专利名称：光刻方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种光刻方法。
背景技术：
随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，因此半导体工艺的精度也变得更加重要。在半导体制造工艺中，其中一个重要的工艺就是光刻，光刻是将掩膜版上的图案转移为晶片上的光刻图案的工艺过程，因此光刻的质量会直接影响到最终形成的芯片的性能。由于衬底的主要成分为二氧化硅(SiO2),其中，位于衬底表面的硅离子可与空气中水分子的羟基(-0H)相结合，从而在衬底表面生成带有羟基的化合物，带有羟基的化合物通常都具有亲水性(hydrophilic)，从而使得衬底表面具有了亲水性。光阻(PR)是一种大分子化合物，其包含憎水基团，从而使得I3R具有了憎水性(hydrophobic)。通常我们将这种现象称为衬底表面和I3R具有相反的极性。当对衬底进行光刻时，其中一个必要的步骤就是在衬底表面旋涂ra，由于衬底表面和ra具有相反的极性，因此，旋涂后的ra难以很好的地附着于衬底表面，最终造成光刻图案的剥落。为了避免光刻图案的剥落，在旋涂ra之前，通常对衬底表面进行一系列的处理， 现有技术中处理的主要原理是采用憎水基团置换衬底表面的羟基，从而使衬底表面具有憎水性，下面详细介绍处理的方法。处理的方法为将衬底置于密闭容器中，在一定温度下采用六甲基二硅烷(HMDS) 与衬底表面进行化学反应，HMDS的分子结构式为
权利要求
1.一种光刻方法，该方法包括采用二氧化碳(X)2和氢气吐的混合气体对衬底表面进行等离子体处理； 在衬底表面旋涂光阻，并形成光刻图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合气体的流量为20至500标准状态毫升/分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，CO2和H2的体积比例为1 20至4 1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 等离子体处理的时间为10至70秒；等离子体处理的温度为0至60摄氏度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻图案是对光阻进行曝光、显影形
全文摘要
本发明公开了一种光刻方法，该方法包括采用二氧化碳CO2和氢气H2的混合气体对衬底表面进行等离子体处理；在衬底表面旋涂光阻PR，形成光刻图案。采用该方法能够避免光刻图案剥落。
文档编号H01L21/027GK102314078SQ20101022823
公开日2012年1月11日 申请日期2010年7月8日 优先权日2010年7月8日
发明者安辉, 郝静安 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司