专利名称：具有长寿命的电子器件的利记博彩app
具有长寿命的电子器件相关专利申请资料本专利申请依据35U. S. C. § 119(e)，要求2009年12月21日提交的美国专利申请 12/643，459、2008年12月22日提交的美国临时申请61/139，834、2009年2月27日提交的美国临时申请61/156，181、2009年4月3日提交的美国临时申请61/166，400、2009年5月 7日提交的美国临时申请61/176，141、2009年5月19日提交的美国临时申请61/179，407、 2009年7月27日提交的美国临时申请61/228，689、2009年8月13日提交的美国临时申请61/233，592,2009年9月3日提交的美国临时申请61/239，574,2009年9月四日提交的美国临时申请61/M6，563、2009年10月四日提交的美国临时申请61/256，012和2009 年12月3日提交的美国临时申请61/267,9 的优先权，将每篇文献全文以引用方式并入本文。
背景技术：
公开领域本发明涉及电子器件，所述电子器件具有至少一个含有氘代化合物的层并且具有长活性寿命。相关领域说明发光的有机电子器件例如组成显示器的发光二极管存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件中，有机活性层均夹置在两个电接触层之间。电接触层中的至少一个是透光的，使得光可穿过该电接触层。当在整个电接触层上施加电流时，有机活性层透过该透光的电接触层发射光。已知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。已知诸如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等简单有机分子显示具有电致发光性。半导体共轭聚合物也被用作电致发光组分，如美国专利5，247, 190、美国专利5，408，109和公布的欧洲专利申请443 861中所公开的。在许多情况下，电致发光化合物作为掺杂剂存在于基质材料中。在许多器件中，在发光层与阳极和/或阴极之间存在有机电荷注入层和/或电荷传输层。持续需要具有较长寿命的电子器件。
发明内容
提供了有机发光二极管，所述二极管包括阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层，其中有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有1000尼特下至少 5000小时的计算半衰期。还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含氘代导电聚合物和氟化酸聚合物。还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含氘代空穴传输化合物，所述化合物具有至少两个二芳基氨基部分。还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含电致发光化合物，所述化合物选自氘代氨基蒽、氘代氨基屈、氘代金属喹啉配合物和氘代铱配合物。
还提供了上述有机发光二极管，其中所述有机活性层包含(a)基质材料，所述基质材料选自氘代芳基蒽、氘代芳基芘、氘代芳基屈、氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑、以及它们的组合，和(b)电活性掺杂剂，所述掺杂剂能够电致发光，具有介于380和750nm之间的最大发射。还提供了上述有机发光二极管，其中有机活性层包含电子传输材料，所述材料选自氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑和氘代金属喹啉。附图简述附图中示出了实施方案，以增进对本文所述概念的理解。
图1为有机电子器件的一个实例的示例。图2包括有机电子器件的另一个示例。技术人员理解，附图中的物体是以简洁明了的方式示出的并且不一定按比例绘制。例如，图中一些物体的尺寸相对于其他物体可能有所放大，以便于更好地理解实施方案。发明详述本文示例性而非限制性地公开了许多方面和实施方案。在读完本说明书后，技术人员应认识到，在不脱离本发明范围的情况下，其他方面和实施方案也是可能的。通过阅读以下的发明详述和权利要求，任何一个或多个实施方案的其它特征和有益效果将变得显而易见。发明详述首先提出术语的定义和阐明，然后提出有机发光器件、空穴注入层、空穴传输层、电活性层、电子传输层、围阻层、其它器件层、氘代物质的合成、以及最后的实施例。1.术语的定义和阐明在提出下述实施方案详情之前，先定义或阐明一些术语。术语“脂环”旨在表示无离域π电子的环状基团。在一些实施方案中，所述脂环非不饱和。在一些实施方案中，该环具有一个双键或三键。术语“烷氧基”是指基团R0-，其中R为烷基。术语“烷基”旨在表示衍生自脂族烃的具有一个连接点的基团，并且包括直链、支链或环状的基团。该术语旨在包括杂烷基。术语“烃烷基”是指不具有杂原子的烷基。术语 “氘代烷基”为具有至少一个可用H被D取代的烃烷基。在一些实施方案中，烷基具有1-20 个碳原子。术语“支链烷基”是指具有至少一个仲碳或叔碳的烷基。术语“仲烷基”是指具有仲碳原子的支链烷基。术语“叔烷基”是指具有叔碳原子的支链烷基。在一些实施方案中，支链烷基通过仲碳或叔碳连结。术语“芳基”旨在表示衍生自芳族烃的具有一个连接点的基团。术语“芳族化合物” 旨在表示包含至少一个具有离域η电子的不饱和环状基团的有机化合物。术语旨在包括杂芳基。术语“烃芳基”旨在表示环中不具有杂原子的芳香化合物。术语芳基包括具有单环的基团，以及具有由单键连接或稠合在一起的多个环的那些。术语“氘代芳基”是指具有至少一个直接连接芳基的可用H被D取代的芳基。术语“亚芳基”旨在表示衍生自芳族烃的具有两个连接点的基团。在一些实施方案中，芳基具有3-60个碳原子。术语“芳氧基”是指基团R0-，其中R为芳基。术语“化合物”旨在表示由分子构成的不带电的物质，所述分子进一步由原子组成，其中不能通过物理手段将原子分开。当用来指器件中的层时，短语“邻近”不是必须指一层紧靠着另一层。另一方面，短语“邻近的R基团”用来指化学式中彼此紧接的R基(即， 通过键接合的原子上的R基)。涉及材料时，术语“导电性”或“导电的”旨在表示材料固有或本质上能够导电，其不需要加入炭黑或导电性金属颗粒。术语“氘代”旨在表示至少一个H被D取代。氘的含量为自然丰度的至少100倍。 化合物X的“氘代衍生物”具有与化合物X相同的结构，但是具有至少一个取代H的D。术语“氘代％”和“氘化％”是指氘核与质子和氘核之和的比率，以百分比表示。因此，就化合物C6H4D2而言，氘代％为2/(4+2) XlOO = 33%氘代。术语“掺杂剂”旨在表示包含基质材料的层内的材料，与缺乏此类材料时所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个波长相比，所述掺杂剂改变了所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个指标波长。前缀“氟”和术语“氟化”是指其中至少一个可用H已被F取代的物质。当涉及层或材料时，术语“电活性”旨在表示表现出电子或电辐射特性的层或材料。在电子器件中，电活性材料电子性地有利于器件的操作。电活性材料的实例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的材料，其中电荷可为电子或空穴，并且包括但不限于接受辐射时发射辐射或表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材料的实例包括但不限于平面化材料、绝缘材料、以及环境防护材料。有机电活性层包含有机化合物作为电活性材料。如本文所用，术语“有机”包括有机金属材料。术语“半衰期”旨在表示器件发光性达到初始值一半所需的时间。“观测半衰期” 是7mA恒定电流下测得的器件半衰期。“计算半衰期”是衍生自观测半衰期并且按1000尼特初始发光性计算出的半衰期半衰期以小时为单位测定。前缀“杂”表示一个或多个碳原子已被不同的原子置换。在一些实施方案中，所述不同的原子为N、0、或S。术语“基质材料”旨在表示向其添加掺杂剂的材料。基质材料可或可不具有发射、 接收或过滤辐射的电子特性或能力。在一些实施方案中，基质材料以较高的浓度存在。术语“层”与术语“薄膜”可互换使用，并且是指覆盖所需区域的涂层。该术语不受尺寸的限制。所述区域可以大如整个器件，也可以小如例如实际可视显示器的特定功能区，或者小如单个子像素。层和薄膜可以由任何常规的沉积技术形成，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)、以及热转移。连续沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、槽模涂布、喷涂、以及连续喷涂。不连续沉积技术包括但不限于喷墨印刷、凹版印刷、以及丝网印刷。术语“有机电子器件”或有时仅称为“电子器件”旨在表示包含一个或多个有机半导体层或材料的器件。除非另外指明，所有基团可以是取代或未取代的。在一些实施方案中，取代基选自 D、卤素、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、氰基和NR2，其中R为烷基或芳基。除非另有定义，本文所用的所有技术和科学术语的含义均与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的一样。尽管与本文所述的方法和材料类似或等同的方法和材料也可用于本发明的实施或测试中，但是下文描述了合适的方法和材料。所有的出版物、专利申请、专利、以及本文提及的其他参考资料以引用方式全文并入本文。如发生矛盾，以本说明书及其包括的定义为准。此外，材料、方法和实施例仅是示例性的，并不旨在进行限制。IUPAC编号系统用于全文，其中元素周期表的族按1-18从左向右编号(CRC Handbook of Chemistry and Physics,第 81 版，2000 年)。2.有机发光二极管有机发光二极管(“0LED”)器件结构的一个例证示于图1中。器件100具有第一电接触层、阳极层Iio和第二电接触层、阴极层160、以及介于它们之间的电致发光层140。 与阳极邻近的可为包含空穴注入材料的空穴注入层120。与空穴注入层邻近的可为包含空穴传输材料的空穴传输层130。与阴极相邻的可以是包含电子传输材料的电子传输层150。 器件可使用一个或多个紧邻阳极110的附加空穴注入层或空穴传输层(未示出)，和/或紧邻阴极160的一个或多个附加电子注入层或电子传输层(未示出)。在一些实施方案中，为了获得全彩，将发光层像素化，每种不同颜色各有次像素单元。像素化器件的例证示于图2中。器件200具有阳极210、空穴注入层220、空穴传输层 230、电致发光层M0、电子传输层250和阴极沈0。电致发光层被分为次像素M1J42J43， 它们重复出现于整个层中。在一些实施方案中，次像素代表发出红色、蓝色和绿色的光。虽然图2中描述了三种不同的次像素单元，但是也可使用两种或三种以上的次像素单元。参照图1，本文将进一步描述不同的层。然而，描述也适用于图2以及其它配置。层120至150单独或统称为电活性层。至少一个电活性层为包含氘代材料的有机电活性层。氘代材料可单独使用，或与其它氘代材料或非氘代材料组合使用。在一些实施方案中，氘代材料是至少10%氘代的。这是指，至少10%的H被D取代。在一些实施方案中，氘代材料是至少20%氘代的；在一些实施方案中，是至少30%氘代的；在一些实施方案中，是至少40%氘代的；在一些实施方案中，是至少50%氘代的；在一些实施方案中，是至少60%氘代的；在一些实施方案中，是至少70%氘代的；在一些实施方案中，是至少80%氘代的；在一些实施方案中，是至少90 %氘代的。在一些实施方案中，氘代材料是100 %氘代的。在一些实施方案中，氘代材料为层120中的空穴注入材料。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴传输层130。在一些实施方案中，附加层为电活性层140。在一些实施方案中，附加层为电子传输层150。在一些实施方案中，氘代材料为层130中的空穴传输材料。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴注入层120。在一些实施方案中，附加层为电活性层140。在一些实施方案中，附加层为电子传输层150。在一些实施方案中，氘代材料为电活性层140中掺杂剂材料的基质材料。在一些实施方案中，掺杂剂材料也是氘代的。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。 在一些实施方案中，附加层为空穴注入层120。在一些实施方案中，附加层为空穴传输层 130。在一些实施方案中，附加层为电子传输层150。在一些实施方案中，氘代材料为层150中的电子传输材料。在一些实施方案中，至少一个附加层包含氘代材料。在一些实施方案中，附加层为空穴注入层120。在一些实施方案中，附加层为空穴传输层130。在一些实施方案中，附加层为电活性层140。
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在一些实施方案中，电子器件具有氘代材料，所述材料存在于任何层组合中，所述层选自空穴注入层、空穴传输层、电活性层和电子传输层。在一些实施方案中，器件的所有有机活性层均包含氘代材料。在一些实施方案中，器件具有附加层以有助于加工或改善功能。任何或所有这些层可包含氘代材料。在一些实施方案中，所有有机器件层均包含氘代材料。在一些实施方案中，所有有机器件层均基本上由氘代材料构成。在一些实施方案中，有机发光二极管包括阳极、阴极，并且具有介于其间的有机层，其中有机层为空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和阴极，并且其中至少两个有机层基本上由氘代材料构成。在一些实施方案中，所有有机层基本上由氘代材料构成。在一个实施方案中，不同的层具有下列厚度范围阳极110，500-5000A，在一个实施方案中为1000-2000A;空穴注入层120，50-2000A,在一个实施方案中为200-1000A;空穴传输层130，50-2000A,在一个实施方案中为200-1000A;电活性层140，10-2000A，在一个实施方案中100-1000Α;层150，50-2000Α,在一个实施方案中为100-1000Α;阴极160， 200-10000Α，在一个实施方案中为300-5000Α。电子-空穴重组区域位于所述器件中，从而器件的发射光谱可能受每个层相对厚度的影响。所需的各层厚度的比率将取决于所用材料的确切性质。本文所述器件的观测半衰期为至少200小时。在一些实施方案中，观测半衰期为至少400小时；在一些实施方案中，为至少1000小时。本文所述器件的计算半衰期为至少5000小时。指定初始发光性下计算半衰期的方法是熟知的。所述方法描述于例如Chu等人的“Appl. Phys. Lett. "89,053503(2006)和 Wellmann 等人的"SID Int. Symp. Digest Tech. Papers”2005，393 中。在一些实施方案中， 计算半衰期为至少10，000小时；在一些实施方案中为至少20，000小时；在一些实施方案中为至少50，000小时。2.空穴注入层空穴注入层120包含空穴注入材料，并且可具有有机电子器件中的一个或更多个功能，包括但不限于，下层平坦化，电荷传输和/或电荷注入特性，清除杂质如氧气或金属离子，以及其它有利于或改善有机电子器件性能的方面。空穴注入材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可以是气相沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。在一些实施方案中，空穴注入层包含氘代材料。在一些实施方案中，氘代材料包含氘代导电聚合物。“氘代导电聚合物”是指导电聚合物自身是氘代的，不包括相关的聚合酸。 在一些实施方案中，氘代材料包含掺入有氘代聚合酸的导电聚合物。在一些实施方案中，氘代材料包含掺入有氘代聚合酸的氘代导电聚合物。在一些实施方案中，氘代导电聚合物分别选自氘代聚噻吩、氘代聚(硒吩)、氘代聚(碲吩)、氘代聚呲咯、氘代聚苯胺、氘代聚(4-氨基吲哚)、氘代聚(7-氨基吲哚)和氘代多环芳族聚合物。术语“多环芳族化合物”是指具有一个以上芳环的化合物。所述环可通过一个或多个键接合，或者它们可稠合到一起。术语“芳环”旨在包括杂芳环。“多环杂芳族”化合物具有至少一个杂芳环。在一些实施方案中，氘代多环芳族聚合物为氘代聚(噻吩并噻吩)。在一些实施方案中，氘代导电聚合物选自氘代聚(3，4_乙烯二氧噻吩)、氘代聚苯胺、氘代聚呲咯、氘代聚(4-氨基吲哚)、氘代聚(7-氨基吲哚)、氘代聚(噻吩并Q，3-b) 噻吩)、氘代聚(噻吩并(3，2-b)噻吩)和氘代聚(噻吩并(3，4-b)噻吩)。在一些实施方案中，氘代导电聚合物是至少10%氘代的；在一些实施方案中，是至少20%氘代的；在一些实施方案中，是至少30%氘代的；在一些实施方案中，是至少40% 氘代的；在一些实施方案中，是至少50%氘代的；在一些实施方案中，是至少60%氘代的； 在一些实施方案中，是至少70%氘代的；在一些实施方案中，是至少80%氘代的；在一些实施方案中，是至少90%氘代的；在一些实施方案中，是100%氘代的。在一些实施方案中，导电聚合物选自聚(D6-3，4-乙烯二氧噻吩)、聚(D5-吡咯)、 聚(D7-苯胺)、聚(全氘-4-氨基吲哚)、聚(全氘-7-氨基吲哚)、聚(全氘噻吩并(2,3-b) 噻吩)、聚(全氘噻吩并(3，2-b)噻吩)和聚(全氘噻吩并(3，4-b)噻吩)。在一些实施方案中，氘代导电聚合物掺入有非氟化聚合酸。可使用具有酸性基团和可电离质子或氘核的任何聚合物。酸性基团的实例包括但不限于羧酸基团、磺酸基团、磺酰亚胺基团、磷酸基团、膦酸基团、以及它们的组合。所述酸性基团可以全部相同，或者聚合物可具有一种以上类型的酸性基团。在一些实施方案中，酸性基团选自磺酸基团、磺酰亚胺基团、以及它们的组合。磺酰亚胺基团具有下式-SO2-NH-SO2-R其中R为烷基。适宜酸的实例包括但不限于聚(苯乙烯磺酸)(“PSSA”)、聚(全氘苯乙烯磺酸)("D8-PSSA")、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“PAAMPSA”)、聚(全氘-2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“D13-PAAMPSA”)、以及它们的混合物。在一些实施方案中，掺入有非氟化聚合酸的氘代导电聚合物进一步与高度氟化的酸聚合物(“HFAP”)组合。在一些实施方案中，氟化酸聚合物为高度氟化的酸聚合物(“HFAP”)，其中至少 80%的与碳键合的可用氢已被氟取代。高度氟化的酸聚合物(“HFAP”)可为高度氟化并且具有酸性基团的任何聚合物。酸性基团提供可电离的质子H+、或氘核D+。在一些实施方案中，酸性基团具有小于3的pKa。在一些实施方案中，酸性基团具有小于0的pKa。在一些实施方案中，酸性基团具有小于-5的pKa。酸性基团可直接连接到聚合物主链上，或它可连接到聚合物主链的侧链上。酸性基团的实例包括但不限于羧酸基团、磺酸基团、磺酰亚胺基团、磷酸基团、膦酸基团、以及它们的组合。所述酸性基团可以全部相同，或者聚合物可具有一种以上类型的酸性基团。在一些实施方案中，酸性基团选自磺酸基团、磺酰亚胺基团、以及它们的组合。在一些实施方案中，HFAP是具有酸性氘核的含氘酸。在一些实施方案中，HFAP至少90%氟化；在一些实施方案中，至少95%氟化；在一些实施方案中，其为完全氟化的。在其中HFAP不是完全氟化的一些实施方案中，HFAP也可以是氘代的。在一些实施方案中，酸性基团选自磺酸基团、磺酰亚胺基团、以及它们的组合。在一些实施方案中，所述酸性基团位于氟化侧链上。在一些实施方案中，氟化侧链选自烷基、 烷氧基、酰氨基、醚基、以及它们的组合，所有这些均是完全氟化的。
在一些实施方案中，HFAP具有高度氟化的烯烃主链，和高度氟化的烷基磺酸盐、高度氟化的醚磺酸盐、高度氟化的酯磺酸盐、或高度氟化的醚磺酰亚胺基团侧链。在一些实施方案中，HFAP为具有全氟醚磺酸侧链的全氟烯烃。在一些实施方案中，所述聚合物为四氟乙烯与全氟_3，6- 二氧杂-4-甲基-7-辛烯磺酸的共聚物(“聚(TFE-PSEPVE) ”)。含氘酸类似物被简称为D-聚(TFE-PSEPVE)。在一些实施方案中，所述聚合物为1，1_ 二氟乙烯与 2-(1,1- 二氟-2-(三氟甲基)烯丙氧基)_1，1,2,2-四氟乙磺酸的共聚物。在一些实施方案中，所述聚合物为乙烯与242-(1，2，2-三氟乙烯氧基)-1，1，2，3，3，3-六氟丙氧基-1，1， 2,2-四氟乙磺酸的共聚物。这些共聚物可被制成对应的磺酰氟聚合物，然后再转化为磺酸形式。在一些实施方案中，氘代导电聚合物掺入有HFAP。此类材料的非氘代类似物已描述于例如公布的美国专利申请US 2004/0102577、US 2004/0127637、US2005/0205860和公布的PCT专利申请WO 2009/018009中。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有聚苯乙烯磺酸(“PSSA”)的氘代聚(3， 4-乙烯二氧噻吩)(“d-PEDOT”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸(“d-PSSA”)的聚(3，4_乙烯二氧噻吩)(“PED0T”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸的氘代聚(3，4_乙烯二氧噻吩)。在一些实施方案中， d-PEDOT/d-PSSA是至少50%氘代的；在一些实施方案中，是至少60%氘代的；在一些实施方案中，是至少70%氘代的；在一些实施方案中，是至少80%氘代的；在一些实施方案中， 是至少90%氘代的；在一些实施方案中，是100%氘代的。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由选自下列的材料构成d-PED0T/PSSA、PED0T/d-PSSA和d-PEDOT/d-PSSA。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D8-PSSA的聚(D6-3，4-乙烯二氧噻吩)构成。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸) (“PAAMPSA”)的氘代聚苯胺(“d-PANI”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)(“d-PAAMPSA”)的聚苯胺(“PANI”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)的氘代聚苯胺。在一些实施方案中，d-PANI/d-PAAMPSA是至少50%氘代的；在一些实施方案中，是至少 60%氘代的；在一些实施方案中，是至少70%氘代的；在一些实施方案中，是至少80%氘代的；在一些实施方案中，是至少90%氘代的；在一些实施方案中，是100%氘代的。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由选自下列的材料构成d-PANI/PAAMPSA、PAN I/d-PAAMPSA 和d-PANI/d-PAAMPSA。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D13-PAAMPSA的聚 (D7-苯胺)构成。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有聚苯乙烯磺酸(“PSSA”)的氘代聚呲咯(“d-PPy”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸(“d-PSSA”) 的聚呲咯(“PPy”)。在一些实施方案中，空穴注入层包含掺入有氘代聚苯乙烯磺酸的氘代聚呲咯。在一些实施方案中，d-PPy/d-PSSA是至少50%氘代的；在一些实施方案中，是至少 60%氘代的；在一些实施方案中，是至少70%氘代的；在一些实施方案中，是至少80%氘代的；在一些实施方案中，是至少90%氘代的；在一些实施方案中，是100%氘代的。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由选自下列的材料构成d-PPy/PSSA、PPy/d-PSSA和d_PPy/ d-PSSA。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有D8-PSSA的聚(D5-吡咯)构成。
在一些实施方案中，空穴注入层包含氘代导电聚合物和HFAP。在一些实施方案中， 空穴注入层包含掺入有HFAP的氘代导电聚合物。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有HFAP的氘代导电聚合物构成。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有全氟化磺酸聚合物的氘代导电聚合物构成。在一些实施方案中，空穴注入层基本上由掺入有 D-聚(TFE-PSEPVE)的氘代导电聚合物构成，其中所述导电聚合物选自聚(D6_3，4_乙烯二氧噻吩)、聚(D7-苯胺)和聚(D5-吡咯)。在一些实施方案中，空穴注入层包含电荷转移化合物等，如铜酞菁、四硫富瓦烯-四氰基对苯二醌二甲烷体系(TTF-TCNQ)、及它们的氘代类似物。3.空穴传输层空穴传输层130包含空穴传输材料。当涉及层、材料、构件或结构时，术语“空穴传输”旨在表示此类层、材料、构件或结构有利于正电荷以较高的效率和较小的电荷损失迁移通过此类层、材料、构件或结构的厚度。虽然发光材料也可具有某些空穴传输特性，但是术语“空穴传输层、材料、构件或结构”不旨在包括其主要功能为发光的层、材料、构件或结构。空穴传输材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可以是气相沉积的，或由液体沉积，所述液体为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。在一些实施方案中，空穴传输层包含氘代材料。在一些实施方案中，空穴传输材料是至少10%氘代的；在一些实施方案中，是至少20%氘代的；在一些实施方案中，是至少 30%氘代的；在一些实施方案中，是至少40%氘代的；在一些实施方案中，是至少50%氘代的；在一些实施方案中，是至少60%氘代的；在一些实施方案中，是至少70%氘代的；在一些实施方案中，是至少80%氘代的；在一些实施方案中，是至少90%氘代的；在一些实施方案中，是100%氘代的。在一些实施方案中，空穴传输材料是每分子式单位具有至少两个二芳基氨基部分的氘代化合物。在一些实施方案中，空穴传输材料为氘代三芳基胺聚合物。此类材料的非氘代类似物已描述于例如公布的PCT专利申请WO 2009/067419中。在一些实施方案中， 空穴传输材料为氘代芴-三芳基胺共聚物。此类材料的非氘代类似物已描述于例如公布的美国专利申请US 2008/0071049和US2008/0097076中。可交联空穴传输聚合物的非氘代类似物的实例可见于例如公布的美国专利申请2005/0184287和公布的PCT专利申请 W02005/052027 中。在一些实施方案中，空穴传输材料选自氘代三芳基胺、氘代咔唑、氘代芴、它们的聚合物、它们的共聚物、以及它们的组合。在一些实施方案中，空穴传输材料选自氘代聚合三芳基胺、氘代聚咔唑、氘代聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的氘代聚三芳基胺、 芴与三芳基胺的氘代共聚物、以及它们的组合。在一些实施方案中，聚合材料是可交联的。在一些实施方案中，空穴传输材料具有式I、式II、或式III (Ar2) 2N- (Ar1) a- [T1-T2] - (Ar1) a-N (Ar2) 2 (I)
权利要求
1.有机发光二极管，所述二极管包括阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层，其中所述有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有在1000尼特下至少5000 小时的计算半衰期。
2.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含氘代导电聚合物和氟化酸聚合物。
3.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含氘代空穴传输化合物，所述氘代空穴传输化合物在每个分子式单元中具有至少两个二芳基氨基部分。
4.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含选自下列的材料氘代聚合三芳基胺、氘代聚咔唑、氘代聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的氘代聚三芳基胺、芴与三芳基胺的氘代共聚物、以及它们的组合。
5.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含电致发光化合物，所述电致发光化合物选自氘代屈、氘代芘、氘代茈、氘代红荧烯、氘代二茚并芘、氘代荧蒽、氘代二苯乙烯、氘代香豆素、氘代蒽、氘代噻二唑、氘代螺二芴、它们的衍生物、以及它们的混合
6.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含具有下述式之一的电致发光化合物
7.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含电致发光化合物，所述电致发光化合物选自氘代氨基蒽、氘代氨基屈、氘代氨基芪、氘代金属喹啉配合物和氘代铱配合物。
8.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含(a)至少一种基质材料，所述基质材料选自氘代蒽、氘代屈、氘代芘、氘代菲、氘代苯并菲、氘代菲咯啉、氘代萘、氘代喹啉、氘代异喹啉、氘代喹喔啉、氘代苯基吡啶、氘代二苯并呋喃、氘代二呋喃并苯、氘代金属喹啉配合物、氘代吲哚并咔唑、氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶、氘代二杂芳基苯基、它们的取代衍生物、以及它们的组合，和(b)至少一种掺杂剂，所述掺杂剂能够电致发光，具有介于380和750nm之间的最大发射。
9.权利要求8的有机发光二极管，其中所述基质材料选自氘代二芳基蒽、氘代氨基屈、 氘代二芳基屈、氘代二芳基芘、氘代吲哚并咔唑、氘代菲咯啉、以及它们的组合。
10.权利要求1的有机发光二极管，其中所述有机活性层包含电子传输材料，所述电子传输材料选自氘代菲咯啉、氘代吲哚并咔唑、氘代苯并咪唑、氘代三唑并吡啶、氘代二杂芳基苯基、氘代金属喹啉、以及它们的组合。
11.权利要求1的有机发光二极管，其中所述活性层为使用灌注层形成的化学围阻层， 其中所述灌注层包含选自下列的材料氘代聚合三芳基胺、氘代聚咔唑、氘代聚芴、具有以非平面构型连接的共轭部分的氘代聚三芳基胺、芴和三芳基胺的氘代共聚物、氘代金属喹啉衍生物、以及它们的组合。
12.权利要求1的有机发光二极管，所述二极管还包括第二活性层，其中所述第二活性层包含氘代化合物。
13.权利要求1的有机发光二极管，其中在1000尼特下的所述计算半衰期为至少 10,000 小时。
14.权利要求1的有机发光二极管，其中在1000尼特下的所述计算半衰期为至少 20，000 小时。
15.权利要求1的有机发光二极管，其中在1000尼特下的所述计算半衰期为至少 50，000 小时。
16.有机发光二极管，所述二极管包括阳极、阴极并且具有介于所述阳极和阴极之间的有机层，其中所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和阴极，并且其中至少两个所述有机层基本上由氘代材料构成。
17.权利要求16的有机发光二极管，其中所有所述有机层基本上由氘代材料构成。
全文摘要
本发明提供了有机发光二极管，所述二极管具有阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层。有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有在1000尼特下至少5000小时的计算半衰期。
文档编号H01L51/54GK102341475SQ200980152977
公开日2012年2月1日 申请日期2009年12月22日 优先权日2008年12月22日
发明者A·费尼莫尔, C·M·欧德, D·D·莱克洛克斯, E·M·史密斯, G·A·约翰松, J·A·梅罗, J·菲尔德曼, K·多格拉, M·H·小霍华德, N·S·拉杜, N·海隆, R·B·劳埃德, V·罗斯托弗采夫, W·吴, Y·王, 旻鸿, 朴卿镐, 沈裕隆, 许哲雄, 高卫英 申请人:E.I.内穆尔杜邦公司