专利名称：电磁辐射传感器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体传感器器件以及制造这种器件的方法。
背景技术：
根据已知普朗克辐射定律、斯蒂芬_玻尔兹曼定律和维恩位移定律的这些定律， 处于任何非零温度下的物体都会辐射可描述为电磁波或光子的电磁能量。维恩位移定律表明，物体最大辐射时的波长(λΜΧ)与物体的温度成反比，可用以下等式来近似表示
权利要求
1.一种形成半导体传感器的方法，其包括 提供基体；在基体上形成反射层；在反射层上形成牺牲层；在牺牲层上形成厚度小于约50nm的吸收体层；在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚的吸收体；以及移除牺牲层。
2.根据权利要求1的方法，还包括 在牺牲层中形成至少一个通道；以及在所述至少一个通道内形成至少一个导电支柱，其中形成吸收体的步骤包括在所述至少一个导电支柱上形成所述至少一个悬伸支脚的至少一部分。
3.根据权利要求1的方法，其中形成吸收体的步骤包括在牺牲层上形成厚度为大约 IOnm的吸收体层。
4.根据权利要求1的方法，其中形成吸收体层的步骤包括 将牺牲层的表面暴露于第一自终止反应物；以及在将牺牲层的表面暴露于第一自终止反应物之后，将牺牲层的表面暴露于第二自终止反应物。
5.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)型的传感器器件，其包括 互补金属氧化物半导体(CMOS)基体；形成于所述基体上的至少一个反射元件；以及与所述至少一个反射元件隔开的至少一个吸收体，所述至少一个吸收体通过原子层沉积形成。
6.根据权利要求5的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度小于50nm。
7.根据权利要求6的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度大约是lOnm。
8.根据权利要求6的传感器器件，其中所述至少一个吸收体与所述至少一个反射元件隔开大约2. 5μπι。
9.根据权利要求5的传感器器件，还包括从CMOS基体向上延伸的至少一个导电支柱；以及由所述至少一个导电支柱支撑的至少一个悬伸支脚，所述至少一个悬伸支脚支撑着所述至少一个吸收体。
10.根据权利要求9的传感器器件，其中所述至少一个悬伸支脚通过原子层沉积形成。
11.根据权利要求5的传感器器件，还包括从CMOS基体向上延伸的至少一个悬伸支脚，所述至少一个悬伸支脚支撑着所述至少一个吸收体。
12.根据权利要求11的传感器器件，其中所述至少一个悬伸支脚通过原子层沉积形成。
13.根据权利要求5的传感器器件，其中 所述至少一个反射元件包括多个反射元件；并且所述至少一个吸收体包括通过原子层沉积形成的多个吸收体。
14.根据权利要求5的传感器器件，其中所述至少一个吸收体是由钛和钼构成的金属组及其合金中的至少一种所形成。
15.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)型的传感器器件，其包括 互补金属氧化物半导体(CMOS)基体；形成于所述基体上的至少一个反射元件；以及与所述至少一个反射元件隔开的至少一个吸收体，所述至少一个吸收体的最大厚度小于50nm，并且具有良好的噪音等效温差(NETD)。
16.根据权利要求15的传感器器件，其中所述至少一个吸收体通过原子层沉积形成。
17.根据权利要求16的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度是大约 IOnm0
18.根据权利要求15的传感器器件，其中所述至少一个吸收体与所述至少一个反射元件隔开大约2.5 μ m。
19.根据权利要求15的传感器器件，还包括至少一个悬伸支脚，其在所述至少一个反射元件上方支撑着所述至少一个吸收体。
20.根据权利要求19的传感器器件，其中所述至少一个悬伸支脚通过原子层沉积形成。
21.根据权利要求20的传感器器件，其中 所述至少一个反射元件包括多个反射元件；并且所述至少一个吸收体包括通过原子层沉积形成的多个吸收体。
22.根据权利要求15的传感器器件，其中所述至少一个吸收体是由钛和钼构成的金属组及其合金中的至少一种所形成。
全文摘要
一种形成半导体传感器(100)的方法，包括提供基体(102)；在基体上形成反射层(104)；在反射层上形成牺牲层；在牺牲层上形成厚度小于约50nm的吸收体层(106)；在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚(110)的吸收体；以及移除牺牲层。
文档编号H01L27/146GK102326255SQ201080008386
公开日2012年1月18日 申请日期2010年1月6日 优先权日2009年1月7日
发明者M·利热 申请人:罗伯特·博世有限公司