专利名称：有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域：
实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术：
OLED显示器是自发光显示器，自发光显示器可以包括例如空穴注入电极、电子注 入电极以及空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发光层。当从空穴注入电极(例如， 阳极)注入的空穴和从电子注入电极(例如，阴极)注入的电子在有机发光层中复合以返 回至基态时，OLED显示器可以发光。OLED显示器可以具有期望的性能，例如，低功耗、高亮度、高反应速度等。因此， OLED显示器作为用于移动电子器件的下一代显示设备而备受关注。然而，如果OLED显示器使用重的且容易破坏的玻璃基底，则会限制其可携带性和 大尺寸屏幕显示器的实现。通过使用柔性基底(例如，塑料)开发出柔性OLED显示器(即，例如可以是重量 轻的且具有抗冲击性)。因为这样的柔性OLED显示器可以例如折叠或卷绕，所以其可携带 性可以被最大化，并可以用于各种领域。在该背景部分中公开的以上信息仅仅为了加深对所述技术的背景的理解，因此， 它可以包含不构成在本国对于本领域普通技术人员来说已经知道的现有技术的信息。
发明内容
实施例涉及一种相对于现有技术显示出改进的有机发光二极管(OLED)显示器及 其制造方法。实施例的特征在于提供一种相对于重复的弯曲操作具有提高的耐久性和最大化 的弯曲度的有机发光二极管(OLED)显示器。以上和其它特征及优点中的至少一个可以通过一种有机发光二极管(OLED)显示 器来实现，所述有机发光二极管显示器包括柔性基底；驱动电路单元，位于所述柔性基底 上，所述驱动电路单元包括薄膜晶体管(TFT)；有机发光元件，位于所述柔性基底上，所述 有机发光元件连接到所述驱动电路单元；包封薄膜，位于所述柔性基底上，所述包封薄膜覆 盖所述有机发光元件和所述驱动电路单元；第一保护膜，面对所述包封薄膜；第二保护膜， 面对所述柔性基底；第一密封剂，设置在所述包封薄膜和所述第一保护膜之间；第二密封 剂，设置在所述柔性基底和所述第二保护膜之间。从所述第一保护膜的外表面到所述驱动电路单元的厚度可以等于从所述第二保 护膜的外侧到所述驱动电路单元的厚度。所述包封薄膜、所述第一密封剂和所述第一保护膜的总厚度可以等于所述柔性基 底、所述第二密封剂和所述第二保护膜的总厚度。当施加弯曲矩时，所述驱动电路单元的TFT可以位于所述第一保护膜和所述第二 保护膜之间的中立面处。
所述第一保护膜和所述第二保护膜可以展现出相同的物理性能，所述第一密封剂 和所述第二密封剂可以展现出相同的物理性能。所述第一保护膜和所述第二保护膜均可以具有10 μ m至100 μ m的厚度。所述第一密封剂和所述第二密封剂均可以具有1 μ m至30 μ m的厚度。所述显示器可以弯曲到大于3mm且小于IOmm的范围内的曲率半径，而不损坏所述 驱动电路单元的TFT。所述显示器可以弯曲到5mm的曲率半径，而不损坏所述驱动电路单元的TFT。所述柔性基底可以由塑料材料制成。以上和其它特征及优点中的至少一个可以提供一种用于制造有机发光二极管 (OLED)显示器的方法来实现，所述方法包括在玻璃基底上形成柔性基底；在所述柔性基 底上形成驱动电路单元，使得所述驱动电路单元包括薄膜晶体管(TFT)；在所述柔性基底 上形成有机发光元件，使得所述有机发光元件连接到所述驱动电路单元；在所述柔性基底 上形成包封薄膜，使得所述包封薄膜覆盖所述有机发光元件和所述驱动电路单元；将位于 所述包封薄膜上的第一保护膜与第一密封剂结合；将所述玻璃基底与所述柔性基底分开； 将位于所述柔性基底上的第二保护膜与第二密封剂结合。从所述第一保护膜的外表面到所述驱动电路单元的厚度可以等于从所述第二保 护膜的外侧到所述驱动电路单元的厚度。所述包封薄膜、所述第一密封剂和所述第一保护膜的总厚度可以等于所述柔性基 底、所述第二密封剂和所述第二保护膜的总厚度。当施加弯曲矩时，所述驱动电路单元的TFT可以位于所述第一保护膜和所述第二 保护膜之间的中立面处。所述第一保护膜和所述第二保护膜可以具有相同的物理性能，所述第一密封剂和 所述第二密封剂可以具有相同的物理性能。所述第一保护膜和所述第二保护膜均可以具有10 μ m至100 μ m的厚度。所述第一密封剂和所述第二密封剂均可以具有1 μ m至30 μ m的厚度。所述第一保护膜和所述第二保护膜中的至少一个可以是偏振器。所述显示器可以弯曲到大于3mm且小于IOmm的范围内的曲率半径，而不损坏所述 驱动电路单元的TFT。所述显示器可以弯曲到5mm的曲率半径，而不损坏所述驱动电路单元的TFT。所述柔性基底可以由塑料材料制成。
通过参照附图详细描述示例性实施例，对于本领域普通技术人员来讲，以上和其 它特征及优点将变得更加明显，在附图中图1示出根据实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的剖视图；图2示出图1的OLED显示器的弯曲状态的剖视图；图3和图4示出在制造图1的OLED显示器的方法中的阶段的剖视图；图5示出图1的OLED显示器的显示面板的内部结构的放大布局图；图6示出沿图5的VI-VI线截取的剖视图7示出显示了根据实施例和对比示例的实验样品的实验比较结果的曲线图。
具体实施例方式现在，在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以许 多不同的形式来实施，而不应该被理解为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例 使本公开将是彻底的且完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了示出的清楚起见，会夸大层和区域的尺寸。还应当理解的是，当层 或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或基底上，或者也 可以存在中间层。另外，还应当理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是 这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的标号始终表示相同的 元件。为了阐明实施例，可以省略与描述不相关的部件。现在将参照图1和图2描述根据实施例的有机发光二极管(OLED)显示器。如图1所示，根据实施例的OLED显示器101可以包括例如显示面板110、第一保护 膜410、第一密封剂310、第二保护膜420和第二密封剂320。显示面板110可以包括例如柔性基底111、驱动电路(DC)单元、有机发光元件 70 (例如，有机发光二极管(OLED))和包封薄膜250。柔性基底111可以由例如柔性塑料材料形成。柔性塑料材料可以包括例如聚对苯 二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰 亚胺等。然而，实施例不意味着限于此，柔性基底111可以由柔性金属材料(例如，不锈钢) 制成。另外，可以使用各种其它柔性材料形成柔性基底111。DC单元可以包括例如薄膜晶体管(TFT) 10和20 (参见图5)，并可以驱动有机发光 元件70。连接到DC单元的有机发光元件70可以根据从DC单元传输的驱动信号而发光，因 此显示图像。在图5和图6中示出了有机发光元件70和DC单元的详细结构。但实施例不限于 此。有机发光元件70和DC单元可以利用本领域技术人员能够容易修改的各种其它结构形 成。虽然未示出，但包封薄膜250可以具有多层结构。包封薄膜250可以由例如多个 无机膜或无机膜和有机膜的混合物来形成。在一个实施方案中，包封薄膜250可以使用本 领域技术人员已知的各种类型的无机膜和有机膜来形成。包封薄膜250可以防止不需要的 和/或不期望的成分(例如湿气等)渗透到有机发光元件70中。在这点上，如果湿气渗透 到有机发光元件70中，则有机发光元件70的寿命会缩短。显示面板110还可以包括例如设置在柔性基底111和DC单元之间的阻碍膜120。 阻碍膜120可以包括例如各种无机膜和有机膜中的一种或多种。阻碍膜120还可以防止不 需要的和/或不期望的成分(例如湿气等)透过柔性基底111进入到有机发光元件70中。 再则，如果湿气渗透到有机发光元件70中，则有机发光元件70的寿命会缩短。在一个实施方案中，为了防止湿气渗透到有机发光元件70中，包封薄膜250和阻 碍膜120可以具有大约10_6g/m2/天或更小的水蒸气传递速率(WVTR)。第一保护膜410可以面对包封薄膜250。第一密封剂310可以设置在第一保护膜410和包封薄膜250之间。即，第一保护膜410可以通过第一密封剂310附着到包封薄膜 250。在一个实施方案中，第一密封剂310可以具有粘合性能。第二保护膜420可以面对柔性基底111。第二密封剂320可以设置在第二保护膜 420和柔性基底111之间。即，第二保护膜420可以通过第二密封剂320附着到柔性基底 111。在一个实施方案中，第二密封剂320可以具有粘合性能。第一保护膜410和第二保护膜420可以具有相同的物理性能，并可以提高例如显 示面板110的机械强度。第一保护膜410和第二保护膜420可以由例如塑料材料制成，与 柔性基底111类似，第一保护膜410和第二保护膜420可以具有柔性特性。在一个实施方 案中，可以使用对于本领域技术人员来说已知的各种类型的膜作为第一保护膜410和第二 保护膜420。第一保护膜410和第二保护膜420中的至少一个可以具有偏振功能。换句话说，第 一保护膜410和第二保护膜420中的至少一个可以是偏振器。这里，偏振保护膜的设置可 以根据有机发光元件70发光的方向来确定。具体地说，如果有机发光元件70进行顶部发 射，即，如果有机发光元件70朝第一保护膜410发光以显示图像，则第一保护膜410可以是 偏振器。如果有机发光元件70进行底部发射，即，如果有机发光元件70朝第二保护膜420 发光以显示图像，则第二保护膜420可以是偏振器。如果有机发光元件70进行双侧发射， 则第一保护膜410和第二保护膜420都可以是偏振器。如果第一保护膜410和第二保护膜420中只有一个是偏振器，则另一个除了可以 不执行偏振功能以外，就物理性能而言，可以由基本相同的材料制成。这里，具有相同的物 理性能是指具有非常类似的物理性能，尽管它们可能未必是相同的材料。在一个实施方案中，第一保护膜410和第二保护膜420可以都不是偏振器。第一密封剂310和第二密封剂320可以具有相同的物理性能。与第一保护膜410 及第二保护膜420、柔性基底111和包封薄膜250相比，第一密封剂310和第二密封剂320 可以具有例如相对平坦的、柔软的且易弯曲的性质。在一个实施方案中，可以使用对于本领 域技术人员来讲已知的各种类型的密封剂作为第一密封剂310和第二密封剂320。另外，如图1所示，从第一保护膜410的外表面到DC单元的厚度dl和从第二保护 膜420的外表面到DC单元的厚度d2可以相等。具体地说，当第一密封剂310和第二密封 剂320由相同的材料形成并具有相同的厚度时，第一保护膜410和第二保护膜420的厚度 可以在考虑显示面板110的元件(例如，包封薄膜250、柔性基底111等)的厚度的基础上 来确定。显示面板110 (除了柔性基底111外)可以具有例如仅仅若干微米的厚度，并且会 无意地容易弯曲或折叠。柔性基底111可以具有例如仅仅几十微米的厚度，并且不能单独 地在物理上保护有机发光元件70和DC单元。因此，仅包括显示面板110的设备会具有差的可携带性，并且会容易损坏。因此， 可以附着第一保护膜410和第二保护膜420，从而例如提高机械强度，并防止显示面板110 被损坏。仅包括第一保护膜410和第二保护膜420中的一个可以提高包括显示面板110的 设备的机械强度。然而，在第一保护膜410和第二保护膜420中的一个附着到显示面板110 的情况下，如果重复弯曲，则在弯曲期间产生的拉伸应力或压缩应力可以传递到显示面板110。即，当施加弯曲矩时，可以在第一保护膜410或第二保护膜420的内侧处形成中立面 (NP)(参见图2)，其中，与显示面板110相比，第一保护膜410和第二保护膜420具有相对 大的厚度。NP是在施加弯曲矩时保持其初始长度的仅弯曲而没有伸展或收缩的平面。当对 目标施加弯曲矩时产生的NP可以形成在目标的中间。因此，可以对设置在第一保护膜410 或第二保护膜420的边缘处的显示面板110施加显著的拉伸应力或压缩应力。在这种情况 下，对显示面板110施加的应力会随着进一步远离于NP而变得更强。如果对显示面板110 重复施加应力，或者如果对显示面板110施加大于断裂强度的应力，则显示面板110内的元 件(例如，TFT 10和20 (参见图5))会损坏和/或导电布线会断开。因此，在一个实施例中，可以确定第一保护膜410和第二保护膜420的厚度，使得 从第一保护膜410的外表面到DC单元的厚度dl (参见图1)和从第二保护膜420的外侧到 DC单元的厚度d2(参见图1)可以相等。利用这样的构造，如图2所示，当施加弯曲矩时，在第一保护膜410和第二保护膜 420之间形成的NP可以设置为沿着DC单元的敏感组件(例如，TFT 20(参见图6))。在这 种情况下，优选的是，为了将NP设置为沿着DC单元的敏感组件(例如，TFT 20)，第一保护 膜410和第二保护膜420具有相同的物理性能。换言之，从DC单元的敏感组件到第一保护 膜410的外表面的距离可以与从DC单元的敏感组件到第二保护膜420的外表面的距离相寸。因此，即便重复地弯曲OLED显示器101，施加于DC单元的敏感组件(例如，TFT 20)的应力会很小，从而防止敏感组件(例如，TFT 20)被损坏。当对目标施加弯曲矩时产生的NP可以形成在目标的中间。因此，当第一保护膜 410和第二保护膜420具有相同的物理性能以及相同的厚度dl和d2时，其中，DC单元设置 在第一保护膜410和第二保护膜420之间，当对OLED显示器101施加弯曲矩时产生的NP 可以沿着DC单元延伸。同时，本领域技术人员可以以不同方式改变DC单元内的TFT 10和20 (参见图5) 的位置、有机发光元件70的厚度、像素限定膜190 (参见图6)的厚度和阻碍膜120的厚度。 因此，TFT 10和20的位置可以根据OLED显示器101的类型而改变。因此，如果在施加弯曲 矩时产生的拉伸应力和压缩应力的水平由于例如保护膜410和420的厚度而尽可能地小， 则应力不会损坏敏感组件，例如TFT 10和20。另外，如果包封薄膜250、第一密封剂310和 第一保护膜410的总厚度与柔性基底111、第二密封剂320和第二保护膜420的总厚度相 等，则在对OLED显示器101施加弯曲矩时产生的NP会基本上沿着包括例如TFT 20的DC 单元延伸。另外，即使第一保护膜410和第二保护膜420具有不完全相等的厚度dl和d2，即， 即使它们的厚度略微不同，第一保护膜410和第二保护膜420的简单存在可以使得敏感组 件(例如，TFT 20(参见图6))位于靠近NP的位置，从而显著地减小了对敏感组件(例如， TFT 20)的损坏。以这种方式，通过使在对OLED显示器101施加弯曲矩时产生的NP沿着DC单元延 伸，DC单元的敏感组件(例如，TFT 20)可以基本上不受施加的压力的影响，并且不会被损坏。另外，实施例的OLED显示器101可以弯曲到较大程度。具体地说，OLED显示器101
8可以稳定地弯曲至曲率半径(R)低至大约3mm。保持弯曲的OLED显示器101的曲率半径 (R)大于大约3mm可以有助于确保DC单元的敏感组件(例如，TFT 10和20 (参见图5))不 被损坏。在图2中，示为实线的箭头表示在施加弯曲矩时产生拉伸应力和压缩应力。拉伸 应力和/或压缩应力会随着远离于NP而更强。第一保护膜410和第二保护膜420可以均具有大约10 μ m至大约100 μ m的厚度。 保持第一保护膜410和第二保护膜420的厚度为大约IOym或更大可以有助于确保第一保 护膜410和第二保护膜420能够稳定地保护显示面板110。保持第一保护膜410和第二保 护膜420的厚度为大约100 μ m或更小可以有助于确保OLED显示器101的总厚度不会不必 要地大。另外，保持第一保护膜410和第二保护膜420的厚度为大约IOOym或更小可以有 助于确保OLED显示器101的柔性不劣化。除了将第一保护膜410结合到包封薄膜250和将第二保护膜420结合到柔性基底 111的作用以外，第一密封剂310和第二密封剂320还可以减小当OLED显示器101弯曲时 产生的应力。因为第一密封剂310和第二密封剂320具有相对平坦的、柔软的且易弯曲的 性质，所以，当OLED显示器101弯曲时，例如在相应的密封剂和保护膜之间的界面处会出现 一定程度的滑动现象。因此，通过由于存在第一密封剂310和第二密封剂320而产生的滑 动量，第一密封剂310和第二密封剂320可以减小当施加弯曲矩时产生的拉伸应力和压缩 应力。第一密封剂310和第二密封剂320可以均具有大约Iym至大约30 μ m的厚度。保 持第一密封剂310和第二密封剂320的厚度为大约1 μ m或更大可以有助于确保第一密封 剂310和第二密封剂320能够稳定地将第一保护膜410和第二保护膜420分别结合到包封 薄膜250和柔性基底111，并适当地减小当OLED显示器101弯曲时产生的应力。保持第一 密封剂310和第二密封剂320的厚度为大约30 μ m或更小可以有助于确保第一密封剂310 和第二密封剂320的厚度不会不必要地大。另外，保持第一密封剂310和第二密封剂320 的厚度为大约30 μ m或更小可以有助于确保不会因为第一密封剂310和第二密封剂320的 厚度太大而产生过度的滑动现象，因此将第一保护膜410和第二保护膜420分别稳定地结 合到包封薄膜250和柔性基底111。利用这样的构造，实施例的OELD显示器101可以相对于几乎无限制的重复操作具 有提高的耐久性，并可以使其弯曲度最大化。现在将参照图3和图4描述制造图1的OLED显示器101的方法。首先，如图3所示，可以在玻璃基底900上形成柔性基底111。柔性基底111可以 由具有良好耐热性和耐久性的塑料材料(例如，聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇 酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚酰亚胺等)制成。当对柔性基底111加热时，柔性基底111会例如弯曲和/或扩展。因此，会难以在 柔性基底111上精确地形成薄膜图案，例如各种电极或导电布线。因此，在进行各种薄膜图 案形成工艺时，可以将柔性基底111附着到玻璃基底900。接下来，可以在柔性基底111上形成阻碍膜120。然后，可以在阻碍膜120上形成 DC单元和有机发光元件70。然后，可以形成包封薄膜250，以在柔性基底111上覆盖有机发 光元件70和DC单元，因此完成显示面板110。
然后，如图4所示，可以通过使用第一密封剂310将第一保护膜410附着到包封薄 膜250。接下来，可以将玻璃基底900与柔性基底111分开。随后，可以通过使用第二密封剂320将第二保护膜420附着到与玻璃基底900分 开的柔性基底111。通过这样的制造方法，OLED显示器101可以相对于几乎无限制的重复弯曲操作而 具有提高的耐久性，并且可以使其弯曲度最大化。图5示出显示面板110的像素结构的放大布局图。图6示出沿图5中的显示面板 110的VI-VI线截取的剖视图。如图5和图6所示，显示面板110可以在每个像素中包括开关TFT 10、驱动TFT 20、存储电容器80和有机发光元件70 (例如，有机发光二极管(OLED))。这里，包括开关TFT 10、驱动TFT 20和存储电容器80的结构可以构成DC单元。显示面板110还可以包括沿一 个方向设置的栅极线151、与栅极线151绝缘且与栅极线151交叉的数据线171以及公共功 率线172。这里，单个像素可以由栅极线151、数据线171和公共功率线172的边界限定，但 是可以不必限于此。像素是指用于显示图像的最小单元，显示面板110可以通过多个像素 显示图像。图5示出具有在单个像素中包括两个TFT和一个存储电容器的2Tr_lCap结构的 有源矩阵(AM)类型的OLED显示器101。也就是说，OLED显示器101可以在单个像素中包 括三个或更多个TFT和两个或更多个存储电容器，或可以通过进一步包括其它布线而具有 各种其它结构。例如，有机发光元件70可以包括像素电极710、形成在像素电极710上的有机发光 层720和形成在有机发光层720上的共电极730。这里，像素电极710可以是正(+)电极， 即空穴注入电极，共电极730可以是负㈠电极，即电子注入电极。然而，实施例不必限于 此，根据OLED显示器101的驱动方法，像素电极710可以是负电极和/或共电极可以是正 电极。来自像素电极710和共电极730的空穴和电子可以注入到有机发光层720中。当注 入的空穴和电子复合形成的激子从激发态返回至基态时，发射光。在实施例的OLED显示器101中，有机发光元件70可以朝包封薄膜250发光。换 言之，有机发光元件70可以是顶部发射类型的元件。这里，为了使有机发光元件70朝 包封薄膜250发光，可以使用反射电极作为像素电极710，并可以使用透射电极或半反射 (transflective)电极作为共电极730。然而，实施例的OLED显示器101不限于顶部发射 类型的装置。也就是说，OLED显示器101可以是例如底部发射类型的装置或双侧发射类型 的装置。存储电容器80可以包括一对存储板158和178，层间绝缘层160设置在这对存储 板158和178之间有。这里，层间绝缘层160可以是介电材料。电容可以取决于充入在存 储电容器80中的电荷以及两个存储板158和178之间的电压。开关TFT 10可以包括例如开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和 开关漏电极174。驱动TFT 20可以包括例如驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电 极176和驱动漏电极177。图6示出具有顶部栅极结构的TFT 20，但实施例不限于此。即，可以使用具有底部 栅极结构的TFT。在一个实施方案中，开关半导体层131和驱动半导体层132中的至少一个可以是例如氧化物半导体层。可以使用开关TFT 10作为用于选择旨在发光的像素的开关元件。开关栅电极152 可以连接到栅极线151。开关源电极173可以连接到数据线171。开关漏电极174可以与 开关源电极173分开，并连接到存储板158。驱动TFT 20可以向像素电极710施加驱动功率，从而在选择像素内在有机发光元 件70的有机发光层720中发光。驱动栅电极155可以连接到存储板158，存储板158连接 到开关漏电极174。驱动源电极176和其它存储板178可以分别连接到公共功率线172。驱 动漏电极177可以经由接触孔连接到有机发光元件70的像素电极710。利用这样的构造，开关TFT 10可以通过施加到栅极线151的栅极电压来操作，从 而将施加到数据线171的数据电压施加到驱动TFT 20。与从公共功率线172施加到驱动 TFT 20的共电压和传输到开关TFT 10的数据电压之差对应的电压可以存储在存储电容器 80中。当与存储在存储电容器80中的电压对应的电流经由驱动TFT 20流向有机发光元件 70时，有机发光元件70可以发光。如图6所示，包封薄膜250可以设置在有机发光元件70上，从而例如保护有机发 光元件70和DC单元。阻碍膜120可以直接形成在柔性基底111上。阻碍膜120可以包括例如各种无机 膜和有机膜中的一种或多种膜。阻碍膜120可以防止不需要的和/或不期望的成分(例如 湿气等)透过柔性基底111进入到有机发光元件70中。现在将参照图2和图7描述根据实施例的实验示例和对比示例。在实验示例中， 根据实施例，具有相同物理性能和相同厚度的第一保护膜410和第二保护膜420附着到显 示面板110的包封薄膜250和柔性基底111。在对比示例中，仅第一保护膜410附着到显示 面板110的包封薄膜250。根据如图2所示的方法，分别将实验示例和对比示例的显示装置弯曲，从而逐渐 减小它们各自的曲率半径(R)。如图7所示，注意到，当曲率半径达到IOmm时，对比示例的TFT被损坏，从而产生 比参考值高的漏电流。同时，注意到，当根据实验示例的装置的曲率半径达到5mm时，TFT未 被损坏。当曲率半径达到3mm时，TFT被损坏。因此，可以注意到，与对比示例相比，实验示 例展现出稳定弯曲的优异能力。此外，对根据实验示例的装置进行其它实验，其中，将根据实验示例的装置弯曲到 5mm的曲率半径，并重复地使其变平，即，10，000次。观测到，即使在10，000次重复弯曲和 变平操作之后，TFT仍未损坏。通过这样的实验，可以看出，根据实施例的OLED显示器101相对于重复弯曲操作 展现出提高的耐久性，并且其弯曲度被最大化。因此，由于其灵活性及结构，如果实施例的柔性OLED显示器过度地或重复地被弯 曲，敏感组件(例如，薄膜晶体管(TFT))不会被损坏和/或导电布线不会断开。这里已经公开了示例性实施例，虽然使用了特定的术语，但是这些术语应当仅以 一般的和描述性的意思来解释，并不用于限制性目的。因此，本领域普通技术人员将理解， 可以在不脱离权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节方面 的各种改变。
权利要求
一种有机发光二极管显示器，包括柔性基底；驱动电路单元，位于所述柔性基底上，所述驱动电路单元包括薄膜晶体管；有机发光元件，位于所述柔性基底上，所述有机发光元件连接到所述驱动电路单元；包封薄膜，位于所述柔性基底上，所述包封薄膜覆盖所述有机发光元件和所述驱动电路单元；第一保护膜，面对所述包封薄膜；第二保护膜，面对所述柔性基底；第一密封剂，设置在所述包封薄膜和所述第一保护膜之间；第二密封剂，设置在所述柔性基底和所述第二保护膜之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，从所述第一保护膜的外表面 到所述驱动电路单元的厚度等于从所述第二保护膜的外侧到所述驱动电路单元的厚度。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述包封薄膜、所述第一密封 剂和所述第一保护膜的总厚度等于所述柔性基底、所述第二密封剂和所述第二保护膜的总厚度。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，当施加弯曲矩时，所述驱动电 路单元的薄膜晶体管位于所述第一保护膜和所述第二保护膜之间的中立面处。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中 所述第一保护膜和所述第二保护膜展现出相同的物理性能， 所述第一密封剂和所述第二密封剂展现出相同的物理性能。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一保护膜和所述第二 保护膜均具有10 μ m至100 μ m的厚度。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一密封剂和所述第二 密封剂均具有1 μ m至30 μ m的厚度。
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一保护膜和所述第二 保护膜中的至少一个是偏振器。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器 能够弯曲到大于3mm且小于IOmm的范围内的曲率半径，而不损坏所述驱动电路单元的薄膜 晶体管。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器 能够弯曲到5mm的曲率半径，而不损坏所述驱动电路单元的薄膜晶体管。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，所述柔性基底由塑料材料制成。
12.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括 在玻璃基底上形成柔性基底；在所述柔性基底上形成驱动电路单元，使得所述驱动电路单元包括薄膜晶体管； 在所述柔性基底上形成有机发光元件，使得所述有机发光元件连接到所述驱动电路单元；在所述柔性基底上形成包封薄膜，使得所述包封薄膜覆盖所述有机发光元件和所述驱动电路单元；将位于所述包封薄膜上的第一保护膜与第一密封剂结合；将所述玻璃基底与所述柔性基底分开；将位于所述柔性基底上的第二保护膜与第二密封剂结合。
13.根据权利要求12所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，从所述第 一保护膜的外表面到所述驱动电路单元的厚度等于从所述第二保护膜的外侧到所述驱动 电路单元的厚度。
14.根据权利要求12所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述包封 薄膜、所述第一密封剂和所述第一保护膜的总厚度等于所述柔性基底、所述第二密封剂和 所述第二保护膜的总厚度。
15.根据权利要求12所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，当施加弯 曲矩时，所述驱动电路单元的薄膜晶体管位于所述第一保护膜和所述第二保护膜之间的中 立面处。
16.根据权利要求12所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中所述第一保护膜和所述第二保护膜展现出相同的物理性能，所述第一密封剂和所述第二密封剂展现出相同的物理性能。
17.根据权利要求16所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述第一 保护膜和所述第二保护膜均具有10 μ m至100 μ m的厚度。
18.根据权利要求16所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述第一 密封剂和所述第二密封剂均具有1 μ m至30 μ m的厚度。
19.根据权利要求16所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述第一 保护膜和所述第二保护膜中的至少一个是偏振器。
20.根据权利要求12所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述有机 发光二极管显示器能够弯曲到大于3mm且小于IOmm的范围内的曲率半径，而不损坏所述驱 动电路单元的薄膜晶体管。
21.根据权利要求20所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，所述有机 发光二极管显示器能够弯曲到5mm的曲率半径，而不损坏所述驱动电路单元的薄膜晶体 管。
22.根据权利要求21所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，柔性基底 由塑料材料制成。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，所述OLED显示器包括柔性基底；驱动电路单元，位于所述柔性基底上，所述驱动电路单元包括薄膜晶体管(TFT)；有机发光元件，位于所述柔性基底上，所述有机发光元件连接到所述驱动电路单元；包封薄膜，位于所述柔性基底上，所述包封薄膜覆盖所述有机发光元件和所述驱动电路单元；第一保护膜，面对所述包封薄膜；第二保护膜，面对所述柔性基底；第一密封剂，设置在所述包封薄膜和所述第一保护膜之间；第二密封剂，设置在所述柔性基底和所述第二保护膜之间。
文档编号H01L51/56GK101908555SQ20101019866
公开日2010年12月8日 申请日期2010年6月4日 优先权日2009年6月4日
发明者丹尼斯·斯特拉耶克黑列夫, 李东范, 金泰雄, 陈东彦 申请人:三星移动显示器株式会社