专利名称：刻蚀液、主动组件阵列基板及其利记博彩app
技术领域：
本发明是有关于一种主动组件阵列基板，且特别是有关于一种刻蚀液、主动组件 阵列基板及其利记博彩app。
背景技术：
随着薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)面板尺寸愈做愈大，伴随的是金属导线阻 值不够低所产生的电阻电容(RC)延迟效应，因而，导致讯号在传输的过程中产生扭曲失 真，而影响面板画质的呈现。利用阻值低的铜金属来形成金属导线，可以有效降低RC延迟 效应。同时，主动组件阵列基板中的铜层与基材之间还需要一钼层以避免铜离子扩散至基 材中。在铜层与钼层的双层结构的刻蚀液方面，目前主要以双氧水为氧化剂。然而，以双氧 水为主的刻蚀液却有稳定性不佳、易放热与需要添加安定剂等缺点。
发明内容
本发明提供一种主动组件阵列基板(Active device array substrate)，其具有 较佳的电性效能。本发明提供一种主动组件阵列基板的利记博彩app，其可避免在图案化多层金属层上 产生结构缺陷。本发明提供一种刻蚀液，其具有较佳的刻蚀效能。本发明提出一种主动组件阵列基板，具有至少一图案化多层金属层。其中，图案化 多层金属层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/ 铜/铜合金层，图案化多层金属层是以刻蚀液刻蚀而成。刻蚀液包括水、磷酸、醋酸及重量 百分比介于0. 至4%的硝酸。本发明提出一种主动组件阵列基板的利记博彩app，包括以刻蚀液刻蚀形成图案化多 层金属层。其中，图案化多层金属层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜 合金/铜层或铜合金/铜/铜合金层。刻蚀液包括水、磷酸、醋酸及重量百分比介于0. 1% 至4%的硝酸。本发明提出一种刻蚀液，用以刻蚀形成图案化多层金属层。其中，图案化多层金属 层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜合 金层。刻蚀液包括水、磷酸、醋酸及重量百分比介于0. 至4%的硝酸。在本发明的一个实施例中，所述刻蚀液中的所述磷酸的重量百分比介于50%至 78%，且所述醋酸的重量百分比介于0. 至15%。在本发明的一个实施例中，上述的图案化多层金属层的铝合金或铜合金例如是掺 杂有钼、铜、锰、镁、钙、钛、镍、钴、锗、镧、铬、钕、钽或钨。在本发明的一个实施例中，上述的图案化多层金属层的铝合金或铜合金含有原子 百分比例如是小于20%的氧或氮。在本发明的一个实施例中，上述的图案化金属层的铜层的厚度例如是大于图案化金属层的铝层、铝合金层或铜合金层的厚度。在本发明的一个实施例中，上述的图案化金属层的铜层的厚度例如是介于1500 埃至5000埃。在本发明的一个实施例中，上述的图案化金属层的铝层、铝合金层或铜合金层的厚度例如是介于50埃至500埃。在本发明的一个实施例中，上述的刻蚀液包括重量百分比例如是1. 5%的硝酸、重 量百分比例如是70%的磷酸与重量百分比例如是10%的醋酸。在本发明的一个实施例中，上述的刻蚀液进一步包括唑(azole)化合物。在本发明的一个实施例中，上述的刻蚀液进一步包括金属离子螯合剂。在本发明的一个实施例中，上述的金属离子螯合剂为柠檬酸、草酸、乙二胺四乙酸 (ethylenediaminetetraacetic acid，EDTA)或反-环己烯二胺四酸(eyeIohexanedinitr ilotetraacetic acid，CDTA)0基于上述，在本发明所提出的主动组件阵列基板中，由于上述图案化多层金属层 是以上述刻蚀液刻蚀而成，因此可得到具有预定外观及形状的图案化多层金属层，进而使 得主动组件阵列基板具有较佳的电性效能。此外，由于本发明所提出的主动组件阵列基板的利记博彩app是以上述刻蚀液刻蚀形 成上述图案化多层金属层，因此可避免在图案化多层金属层上产生结构缺陷。另外，由于本发明所提出的刻蚀液的稳定性较高，所以具有较佳的刻蚀效能。
以下附图仅旨在于对本发明做示意性说明和解释，并不限定本发明的范围。其中，图IA至图IE是依照本发明实施例的主动组件阵列基板的制造流程剖面图；图2是依照本发明实施例的栅极的剖面图；图3是依照本发明另一实施例的栅极的剖面图；图4是依照本发明实施例的源极与漏极的剖面图；图5是依照本发明另一实施例的源极与漏极的剖面图。符号说明100 基材102、110 图案化多层金属层102a、102c、110a、110c 金属层110b、102b:铜层104:介电层106 通道层108、108a 奥姆接触层112:薄膜晶体管114:保护层116:开口118:像素电极
具体实施例方式为让本发明上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作 详细说明如下。首先，说明本发明所提出的刻蚀液，其可用以刻蚀形成图案化多层金属层。其中， 图案化多层金属层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜 合金/铜/铜合金层。刻蚀液包括水、硝酸、磷酸及醋酸。其中，硝酸的重量百分比介于0. 至4%。磷酸的重量百分比介于50%至78%，而醋酸的重量百分比介于0. 至15%。在一实施例 中，硝酸的重量百分比例如是1.5%，磷酸的重量百分比例如是介于70%，而醋酸的重量百 分比例如是介于10%。刻蚀液的剩余部分为水。水例如是去离子水。此外，刻蚀液进一步可包括唑化合物(azole)，其重量百分比介于0.01%至1%。 在刻蚀液中，唑化合物可用以作为抑制剂。另外，刻蚀液进一步可包括金属离子螯合剂，其重量百分比介于0. 01 %至1 %。金 属离子螯合剂例如是柠檬酸、草酸、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacecic acid, EDTA)或反-环己烯二胺四酸(cyclohexanedinitrilotetraacetic acid, CDTA)。刻蚀液 中的金属离子螯合剂可用以稳定刻蚀速率。基于上述，由于上述刻蚀液的稳定性较高，因此对上述图案化多层金属层具有较 佳的刻蚀效能。上述刻蚀液可用以制作图案化多层金属层，此图案化多层金属层亦包括主动组件 阵列基板中的图案化多层金属层。接着，通过下列实施例来说明使用上述刻蚀液的主动组 件阵列基板的制造方法。图IA至图IE是依照本发明实施例的主动组件阵列基板的制造流程剖面图。图2 是依照本发明实施例的栅极的剖面图。图3是依照本发明另一实施例的栅极的剖面图。图 4是依照本发明实施例的源极与漏极的剖面图。图5是依照本发明另一实施例的源极与漏 极的剖面图。首先，请先参照图1A，提供基材100。基材100的材料例如是透明材料、不透明材 料、可挠性材料、或上述材料的组合。接着，请同时参照图1A、图2及图3，于基材100上形成栅极。栅极的形成方法例 如是以刻蚀液刻蚀形成作为栅极的图案化多层金属层102。其中，图案化多层金属层102可 为如图2中的二层结构或如图3中的三层结构。请参照图2，图案化多层金属层102包括设 置于基材100上的金属层102a及设置于金属层102a上的铜层102b。当图案化多层金属 层102为如图2中的二层结构时，金属层102a为铝金属层、铝合金层或铜合金层。请参照 图3，图案化多层金属层102，除了包括金属层102a及铜层102b之外，更可包括设置于铜层 102b上金属层102c。当图案化多层金属层102为如图三中的三层结构时，金属层102a与 金属层102c同为铝合金层或同为铜合金层。由此可知，图案化多层金属层102为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合 金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜合金层(各范例中的金属层从基材100算起为由下 而上的排列关系)。图案化多层金属层102的铝合金或铜合金例如是掺杂有钼、铜、锰、镁、 钙、钛、镍、钴、锗、镧、铬、钕、钽或钨。图案化多层金属层102的铝合金或铜合金含有原子百分比例如是小于20%的氧或氮。在图案化多层金属层102中，铜层102b的厚度例如是分别大于金属层102a (铝层、铝合金层或铜合金层)与金属层102c (铝合金层或铜合金层)的 厚度，其中铜层102b的厚度例如是介于1500埃至5000埃，而金属层102a (铝层、铝合金层 或铜合金层)与金属层102c (铝合金层或铜合金层)的厚度例如是分别介于50埃至500埃。此外，形成图案化多层金属层102的过程中所使用的刻蚀液包括水、重量百分比 介于0. 至4%的硝酸、重量百分比介于50%至78%的磷酸与重量百分比介于0. 至 15%的醋酸，且进一步可包括唑化合物与金属离子螯合剂中的至少一种。其中，对于刻蚀液 的组成成分、含量及功效已于前文的实施例中进行详尽地描述，故于此不再赘述。然后，请参照图1B，于基材100上形成介电层104，以覆盖图案化多层金属层102。 介电层104的形成方法例如是通过化学气相沉积法(chemical vapord印osition，CVD)或 其它合适的薄膜沉积技术，但不限于此。介电层104可为单层结构或多层结构，且其材料例 如是无机材料、其它介电材料、或上述之组合。本实施例的介电层104的材料是以氧化硅、 氮化硅或氮氧化硅等介电材料为例进行说明。接下来，于图案化多层金属层102上方的介电层104上形成堆栈设置的通道层106 以及奥姆接触层108。通道层106与奥姆接触层108例如是掺杂浓度不同的半导体层。通 道层106与奥姆接触层108的形成方法例如是使用合适的沉积法及图案化方法所形成，于 此不再赘述。之后，请参照图1C、图4及图5，于图案化多层金属层102两侧的通道层106上方 分别形成作为源极与漏极的图案化多层金属层110，且在形成图案化多层金属层110之后 可移除部分奥姆接触层108，以形成奥姆接触层108a。源极与漏极的形成方法例如是以刻 蚀液刻蚀形成作为源极与漏极的图案化多层金属层110。其中，图案化多层金属层110可包 括设置于奥姆接触层108a上的金属层IlOa及设置于金属层IlOa上的铜层IlOb (请参照 图4)。在其它实施例中，图案化多层金属层110，除了包括金属层IlOa及铜层IlOb之外， 进一步可包括设置于铜层1 IOb上金属层1 IOc (请参照图5)。请参照图4，当图案化多层金属层110为包括金属层IlOa及铜层IlOb的二层结构 时，金属层IlOa为铝金属层、铝合金层或铜合金层。请参照图5，当图案化多层金属层110 为包括金属层110a、铜层IlOb及金属层IlOc的三层结构时，金属层IlOa与金属层IlOc同 为铝合金层或同为铜合金层。由此可知，图案化多层金属层110为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合 金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜合金层(各范例中的金属层从基材100算起为由下 而上的排列关系)。图案化多层金属层110的铝合金或铜合金例如是掺杂有钼、铜、锰、镁、 钙、钛、镍、钴、锗、镧、铬、钕、钽或钨。图案化多层金属层110的铝合金或铜合金含有原子百 分比例如是小于20%的氧或氮。在图案化多层金属层110中，铜层IlOb的厚度例如是分别 大于金属层IlOa(铝层、铝合金层或铜合金层)与金属层IlOc (铝合金层或铜合金层)的 厚度，其中铜层IlOb的厚度例如是介于1500埃至5000埃，而金属层IlOa(铝层、铝合金层 或铜合金层)与金属层IlOc (铝合金层或铜合金层)的厚度例如是分别介于50埃至500 埃。此外，在形成图案化多层金属层110的过程中所使用的刻蚀液包括水、重量百分比介于0. 至4%的硝酸、重量百分比介于50%至78%的磷酸与重量百分比介于0. 至15 %的醋酸，且进一步可包括唑化合物与金属离子螯合剂中的至少一种。其中，对于刻蚀液 的组成成分、含量及功效已于前文的实施例中进行详尽地描述，故于此不再赘述。至此，已初步完成薄膜晶体管112的制作，薄膜晶体管112包括图案化多层金属 层102 (作为栅极)、通道层106、奥姆接触层108a与图案化多层金属层110 (作为源极与漏 极)。接着，请参照图1D，于薄膜晶体管112上形成保护层114，其中保护层114具有开 口 116，开口 116暴露出图案化多层金属层110中作为漏极的部分。其中，保护层114可为 单层结构或多层结构，且其材料包含无机材料、有机材料、其它介电材质、或上述的组合。当 保护层114的材料为如氮化硅或氧化硅的无机材质时，具有开口 116的保护层114的形成 方法例如是先以化学气相沉积法全面性地在基材110上形成保护材料层(未绘示)，之后再 对保护材料层进行图案化制程而形成。之后，请参照图1E，于保护层114上形成像素电极118，且像素电极118通过开口 116与薄膜晶体管112的图案化多层金属层110中作为漏极的部分电性连接。像素电极118 可为单层结构或多层结构，且其材料例如是透明材料、非透明材料、或上述之组合。本实施 例是以铟锡氧化物及/或铟锌氧化物的透明材质为例进行说明，但不限于此。像素电极118 的形成方法例如是通过溅镀法于保护层114上形成于像素电极层(未绘示)，再对像素电极 层进行图案化制程而形成。由上述实施例可知，由于主动组件阵列基板的利记博彩app是以上述刻蚀液刻蚀形 成上述图案化多层金属层102、110，因此可获得具有预定外观及形状的图案化多层金属层 102,110,以避免在图案化多层金属层上产生结构缺陷。值得注意的是，虽然在上述实施例中，上述图案化多层金属层的形成方法是以分 别用于形成主动组件阵列基板中的栅极、源极与漏极为例进行说明，但并不以此限。亦即， 只要主动组件阵列基板中的栅极、扫描线、源极、漏极、数据线、其它金属导线、及其它金属 电极中的任何一种是使用上述图案化多层金属层的形成方法所制造，均属于本发明之主动 组件阵列基板的制造方法所涵盖的范围。以下，通过图IE来说明本发明实施例的主动组件阵列基板。此主动组件阵列基 本可应用于液晶显示器(liquid crystal display，IXD)、液晶显示器-有机发光二极管 (liquid crystal display-organic light emitting diode，TFT—OLED)、或其它产品。请同时参照图IE及图2至图5，主动组件阵列基板具有至少一图案化多层金属层， 此图案化多层金属层例如是主动组件阵列基板中的用以作为栅极的图案化多层金属层102 及用以作为源极与漏极的图案化多层金属层110。此图案化多层金属层102、110分别可为 图2及图4中的二层结构，也可为图3及图5中的三层结构。亦即，图案化多层金属层102、 110为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜 合金层(各范例中的金属层从基材100算起为由下而上的排列关系)，且图案化多层金属 层是以刻蚀液刻蚀而成。其中，图案化多层金属层102、110的铝合金或铜合金例如是掺杂 有钼、铜、锰、镁、钙、钛、镍、钴、锗、镧、铬、钕、钽或钨。图案化多层金属层102、110的铝合金 或铜合金含有原子百分比例如是小于20%的氧或氮。在图案化多层金属层102、110中，铜 层102b、IlOb厚度例如是分别大于金属层102a、110a(铝层、铝合金层或铜合金层)与金属层102c、IlOc (铝合金层或铜合金层)的厚度，其中铜层102b、IlOb的厚度例如是分别介于1500埃至5000埃，而金属层102a、110a(铝层、铝合金层或铜合金层)与金属层102c、 IlOc (铝合金层或铜合金层)的厚度例如是分别介于50埃至500埃。此外，刻蚀液包括水、重量百分比介于0. 至4%的硝酸、重量百分比介于50%至78%的磷酸与重量百分比介于0. 至15%的醋酸，且进一步可包括唑化合物与金属离 子螯合剂中的至少一种。其中，对于刻蚀液的组成成分、含量及功效已于前文的实施例中进 行详尽地描述，故于此不再赘述。另外，主动组件阵列基板更包括基材100、介电层104、通道层106、奥姆接触层 108a、保护层114及像素电极118等构件，然而这些构件的配置方式、材料及形成方法已于 前文的实施例中进行详尽地说明，故于此不再赘述。基于上述，在本发明所提出的主动组件阵列基板中，由于上述图案化多层金属层 102,110是以上述刻蚀液刻蚀而成，因此可获得具有预定外观及形状的图案化多层金属层 102、110，进而能提升主动组件阵列基板的电性效能。虽然，本实施例中的图案化多层金属层是以作为主动阵列基板中的栅极、源极与 漏极为例进行说明，然而只要是主动阵列基板中的栅极、扫描线、源极、漏极、数据线、其它 金属导线、及其它金属电极中的任何一种是以上述图案化多层金属层的制造方法所制造， 则包含此图案化多层金属层的主动阵列基板均属于本发明所涵盖的范围。综上所述，上述实施例至少具有下列优点1.上述刻蚀液的稳定性较高且具有较佳的刻蚀效能。2.当上述刻蚀液包括金属离子螯合剂时，可使得刻蚀速率更为稳定。3.上述主动组件阵列基板的利记博彩app可避免在图案化多层金属层上产生结构缺 陷。4.上述主动组件阵列基板具有较佳的电性效能。虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域 中具有通常知识者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，故本发明 之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。
权利要求
一种主动组件阵列基板，其特征在于，具有至少一图案化多层金属层，其中所述图案化多层金属层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜合金层，所述图案化多层金属层是以一刻蚀液刻蚀而成，所述刻蚀液包括水、磷酸、醋酸及重量百分比介于0.1％至4％的硝酸。
2.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述刻蚀液中的所述磷酸的 重量百分比介于50%至78%，且所述醋酸的重量百分比介于0. 至15%。
3.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述图案化多层金属层的铝 合金或铜合金掺杂有钼、铜、锰、镁、钙、钛、镍、钴、锗、镧、铬、钕、钽或钨。
4.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述图案化多层金属层的铝 合金或铜合金含有原子百分比小于20%的氧或氮。
5.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述图案化金属层的铜层的 厚度大于所述图案化金属层的铝层、铝合金层或铜合金层的厚度。
6.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述图案化金属层的铜层的 厚度介于1500埃至5000埃。
7.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述图案化金属层的铝层、铝 合金层或铜合金层的厚度介于50埃至500埃。
8.如权利要求2所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述刻蚀液包括重量百分比 为1. 5%的硝酸、重量百分比为70%的磷酸与重量百分比为10%的醋酸。
9.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述刻蚀液进一步包括一唑 化合物。
10.如权利要求1所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述刻蚀液进一步包括一金 属离子螯合剂。
11.如权利要求10所述的主动组件阵列基板，其特征在于，所述金属离子螯合剂为柠 檬酸、草酸、乙二胺四乙酸或反-环己烯二胺四酸。
12.—种主动组件阵列基板的利记博彩app，其特征在于，所述方法包括以一刻蚀液刻蚀形成一图案化多层金属层，其中所述图案化多层金属层为铝/铜层、 铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜合金层，所述刻蚀 液包括水、磷酸、醋酸及重量百分比介于0. 至4%的硝酸。
13.如权利要求12所述的主动组件阵列基板的利记博彩app，其特征在于，所述刻蚀液中 的所述磷酸的重量百分比介于50%至78%，且所述醋酸的重量百分比介于0. 至15%。
14.如权利要求13所述的主动组件阵列基板的利记博彩app，其特征在于，所述刻蚀液包 括重量百分比为1. 5%的硝酸、重量百分比为70%的磷酸与重量百分比为10%的醋酸。
15.如权利要求12所述的主动组件阵列基板的利记博彩app，其特征在于，所述刻蚀液进 一步包括一唑化合物。
16.如权利要求12所述的主动组件阵列基板的利记博彩app，其特征在于，所述刻蚀液进 一步包括一金属离子螯合剂。
17.如权利要求16所述的主动组件阵列基板的利记博彩app，其特征在于，所述金属离子 螯合剂为柠檬酸、草酸、乙二胺四乙酸或反-环己烯二胺四酸。
18.—种刻蚀液，用以刻蚀形成一图案化多层金属层，其特征在于，所述图案化多层金属层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜 合金层，所述刻蚀液包括水、磷酸、醋酸及重量百分比介于0. 至4%的硝酸。
19.如权利要求18所述的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液中的所述磷酸的重量百分 比介于50%至78%，且所述醋酸的重量百分比介于0. 至15%。
20.如权利要求18所述的刻蚀液，其特征在于，包括重量百分比为1.5%的硝酸、重量 百分比为70%的磷酸与重量百分比为10%的醋酸。
21.如权利要求18所述的刻蚀液，其特征在于，进一步包括一唑化合物。
22.如权利要求18所述的刻蚀液，其特征在于，进一步包括一金属离子螯合剂。
23.如权利要求21所述的刻蚀液，其特征在于，所述金属离子螯合剂为柠檬酸、草酸、 乙二胺四乙酸或反-环己烯二胺四酸。
全文摘要
本发明提供一种刻蚀液、主动组件阵列基板及其利记博彩app，其中主动组件阵列基板具有至少一图案化多层金属层。其中，图案化多层金属层为铝/铜层、铝合金/铜层、铝合金/铜/铝合金层、铜合金/铜层或铜合金/铜/铜合金层，图案化多层金属层是以刻蚀液刻蚀而成。刻蚀液包括水、重量百分比介于0.1％至4％的硝酸、重量百分比介于50％至78％的磷酸与重量百分比介于0.1％至15％的醋酸。通过本发明使得主动组件阵列基板具有较佳的电性效能。
文档编号H01L21/28GK101807572SQ20101012383
公开日2010年8月18日 申请日期2010年2月25日 优先权日2010年2月25日
发明者杜振源, 林俊男, 蔡文庆, 陈建宏, 陈柏林 申请人:友达光电股份有限公司