专利名称：一种led封装结构及其led模组的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管(Light Emitting Diode,LED)技术，尤其涉及一种LED封装结构及其LED模组。
背景技术：
现有的灯具包括白炽灯、普通日光灯及LED灯具等，普通日光灯为气体放电灯，普通日光灯的光电转换效率比白炽灯高，然而，普通日光灯对工作环境温度要求高，当温度较低时不容易启动，使用时普通日光灯内的氩气电离生热，从而使水银产生蒸汽并发出强烈的紫外线，普通日光灯容易闪烁，影响使用者视力。此外，当普通日光灯的灯管在破裂时，其内流出的发光物质会污染环境及对人类造成伤害。LED灯具有能量转换效率高、开关反应速度快、寿命长、无辐射及功耗低等优点而被广泛应用。LED是由III-IV族化合物，如GaAs (砷化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P 区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子) 复合而发光，如图1所示。假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光， 或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大， 不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μπι以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关。若能产生可见光(波长在380nm紫光 780nm红光)，半导体材料的Eg应在 3. 1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。然而由于LED灯通常散热效果不好，严重影响LED使用寿命，也会导致发光效率较低，甚至发光亮度不足。
实用新型内容本实用新型解决的技术问题是，提供一种LED封装结构及其LED模组，散热性能好，提高发光效率，提高照明亮度。本实用新型提供一种LED封装结构，其包括晶片；与晶片相互电连接的金属导线；
3[0013]与金属导线相互电连接的电极；用于放置晶片的导热银块；用于放置导热银块的基板；设置在基板的表面的玻璃陶瓷；以及设置在玻璃陶瓷的上方的硅胶半球。进一步地，所述晶片与导热银块相接触的表面，相接触的晶片的表面积小于导热银块的表面积。进一步地，所述基板临近晶片的表面镀有反射膜。进一步地，所述玻璃陶瓷为中空结构，其中空结构的位置设有导热银块。进一步地，在导热银块内部设置有铝条。进一步地，在晶片和导热银块之间设置一层锡膏。本实用新型还提供一种LED模组，其包括多个晶片；与各个晶片相互电连接的对应的金属导线；与金属导线相互电连接的对应各个晶片的电极；用于放置晶片的导热银块；用于放置导热银块的基板；设置在基板的表面的玻璃陶瓷，电极设置在玻璃陶瓷内，对应不同晶片的电极设置在玻璃陶瓷的不同层；以及设置在玻璃陶瓷的上方的硅胶半球。进一步地，所述晶片与导热银块相接触的表面，相接触的晶片的表面积小于导热银块的表面积。进一步地，所述基板临近晶片的表面镀有反射膜。进一步地，所述玻璃陶瓷为中空结构，其中空结构的位置设有导热银块。本实用新型提供的一种LED封装结构及其LED模组，将晶片设置在导热银块上，能够良好地散热，提高发光效率。
图1是本实用新型一种LED封装结构的一实施例结构示意图。图2是本实用新型一种LED模组的一实施例结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。请参阅图1，其是本实用新型一种LED封装结构的一实施例结构示意图。本实用新型一种LED封装结构，其包括晶片11、与晶片11相互电连接的金属导线 12、与金属导线12相互电连接的电极13、导热银块14、基板15、玻璃陶瓷16以及硅胶半球 17。其中，晶片11设置在导热银块14的表面，且晶片11与导热银块14相接触的表面， 相接触的晶片11的表面积小于导热银块14的表面积。[0041]导热银块14设置在基板15的表面。基板15临近晶片11的表面镀有反射膜。玻璃陶瓷16设置在基板15的表面，且为中空结构，其中空结构的位置为设置在基板15表面的导热银块14。电极13设置在玻璃陶瓷16内，用于连接外部电源，通过金属导线12向晶片11施加电压。硅胶半球17设置在玻璃陶瓷16的上方，且与晶片11相对设置。当然为了节省成本，可以在导热银块14内部设置铝条，节省银的用量。进一步地，可以在晶片11和导热银块14之间设置一层锡膏。请参阅图2，其是本实用新型一种LED模组的一实施例结构示意图。本实用新型一种LED模组包括多个晶片111、与各个晶片111相互电连接的金属导线112、与金属导线112相互电连接的电极113、导热银块114、基板115、玻璃陶瓷116以及硅胶半球117。其中，晶片111设置在导热银块114的表面，且晶片111与导热银块114相接触的表面，相接触的晶片111的表面积小于导热银块114的表面积。导热银块114设置在基板115的表面。基板115临近晶片111的表面镀有反射膜。玻璃陶瓷116设置在基板115的表面，且为中空结构，其中空结构的位置为设置在基板115表面的导热银块114。电极113设置在玻璃陶瓷116内，用于连接外部电源，通过金属导线112向晶片 111施加电压。每一个晶片111都对应各自不同的电极113。对应不同晶片111的电极113 可以设置在玻璃陶瓷116的同一层，也可以不同层。硅胶半球117设置在玻璃陶瓷116的上方，且与晶片111相对设置。同样，为了节省成本，可以在导热银块114内部设置铝条，节省银的用量。进一步地，可以在晶片111和导热银块114之间设置一层锡膏。综上所述，本实用新型通过在导热银块上设置晶片，能够良好地散热，提高发光效率，提高照明亮度。在上述实施例中，仅对本实用新型进行了示范性描述，但是本领域技术人员在阅读本专利申请后可以在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下对本实用新型进行各种修改。
权利要求1.一种LED封装结构，其特征在于，包括曰t±" 曰曰/T ；与晶片相互电连接的金属导线； 与金属导线相互电连接的电极； 用于放置晶片的导热银块； 用于放置导热银块的基板； 设置在基板的表面的玻璃陶瓷；以及设置在玻璃陶瓷的上方的硅胶半球。
2.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，所述晶片与导热银块相接触的表面，相接触的晶片的表面积小于导热银块的表面积。
3.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，所述基板临近晶片的表面镀有反射膜。
4.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，所述玻璃陶瓷为中空结构， 其中空结构的位置设有导热银块。
5.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，在导热银块内部设置有铝 条。
6.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，在晶片和导热银块之间设置一层锡膏。
7.一种LED模组，其特征在于，包括 多个晶片；与各个晶片相互电连接的对应的金属导线； 与金属导线相互电连接的对应各个晶片的电极； 用于放置晶片的导热银块； 用于放置导热银块的基板；设置在基板的表面的玻璃陶瓷，电极设置在玻璃陶瓷内，对应不同晶片的电极设置在玻璃陶瓷的不同层；以及设置在玻璃陶瓷的上方的硅胶半球。
8.根据权利要求7所述的一种LED模组，其特征在于，所述晶片与导热银块相接触的表面，相接触的晶片的表面积小于导热银块的表面积。
9.根据权利要求7所述的一种LED模组，其特征在于，所述基板临近晶片的表面镀有反射膜。
10.根据权利要求7所述的一种LED模组，其特征在于，所述玻璃陶瓷为中空结构，其中空结构的位置设有导热银块。
专利摘要本实用新型提供一种LED封装结构，其包括晶片；与晶片相互电连接的金属导线；与金属导线相互电连接的电极；用于放置晶片的导热银块；用于放置导热银块的基板；设置在基板的表面的玻璃陶瓷；以及设置在玻璃陶瓷的上方的硅胶半球。本实用新型还提供一种LED模组。本实用新型散热性能好，提高发光效率，提高照明亮度。
文档编号H01L33/48GK201936915SQ20102067449
公开日2011年8月17日 申请日期2010年12月22日 优先权日2010年12月22日
发明者蒋守锋 申请人:盐城六方体光电科技有限公司