专利名称：一种功率器件封装结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属于集成芯片封装领域，尤其涉及一种功率器件封装结构。
背景技术：
现有功率器件封装形式主要是单芯片封装和多芯片平板式封装。单芯片封装结 构如图1所示，包括基板10，所述基板10上设有第一管脚101;第一芯片11，用粘 合剂粘接在所述基板10中心位置上，所述粘合剂具有导电特性，将芯片输出信号从第一 管脚101引出；第一导线14，将芯片11的输出信号从第二管脚12引出；第二导线15， 将芯片11的输出信号从第三管脚13引出；最后模封成型。多芯片平板式封装结构如图 2所示，包括基板20，所述基板20上设有第一管脚201 ；第一芯片21，用粘合剂粘接 在所述基板20—侧；第二芯片22，用粘合剂并列粘接在所述基板20另一侧，所述粘合 剂具有导电特性，将第一芯片21、第二芯片22输出信号从第一管脚201引出；第一导线 25，将第一芯片21、第二芯片22的输出信号从第二管脚23引出；第二导线26将第一芯 片21、第二芯片22的输出信号从第三管脚24引出；最后模封成型。图1所述的单芯片封装结构，受到晶圆制造工艺的限制，允许通过的额定电流 值有限，进一步提高其额定电流值很困难，且成本较高。图2所述的多芯片平板式封 装，额定电流值能达到要求，但是结构体积大，封装成本高。
实用新型内容本实用新型为解决现有功率器件封装结构中额定电流值较小的技术问题，提供 一种封装体积小、额定电流值大的功率器件封装结构。一种功率器件封装结构，包括第一导电基板、与第一导电基板电连接的第二导电基板、第一芯片、第二芯 片；所述第二导电基板位于第一导电基板上方；所述第一芯片位于与第二导电基板相邻的第一导电基板表面上，并与第一导电 基板电连接；所述第二芯片位于与第一导电基板不相邻的第二导电基板表面上，并与第二导 电基板电连接。进一步优选，所述第一导电基板上设有第一管脚。进一步优选，所述功率器件封装结构还包括用于输出第一芯片、第二芯片信
号的第二管脚、第三管脚。进一步优选，所述功率器件封装结构还包括第一导线，将所述第一芯片、第 二芯片输出信号从第二管脚引出；第二导线，将所述第一芯片、第二芯片输出信号从第 三管脚引出。进一步优选，所述功率器件封装结构还包括用于固定第一管脚、第二管脚及保护芯片系统的塑封外壳，所述塑封外壳位于第一导电基板设置芯片侧。进一步优选，所述第二导电基板与第一芯片相对的面设有空腔，第一芯片位于 该空腔内。进一步优选，所述功率器件为MOS管。进一步优选，所述功率器件为IGBT管。本实用新型功率器件封装结构巧妙利用第二导电基板将第一芯片、第二芯片隔 开，在有限面积的第一导电基板上粘贴芯片结构，达到输出额定电流较大的目的。
图1是现有技术提供的单芯片封装结构示意图；图2是现有技术提供的多芯片平板式封装结构示意图；图3是本实用新型提供的功率器件封装结构分解示意图；图4是本实用新型提供的功率器件封装结构分解示意图；图5是本实用新型提供的功率器件封装结构分解示意图；图6是本实用新型提供的功率器件封装结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以 下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具 体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。一种功率器件封装结构，如图6所示，包括第一导电基板30、第一管脚301、 第一芯片31、第二管脚32、第三管脚33、第二导电基板34、第二芯片35、第一导线 36、第二导线37。如图3所示，所述第一导电基板30上设有第一管脚301 ；所述第一芯片31位于 所述第一导电基板30—侧，与第一导电基板30电连接；所述第二管脚32、第三管脚33 暂时固定在第一导电基板30上。如图4所示，第二导电基板34粘贴在所述第一导电基板30另一侧并覆盖部分第 一芯片31，与第一导电基板30电连接。留出一部分第一芯片31表面，便于第一芯片31 信号线的引出。如图5所示，所述第二芯片35位于所述第二导电基板34上，与第二导电基板34 电连接。如图6所示，第一导线36将所述第一芯片31、第二芯片35输出信号从第二管脚 32引出；第二导线37将所述第一芯片31、第二芯片35输出信号从第三管脚33引出。优选方案，所述功率器件封装结构还包括用于固定第二管脚32、第三管脚33及 保护芯片系统的塑封外壳，所述塑封外壳位于第一导电基板30设置芯片侧，固定住第二 管脚32、第三管脚33，将芯片系统与外界隔离。优选方案，所述第二导电基板34与第一芯片31相对的面设有空腔，第一芯片31 位于该空腔内。使第二导电基板34与第一芯片31间预留一定间隙，第一芯片31与第二 导电基板34不相接触。[0032]优选方案，所述功率器件为MOS管。优选方案，所述功率器件为IGBT管。本实用新型功率器件封装结构巧妙的利用第二导电基板33将第一芯片32、第二 芯片34隔开，在有效的第一导电基板30面积上粘贴芯片结构，达到输出额定电流较大的 目的。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在 本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用 新型的保护范围之内。
权利要求1.一种功率器件封装结构，其特征在于包括第一导电基板、与第一导电基板电连接的第二导电基板、第一芯片、第二芯片； 所述第二导电基板位于第一导电基板上方；所述第一芯片位于与第二导电基板相邻的第一导电基板表面上，并与第一导电基板 电连接；所述第二芯片位于与第一导电基板不相邻的第二导电基板表面上，并与第二导电基 板电连接。
2.如权利要求1所述的功率器件封装结构，其特征在于所述第一导电基板上设有第一管脚。
3.如权利要求2所述的功率器件封装结构，其特征在于所述功率器件封装结构还 包括用于输出第一芯片、第二芯片信号的第二管脚、第三管脚。
4.如权利要求3所述的功率器件封装结构，其特征在于所述功率器件封装结构还 包括第一导线，将所述第一芯片、第二芯片的输出信号从所述第二管脚引出； 第二导线，将所述第一芯片、第二芯片的输出信号从所述第三管脚引出。
5.如权利要求1至4任一项所述的功率器件封装结构，其特征在于所述功率器件封 装结构还包括用于固定第二管脚、第三管脚及保护芯片系统的塑封外壳，所述塑封外 壳位于第一导电基板设置芯片侧。
6.如权利要求1至4任一项所述的功率器件封装结构，其特征在于所述第二导电 基板与第一芯片相对的面设有空腔，第一芯片位于该空腔内。
7.如权利要求1至4任一项所述的功率器件封装结构，其特征在于所述功率器件为 MOS 管。
8.如权利要求1至4任一项所述的功率器件封装结构，其特征在于所述功率器件为 IGBT 管。
专利摘要本实用新型提供了一种功率器件封装结构，属于集成芯片封装领域。该功率器件封装结构包括第一导电基板、与第一导电基板电连接的第二导电基板、第一芯片、第二芯片；所述第二导电基板位于第一导电基板上方；所述第一芯片位于与第二导电基板相邻的第一导电基板表面上，并与第一导电基板电连接；所述第二芯片位于与第一导电基板不相邻的第二导电基板表面上，并与第二导电基板电连接。本实用新型功率器件封装结构巧妙利用第二导电基板将第一芯片、第二芯片隔开，能在有效的基板面积上粘贴芯片结构，达到输出额定电流较大的目的。
文档编号H01L23/48GK201804864SQ201020186828
公开日2011年4月20日 申请日期2010年4月30日 优先权日2010年4月30日
发明者张文雁, 梁平镇, 田晓宇 申请人:比亚迪股份有限公司