专利名称：非晶硅薄膜太阳能电池的利记博彩app
技术领域：
本发明属于基本电气元件范畴，尤其是关于非晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术：
现有的非晶硅薄膜太阳能电池均将非晶硅薄膜芯片，封装在上下两块玻璃基板， 即所谓的顶玻璃和底玻璃之间。因此当阳光照射到太阳能电池表面时，顶玻璃会将部分阳 光反射，而透过芯片的阳光则通过玻离逸出电池外，所以未能充分利用照射在电池上的太 阳能，其转化效率不高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种非晶硅薄膜太阳能电池，解决太阳能电池顶玻璃的阳 光反射和底玻璃的阳光逸出，以提高阳光在电池内部转换为电能的效率的技术问题。本发明解决上述技术问题采用的技术方案是一种非晶硅薄膜太阳能电池，包含顶玻璃和底玻璃，其特征在于该顶玻璃外表面 设置有厚度≤80纳米的氮化硅膜，该底玻璃的内表面设置有厚度< 0. 06微米的真空镀铝层。上述氮化硅膜最佳厚度为75纳米，真空镀铝层最佳厚度为0. 05微米。本发明将低反射率的氮化硅膜设置在非晶硅薄膜太阳能电池面对太阳光的表面， 目的是使阳光尽量多地进入电池内部，而又将高反射率的真空镀铝层设置在电池背光的底 部，使原本已穿过太阳能电池后将逸出电池的阳光反射回到非晶硅太阳能电池中去再次进 行光电转换，从而提高了电池4 5%的光电转换率。
图1是本发明的结构剖面示意图。
具体实施例方式请参阅图1所示，本发明首先在洗净的顶玻璃2的一个表面沉积一层具有减反射 作用的氮化硅薄膜1，该氮化硅膜1的厚度< 80纳米，以厚度为75纳米的氮化硅薄膜为最 佳，因为在该厚度可获得最佳的对阳光的减反射效果。这一过程使用等离子体增强化学相 沉积(PECVD)法控制氨气(NH3)和硅烷(SiH4)的流量能获得均勻、优质的氮化硅薄膜。在洗净的底玻璃7的一个表面用真空法镀一层厚度< 0. 06微米的真空镀铝层6， 该真空镀铝层6的最佳厚度为0. 05微米，反射率可达97 %。在该真空镀铝层6上敷设0. 4 毫米厚度的乙烯一醋酸乙酯(EVA)层5，将沉积在两层透明导电薄膜3之间的非晶硅层4设 置在该乙烯一醋酸乙酯(EVA)层5与顶玻璃2的另一面之间。依据上述本发明的结构，使射入非晶硅太阳能电池的阳光尽量多，再把通过非晶 硅太阳能电池的阳光用底玻璃7上的真空镀铝层6又反射回到非晶硅太阳能电池中去。如此本发明可比普通常规的非晶硅太阳能电池的转换率提高4 5%，其中减反射的氮化硅 膜1可提高2. 5 3%的转换率，真空镀铝层6可提高1. 5 2%的转换率。
权利要求
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池，包含顶玻璃和底玻璃，其特征在于该顶玻璃外表面 设置厚度< 80纳米的氮化硅膜，该底玻璃内表面设置有厚度< 0. 06微米的真空镀铝层。
2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于该氮化硅膜最佳厚度 为75纳米。
3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于该真空镀铝层最佳厚 度为0. 05微米。
全文摘要
本发明属于基本电气元件范畴。一种非晶硅薄膜太阳能电池，包含顶玻璃和底玻璃，其特征在于该顶玻璃外表面设置厚度≤80纳米的氮化硅膜，该底玻璃内表面设置有厚度≤0.06微米的真空镀铝层。解决太阳能电池顶玻璃的阳光反射和底玻璃的阳光逸出以提高光电转换效率的技术问题。
文档编号H01L31/052GK102117856SQ201010619859
公开日2011年7月6日 申请日期2010年12月28日 优先权日2010年12月28日
发明者王振龙, 钱惠富 申请人:王振龙, 钱惠富