专利名称：用于制造针对辐射的滤波材料的合成物、用于制造滤波材料的合成物的方法、用于对辐射 ...的利记博彩app
用于制造针对辐射的滤波材料的合成物、用于制造滤波材料的合成物的方法、用于对辐射滤波的材料以及包括该材
料的光电子器件本发明提出了一种根据权利要求1所述的用于制造针对辐射的滤波材料的合成物。本专利申请要求德国专利申请10 2009 031 915. 8的优先权，其公开内容通过引
用结合于此。在借助电磁辐射例如从发射单元到接收单元进行的数据传输中的一个广为人知的问题是，例如由于在与用于数据传输的波长范围邻接的波长范围中的电磁辐射而出现干扰。本发明实施例的一个任务在于，减小或者完全避免这些干扰。该任务通过根据权利要求1所述的用于制造针对辐射的滤波材料的合成物来解决。合成物的其他实施形式以及用于过滤辐射的材料、包括该材料的光电子器件、以及用于制造滤波材料的合成物的方法是其他权利要求的主题。本发明的一个实施形式涉及一种用于制造针对辐射的滤波材料的合成物，其包括硅氧烷以及分散在硅氧烷中的至少一种颜料，其中该合成物针对在400nm到700nm之间的波长的辐射具有小于20%的相对透射率，并且针对在850nm到1025nm之间的波长的辐射具有超过50%的相对透射率。在此，相对透射率涉及在700nm到IlOOnm的波长范围中达到的最大透射率值 (100% )。相对于其他材料，使用硅氧烷作为颜料的基质材料证明是有利的。于是，硅氧烷例如相对于环氧树脂具有一些技术上的优点。于是，例如可以制造具有针对来自红外光谱、 780nm-1400nm(即进行数据传输的波长范围)的辐射的高透明度的硅氧烷。此外，与环氧化物相比，硅氧烷尤其是对于紫外光具有更高的光学稳定性。由此，硅氧烷具有相对于环氧树脂明显更低的老化趋势。使用软的硅氧烷例如减小了对于硅氧烷施加在其上的器件的热学机械应力，由此减小了器件的退化和老化。硅氧烷的另一优点是，其覆盖宽的持续温度使用范围(Dauer-Temperatur-Einsatzbereich)。该持续温度使用范围对于标准硅氧烷而言大致在_40°C至+150°C的范围中，然而可以通过使用特别硅氧烷扩展到例如_70°C至+200°C。 这些特别硅氧烷例如可以通过蒸馏来净化，由此挥发性的硅氧烷的比例降低到例如2重量％。然而，温度使用范围例如也可以通过添加稳定剂或者通过将侧基(kitengruppen) 氟化来增大。相对于环氧浇铸树脂，硅氧烷在处理或者硬化时对于湿气更不敏感。这例如能够实现对硅氧烷的更简单的处理。硅氧烷相对于环氧化物具有更为有利的、更低的湿气吸收特性。通过合适地选择颜料，可能将400nm到700nm的波长范围的大部分滤除。而合成物对于850nm到1025nm之间的波长范围具有超过50%的透射率。对于相对透射率的说明在此涉及最大透射值(100% )，合成物在700nm到IlOOnm的波长范围中具有该最大透射值。由此，例如要检测在850nm到1025nm之间的波长范围中的电磁辐射的检测器例如可以通过带有该合成物的辐射入射窗的涂层被保护免受干扰性辐射例如日光的影响。
在此，颜料分散地存在于硅氧烷中。颜料不必溶解在硅氧烷中，优选的是其未溶解地存在于硅氧烷中。例如，其可以作为颜料颗粒存在于硅氧烷中。由此，颜料在合成物中具有漫射体作用。通过颜料未溶解地存在于硅氧烷中，合成物的非常薄的层(< 0. ιμπι)仅仅具有小的滤波作用。在另一实施形式中，颜料均勻地分布在硅氧烷中。颜料在硅氧烷中均勻的、有规律的分布一方面用于合成物的有规律的光学印象， 然而同时也是由该合成物形成的层在其整个面上具有统一的吸收特性的前提条件。均勻的分布由此也是在由该合成物制造这种层时的可复制性的前提条件。然而，均勻的颗粒分布并不意味着合成物一定必须没有凝聚物和聚集体。在本发明的情况中，均勻意味着颜料颗粒可以是单个颗粒和凝聚物，或者是二者的混合。它们在足够大的体积元件中有规律地分布，使得被观察者感知到可见的并且微观的色彩均勻性。通过入射光或者透射光不允许看到不均勻性。由此，在器件中实现了完善的光学功能。颜料颗粒部分以及颗粒的大小、形状和分布对于光电子发射元件的近场和远场特性以及对于其检测器灵敏度具有直接影响。颗粒分布的均勻性以及颗粒大小可以借助光学显微镜来确定。为此，可以将合成物例如施加到玻璃板上，并且借助另一玻璃板来覆盖。为了实现相应的均勻的分布，需要一定顺序的方法步骤，其结合制造方法来进行阐述。此外，小的颗粒大小是有利的。然而，其中颜料部分地溶解地存在的实施形式也是可能的。当颜料具有含硅氧烷的支链时，例如于是情况如此。通过该支链，颜料可以与硅氧烷相互作用，使得出现颜料在硅氧烷中的溶解。在该合成物的另一实施形式中，颜料在硅氧烷中分散地作为大小为小于200 μ m 的颗粒而存在。在该上下文中，单个颗粒或者单个颗粒凝聚物应当理解为颗粒。它们应当小于 200 μ m，其中在球形的圆形颗粒或者不规则成形的所谓薄片或者小板情况下，意味着最大直径而并非从分布曲线中得到的平均大小。在针状颗粒情况下，其应当相应地是最大针长度。因为由此并不涉及平均大小，所以通过显微镜确定颗粒大小。优选的是，在合成物中颗粒以小于50 μ m的大小存在。使用小的颗粒能够实现颜料在硅氧烷中的更宽并且更均勻的分布。这一方面导致更为一致的光学印象，并且也导致由该合成物形成的层的更为恒定的吸收特性。在本发明的另一实施形式中，使用了如下颜料其吸收在400nm到700nm波长范围中的辐射，而并不发射更长波长的、可见范围中的辐射。在本发明的另一实施形式中，该合成物包括选自如下材料的至少一种颜料溶剂黄179、溶剂黄93、溶剂黄114、溶剂橙60、溶剂橙107、溶剂红179、溶剂红135、溶剂红111、 溶剂红195、溶剂红52、溶剂紫36、溶剂紫13、溶剂蓝97、溶剂蓝104、溶剂绿3、溶剂绿28。通过对颜料或者颜料组合的合适选择，可能将400nm到700nm的全部波长范围的
辐射滤除。
在合成物的另一实施形式中，该合成物包括分别来自三个组I至III之一的至少
一种颜料，所述组包括I)溶剂黄179、溶剂黄93、溶剂黄114、溶剂橙60、溶剂橙107、溶剂红179、溶剂红
135、溶剂红111、溶剂红195、溶剂红52，II)溶剂紫36、溶剂紫13、溶剂蓝97、溶剂蓝104，III)溶剂绿3、溶剂绿沘。在下面的表中，针对上面说明的材料给出了相应的CAS编号
权利要求
1.一种用于制造针对辐射的滤波材料的合成物，其包括-硅氧烷，以及-分散在硅氧烷中的至少一种颜料，其中该合成物针对在400nm到700nm之间的波长的辐射具有小于20%的相对透射率，并且针对在850nm到1025nm之间的波长的辐射具有超过 50%的相对透射率。
2.根据权利要求1所述的合成物，其中所述合成物对于700nm到850nm之间的波长的辐射具有如下相对透射率所述相对透射率从700nm处小于20%增大到850nm处大于 50%。
3.根据上述权利要求之一所述的合成物，其中所述颜料均勻地分布在硅氧烷中。
4.根据上述权利要求之一所述的合成物，其中所述颜料作为小于200μ m的颗粒存在于所述合成物中。
5.根据上述权利要求之一所述的合成物，其中所述合成物包括选自如下材料的至少一种颜料溶剂黄179、溶剂黄93、溶剂黄114、溶剂橙60、溶剂橙107、溶剂红179、溶剂红135、 溶剂红111、溶剂红195、溶剂红52、溶剂紫36、溶剂紫13、溶剂蓝97、溶剂蓝104、溶剂绿3、 溶剂绿观。
6.根据权利要求5所述的合成物，其中所述合成物包括分别来自如下三个组I至III 之一的至少一种颜料I)溶剂黄179、溶剂黄93、溶剂黄114、溶剂橙60、溶剂橙107、溶剂红179、溶剂红135、 溶剂红111、溶剂红195、溶剂红52，II)溶剂紫36、溶剂紫13、溶剂蓝97、溶剂蓝104，III)溶剂绿3、溶剂绿观。
7.根据上述权利要求之一所述的合成物，其中所述硅氧烷能够在60°C至180°C的范围中以热学方式硬化。
8.根据上述权利要求之一所述的合成物，其中所述合成物包括二烷基硅氧烷和/或芳香硅氧烷。
9.根据上述权利要求之一所述的合成物，其中所述合成物没有溶剂。
10.一种用于对辐射滤波的材料，所述材料能够通过将根据权利要求1至9之一所述的合成物硬化来得到。
11.一种用于制造滤波材料的合成物的方法，包括以下方法步骤A)提供硅氧烷；B)加热硅氧烷；C)将来自B)的硅氧烷掺以颜料，使得形成分散剂；D)将来自C)的分散剂混合，使得形成混合物；E)将来自D)的混合物加热；F)将来自E)的混合物分散，使得形成滤波材料的合成物，其中所述合成物对于波长在 400nm到700nm之间的辐射具有小于20%的相对透射率，并且对于在850nm到1025nm之间的波长的辐射具有超过50%的相对透射率。
12.根据权利要求11所述的方法，包括附加的方法步骤G)将来自F)的合成物施加到表面上，使得形成层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述层在其整个面上具有相同的吸收特性。
14.一种光电子器件，其发射或者吸收来自850nm至1025nm的波长范围的波长的电磁辐射，其中所述器件在光路中具有包括根据权利要求10所述的材料的层或者部件。
15.根据权利要求14所述的器件，其中所述层或者部件是日光滤波器。
全文摘要
一种用于制造针对辐射的滤波材料的合成物，其包括硅氧烷，以及分散在硅氧烷中的至少一种颜料，其中该合成物针对在400nm到700nm之间的波长的辐射具有小于20％的相对透射率，并且针对在850nm到1025nm之间的波长的辐射具有超过50％的相对透射率。
文档编号H01L31/0232GK102483478SQ201080030806
公开日2012年5月30日 申请日期2010年6月30日 优先权日2009年7月6日
发明者克劳斯·霍恩, 德克·佐森海默, 迈克尔·舒曼 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司