专利名称：半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体装置及其制造方法。此外，本发明涉及带有粘接剂层的半导体晶片以及使用其的半导体装置。
背景技术：
具有多段层叠的多个芯片的堆栈封装型半导体装置被用于存储器等用途。在制造半导体装置时，为了将半导体元件彼此粘接或将半导体元件与半导体元件搭载用支撑构件粘接而适用膜状粘接剂。近年来，随着电子部件的小型化、低背化，逐渐要求将该半导体用膜状粘接剂进一步薄膜化。然而，在半导体元件或半导体元件搭载用支撑构件上存在由配 线等引起的凹凸的情况下，特别是如果使用薄膜化至IOym厚度以下左右的膜状粘接剂，则有在将粘接剂粘贴于被粘接体时产生空隙、导致可靠性降低的倾向。此外，制造IOym厚度以下的膜状粘接剂本身较困难，且薄膜化的膜对晶片的粘贴性、热压接性下降，因此难以制作使用其的半导体装置。近年来，除了半导体元件的小型薄型化以及高性能化之外，还发展多功能化，从而层叠有多个半导体元件的半导体装置正在剧增。作为这些半导体元件之间、或最下段的半导体元件与基板(支撑构件)之间的粘接剂层，膜状粘接剂(芯片接合(die bonding)材料)作为主流而适用。随着半导体装置的进一步的薄型化发展，上述粘接剂层也逐渐提高薄膜化的必要性。此外，在使用膜状芯片接合材料(以下，称为芯片接合膜)的半导体装置的组装工序中，为了简化该工序，有时通过使用在芯片接合膜的一面上贴合有切割片的粘接片，即、使切割片和芯片接合膜一体化而成的膜(以下，视情况称为“切割一芯片接合一体型膜”。)的方法来谋求在晶片背面的贴合工艺的简化。根据该方法可以简化将膜贴合到晶片背面的工艺，因此可以减轻半导体晶片破裂的危险。此外，在通过背面研磨工序而变薄的半导体晶片中，为了抑制由背面研磨带的剥离导致的半导体晶片的破裂，在半导体晶片的一面上贴合有背面研磨带的状态下将上述切割一芯片接合一体型膜贴合到半导体晶片的另一面上的工艺对特别是对进行了极薄化的半导体晶片破裂的危险的减轻有效。上述切割片和背面研磨带的软化温度通常为100°C以下。另外，需要抑制大型化及薄型化的半导体晶片翘曲。因此，在电路面上设有背面研磨带的状态的半导体晶片的背面上形成粘接剂层(芯片接合材料层)时，最好通过100°c以下的加热、或者在不伴随加热的情况下形成粘接剂层。对粘接剂层(芯片接合材料层)的薄膜化的要求增强时，难以通过粘接剂组合物的涂布来得到低于20 μ m的厚度的膜状芯片接合材料，即使得到了，也有制造方面的操作性降低的倾向。为了使半导体元件之间的粘接剂层、以及作为最下段的半导体元件与基板之间的粘接剂层薄膜化，以及降低半导体制造成本，例如像专利文献I和2那样研究了如下方法通过将含有溶剂的液状粘接剂组合物(树脂糊)涂布在半导体晶片背面，并利用加热使溶剂从涂布的树脂糊中挥发的方法，从而形成B阶化的粘接剂层。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2007 - 110099号公报专利文献2 :日本特开2010 - 37456号公报
发明内容、
发明要解决的问题然而，在使用含有溶剂的树脂糊时，存在为了使溶剂挥发并进行B阶化而需要较长时间、或者半导体晶片被溶剂污染这样的问题。此外，由于用于使溶剂挥发的干燥的加热，使得在带有可剥离粘着带的晶片上涂布树脂糊时，存在粘着带不能容易地剥离、或者产生晶片翘曲这样的问题。如果在低温下干燥，则可以在一定程度上抑制由加热引起的不良状况，但是在该情况下，残存溶剂变多，因此存在加热固化时产生孔隙和/或剥离而使可靠性下降的倾向。如果为了降低干燥温度而使用低沸点溶剂，则有在使用过程中粘度变化较大的倾向。进一步，由于在干燥时粘接剂表面的溶剂进行挥发而导致溶剂残留在粘接剂层内部，因而还有可靠性下降的倾向。在使用含有溶剂的液状芯片接合材料(树脂糊)的情况下，涂布在半导体晶片背面之后，在B阶化时，为了使溶剂挥发，需要进行高温下的加热。如果用于B阶化的加热温度超过100°C，则难以在半导体晶片的电路面上层叠有软化温度为100°C以下的背面研磨带的状态下形成B阶化的粘接剂层。此外，还有容易产生薄型化的半导体晶片翘曲的倾向。如果为了将用于B阶化的加热温度低温化而使用含有沸点更低的溶剂的液状芯片接合材料，则由于涂布液的粘度稳定性受损而不易形成具有均匀厚度的粘接剂层。因此，存在得不到充分的粘接强度的倾向。本发明鉴于如上所述的情况而进行，其主要目的在于提供一种可以维持半导体装置的高可靠性，并且可以使粘接半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片的粘接剂层变得更薄的方法。进而，本发明的目的在于提供一种即使将粘接剂层薄膜化时也可以得到充分的粘接强度的带有粘接剂层的半导体晶片，其为不需要高温下的加热就可以得到的带有粘接剂层的半导体晶片。解决问题的方法本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对粘接剂层进行B阶化的工序；将半导体晶片与经B阶化的粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着粘接剂组合物的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。根据上述本发明的方法，通过使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面(背面)上成膜，可以容易使粘接剂层变薄。进而，由于不需要通过加热使溶剂从粘接剂组合物中挥发的工序，因而即使在使粘接半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片的粘接剂层变薄时，也可以维持半导体装置的高可靠性。
根据本发明的方法，可以在半导体晶片的电路面上设有背面研磨带的状态下使粘接剂组合物成膜。优选通过光照射进行B阶化之前的粘接剂组合物在25°C时的粘度为10 30000mPa · S。优选通过光照射进行了 B阶化的粘接剂组合物的膜厚为30 μ m以下。优选半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片粘接后的剪切粘接强度在260°C时为O. 2MPa以上。优选通过旋涂法或喷涂法将粘接剂组合物涂布在半导体晶片的背面。优选在通过光照射进行B阶化之后进一步通过加热而固化的粘接剂组合物的5% 失重温度为260°C以上。优选上述粘接剂组合物含有光引发剂。此外，优选上述粘接剂组合物含有具有酰亚胺基的化合物。具有酰亚胺基的化合物可以为聚酰亚胺树脂之类的热塑性树脂、或者具有酰亚胺基的(甲基)丙烯酸酯等低分子化合物。本发明还涉及一种可以通过上述本发明的制造方法来得到的半导体装置。本发明的半导体装置即使在粘接半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片的粘接剂层薄时，也具有充分高的可靠性。本发明涉及一种具有半导体晶片和在半导体晶片的与电路面相反侧的面上形成的粘接剂层的带有粘接剂层的半导体晶片。粘接剂层通过曝光而进行B阶化，粘接剂层在20 60°C时的最大熔融粘度为5000 IOOOOOPa · S。上述本发明的带有粘接剂层的半导体晶片不需要高温下的加热就可以得到。其结果，能够维持半导体装置的高可靠性，并且能够抑制B阶化后的半导体晶片翘曲。此外，上述本发明的带有粘接剂层的半导体晶片即使在将粘接剂层极薄化至例如20 μ m厚度以下时也可以显示出充分的粘接强度。为了以晶片背面涂布方式、使用极薄晶片来制造层叠多个半导体元件而成的半导体装置，可以适宜地使用构成本发明的带有粘接剂层的半导体晶片所具备的粘接剂层的粘接剂组合物。通过使用上述粘接剂组合物，可以不加热且在短时间内将粘接剂层形成在晶片背面，从而可以大幅减小对晶片的热应力。其结果，即使在使用大径化且薄化的晶片的情况下，也能够显著抑制翘曲等问题的发生。优选粘接剂层在80 200°C时的最低熔融粘度为5000Pa-s以下。另外，上述最低熔融粘度的下限不特别设定，但从能够抑制加热压接时的发泡的观点考虑，优选为IOPa · s以上。此外，将上述带有粘接剂层的半导体晶片单片化而得到的带有粘接剂层的半导体元件可以通过粘接剂层在更低温度下压接固定到另一个半导体元件或支撑构件等被粘接体上，而且可以在低温、低压且短时间的条件下进行芯片粘接。此外，还具有能够在芯片粘接时、在低压下填埋基板上的配线段差的热流动性。由于与半导体元件和支撑构件等被粘接体的粘接性良好，因而能够有助于半导体装置组装工艺的效率化。即，根据本发明，该粘接剂层还可以确保能够良好地填埋基板表面的配线段差的热流动性。因此，可以适宜地针对层叠有多个半导体元件的半导体装置的制造工序。进而，由于能够确保高温时的高粘接强度，因而能够提高耐热性和耐湿可靠性，并且能够简化半导体装置的制造工序。优选粘接剂层为在半导体晶片的电路面上设有背面研磨带的状态下成膜的层。通过在半导体晶片的电路面上层叠有背面研磨带的状态下形成上述粘接剂层，可以在经背面研磨工序的半导体晶片背面上形成粘接剂层时，在不加热的条件下，在贴合有软化温度低的背面研磨带的半导体晶片背面形成粘接剂层。因此，不会对背面研磨带造成热损伤，并且可以在不加热的条件下完成将具有粘着性的切割片贴合到在半导体晶片背面形成的粘接剂层侧的一面上，然后从半导体晶片剥离上述背面研磨带的一系列工艺。由此，能够抑制极薄化的半导体晶片翘曲，此外还能够抑制胶带剥离所致的半导体晶片的破裂，从而可以实现使用极薄半导体晶片的“低应力”或“无损伤”的半导体装置制造工艺。本发明的带有粘接剂层的半导体晶片可以 进一步具有切割片。该切割片设置在粘接剂层的与半导体晶片相反侧的面上。优选切割片具有基材膜和设置在该基材膜上的粘着剂层，并且以该粘着剂层位于粘接剂层侧的朝向设置。上述半导体晶片进一步具有切割片，通过将该切割片设置在上述粘接剂层侧的面上，可以得到容易操作的半导体晶片，同时由于具备切割片的带有粘接剂层的半导体晶片具备兼具切割片和芯片接合材料二者的功能的粘接剂层，因此能够更加简化半导体装置的制造工序。进而，本发明在切割时的芯片飞溅的抑制、拾取性等制造半导体装置时的操作性或生产率的提高方面也有利。此外，面对封装体的组装热历程，可以维持稳定的特性。优选粘接剂层由B阶化之前在25°C时的粘度为10 30000mPa · s的粘接剂组合物形成。优选粘接剂层为对含有(A)具有碳-碳双键的化合物和(B)光引发剂的粘接剂组合物进行B阶化而形成的层。(A)具有碳-碳双键的化合物优选包含单官能(甲基)丙烯酸酯化合物。单官能(甲基)丙烯酸酯化合物优选包含具有酰亚胺基的化合物。本发明还涉及一种具备I个或2个以上的半导体元件和支撑构件的半导体装置。I个或2个以上的半导体元件中的至少I个是从上述本发明的带有粘接剂层的半导体晶片的半导体晶片上切出的半导体元件，该半导体元件通过粘接剂层与其它半导体元件或支撑构件粘接。本发明的半导体装置是简化了制造工序的、可靠性优异的装置。本发明的半导体装置能够充分实现在安装半导体元件时所要求的耐热性和耐湿性。上述本发明的半导体装置能够同时实现内置的极薄半导体元件的多段层叠化和小型薄层化，并且具有高性能、高功能和高可靠性(特别是耐回流性(reflow resistance)、耐热性、耐湿性等)，此外，经过引线接合等使用超声波处理的工序，可以以高效率进行制造。发明效果根据本发明，即使在使粘接半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片的粘接剂层变薄时，也可以制造可靠性高的半导体装置。根据本发明，可以提供一种即使将粘接剂层薄膜化时也可以得到充分的粘接强度的带有粘接剂层的半导体晶片，其为不需要高温下的加热就可以得到的带有粘接剂层的半导体晶片。其结果，能够维持半导体装置的高可靠性，并且能够抑制B阶化后的半导体晶片翘曲，从而可以实现粘接半导体元件和支撑构件或其它半导体元件的粘接剂层的极薄化。
图I是表不半导体晶片的一个实施方式的不意截面图。图2是表示带有粘接剂层的半导体晶片的实施方式的示意截面图。图3是表示粘接剂层为在导体晶片的电路面上设有背面研磨带的状态下成膜的层的带有粘接剂层的半导体晶片的一个实施方式的示意截面图。图4是表不半导体装置的一个实施方式的不意截面图。
图5是表示半导体装置的其他的实施方式的示意截面图。图6是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图7是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图8是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图9是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图10是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图11是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图12是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图13是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图14是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图15是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图16是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。图17是表示半导体装置的制造方法的一个实施方式的示意图。
具体实施例方式以下，一边根据需要参照附图，一边对用于实施本发明的方式进行详细说明。但本发明并不限定于以下的实施方式。在附图中，对相同或相当的要素赋予相同符号。适当省略重复的说明。只要没有特别说明，上下左右等位置关系基于附图所示的位置关系。尺寸比例并不限于图示比例。本说明书中，“B阶”是指固化反应的中间阶段、即熔融粘度上升的阶段。B阶化的树脂组合物受热软化。具体地说，B阶化的粘接剂层在20°C 60°C时的熔融粘度的最大值(最大熔融粘度)优选为5000 IOOOOOPa · S，从良好的操作性和拾取性的观点考虑，更优选为 10000 IOOOOOPa · S。本实施方式的带有粘接剂层的半导体晶片具有半导体晶片和通过曝光进行了 B阶化的粘接剂层。粘接剂层形成在半导体晶片的与电路面相反侧的面上。经B阶化的粘接剂层在20 60°C时的最大熔融粘度优选为5000 IOOOOOPa .S。由此，可以得到粘接剂层的良好的自支撑性。上述最大熔融粘度更优选为IOOOOPa *s以上。由此，粘接剂层表面的粘着性降低，带有粘接剂层的半导体晶片的保存稳定性提高。上述最大熔融粘度更优选为30000Pa · s以上。由此，粘接剂层的硬度上升，因而容易通过加压进行与切割胶带的贴合。上述最大熔融粘度更优选为50000Pa*s以上。由此，粘接剂层表面的粘性强度充分降低，因而能够确保良好的切割工序后的从切割胶带的剥离性。如果剥离性良好，则能够适当确保切割工序后的带有粘接剂层的半导体芯片的拾取性。如果上述最大熔融粘度低于5000Pa · S，则有B阶化后的粘接剂层表面的粘力变得过强的倾向。因此，在将通过切割对带有粘接剂层的半导体晶片进行单片化而得到的半导体芯片与粘接剂层一起拾取时，从切割片剥离粘接剂层的剥离力过高，因而有半导体芯片容易破裂的倾向。从抑制半导体晶片翘曲的观点考虑，上述最大熔融粘度优选为IOOOOOPa · s 以下。通过光照射进行了 B阶化的粘接剂组合物(粘接剂层)在20°C 300°C时的熔融粘度(粘度)的最小值(最低熔融粘度)优选为30000Pa · s以下。上述最低熔融粘度更优选为20000Pa · s以下，进一步优选为18000Pa · s以下，特别优选为15000Pa*s以下。通过使粘接剂组合物具有这些范围内的最低熔融粘度，可以确保粘接剂层的更优异的低温热压接性。进而，可以对粘接剂层赋予良好的相对于具有凹凸的基板等的密合性。从操作性等方面考虑，上述最低熔融粘度优选为IOPa · s以上。粘接剂层在80 200°C时的熔融粘度的最小值(最低熔融粘度)优选为5000Pa-s以下。由此，200°C以下的温度下的热流动性提高，且可以确保芯片接合时的良好的热压接性。此外，上述最低熔融粘度更优选为3000Pa · s以下。由此，在200°C以下的较低温度下对表面上形成有段差的基板等被粘接体热压接半导体芯片时，粘接剂层更容易充分填埋段差。上述最低熔融粘度更优选为IOOOPa · s以下。由此，可以保持薄粘接剂层热压接时的良好的流动性。此外，可以在更低压下进行热压接，特别有利于半导体芯片极薄的情况。从抑制加热时的发泡的方面考虑，上述最低熔融粘度的下限优选为IOPa · s以上，更优选为IOOPa-S以上。如果上述最低熔融粘度超过5000Pa*s，则有可能由于热压接时的流动不充分而不能确保对支撑基板或半导体元件等被粘接体的充分的润湿性。如果润湿性不充分，则在其后的半导体装置组装中不能保持充分的粘接性，所得到的半导体装置的可靠性降低的可能性升高。此外，为了确保粘接剂层的充分的流动性，需要高热压接温度，因而存在粘接固定后的半导体元件的翘曲等对周边构件的热损伤变大的倾向。上述最大熔融粘度和最低熔融粘度是利用如下方法测定的值。首先，将粘接剂组合物涂布在PET膜上，使得膜厚为50 μ m,对于所得到的涂膜，在室温空气下，使用高精度平行曝光机(0RC制作所制，“EXM — 1172 — B —①，，(商品名))，从与PET膜相反面的一侧以1000mJ/cm2进行曝光，从而形成B阶化的粘接剂层。将所形成的粘接剂层贴合到Teflon(注册商标)片上，用辊(温度60°C、线压4kgf/cm、传送速度O. 5m/分钟)进行加压。其后，剥离PET膜，在粘接剂层上重叠通过曝光而进行了 B阶化的另一粘接剂层，并一边加压一边层叠。重复该步骤，得到厚度为约200 μ m的粘接剂样品。使用粘弹性测定装置(RHE0METRICSCIENTIFIC FE株式会社制，商品名ARES)，将直径25mm的平行板作为测定板，在升温速度为10°C /min、频率为IHz的条件下，在20 200°C或20 300°C的测定温度下，测定所得到的粘接剂样品的熔融粘度。由所得到的熔融粘度和温度之间的关系读取在20 60°C时的最大熔融粘度以及在80 200°C时的最低熔融粘度。上述粘接剂层的B阶化之前在25°C时的粘度、即在半导体晶片上成膜的粘接剂 组合物的粘度优选为10 30000mPa · S。由此，可以使涂布粘接剂组合物时的凹陷或针孔产生的抑制和优异的薄膜形成性并存。上述粘度更优选为30 20000mPa · S。由此，可以均匀控制在通过旋涂等涂布粘接剂组合物时的涂布量。上述粘度进一步优选为50 IOOOOmPa *s。由此,更容易通过旋涂等涂布而形成薄的粘接剂层。上述粘度进一步优选为100 5000mPa · S。由此，更容易通过旋涂等将粘接剂组合物涂布在大口径的半导体晶片上而形成薄的粘接剂层。如果上述粘度低于IOmPa · S，则有在涂布粘接剂组合物时容易产生凹陷或针孔的倾向。如果上述粘度超过30000mPa· S，则有所得到的粘接剂层难以薄膜化、或者通过旋涂等进行涂布时难以从喷嘴中吐出粘接剂组合物的倾向。上述粘度是使用东京计器株式会社制E型粘度计(EHD型旋转粘度计、标准圆锥)，在测定温度25°C、样品容量4cc的条件下，从测定开始经过10分钟后测定的值。如表I所示，粘度计的转数可根据估计的样品粘度来设定。表I
权利要求
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括 使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的エ序; 通过光照射对所述粘接剂层进行B阶化的エ序； 将所述半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的エ序；以及 对于所述半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着所述粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的エ序。
2.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体晶片的电路面上设有背面研磨带的状态下，使所述粘接剂组合物成膜。
3.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，通过光照射进行B阶化之前的所述粘接剂组合物在25°C时的粘度为10 30000mPa · S。
4.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，通过光照射进行了B阶化的所述粘接剂层的膜厚为30 μ m以下。
5.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述半导体芯片和所述支撑构件或所述其它半导体芯片粘接后的剪切粘接強度在260°C时为O. 2MPa以上。
6.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，利用旋涂法或喷涂法将所述粘接剂组合物涂布在所述半导体晶片的与电路面相反侧的面上，从而成膜。
7.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，在通过光照射进行了B阶化之后进ー步通过加热而固化的所述粘接剂组合物的5%失重温度为260°C以上。
8.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述粘接剂组合物含有(A)具有碳-碳双键的化合物和(B )光引发剂。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述(A)具有碳-碳双键的化合物包含单官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述单官能(甲基)丙烯酸酯化合物包含具有酰亚胺基的化合物。
11.一种半导体装置，其特征在干，能够通过权利要求I 10中任一项所述的制造方法来得到。
12.—种带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，具有半导体晶片和在所述半导体晶片的与电路面相反侧的面上形成的粘接剂层， 所述粘接剂层通过光照射进行了 B阶化，所述粘接剂层在20 60°C时的最大熔融粘度为 5000 IOOOOOPa · S。
13.如权利要求12所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，所述粘接剂层在80 200°C时的最低熔融粘度为5000Pa · s以下。
14.如权利要求12所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在干，进ー步具有切割片，该切割片设置在所述粘接剂层的与所述半导体晶片相反侧的面上。
15.如权利要求14所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，所述切割片具有基材膜和设置在该基材膜上的粘着剂层，并以该粘着剂层位于所述粘接剂层侧的朝向设置。
16.如权利要求12所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，所述粘接剂层由B阶化之前在25°C时的粘度为10 30000mPa · s的粘接剂组合物形成。
17.如权利要求12所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，所述粘接剂层为对含有(A)具有碳-碳双键的化合物和(B)光引发剂的粘接剂组合物进行B阶化而形成的层。
18.如权利要求17所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，所述(A)具有碳-碳双键的化合物包含单官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
19.如权利要求18所述的带有粘接剂层的半导体晶片，其特征在于，所述单官能(甲基)丙烯酸酯化合物包含具有酰亚胺基的化合物。
20.一种半导体装置，其是具备I个或2个以上的半导体元件和支撑构件的半导体装置，其特征在干， 所述半导体元件中的至少I个是从权利要求12 19中任一项所述的带有粘接剂层的半导体晶片的半导体晶片上切出的半导体元件，该半导体元件通过所述粘接剂层而与其它半导体元件或所述支撑构件粘接。
全文摘要
一种半导体装置的制造方法，其包括使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对粘接剂层进行B阶化的工序；将半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。
文档编号H01L21/301GK102687257SQ201080050769
公开日2012年9月19日 申请日期2010年11月10日 优先权日2009年11月13日
发明者加藤木茂树, 增子崇, 川守崇司, 满仓一行, 藤井真二郎 申请人:日立化成工业株式会社