专利名称：一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构，属半导体器件制造技 术领域。
背景技术：
在晶体管中，载流子要作无规则的热运动，这种无规则的热运动迭加在载流子有 规则的运动上，就引起了电流偏离平均值的起伏，成为热噪声。在晶体管中发射区、基区和 集电区都有体电阻和接触电阻，这些电阻都是晶体管的热噪声源。由于基极电阻Rb—般比 较大，并且位于输入回路中，它所产生的噪声经过放大，然后在输出端反映出来，因此基极 电阻Rb是晶体管热噪声的主要来源。为了降低晶体管的热噪声，就必须提高晶体管的基区 杂质浓度，降低基区电阻Rb。如果将传统的基区一次扩散改为二次扩散，即增加一次浓硼基 区扩散，就可以大大降低基极电阻Rb，使热噪声得到有效地减小。
发明内容本实用新型的目的是，针对硅外延平面晶体管存在热噪声大的问题，设计和推出 一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构，以解决热噪声问题。本实用新型的技术方案是，本实用新型是在一次氧化工艺之后淡硼基区扩散之前 采用在基区接触区进行浓硼扩散的方法获得P型浓硼掺杂区，即将硅片放在1000°c左右的 硼预沉积炉内，通过适当控制扩散炉温、氮气的流量和时间，沉积出具有一定表面浓度的硼 杂质源；然后将硅片放在1200°c左右的硼再分布炉内，通过适当控制扩散炉温、氧气的流 量和时间等，扩散出具有一定结深和杂质浓度的P+区。本实用新型一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构包括二氧化硅层、基极、发 射极、集电极、N型半导体、P型沟槽区、P型浓硼掺杂区(P+)、N型浓磷掺杂区(N+) ； 二氧化 硅层位于晶体管上面位置；发射极嵌入二氧化硅层位于上面中央位置，通过铝层与N型浓 磷掺杂区(N+)相连；基极是围绕发射极的一个嵌入二氧化硅层的环形区域，基极接触区通 过铝层与N型半导体上P型浓硼掺杂区(P+)相连；集电极位于晶体管底层的N型浓磷掺杂 区(N+) ；P型沟槽区位于发射极下；基极、发射极和集电极通过引线与外界电路连接。P型浓硼掺杂区是在一次氧化工艺之后淡硼基区扩散之前采用在基区接触区进行 浓硼扩散的方法获得的，浓硼基区的表面浓度为2 5X102°/cm，淡硼基区的表面浓度为 2 5X1018/cm。本实用新型与现有技术比较的有益效果是，由于本实用新型在基极接触区设置了 一定结深和杂质浓度的P+区，可以大大降低基极电阻Rb，使热噪声得到有效地减小。本实用新型适用需要降低热噪声的各种晶体管结构。
图示为降低热噪声的硅外延平面晶体管结构剖面图；[0010]图中图号表示(1) 二氧化硅层；(2)铝层；(3)基极；(4)发射极；(5)集电极；(6) P型浓硼掺杂区；(7) P型沟槽区。
具体实施方式
本实用新型实施例如图所示。本实施例一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构 包括二氧化硅层(1)、基极(3)、发射极(4)、集电极(5)、N型半导体、P型沟槽区(7)、P型 浓硼掺杂区(P+) (6)、N型浓磷掺杂区(N+) ；二氧化硅层(2)位于晶体管上面位置；发射极 (4)嵌入二氧化硅层位于上面中央位置，通过铝层(2)与N型浓磷掺杂区(N+)相连；基极 (3)是围绕发射极的一个嵌入二氧化硅层的环形区域，基极接触区通过铝层与N型半导体 上P型浓硼掺杂区(P+)相连；集电极(5)位于晶体管底层的N型浓磷掺杂区(N+) ；P型沟 槽区位于发射极下；基极、发射极和集电极通过弓丨线与外界电路连接。本实施例P型浓硼掺杂区是在一次氧化工艺之后淡硼基区扩散之前采用在基区 接触区进行浓硼扩散的方法获得的，浓硼基区的表面浓度为4X 102°/cm。
权利要求1. 一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构，其特征是，所述结构包括二氧化硅层、 基极、发射极、集电极、N型半导体、P型沟槽区、P型浓硼掺杂区、N型浓磷掺杂区；二氧化硅 层位于晶体管上面位置；发射极嵌入二氧化硅层位于上面中央位置，通过铝层与N型浓磷 掺杂区相连；基极是围绕发射极的一个嵌入二氧化硅层的环形区域，基极接触区通过铝层 与N型半导体上P型浓硼掺杂区相连；集电极位于晶体管底层的N型浓磷掺杂区；P型沟槽 区位于发射极下；基极、发射极和集电极通过弓丨线与外界电路连接。
专利摘要一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构，该所述结构包括二氧化硅层(1)、基极(3)、发射极(4)、集电极(5)、N型半导体、P型沟槽区(7)、P型浓硼掺杂区(6)、N型浓磷掺杂区；二氧化硅层位于晶体管上面位置；发射极嵌入二氧化硅层位于上面中央位置，通过铝层(2)与N型浓磷掺杂区相连；基极是围绕发射极的一个嵌入二氧化硅层的环形区域，基极接触区通过铝层与N型半导体上P型浓硼掺杂区相连；集电极位于晶体管底层的N型浓磷掺杂区；P型沟槽区位于发射极下；基极、发射极和集电极通过引线与外界电路连接；所述P型浓硼掺杂区的表面浓度为2～5×1020/cm。本实用新型适用需要降低热噪声的各种晶体管结构。
文档编号H01L29/36GK201788977SQ201020244510
公开日2011年4月6日 申请日期2010年7月1日 优先权日2010年7月1日
发明者赵建华 申请人:江西联创特种微电子有限公司