板(例如，蓝宝石、碳化硅、尖晶石、或硅等)。基板21可相对于半导体层叠结构体更厚，半导体层叠结构体上生成的光的一部分可通过基板21的侧面释放。所述活性层27、所述第一和第二导电型半导体层25、29可以由II1-N系列的化合物半导体，例如，由(Al,Ga, In)N半导体形成。所述第一和第二导电型半导体层25、29可分别为单层或多层。例如，所述第一导电型半导体层25和/或第二导电型半导体层29可包括接触层和包覆层(Clad layer)，而且还可以包括超晶格层。而且，所述活性层27可以为 单量子阱结构或多量子阱结构。例如，所述第一导电型半导体层可以是n型，所述第二导电型半导体层可以是P型，但并不局限于此，可以与此相反。缓冲层23在基板21和第一导电型半导体层25之间缓和晶格失配，减少在半导体层25、27、29之内产生的缺陷密度。另外，第一电极41接触于第一导电型半导体层25的暴露的表面而与第一导电型半导体层25电连接。而且，第二电极42位于第二导电型半导体层29的上部而与第二导电型半导体层29电连接。第一电极41和第二电极42例如可包括T1、Cu、N1、Al、Au或Cr，也可以由T1、Cu、N1、Al、Au或Cr中的两个以上的物质形成。而且，为了电流分散,诸如Ni/Au、IT0、IZ0、Zn0的透明导电层可形成于第二导电型半导体层29之上，第二电极42可连接于所述透明导电层。第一附加电极43和第二附加电极44分别位于第一电极41和第二电极42之上。第一附加电极43和第二附加电极44具有相比第一电极41和第二电极42的宽度更窄的宽度。S卩，第一附加电极43被限定于第一电极41的上部，第二附加电极44被限定于第二电极42的上部。而且，第一附加电极43和第二附加电极44可具有分别距离第一电极41和第二电极42越远，则宽度越窄的形状。基于这种形状，第一附加电极43和第二附加电极44可分别稳定地粘贴于第一电极41和第二电极42而保持，有利于引线键合等后续工艺。为了使第一附加电极43和第二附加电极44能够分别稳定地保持在第一电极41和第二电极42之上，可以将相对于底面的高度的比率限定在预定范围之内。波长变换层50可在环氧树脂或硅胶内含入荧光体而形成，或者可以仅由荧光体形成。例如，波长变换层50可以在环氧树脂或硅胶内含入荧光体之后将其涂布而形成。此时，可以使用模具，以在基板21的侧面形成具有均匀的厚度的波长变换层50。此时，可以将模具布置成使第一附加电极43和第二附加电极44的上表面的全部或局部暴露，由此形成波长变换层50，或者使含有荧光体的树脂涂布成覆盖第一附加电极43和第二附加电极44之后，对树脂进行机械研磨，由此可露出第一附加电极43和第二附加电极44的上表面。据此，可形成上表面平坦的波长变换层50，且第一附加电极43和第二附加电极44贯通波长变换层50而露出到外部。进而，波长变换层50例如可以具有1. 4 2. 0范围之内的折射率，而为了调整折射率，可以在波长变换层50之内混入Ti02、Si02、Y2O3等粉末。另外，如图所示，第一附加电极43的上表面可以与第二附加电极44的上表面位于相同的高度。据此，在去除第二导电型半导体层29和活性层27的一部分而暴露第一导电型半导体层25时，如图所示，第一附加电极43可比第二附加电极44更长。波长变换层50可覆盖基板21的侧面和半导体层叠结构体30的上部。据此，可以提供不仅对于通过半导体层叠结构体30的上表面释放的光，还对于通过基板21的侧面释放的光也能够进行波长变换的发光二极管芯片101。图2为用于说明本发明的另一实施例提供的发光二极管芯片102的剖视图。
参照图2，本实施例提供的发光二极管芯片102大致上与图1的发光二极管芯片101大致类似，区别在于进一步包括分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47。而且，透明导电层31介入于所述分隔层33和所述半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29之间。第二电极42可连接于所述透明导电层31。为了避免重复，对于与前述说明的实施例的发光二级管芯片101相同的构成要素将省略详细的说明。分隔层33可覆盖所述半导体层叠结构体30和透明导电层31的上部。根据所述分隔层33，所述波长变换层50从半导体层叠结构体30隔开。分隔层33可由例如氮化硅或氧化硅形成。而且，所述分隔层33可以由交替地层叠折射率不同的绝缘层(例如，SiO2/TiO2或Si02/Nb205)的分布布拉格反射器形成。此时，通过调整折射率不同的绝缘层的光学厚度，所述分隔层33可使在活性层27生成的光透过，并反射从外部入射或由波长变换层50变换的光。这种分布布拉格反射器具有反射可视光区域中的长波长区域的光，且使在活性层27生成的短波长可视光或紫外线透过的反射带宽。尤其，由于相比TiO2,Nb2O5的光吸收率相对较小，因此为了防止光损失，更为优选的是利用Si02/Nb205形成分布布拉格反射器。另外，在所述基板21的下部设置有下部分布布拉格反射器45。所述下部分布布拉格反射器45是通过交替地层叠折射率互不相同的绝缘层而形成，不仅对于蓝色波长区域的光(例如，在活性层27中生成的光)，还对于黄色波长区域的光或绿色和/或红色波长区域的光，也具有相对高(优选为90%以上)的反射率。进而，所述下部分布布拉格反射器45也可以例如在400 700nm的波长范围之内整体上具有90%以上的发射率。在宽波长区域中具有相对高的反射率的下部分布布拉格反射器45是通过控制反复层叠的材料层的各自的光学厚度而形成的。所述下部分布布拉格反射器45例如可交替地层叠由SiO2构成的第一层和由TiO2构成的第二层而形成，或者可交替地层叠由SiO2构成的第一层和由Nb2O5构成的第二层而形成。由于Nb2O5的光吸收率比TiO2相对较小，因此更为优选的是交替布置由SiO2构成的第一层和由Nb2O5构成的第二层。第一层和第二层的层叠数越多，分布布拉格反射器45的反射率越稳定，例如，分布布拉格反射器40的层叠数可以是50层以上，即25对以上。交替地层叠的多个第一层或第二层无需都具有相同的厚度，多个第一层和第二层的厚度选择为不仅是对于活性层27中生成的光，对于可视光区域的其他波长也具有相对高的反射率。而且，对于特定波长带宽，可层叠反射率高的多个分布布拉格反射器而形成所述下部分布布拉格反射器45。通过采用所述下部分布布拉格反射器45，当在波长变换层50变换的光再次入射到基板21侧时，可以再次反射该入射的光而释放到外部，据此能够改善光效率。
另外，所述分布布拉格反射器45的第一层和最后一层可以是Si02。通过将SiO2布置在分布布拉格反射器45的第一层和最后一层，能够将分布布拉格反射器45稳定地粘贴于基板21上，且可利用所述最后的SiO2层保护下部分布布拉格反射器45。金属层47位于所述下部分布布拉格反射器45的下部。所述金属层47为了反射透过了下部分布布拉格反射器4的光而可以由诸如铝的反射金属形成，但也可以由反射金属之外的金属形成。尤其，金属层47有助于将层叠结构体30产生的热量释放到外部，因此提高发光二极管芯片102的放热性能。根据本实施例，通过由对于长波长的可视光具有高反射率的分布布拉格反射器形成分隔层33，可防止在波长变换层50变换的光再次入射到半导体层叠结构体30之内。而且，通过采用下部分布布拉格反射器45，当从外部入射到基板21侧或者在波长变换层50变换的光入射到基板21侧时，可以再次将其反射，从而能够改善光效率。图3为用于说明本发明的又一实施例提供的发光二极管芯片103的剖视图。参照图3，发光二极管芯片103与参照图2说明的发光二极管芯片102类似，区别在于在所述分隔层30上进一步设置或代替所述分隔层30在波长变换层50和半导体层叠结构体30之间介入应力缓和层35和所述分布布拉格反射器37。S卩，应力缓和层35可位于半导体层叠结构体30上侧(例如，分隔层33之上)，而在应力缓和层35的上侧设置上部分布布拉格反射器37。所述应力缓和层35和所述上部分布布拉格反射器37也起到分隔层的作用。所述上部分布布拉格反射器37可通过交替层叠折射率不同的多个绝缘层(例如，Si02/Ti02或Si02/Nb205)而形成。此时，通过调整折射率不同的多个绝缘层的光学厚度，所述上部分布布拉格反射器37可使在活性层27生成的光透过，且反射从外部入射或在波长变换层50变换的光。所述上部分布布拉格反射器37具有反射可视光区域中的长波长区域的光，且使在活性层27生成的短波长可视光或紫外线透过的反射带宽。尤其，由于Nb2O5的光吸收率相比TiO2相对较小，因此为了防止光损失，更为优选的是利用Si02/Nb205形成分布布拉格反射器。另外，应力缓和层35可由旋涂式玻璃层(SOG)或多孔氧化硅膜形成。所述应力缓和层35缓和所述上部分布布拉格反射器37的应力，防止上部分布布拉格反射器37的剥离。当交替层叠折射率不同的多个绝缘层(例如，SiO2AiO2或Si02/Nb205)形成上部分布布拉格反射器37时，由于层叠多个相对高密度的层，因此分布布拉格反射器中产生的应力变大。据此，分布布拉格反射器容易从其下侧的层(例如，分隔层33)剥离。因此，通过将应力缓和层35布置在上部分布布拉格反射器37的下侧，可防止上部分布布拉格反射器37的剥离。另外，在本实施例中，所述分隔层33可以形成为单层(例如，由氮化硅或氧化硅形成)，也可以被省略。图4为用于说明本发明的又一实施例提供的发光二极管芯片104的剖视图。参照图4，在前面的图1至图3中以水平型发光二极管芯片101、102、103为例进行了说明，但所述发光二极管芯片104为垂直型发光二极管芯片。所述发光二极管芯片104包括基板51 ;具备第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29的半导体层叠结构30 ;上部电极41 ;附加电极43以及波长变换层60。所述波长变换层60可根据分隔层而从半导体层叠结构体30隔开。例如，所述分隔层可以包括如参照图2说明的分隔层33，而且还可以如图3的说明，包括分隔层33、应力缓和层35和/或上部分布布拉格反射器37。进而，所述发光二极管芯片104可包括反射金属层55、屏障金属层57以及键合金属53。基板51区别于用于生长半导体层25、27、29的生长基板，是粘贴于已经生长的化合物半导体层25、27、29的二次基板。所述基板51可以是导电型基板(例如，金属基板或半导体基板)但不限于此，也可以是诸如蓝宝石的绝缘基板。半导体层叠结构体30位于基板51之上，包括第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29。在此，所述半导体层叠结构体30与一般的垂直型发光二级 管相同，P型化合物半导体层29相比n型化合物半导体层25更加靠近基板51侧。所述半导体层叠结构体30可以位于基板51的一部分区域之上。即，基板51具有相对于半导体层叠结构体30更宽的面积，半导体层叠结构体30可位于被所述基板51的边缘包围的区域之内。由于所述第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29与参照图1说明的半导体层类似，因此省略详细的说明。另外，通过使电阻相对小的n型化合物半导体层25位于基板51的相反侧，可在n型化合物半导体层25的上部面上形成粗糙的表面。所述基板51和半导体层叠结构体30之间可以介入反射金属层55,屏障金属层57可以介入于基板51和反射金属层55之间而包围反射金属层55。进而,所述基板51可通过键合金属53键合于半导体层叠结构体30上。所述反射金属层55和所述屏障金属层57可起到电连接于所述第二导电型半导体层29的下部电极的作用。另外，所述半导体层叠结构体30上部设置有波长变换层60。所述波长变换层60的位置可限定于所述半导体层叠结构体30上部，但并不局限于此，还可以设置在所述半导体层叠结构体30的侧面，进而覆盖所述基板51的侧面。分隔层33覆盖半导体层叠结构体30的上部面，并在分隔层33的上面可依次设置应力缓和层35和上部分布布拉格反射器37。所述绝缘层33、应力缓和层35以及上部分布布拉格反射器37可以采用与参照图3进行说明的绝缘层、应力缓和层以及上部分布布拉格反射器相同的材料，因此为了避免重复，省略详细的说明。而且，所述分隔层33也可以被省略。并且，如图2的实施例中说明的那样，所述分隔层33可以是分布布拉格反射器，此时，应力缓和层35和上部分布布拉格反射器37可以被省略。另外，上部电极41位于半导体层叠结构体30，例如第一导电型半导体25之上而与第一导电型半导体层25电连接，附加电极43位于所述上部电极41之上。所述附加电极43可具有与前面参照图1说明的第一附加电极43或第二附加电极44相同的形状和结构。所述附加电极43通过所述波长变换层60暴露于外部。图5为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片105的剖视图。参照图5，发光二级管105与参照图1说明的发光二极管芯片101大致类似，区别在于波长变换层50从半导体层叠结构体30隔开。S卩，在波长变换层50和半导体层叠结构体30之间介入有分隔层61。随着波长变换层50从半导体层叠结构体30隔开，可以防止波长变换层50的树脂或荧光体因在活性层27中生成的光而发生劣化。分隔层61还可以介入于基板21的侧面和波长变换层50之间。所述分隔层61可以由透明树脂、氧化硅膜、氮化硅膜形成。为了减少向荧光体传递的热量，所述分隔层61的导热率越低越有利，例如可具有小于3W/mK的导热率。而且，当所述分隔层61由透明树脂形成时，为了调整透明树脂的折射率，可以在透明树脂内混入Ti02、Si02、Y203等粉末。进而，所述分隔层61不仅可以形成为单层，还可以形成为多个层。通过调整构成所述分隔层61的多个层的折射率和厚度，可以将分隔层61形成为使在活性层27产生的光透过，且反射在波长变换层50变换而入射到发光二极管芯片105之内的光。例如，可通过反复层叠折射率不同的多个层(例如，打02和SiO2),形成选择性地使在活性层27生成的光透过或反射在波长变换层43变换的光的分布布拉格反射器。进而，当所述分隔层61包括分布布拉格反射器时，为了防止所述分布布拉格反射器被剥离，可以在半导体层叠结构体30和所述分布布拉格反射器之间介入如同图6的发光二级管芯片106的例的应力缓和层62。图7为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管芯片107的剖视图。 参照图7，发光二极管芯片106与参照图5说明的发光二极管芯片105大致类似，区别在于进一步包括分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47。而且，透明导电层31介入于所述分隔层33和所述半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29之间。第二电极42可连接于所述透明导电层31。所述分隔层61覆盖分隔层33，使波长变换层50更加远离半导体层叠结构体30。进而，当所述分隔层61为分布布拉格反射器时，为了防止所述分隔层61的剥离，可以在分隔层61和半导体层叠结构体30之间介入如图6所示的应力缓和层62。所述分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47与参照图2进行说明的分隔层、下部分布布拉格反射器以及金属层相同，因此为了避免重复，省略详细的说明。进而，如参照图3说明的那样，上部分布布拉格反射器37以及应力缓和层35可位于半导体层叠结构体30的上部，据此所述波长变换层50可进一步远离半导体层叠结构体30。图8为用于说明本发明的又一实施例提供的发光二级管芯片108的剖视图。参照图8，发光二极管芯片107与参照图5说明的发光二级管芯片105大致类似，区别在于在波长变换层50上增加了透明树脂63。即，透明树脂63覆盖波长变换层50。透明树脂63保护荧光体免受外部湿气的影响。为了防止吸收湿气，所述透明树脂63优选为具有高硬度(例如，邵氏硬度值为60A以上)。所述高硬度透明树脂63在分隔层61由透明树脂形成时，可具有相比分隔层61更高的硬度值。进而，为了调整所述高硬度透明树脂63的折射率，可以在透明树脂63之内混入TiO2, SiO2, Y2O3 等粉末。图9为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片109的剖视图。参照图9，所述发光二级管芯片109与参照图8说明的发光二极管芯片108大致类似，区别在于进一步包括分隔层33、下部分布布拉格反射器45、金属层47。而且，在所述分隔层33和所述半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29之间介入有透明导电层31。第二电极42可连接于所述透明导电层31。所述分隔层61覆盖分隔层33，使得波长变换层50进一步远离半导体层叠结构体30。
所述分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47与前面参照图2说明的分隔层、下部分布布拉格反射器以及金属层相同，因此为了避免重复，省略详细的说明。进而，如参照图3说明的那样，上部分布布拉格反射器37和应力缓和层35可位于半导体层叠结构体30的上部，据此所述波长变换层50可进一步远离半导体层叠结构体30。图10为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片110的剖视图。参照图10，所述发光二极管芯片110与参照图1说明的发光二极管芯片101大致相同，区别在于第一附加电极43的上表面低于第二附加电极44的上表面。据此，虽然波长变换层70的上表面大致平坦，但是在第一附加电极43的附近具有阶梯差。具有这种结构的波长变换层70可利用沿着半导体层叠结构体的表面形状特制的·模具制作。图11为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片111的剖视图。参照图11，所述发光二极管芯片111与参照图10说明的发光二极管芯片110大致类似，区别在于进一步包括分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47。而且，透明导电层31介入于所述绝缘层33和所述半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29之间。第二电极42可连接于所述透明导电层31。所述分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47与前面参照图2说明的分隔层、下部分布布拉格反射器以及金属层相同，因此为了避免重复，省略详细的说明。进而，如参照图3说明的那样，在所述波长变换层70和半导体层叠结构体30之间可介入应力缓和层35和上部分布布拉格反射器37。图12为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片112的剖视图。参照图12，所述发光二极管芯片112与参照图10说明的发光二极管芯片110大致类似，区别在于波长变换层70从半导体层叠结构体30隔开。S卩，如参照图5说明的那样，在波长变换层70和半导体层叠结构体之间介入有分隔层71。随着波长变换层70从半导体层叠结构体隔开，可以防止波长变换层70的树脂或荧光体因在活性层27生成的光而发生劣化。分隔层71还可以介入于基板21的侧面和波长变换层70之间。而且，当所述分隔层71包括分布布拉格反射器时，如参照图6说明的那样的应力缓和层62可以介入于分隔层71和半导体层叠结构体30之间。图13为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片113的剖视图。参照图13，所述发光二极管芯片113与参照图12说明的发光二极管芯片112大致类似，区别在于进一步包括分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47。而且，透明导电层31介入于所述绝缘层33和所述半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29之间。第二电极42可连接于所述透明导电层31。所述分隔层71覆盖绝缘层33使波长变换层70进一步远离半导体层叠结构体30。所述分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47与前面参照图2说明的分隔层、下部分布布拉格反射器以及金属层相同，因此为了避免重复，省略详细的说明。进而，如参照图3说明的那样，上部分布布拉格反射器37和应力缓和层35可位于半导体层叠结构体30的上部，据此所述波长变换层70可进一步远离半导体层叠结构体30。图14为用于说明本发明的又一实施例提供的发光二级管芯片114的剖视图。参照图14，发光二极管芯片114与参照图12说明的发光二级管芯片大致类似，区别在于在波长变换层70上增加了透明树脂73。即，透明树脂73覆盖波长变换层70。透明树脂73保护荧光体免受外部湿气的影响。为了防止吸收湿气，所述透明树脂73优选为具有高硬度(例如，邵氏硬度值为60A以上)。所述高硬度透明树脂73在分隔层71由透明树脂形成时，可具有相比分隔层71更高的硬度值。进而，为了调整所述高硬度透明树脂73的折射率，可以在透明树脂73之内混入TiO2, SiO2, Y2O3 等粉末。图15为用于说明本发明又一 实施例提供的发光二极管芯片115的剖视图。参照图15，所述发光二极管芯片115与参照图14说明的发光二极管芯片114大致类似，区别在于进一步包括分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47。而且，透明导电层31介入于所述分隔层33和所述半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29之间。第二电极42可连接于所述透明导电层31。所述分隔层71覆盖分隔层33使波长变换层50进一步远离半导体层叠结构体30。所述分隔层33、下部分布布拉格反射器45以及金属层47与前面参照图2说明的分隔层、下部分布布拉格反射器以及金属层相同，因此为了避免重复，省略详细的说明。进而，如参照图3说明的那样，上部分布布拉格反射器37和应力缓和层35可位于半导体层叠结构体30的上部，据此所述波长变换层70可进一步远离半导体层叠结构体30。图16为用于说明根据本发明又一实施例制造的发光二极管芯片116的剖视图。参照图16，发光二极管芯片116与参照图1说明的发光二极管芯片101大致类似，区别在于在基板21上设置有多个半导体层叠结构体30。多个半导体层叠结构体可通过多个配线83彼此电连接。多个配线83连接一个半导体层叠结构体30的第一导电型半导体层25和与此相邻的半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29，由此可以形成串联矩阵，而且多个这种串联矩阵可以并联或逆并联连接。另外，为了防止半导体层叠结构体的第一导电型半导体层25和第二导电型半导体层29因配线39而形成短路，可以在半导体层叠结构体和配线83之间介入绝缘层81。所述绝缘层81还起到使多个半导体层叠结构体30和波长变换层50相互隔开的分隔层的功倉泛。另外，第一电极41和第二电极42可分别位于互不相同的半导体层叠结构体30之上。而且，在本实施例中，对于第一电极41和第二电极42的形成位置并没有特别的限定。例如，第一电极41和第二电极42可以都形成于基板21之上，也可以形成于第一导电型半导体层25或第二导电型半导体层29之上。此时，所述第一电极41和第二电极42可通过配线83分别连接于互不相同的半导体层叠结构体30之上。在所述第一电极41和第二电极42之上分别布置第一附加电极43和第二附加电极44。波长变换层50覆盖所述多个半导体层叠结构体30。波长变换层50还覆盖基板21的侧面。如参照图5说明的那样，波长变换层50根据分隔层61而可以从半导体层叠结构体隔开。图17为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片117的剖视图。参照图17，发光二级管芯片117与参照图16说明的发光二极管芯片115大致类似，区别在于进一步包括第二绝缘层85、下部分布布拉格反射器45以及金属层47，为了易于形成配线81，所述半导体层叠结构体30的侧面倾斜地形成。而且，在绝缘层81和各个半导体层叠结构体30之间设置有透明导电层31，透明导电层31欧姆接触于第二导电型半导体层29。配线83将一个半导体层叠结构体30的第一导电型半导体层25连接于与此相邻的半导体层叠结构体30的第二导电型半导体层29(或者透明导电层31)上，由此可形成串联矩阵，而这种串联矩阵可以并联或逆并联连接。另外，绝缘层81可覆盖透明导电层31，进而可以覆盖半导体层叠结构体30的侧面。而且，为了保护半导体层叠结构体30和多个配线83，第二绝缘层85可以覆盖半导体层叠结构体30和多个配线83，且第二绝缘层85覆盖绝缘层83。所述绝缘层81和第二绝缘层85可以由相同的材质的物质膜(例如，氧化硅膜或氮化硅膜)形成，且可分别形成为单层。此时，为了防止所述第二绝缘层85从绝缘层81剥离，所述第二绝缘层85可相对于绝缘层81更薄。与此不同，所述绝缘层81和/或第二绝缘层85与参照图2说明的分隔层33类似，可以由交替层叠折射率不同的绝缘层的分布布拉格反射器形成。如在图2说明的那样，这种分布布拉格反射器使在活性层27生成的光透过,并反射在波长变换层50变换的光。优选地，所述第二绝缘层85由分布布拉格反射器形成，所述绝缘层81可以由SOG或多孔氧化硅膜等的应力缓和层形成。所述波长变换层50位于第二绝缘层85上部，所述绝缘层81和第二绝缘层85具有分隔层的作用。在此基础上，如参照图5说明的那样的分隔层61可以介入于多个半导体层叠结构体30和波长变换层50之间。而且，如参照图8说明的那样，高硬度透明树脂63可以覆盖波长变换层50。图18为用于说明本发明又一实施例提供的发光二极管芯片118的剖视图。参照图18，所述发光二极管芯片118与参照图17说明的发光二极管芯片118大致相同，区别在于进一步包括应力缓和层87和上部分布布拉格反射器89。即，上部分布布拉格反射器89可位于多个半导体层叠结构体30和波长变换层50之间，在此基础上，在上部分布布拉格反射器89和多个半导体层叠结构体30之间可设置应力缓和层87。所述上部分布布拉格反射器89与参照图3说明的上部分布布拉格反射器37类似，可以交替层叠折射率不同的绝缘层而形成。而且，所述应力缓和层87与图3的应力缓和层35相同，可以由SOG或多孔氧化硅膜形成。所述上部分布布拉格反射器89和应力缓和层87还具有使所述波长变换层50从半导体层叠结构体30隔开的分隔层的作用。本实施例中，所述绝缘层81和第二绝缘层85可以形成单层，且第二绝缘层85可以被省略。在前面说明的实施例中，荧光体可以是YAG或TAG系列的荧光体、硅酸盐系列的荧光体、氮化物或氮氧化物系列的荧光体。进而，波长变换层50、60或70可以包括相同种类的荧光体，但并不局限于此，还可以包括两 种以上的荧光体。而且，虽然以单层的波长变换层50、60或70进行了图示和说明，但可以使用多个波长变换层，多个波长变换层中可以包括互不相同的荧光体。图19为用于说明本发明一实施例提供的搭载发光二极管芯片101的发光二级管封装件的剖视图。参照图19，发光二极管封装件包括用于搭载发光二级管芯片101和用于搭载发光二级管芯片101的底座91。而且，所述发光二极管封装件还可以包含键合引线95和透镜97。所述底座91例如可以是印刷电路基板、引线框架、陶瓷基板，包括多个引线端子93a、93b。发光二级管芯片101的第一附加电极(图1的43)和第二附加电极(图1的44)分别通过键合引线95电连接于多个引线端子93a、93b。另外，透镜97覆盖发光二极管芯片101。透镜97调整发光二极管芯片101释放出的光的指向角，使光沿所期望的方向释放。由于发光二级管芯片101上形成有波长变换层50，因此所述透镜97无需包含荧光体。在本实施例中，对于搭载了发光二极管芯片101的发光二极管封装件进行了说明，但所述发光二极管封装件上还可以搭载前面参照图2至图17说明的发光二极管芯片101 至 117。以下，对于本发明实施例提供的发光二极管芯片的制造方法进行详细的说明。 图20为用于说明本发明一实施例提供的发光二极管芯片101的制造方法的剖视图。参照图20的(a)，在支撑基板121上排列裸芯片150。多个裸芯片150可以以相同的间距排列于支撑基板121之上。如图1所示，多个裸芯片150包括基板21 ;具备第一导电型半导体层25、活性层27和第二导电型半导体层29的氮化镓系半导体层叠结构体30 ；第一电极41 ;第二电极42。而且,第一导电型半导体层25和基板21之间可以介入缓冲层23。S卩，所述裸芯片150相当于在图1的发光二极管芯片101中去除第一附加电极43和第二附加电极44以及波长变换层50的部分，为了避免重复，省略对于裸芯片150的各个构成要素的详细的说明。支撑基板121支撑多个裸芯片150，且支撑为使多个裸芯片维持相同的间距。支撑基板121例如可以是玻璃、陶瓷、蓝宝石、GaN、Si等基板。参照图20的(b)，在所述多个裸芯片150上分别形成第一附加电极43和第二附加电极44。各个第一附加电极43和第二附加电极44例如可以利用化学气相生长法、溅射、镀覆或者焊球等形成。所述各个第一附加电极43和第二附加电极44可以由Au、Ag、Cu、W、N1、Al等具有导电性的物质形成。据此，如同图1所示的多个第一附加电极43和第二电极44可形成于多个裸芯片150之上。参照图20的(C)，在所述支撑基板121上形成覆盖所述多个裸芯片150、多个第一附加电极43和第二附加电极44的波长变换层50。波长变换层50可包含荧光体，且为了控制折射率，可包括Ti02、SiO2, Y2O3等粉末。所述波长变换层50形成为足够厚，以覆盖多个第一附加电极43和第二附加电极44。波长变换层50可通过注射成型、传递模塑成型、压缩成型、印刷等多种涂布方法形成。参照图20的(d)，形成波长变换层50之后，去除支撑基板121。为了容易地去除支撑基板121，可以在支撑基板121上设置剥离薄膜(未图示)。这种剥离薄膜例如可以是根据热或紫外线等光被剥离的薄膜。据此，通过向这种剥离薄膜施加热或照射紫外线等的光，从而能够容易地去除支撑基板121。去除支撑基板121之后，所述多个裸芯片150根据波长变换层50相互被固定，且所述多个裸芯片150可以粘贴于专门的支撑体之上。参照图20的(e)，所述波长变换层50的上部被去除而露出多个第一附加电极43和第二附加电极44。所述波长变换层50的上部可以通过研磨、切割或利用激光的物理方法去除，或者可以使用蚀刻等化学方法去除。进而，波长变换层50的上部可以被去除成使所述第一附加电极43和第二附加电极44和波长变换层50的上表面形成相同的面。参照图20的(f)，通过分离(sawing)填充多个裸芯片150之间的空间的波长变换层50，从而完成如图1所示的单独的发光二极管芯片101。所述波长变换层50可利用刀片或激光而被分离。所述多个单独的发光二极管芯片101具有使第一附加电极43和第二附加电极44露出，且覆盖基板21的侧面和半导体层叠结构体的上表面的波长变换层50。本实施例中，以第一附加电极43和第二附加电极44形成于支撑基板121之上为例进行了说明，但并不局限于此，第一附加电极43和第二附加电极44可以在支撑基板121上排列裸芯片之前形成于裸芯片上。 而且，可以在形成第一附加电极43和第二附加电极44之前，在排列于支撑基板121上的裸芯片150上先形成分隔层(图5的61)，且也可以在形成分隔层之前形成应力缓和层(图6的62)。接着，可以将所述分隔层图案化而露出第一电极41和第二电极42，且在第一电极41和第二电极42上分别形成第一附加电极43和第二附加电极44。而且，在本实施例中，以在去除波长变换层50的上部之前去除支撑基板121为例进行了说明，但支撑基板可以在去除波长变换层50的上部之后，或者利用刀片或激光分离波长变换层50之后去除。另外，所述裸芯片150可以包括参照图2说明的那样的分隔层33、下部分布布拉格反射器45和金属层47，且可以包括参照图3说明的那样的上部分布布拉格反射器37和应力缓和层35。而且，所述裸芯片150可以包括如图1的单个的半导体层叠结构体30，但并不局限于此，如参照图16至图18说明的那样，裸芯片150可以包括多个半导体层叠结构体30，且可以包括绝缘层81、第二绝缘层85、应力缓和层87和分布布拉格反射器89。据此，可以制造出图16至图18的发光二极管芯片116至118。在本实施例中，对于在裸芯片150上形成波长变换层50而制造发光二极管芯片的方法进行了说明，但本发明还包括以形成波长变换层50的方法类似的方法在裸芯片150上形成用于变更光学特性的多种透明涂层，不局限于在裸芯片150上形成波长变换层50。这种透明涂层可以包含用于改善光学特性的多种材料，例如可以包括扩散材料。以下，参照图21至图22说明本发明又一实施例提供的发光二级管。图21为用于说明本发明又一实施例提供的发光二级管的上部平面图，图22为示出沿线C-C'观看图21的发光二级管的剖面的图。参照图21和图22，本实施例提供的发光二级管可包括子底座基板1000、裸芯片200、粘接部件300、形成于所述裸芯片200上部的第一电极210和第二电极220、第一附加电极410和第二附加电极420以及波长变换层500。在此，所述子底座基板1000用于贴装和移动裸芯片200，区别于后述的用于生长裸芯片200的半导体层叠结构体的生长基板，且可以形成电极或不形成电极，虽然没有限定，但可以是印刷电路基板、引线框架或陶瓷基板，且由上面和下面以及连接上面和下面的侧面形成。而且，子底座基板100上沿着放置裸芯片200的区域的周围可形成第一狭缝1110和第二狭缝1120。在考虑所述裸芯片200将要贴装于子底座基板1000上的位置和裸芯片200的大小的情况下，第一狭缝1110和第二狭缝1120在贴装裸芯片200之前预先形成于子底座基板1000上，且第一狭缝1110和第二狭缝1120与裸芯片200之间的间隔保持一定，通过形成所述狭缝1110、1120，例如将裸芯片200如后述的那样以金属键合的方式贴装时，根据所述狭缝1110、1120，熔融的金属的移动被限制，其结果，裸芯片200不会形成较大的错误的排列，能够布置于正确的位置。而且，第一狭缝1110和第二狭缝1120并不局限于此，例如可以形成为贯通子底座基板1000的开口形状，或根据实施例，例如可以采用以蚀刻方式形成的凹陷图案的形状。将第一狭缝1110和第二狭缝11 20制造为开口形状时，如图22的区域A中示出的那样，波长变换层500贯通第一狭缝1110的开口部而不仅形成于子底座基板1000的上表面，还形成于内部侧面，从而可根据所述波长变换层500固定子底座基板1000和裸芯片200。而且，所述第一狭缝1110和第二狭缝1120的开口形状可以相同或不同，可以采用如图所示的边角为圆弧形的类似于矩形的形态，但并不局限于此，可以采用沿着裸芯片200的侧面延伸的形状。但是，图21是将第二狭缝1120形成在与切割线1140(参照图24)重叠的位置的情形，示出了以单独芯片为单位进行切断的状态下的子底座基板1000，因此第二狭缝1120与第一狭缝1110不同，仅示出了一半的结构。据此，当切割线1140的位置被调整时，第二狭缝1120可形成为与第一狭缝1110类似。所述接合部件300起到在所述子底座基板1000的上面粘贴裸芯片200的作用，虽然没有进行限定，但例如在所述裸芯片200具有水平型结构时，裸芯片200的半导体层可通过所述接合部件300，使形成于半导体层上部的生长基板(未图示)的下表面和子底座基板1000的上表面粘接。所述接合部件300例如可利用硅胶、金属浆料、环氧树脂浆料等制作。但是，本发明并不限定于特定的接合部件的种类，裸芯片200还可以通过利用如AuSn的金属的金属键合贴装于子底座基板1000上。为了简略化，所述裸芯片200在图示中被省略，但可以是具备第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层的氮化镓系半导体层叠结构体的LED芯片。具体来讲，所述半导体层叠结构体例如可以包括由GaN膜形成的n型层和p型层以及介入于n型层和P型层之间的、由InGaN膜形成的活性层。这种半导体层叠结构体通常在生长基板(未图示)生长，所述生长基板可以使用蓝宝石(Al2O3)基板、碳化硅(SiC)基板、硅(Si)基板、氧化铅(ZnO)基板、砷化镓(GaAs)基板或磷化镓(GaP)基板等形成。但是，当所述裸芯片200为垂直型结构时，所述生长基板例如可通过激光剥离技术(LLO)与所述半导体层叠结构体分离。本发明并不局限于水平型结构或垂直型结构等特定裸芯片结构，但以下的说明以水平型裸芯片为主，而裸芯片200的结构与通常的氮化镓系发光二级管的结构相同，因此省略详细的说明。所述第一电极210和第二电极220分别与所述裸芯片200的第一和第二导电型半导体层(未图示)电连接，且例如可以包括Ti，Cu、N1、Al、Au或Cr，也可以由其中的两个以上的物质形成。而且，所述第一电极210和第二电极220可形成为约10 200 y m的厚度。但是，在图22中，示出第一电极210和第二电极220分别形成两个，但第一电极210和第二电极220的形成数量或形成位置并不局限于图示的特定实施例的情形。即，根据裸芯片200的种类，在裸芯片200采用水平型结构的情况下，第一电极210和第二电极220都形成于裸芯片200的上面，在裸芯片200采用垂直型结构的情况下，第一电极210和第二电极220中的某一个电极可以被省略。而且，第一电极210和第二电极220都形成时，可以与图示不同，第一电极210和第二电极可以在裸芯片200的上面相互面对而分别仅形成一个。即，随着裸芯片200本身趋于大面积化，如图所示，第一电极210和第二电极220可分别形成两个，但是在通常的情况下，第一电极210和第二电极220仅形成一个，且这些第一电极210和第二电极220的位置可根据水平型结构或垂直型结构而变得不同。但是，以下的说明以图22的结构为主。所述第一附加电极410和第二附加电极420分别在第一电极210和第二电极220上形成约IOOiim以上的厚度，且例如可以利用Au、Cu、Ag、Al等导电性金属材料形成。而且，还可以通过利用化学气相生长法、电子束(e-beam)、溅射、镀覆或焊球等的制造方法形成，根据实施例，还可以在涂布感光材料之后，进行曝光和显影而制造，因此本发明并不受特定的电极形成方法的限制。而且，所述第一附加电极410和第二附加电极420可分别具有相比第一电极210
和第二电极220更窄的宽度。即，第一附加电极410和第二附加电极420分别被限定于第一电极210和第二电极220的上部。而且，第一附加电极410和第二附加电极420可以具有越远离与第一电极210和第二电极220的接触面，宽度就越变窄的形状。根据这种形状，第一附加电极410和第二附加电极420分别可以稳定地粘贴在第一电极210和第二电极220上而保持，有利于引线键合等后续工艺。而且，可以将第一附加电极410和第二附加电极420的相对于底面的高度的比率控制在预定范围之内，以使第一附加电极410和第二附加电极420能够稳定地保持在第一电极210和第二电极220之上。所述波长变换层500是在环氧树脂或硅胶内包含荧光体而形成，或者仅由荧光体形成，起到将在裸芯片200的活性层(未图示)生成的光作为激发源而变换波长之后射出的作用。在此，对于所述荧光体的种类没有特别的限制，公知的波长变换用物质都可以使用，虽然不进行限制，但例如可以是由(Ba、Sr、Ca)2Si04:Eu2'YAG((Y、Gd) 3 (Al.Ga) 5012:Ce3+)系列荧光体、TAG((Tb，Gd)3(Al，Ga)5012:Ce3+)系列荧光体、(Ba、Sr、Ca)3SiO5:Eu2+、(Ba、Sr、Ca) MgSi2O6: Eu2+、Mn2+、(Ba、Sr、Ca) 3MgSi208:Eu2+、Mn2+ 及(Ba、Sr、Ca) MgSiO4: Eu2+、Mn2+ 构成的群中选择的一种以上的荧光体。而且，参照本发明的一实施例，波长变换层500不仅可以在裸芯片200的上部(图21中以点划线表示的区域)，还可以在侧面以均匀的厚度形成。此时，如后述，可利用模具在除了第一附加电极410和第二附加电极420的上面(全部或局部)区域的区域上形成上表面平坦的波长变换层500，而且通过将第一附加电极410和第二附加电极420贯穿波长变换层500而露出到外部，从而在封装作业时，可以容易地进行引线键合，即便芯片级上形成波长变换层500，也无需为进行引线键合而露出电极的追加工艺。进而，波长变换层500例如可具有1. 4 2. 0范围之内的折射率，为了调整折射率，TiO2、SiO2、Y2O3等粉末可以混入到波长变换层500之内。另外，如图所示，第一附加电极410的上表面可以位于与第二附加电极420的上表面相同的高度。据此，在裸芯片200为水平型发光二级管的情况下，去掉第二导电型半导体层和活性层的一部分而露出第一导电型半导体层时，与第一导电型半导体电连接的第一附加电极410可相比与第二导电型半导体层电连接的第二附加电极420更长。根据本实施例，由于波长变换层500不仅覆盖裸芯片200的上面，还覆盖裸芯片200的侧面，因此提供不仅对于通过半导体层叠结构体的上面释放的光，还能够对于通过半导体层叠结构体的侧面释放的光进行波长变换的发光二级管。图23为示出根据本发明一实施例形成有多个发光二级管的子底座基板的图，图24为放大图23中用圆表示的区域的图。根据本发明的一实施例，可以在一个子底座基板1000上以矩阵结构贴装多个裸芯片200之后，利用模具在这些多个裸芯片200上面同时形成波长变换层500，并对这些以单独的芯片为单位进行切割。而且，此时，当第二狭缝1120形成在与切割线1140重叠的位置时，可更加容易地执行这种切割工艺。另外，根据本发明一实施例的子底座基板1000上，除了前述的第一狭缝1110和第 二狭缝1120之外，还可以形成有芯片分离用狭缝1130。即，顺着切割线1140沿横向(X方向)切断子底座基板1000时，借助在子底座基板1000上以一定的间隔沿竖向(Y方向)形成的芯片分离用狭缝1130，发光二级管可以以单独的芯片为单位被分离。据此，根据本发明，将多个裸芯片贴装于一个基板上之后，通过同一工艺在所有裸芯片的上部形成波长变换层，并以单独芯片为单位进行切断，从而能够同时制造多个发光元件，因此能够缩短制造时间，通过大量生产能够实现制造成本的节省。以下，参照图25和图26具体说明本发明一实施例提供的发光二级管及包括此的封装件的制造方法。图25为用于说明本发明一实施例提供的发光二级管的制造方法的流程图，图26为按照步骤分别示出本发明一实施例提供的发光二级管的制造工艺的图。但是，图25的各个步骤可以同时或不同时执行，还可以根据不同的情况变换顺序，特定的步骤还可以被省略。据此，本发明并不局限于图示的顺序。首先，如图26的(a)，准备子底座基板1000(步骤SI)。如前所述，在子底座基板1000(参照图24)上沿着将要置放裸芯片200的区域的周围可形成有多个第一狭缝1110和第二狭缝1120，且预先形成有芯片分离用狭缝1130，从而在之后的切割工艺中仅沿X方向切断子底座基板1000也能够以单独芯片为单位分离发光二级管。之后，如图26的(b)，可以在准备的子底座基板1000上以矩阵形态贴装多个裸芯片200 (步骤S2)。在此，裸芯片200可利用接合部件300被粘贴于子底座基板1000的上面，还可以通过例如利用AuSn等的金属键合方法被粘贴。而且，在贴装裸芯片200时，由于第一狭缝1110和第二狭缝1120，裸芯片200不会被错误地排列而可排列于所期望的位置。此时，裸芯片200的上面可形成有分别电连接于第一导电型半导体层(未图示)和第二导电型半导体层(未图不)的第一电极210和第二电极220。之后，如图26的(C)所示，在所述第一电极210和第二电极220的上部分别形成第一附加电极410和第二附加电极420 (步骤S3)。第一附加电极410和第二附加电极420例如可以利用Au、Cu、Ag、Al等导电性金属材料形成，且可以通过利用化学气相生长法、电子束(e-beam)、溅射、镀覆或焊球等的制造方法形成，根据实施例，还可以在涂布感光材料之后，进行曝光和显影而制造。之后，在裸芯片200的上面和侧面形成波长变换层500 (步骤S4)。根据本发明的一实施例，如图26的(d)，利用模具650夹住贴装有裸芯片200的子底座基板1000，在对于所述第一附加电极410和第二附加电极420的上面施加压力的同时,使模具650的一面和附加电极410、420的上面相互贴紧而避免产生空间的状态下，向模具内部空间600注入荧光体和树脂混合物之后，可通过使所述树脂硬化而形成波长变换层500 (图26的(e))。此时，由于模具650向附加电极410、420施加的力，附加电极410、420的形状变形，据此即便附加电极410、420的高度形成为稍微不同的情况，也能够通过模具使高度变得相同，且模具和附加电极410、420之间也不会产生缝隙。而且，为了使模具650更加有效地对附加电极加压，根据实施例，模具框的高度不仅可以调整为与具备附加电极410、420的裸芯片200的整体高度相同，还可以调整为低于具备附加电极410、420的裸芯片200的整体高度。而且，在图26的(e)中，仅以单个裸芯片200作为基准示出，但实际中形成波长变换层500时，对于图23和图24中以矩阵排列的多个裸芯片200整体，可以使用单个模具在这些多个裸芯片200的上面同时形成波长变换层 500。之后，将形成波长变换层500的子底座基板1000沿切割线1140切断，以单独芯片 为单位分离多个发光二级管(步骤S5)。此时，如前所述，在芯片和芯片之间的区域沿Y轴方向较长地延伸有芯片分离用狭缝1130的开口，因此切断作业可以仅沿X轴一个方向实施，从而能够简化切割工艺，缩短工艺时间。之后，如图27所示，将单独的发光二极管贴装于封装用基板1500，然后在第一附加电极410和第二附加电极420上分别电连接键合引线800，以能够向发光二级管施加电源，并形成包封所述发光二级管的透镜700，以能够从外部保护所述发光二级管(步骤S6)。S卩，图27为用于说明本发明一实施例提供的搭载发光二级管的发光二级管封装件的剖视图。参照图27，发光二级管封装件可包括粘贴搭载了裸芯片200的子底座基板1000的封装用基板1500、与形成于所述裸芯片200上的第一附加电极410和第二附加电极420电连接的键合引线800、包封所述裸芯片200的透镜700。所述封装用基板1500与子底座用基板1000不同，是为了向裸芯片200供应电源而配备的基板，虽然没有限制，但例如可以是印刷电路基板、引线框架、陶瓷基板等，可包括多个电源供应用引线端子(未图示)。据此，裸芯片200的第一附加电极410和第二附加电极420可分别通过键合引线800电连接于所述引线端子。另外，透镜700形成为将形成有所述波长变换层500的所述子底座基板1000包封为一体，g卩，形成为覆盖整个裸芯片200，从而可以调整从裸芯片200释放的光的指向角使光朝所期望的方向释放。根据本实施例，由于裸芯片200上形成有波长变换层500，因此所述透镜700无需包含荧光体，但根据情况，还可以包含与波长变换层500所包含的荧光体不同的突光体。据此，根据本发明一实施例，随着利用贴装于子底座基板1000的裸芯片200封装发光二级管，能够更加自由地进行封装件外观设计，封装作业变得简单，能够提高作业效率。以下，参照图28，对于本发明的另一实施例提供的发光二级管进行说明。与前述实施例不同，例如，图22的发光二级管是波长变换层500与裸芯片200的半导体层叠结构体相接的结构，但图28所示的发光二级管中，可以形成为在波长变换层500和半导体层叠结构体之间介入透明树脂550，以使波长变换层500从半导体层叠结构体隔开。如此，随着波长变换层500从半导体层叠结构体隔开，可以防止波长变换层500的树脂或荧光体因活性层(未图示)中生成的光而发生劣化。而且，此时，所述透明树脂550还可以介入于子底座基板1000上形成的第一狭缝1110的内侧面和波长变换层500之间(图28的区域B)。在此，为了减少传递至荧光体的热，所述透明树脂550的导热率越低越有利，例如可以小于3W/mK。而且，为了调整透明树脂550的折射率，TiO2, SiO2, Y2O3等粉末可以混入到透明树脂内。·
或者，虽然没有图示，为了使硬度高于所述透明树脂550的高硬度透明树脂(未图示)覆盖波长变换层500，在所述波长变换层500的上部还可以进一步形成高硬度透明树月旨。此时，所述高硬度透明树脂可以保护荧光体免受外部湿气的影响，为了防止吸收湿气，所述高硬度透明树脂优选为例如邵氏硬度值达到60A以上。进而，为了调整所述高硬度透明树脂的折射率，TiO2> Si02、Y2O3等粉末可以混入到树脂之内。以上说明的本发明提供的发光二极管芯片及其制造方法以及包括其的封装件及其制造方法并不局限于上面所述的实施例，可应用为包含波长变换物质的具有多种结构的发光兀件。本发明可以在不脱离本发明的主旨的范围之内进行修改和变形之后实施，本发明的范围根据权利要求书而界定，而不是根据上述详细的说明而界定，从权利要求书的意义和范围以及其等同概念导出的所有的变更或经变形的形态都应解释为包含于本发明的范围。
权利要求
1.一种发光二极管芯片，包括 基板； 半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层； 电极，电连接于所述半导体层叠结构体； 附加电极，形成于所述电极上； 波长变换层，覆盖所述半导体层叠结构体的上部， 所述附加电极贯穿所述波长变换层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，还包括介入于所述波长变换层和所述半导体层叠结构体之间的分隔层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其中，所述分隔层由绝缘层形成。
4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其中，所述分隔层包括分布布拉格反射器。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其中，所述分隔层还包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半导体层叠结构体之间的应力缓和层。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其中，所述应力缓和层由旋涂式玻璃层或多孔氧化硅膜形成。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述附加电极具有相比所述电极更窄的宽度。
8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其中，所述附加电极离所述电极越远，宽度变得越窄。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，电连接于所述半导体层叠结构体的电极包括 第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层； 第二电极，电连接于所述第二导电型半导体层， 所述附加电极包括 第一附加电极，形成于所述第一电极上； 第二附加电极，形成于所述第二电极上。
10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述附加电极的上部面与所述波长变换层的上部面一致。
11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，电连接于所述半导体层叠结构体的电极电连接于所述第一导电型半导体层。
12.—种发光二极管芯片,包括 基板； 多个半导体层叠结构体，位于所述基板上，分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层； 第一电极，电连接于一个半导体层叠结构体； 第二电极，电连接于另一半导体层叠结构体； 第一附加电极，形成于所述第一电极上； 第二附加电极，形成于所述第二电极上；波长变换层，覆盖所述多个半导体层叠结构体的上部， 所述第一附加电极和所述第二附加电极贯穿所述波长变换层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其中，还包括相互电连接所述多个半导体层叠结构体的配线。
14.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其中，还包括介入于所述波长变换层和所述多个半导体层叠结构体之间的分隔层。
15.根据权利要求14所述的发光二极管芯片，其中，所述分隔层由绝缘层形成。
16.根据权利要求14所述的发光二极管芯片，其中，所述分隔层进一步包括介入于所述波长变换层和所述多个半导体层叠结构体之间的分布布拉格反射器。
17.根据权利要求16所述的发光二极管芯片，其中，还包括介入于所述分布布拉格反射器和所述多个半导体层叠结构体之间的应力缓和层。
18.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其中，所述第一附加电极和第二附加电极具有分别比所述第一电极和第二电极更窄的宽度。
19.根据权利要求18所述的发光二极管芯片，其中，所述第一附加电极和第二附加电极分别离所述第一电极和第二电极越远，宽度变得越窄。
20.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其中，所述第一电极电连接于所述一个半导体层叠结构体的第一导电型半导体层，所述第二电极电连接于所述另一个半导体层叠结构体的第二导电型半导体层。
21.一种发光二级管封装件，包括引线端子、发光二极管芯片以及连接所述引线端子和所述发光二极管芯片的键合引线，其中，所述发光二极管芯片包括 基板； 半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板的上面的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层； 电极，电连接于所述半导体层叠结构体； 附加电极，形成于所述电极上； 波长变换层，覆盖所述半导体层叠结构体的上部， 所述附加电极贯穿所述波长变换层， 所述键合弓I线连接所述附加电极和所述弓I线端子。
22.—种发光二极管芯片制造方法,包括 在支撑基板上排列多个裸芯片，各个所述裸芯片包括基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；电极，电连接于所述半导体层叠结构体；在各个所述裸芯片的电极上形成附加电极； 在所述支撑基板上形成覆盖所述多个裸芯片和所述附加电极的透明涂层； 去除所述透明涂层的上部，露出所述附加电极； 去除所述支撑基板； 分离所述透明涂层，以分离为单独的发光二极管芯片。
23.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述透明涂层包括荧光体或扩散材料。
24.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，电连接于所述半导体层叠结构体的电极包括电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极和电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极， 形成所述附加电极的步骤包括在所述第一电极上形成第一附加电极，在第二电极上形成第二附加电极， 所述第一附加电极和第二附加电极的上部面位于相同高度。
25.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，形成所述附加电极的步骤在将所述裸芯片排列于支撑基板上之前预先执行。
26.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，形成所述附加电极的步骤在将所述裸芯片排列于支撑基板之后执行。
27.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，还包括在形成所述透明涂层之前形成覆盖所述半导体层叠结构体的分隔层。
28.根据权利要求27所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述分隔层由单个绝缘层或多个绝缘层形成。
29.根据权利要求27所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述分隔层包括分布布拉格反射器。
30.根据权利要求29所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述分隔层进一步包括应力缓和层，所述分布布拉格反射器形成于所述应力缓和层之上。
31.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述附加电极具有相比所述电极更窄的宽度。
32.根据权利要求31所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述附加电极离所述电极越远，宽度变得越窄。
33.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，去除所述支撑基板的步骤在分离所述透明涂层之前执行。
34.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述裸芯片进一步包括覆盖所述半导体层叠结构体的分隔层。
35.根据权利要求34所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述分隔层进一步包括分布布拉格反射器。
36.根据权利要求35所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述分隔层进一步包括介入于所述分布布拉格反射器和所述半导体层叠结构体之间的应力缓和层。
37.根据权利要求22所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述裸芯片包括位于所述基板上的多个半导体层叠结构体。
38.根据权利要求37所述的发光二极管芯片制造方法，其中，所述裸芯片还包括位于所述多个半导体层叠结构体上的分隔层。
39.一种发光二级管封装件，包括 子底座基板； 具备第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，且具备电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极和电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极，在上面设置所述第一电极和第二电极中的至少一个的、贴装于所述子底座基板上的裸芯片；露出形成于所述裸芯片上面的所述第一电极和第二电极中的至少一个，且将所述裸芯片的上面和侧面覆盖为一体，并至少覆盖所述子底座基板的上面的一部分的波长变换层。
40.根据权利要求39所述的发光二级管封装件，其中，所述子底座基板包括沿着所述裸芯片的侧面形成的多个狭缝。
41.根据权利要求40所述的发光二级管封装件，其中，所述多个狭缝每一个具有开口形状。
42.根据权利要求41所述的发光二级管封装件，其中，所述波长变换层通过所述多个狭缝中的至少一部分覆盖所述子底座基板的内部侧面。
43.根据权利要求39所述的发光二级管封装件，其中，所述子底座基板和所述裸芯片进行金属键合。
44.根据权利要求39所述的发光二级管封装件，其中，还包括 形成有电源供应用引线的基板； 电连接所述电源供应用弓I线与所述第一电极和所述第二电极的键合弓I线； 包封所述裸芯片的透镜。
45.一种发光二级管封装件的制造方法，包括如下步骤 准备子底座基板； 将分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层的多个裸芯片贴装于所述子底座基板上； 形成电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极，并形成电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极； 形成露出形成于所述裸芯片的上面的所述第一电极和第二电极中的至少一个，将所述裸芯片的上面和侧面覆盖为一体，且至少覆盖所述子底座基板的上面的一部分的波长变换层。
46.根据权利要求45所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，形成所述第一电极和第二电极的步骤包括步骤将所述第一电极和第二电极中的至少一个形成于所述裸芯片的上面。
47.根据权利要求45所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，所述发光二级管封装件的制造方法进一步包括步骤利用模具对所述第一电极和第二电极加压，以避免所述模具与所述第一电极和第二电极之间产生缝隙。
48.根据权利要求47所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，形成所述波长变换层的步骤包括步骤在所述模具的内部空间注入含有荧光体的树脂而进行固化。
49.根据权利要求45所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，准备所述子底座基板的步骤包括步骤沿着贴装所述裸芯片的区域形成多个狭缝。
50.根据权利要求49所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，所述多个狭缝分别形成开口形状。
51.根据权利要求50所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，形成所述波长变换层的步骤包括步骤将所述波长变换层形成为通过所述多个狭缝中的一部分狭缝覆盖所述子底座基板的内部侧面。
52.根据权利要求45所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，所述发光二极管封装件的制造方法包括还包括步骤在所述波长变换层和所述裸芯片之间形成透明树脂层。
53.根据权利要求45所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，所述发光二级管封装件的制造方法还包括步骤将所述子底座基板以单独的发光二级管芯片为单位进行切割。
54.根据权利要求53所述的发光二级管封装件的制造方法，其中，所述发光二级管封装件的制造方法还包括步骤 在具有引线的基板上贴装被切割的所述单独的裸芯片； 将所述第一电极和第二电极分别与键合引线电连接； 形成包封所述单独的发光二极管芯片的透镜。
全文摘要
公开具有波长变换层的发光二极管芯片、制造此的方法以及具备此的封装件。根据一形态，所述发光二极管芯片，包括基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上面的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；电极，电连接于所述半导体层叠结构体；附加电极，形成于所述电极上；波长变换层，覆盖所述半导体层叠结构体的上部。进而，所述附加电极贯穿所述波长变换层。据此，可提供能够执行变换光的波长，且可容易地键合引线的发光二极管芯片。
文档编号H01L33/50GK103003966SQ201080068136
公开日2013年3月27日 申请日期2010年12月3日 优先权日2010年5月18日
发明者郑井和, 金枋显 申请人:首尔半导体株式会社