具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构的利记博彩app

文档序号:6968601阅读:106来源:国知局
专利名称:具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构的利记博彩app
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管结构,尤其是以透明导电热辐射散热薄膜取代 现有的氧化铟锡层的发光二极管结构。
背景技术
随着发光二极管技术的进步,加上周边控制电路的成熟,发光二极管具有高流 明度、耗电量低、寿命长以及演色度高的特点逐渐受到重视,已经广泛的适用在手机的 按键、液晶显示器及液晶电视的背光模块以及一般照明设备上。另外,发光二极管省电的特性,已被认定为绿能产业的一环,此外,发光二极 管不含汞,符合欧盟电机电子产品中有害物质禁限用指令(RoHS)的规范,因此,发光二 极管被认为是下一世代的关键产品。参阅图1,为现有技术发光二极管结构的截面图。如图1所示,发光二极管结构 1包含蓝宝石基板10、磊晶发光结构20、铟锡氧化物层30、第一金属接触层41以及第二 金属接触层43。蓝宝石基板10具有电气绝缘性,磊晶发光结构20设置在蓝宝石基板10 之上,包含η型半导体化合物层21、发光层23以及ρ型半导体化合物层25,其中发光层 23以氮化镓或氮化铟镓所构成,藉由电子电洞对的结合而发光。铟锡氧化物层30,具有透明及导电的特性,设置在磊晶发光结构20之上,并与 作为ρ型的接触层的第二金属接触层43连接,用以将外部供应的电流均勻分布,以避免 电流集中产生的能耗。第一金属接触层41与η型半导体化合物层21形成奥姆接触,作 为η型的接触层以连接至外部电源的负极,第二金属接触层43连接至外部电源的正极。随着发光二极管的技术演变,单颗具有高发光功率的照明产品成为主流,然 而,随着发光二极管亮度的提升,单颗发光二极管的发光功率的瓦数也大幅度的增加, 然而在增加发光功率时,在接口温度也会大幅增加。传统上的发光二极管封装的散热效 果较差,容易使发光二极管或使用发光二极管的产品的发光效率及生命周期因为热影响 而降低,改善发光二极管的散热问题,是目前最需克服的关键技术。目前现有上已经有许多增加散热的改善,例如在承载发光二极管的电路板下方 连接金属板,以传导的方式增加导热,然而,由于单以传导方式散热不具有方向性,使 散热效率不佳,需要进一步改善散热的特性。

实用新型内容本实用新型针对上述现有技术的弊端,提供一种具有透明导电热辐射散热薄膜 的发光二极管结构。本实用新型所述具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构,包含一蓝宝石基板,具有电气绝缘性;一磊晶发光结构,设置于该蓝宝石基板之上,包含一 η型半导体化合物层、一 发光层以及一P型半导体化合物层,用以发光;[0012]一透明导电热辐射散热薄膜,设置在该磊晶发光结构之上,包括彼此相对的一 上部表面以及一下部表面,且该下部表面与该P型半导体化合物层电气连接,该透明导 电热辐射散热薄膜由一金属非金属组合物所构成,具有透光性及导电性,该透明导电热 辐射散热薄膜的该上部表面具有多个结晶体的一表面显微结构;一第一金属接触层,与该η型半导体化合物层接触,作为一η型的接触层以连接 至一外部电源的一负极;以及一第二金属接触层,与该透明导电热辐射散热薄膜的该上部表面形成奥姆接 触,作为一 P型的接触层以连接至该外部电源的一正极。本实用新型所述的透明导电热辐射散热薄膜具有透光性、导电性用以将从第二 金属接触层流至第一金属接触层的电流均勻分布,以避免电流集中产生的能耗。透明导电热辐射散热薄膜由金属非金属组合物所构成,其中该金属非金属组合 物包括金属组合物及非金属组合物。金属组合物可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的 至少其中之一,或可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的合金,或可包 括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的氧化物或卤化物。非金属组合物可包 括至少硼、碳的其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化合物。例如,金属非金属组合 物可为钛锑商化物及碳酸盐。透明导电热辐射散热薄膜具有与ρ型半导体化合物层匹配的晶格结构(Lattice Structure)或形成奥姆接触(Ohmic contact)。且透明导电热辐射散热薄膜的上部表面具有 包括2纳米至1微米之间大小的结晶体表面显微结构,该结晶体表面显微结构为球状结晶 体或例如三角锥八面体结晶体的多面体,使得透明导电热辐射散热薄膜将磊晶发光结构 所产生的热以热辐射的形式从上部表面往下部表面的方向传播,以方向性的热辐射方式 增加热传播,而达到改善散热效率的目的。本实用新型的特点在于利用与现有技术的铟锡氧化物层的光电特性相似的透明 导电热辐射散热薄膜取代铟锡氧化物层。藉由透明导电热辐射散热薄膜所具有的高热幅 射特性,而将磊晶发光结构所产生的热透过方向性的热幅射方式迅速传递,而使发光二 极管达到更佳的发光效率,并延长了发光二极管以及任何应用发光二极管的产品的生命 周期。

图1为现有技术发光二极管结构的截面图。图2为本实用新型具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构的截面图。
具体实施方式
以下配合说明书附图对本实用新型的实施方式做更详细的说明,以使本领域技 术人员在研读本说明书后能据以实施。参阅图2,为本实用新型具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构的截面 图。如图2所示,本实用新型有具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构2包含 蓝宝石基板10、磊晶发光结构20、透明导电热辐射散热薄膜35、第一金属接触层41以及 第二金属接触层43。蓝宝石基板10系,磊晶发光结构20设置在蓝宝石基板10之上,包含η型半导体化合物层21、发光层23以及ρ型半导体化合物层25,藉由电子电洞对的结 合而发光,其中η型半导体化合物层21系由η型氮化镓所构成,发光层23以氮化镓或氮 化铟镓所构成,ρ型半导体化合物层25由ρ型氮化镓所构成。第一金属接触层41与η型半导体化合物层21形成奥姆接触,作为η型的接触层 以连接至外部电源的负极,第二金属接触层43与透明导电热辐射散热薄膜35形成奥姆接 触,作为ρ型的接触层以连接至外部电源的正极。透明导电热辐射散热薄膜35设置在磊晶发光结构20之上,包括彼此相对的上部 表面即下部表面,且以下部表面与该P型半导体化合物层25电气连接,且以上部表面与 第二金属接触层43形成奥姆接触。透明导电热辐射散热薄膜35具有透光性、导电性用 以将从第二金属接触层43流至第一金属接触层41的电流均勻分布,以避免电流集中产生 的能耗。透明导电热辐射散热薄膜35由金属非金属组合物所组成,其中该金属非金属组 合物包括金属组合物及非金属组合物。金属组合物可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑 的至少其中之一,或可包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的合金,或可 包括银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一的氧化物或卤化物。非金属组合物可 包括至少硼、碳的其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化合物。例如,金属非金属组 合物可为钛锑商化物及碳酸盐。透明导电热辐射散热薄膜35具有与ρ型半导体化合物匹配的晶格结构或形成奥 姆接触,透明导电热辐射散热薄膜35的上部表面且具有包括2纳米至1微米之间大小的 结晶体的表面显微结构,该表面显微结构为球状结晶体或例如三角锥八面体结晶体的多 面体。表面显微结构使得透明导电热辐射散热薄膜35将磊晶发光结构20所产生的热以 热辐射的形式,以从上部表面朝向下部表面的方向传播,而达到改善散热效率的目的。本实用新型有具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构2进一步包括一 封装层(未显示),以将磊晶发光结构20、透明导电热辐射散热薄膜35、第一金属接触层 41以及第二金属接触层43封装,以保护所述组件,并提供调整色温的功能。本实用新型具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构的特点在于利用与 现有技术上铟锡氧化物层30的电性及光学特性相似的透明导电热辐射散热薄膜35取代铟 锡氧化物层30。藉由透明导电热辐射散热薄膜35所具有的高热幅射特性,而将磊晶发光 结构20所产生的热藉由方向性的热幅射方式迅速传递,不需要任何导热媒介,而达到良 好的散热效果,改善了发光二极管达到的发光效率,并延长了发光二极管以及任何应用 发光二极管的产品的生命周期。以上所述仅为用以解释本实用新型的较佳实施例,并非企图据以对本实用新型 做任何形式上的限制,因此,凡有在相同的创作精神下所作有关本实用新型的任何修饰 或变更,皆仍应包括在本实用新型意图保护的范畴。
权利要求1.一种具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构,其特征在于,包含一蓝宝石基板,具有电气绝缘性;一磊晶发光结构,设置于该蓝宝石基板之上,包含一 η型半导体化合物层、一发光 层以及一ρ型半导体化合物层,用以发光;一透明导电热辐射散热薄膜,设置在该磊晶发光结构之上,包括彼此相对的一上部 表面以及一下部表面,且该下部表面与该ρ型半导体化合物层电气连接,该透明导电热 辐射散热薄膜由一金属非金属组合物所构成,具有透光性及导电性,该透明导电热辐射 散热薄膜的该上部表面具有多个结晶体的一表面显微结构;一第一金属接触层,与该η型半导体化合物层接触,作为一η型的接触层以连接至一 外部电源的一负极;以及一第二金属接触层,与该透明导电热辐射散热薄膜的该上部表面形成奥姆接触,作 为一ρ型的接触层以连接至该外部电源的一正极。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,该η型半导体化合物以η型氮 化镓所构成,该发光层以氮化铟镓或氮化镓所构成,该ρ型半导体化合物以η型氮化镓所 构成。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,所述结晶体为球状结晶体或多 面体结晶体,且所述结晶体的尺寸在2纳米至1微米之间的范围内。
4.如权利要求3所述的发光二极管结构,其特征在于,该多面体结晶体包含三角锥八 面体结晶体。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,该透明导电热辐射散热薄膜具 有与该ρ型半导体化合物层匹配的晶格结构或形成奥姆接触。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,该表面显微结构将该磊晶发光 结构所产生的热透过一热辐射方式由该上部表面往该下部表面的一方向传播。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于,进一步提供一封装层以封装该 磊晶发光结构、透明导电热辐射散热薄膜、第一金属接触层以及第二金属接触层。
专利摘要本实用新型公开了一种具有透明导电热辐射散热薄膜的发光二极管结构,该发光二极管结构包含蓝宝石基板、磊晶发光结构、透明导电热辐射散热薄膜、第一金属接触层以及第二金属接触层。透明导电热辐射散热薄膜包含具有结晶体的表面显微结构,且将磊晶发光结构所产生的热透过热辐射方式由上部表面往下部表面的一方向传播,藉由光电特性相似的透明导电热辐射散热薄膜取代铟锡氧化物层,而将热透过方向性的热幅射方式迅速传递,改善了散热特性,使发光二极管达到更高的发光效率,并延长了发光二极管以及应用发光二极管的产品的生命周期。
文档编号H01L33/42GK201796942SQ201020206889
公开日2011年4月13日 申请日期2010年5月28日 优先权日2010年5月28日
发明者陈烱勋 申请人:景德镇正宇奈米科技有限公司
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