专利名称：光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置。
背景技术：
光半导体装置用引线框被广泛用作各种显示用光源、照明用光源的构成部件，其中，在光源中使用了 LED (发光二极管，Light Emitting Diode)元件等作为光半导体元件的发光元件。对于该光半导体装置而言，例如在基板上配置引线框、并在该引线框上装载发光元件，然后用树脂对发光元件及其周围进行密封，以防止因热、湿气、氧化等外部因素造成发光元件或其外围部位的劣化。但是，在使用LED元件作为照明用光源时，要求引线框的反射材料在可见光波长 GOO 700nm)的全部区域中具有高反射率(例如反射率为80%以上)。此外，近年来，作为使用紫外线的测定、分析仪器的光源也使用了 LED元件，要求其反射材料在300nm左右的波长下具有高反射率。因此，对于将LED元件作为照明用光源使用的光半导体装置而言，反射材料的反射特性成为影响制品性能的非常重要的因素。对应于这样的要求，为了提高光反射率(以下称为反射率)，大多在相当于LED元件正下方的引线框上形成由银或银合金构成的层(被膜)。例如已知有如下的技术在反射面上形成镀银层(专利文献1)；在形成银或银合金被膜之后在200°C以上实施30秒钟以上的热处理，从而使该被膜的结晶粒径为0. 5 μ m 30 μ m(专利文献2)等。但是，如专利文献1记载的技术那样只是单纯地在引线框上形成由银或银合金构成的被膜的情况下，在相当于近紫外区域的波长300nm 400nm附近的区域的光反射率会大幅降低。此外，还存在纯银容易发生迁移这样的问题。另外，如专利文献2记载的技术那样将结晶粒径调整为0. 5 μ m以上时，虽然对于可见光区域的光反射率有若干改善，但对于近紫外区域的光，则与专利文献1记载的技术同样，反射率会大幅降低。此外，已知将专利文献1与2中记载的引线框用于使用了 LED元件的光半导体装置时，其亮度会随时间而降低。已知这是因为，将LED元件及其周边进行密封的树脂中所含有的微量的硫成分会在LED元件发光时的放热的作用下而使银发生硫化，从而呈现出黑色。为了解决该问题，有通过采用各种贵金属进行包覆来防止由银或银合金构成的被膜中的银发生硫化的方法。例如，提出了在镍底层上形成0. 005 0. 15 μ m的钯层、并形成 0. 003 0. 05 μ m的作为最表层的铑层，从而提高反射率的方法(专利文献幻。但是，对于以上述方法形成的引线框而言，其反射率与实施了由银或银合金构成的被膜的引线框相比，其反射率较差，难以达到作为照明用光源在可见光区域所要求的反射率80%以上的水平。特别是在铑层中存在反射率比银层低20%以上的部位，因此，在蓝色系、白色系的光半导体装置中，并未满足反射率的要求特性。专利文献专利文献1 日本特开昭61-148883号公报
专利文献2 日本特开2008-016674号公报专利文献3 日本特开2005-U9970号公报
发明内容
发明要解决的问题本发明的目的在于提供一种特别是在近紫外区域的反射率特性良好、且亮度长期不会降低的光半导体装置用引线框、其制造方法以及光半导体装置。解决问题的方法鉴于上述问题，本发明人等进行了深入研究，结果发现通过在由银或银合金形成的层的表面形成由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层，并且使该表层的最表面部的耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上，且使该表层的包覆厚度为0. 001 0. 25 μ m，此外，在该表层与前述由银或银合金形成的层之间形成固溶体层，可以得到在近紫外区域的反射特性的长期稳定性优异的半导体装置用引线框，基于该发现完成了本发明。即，上述课题通过下述方案来解决。(1) 一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体上形成有由银或银合金形成的层，其特征在于，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层，在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上，且所述表层的包覆厚度为 0. 001 0. 25 μ m，在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层。(2)上述(1)所述的光半导体装置用引线框，其中，所述固溶体层含有形成上述表层的主要金属成分，并且从所述表层侧至所述由银或银合金形成的层侧，该金属成分具有浓度分布。(3)上述( 所述的光半导体装置用引线框，其中，所述金属成分在该固溶体层中的浓度分布为在所述表层侧高、在所述表层与所述由银或银合金形成的层侧低。(4)上述⑴ (3)中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述导电性基体由铜、铜合金、铝或铝合金构成。(5)上述⑴ (4)中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，在所述导电性基体与所述由银或银合金形成的层之间，形成有至少1层中间层，该中间层由选自镍、镍合金、钴、钴合金、铜及铜合金中的金属或合金形成。(6)上述⑴ (5)中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述由银或银合金形成的层的厚度为0. 2 5. 0 μ m。(7)上述⑴ (6)中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述表层由能够在常温与银或银合金形成固溶体的材料形成，其中所说的常温，是指25°C。(8)上述⑴ (7)中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述表层中的耐腐蚀性优异的金属或其合金选自金、金合金、铟、铟合金、钯、钯合金、锡及锡合金。(9)制造上述(1) (8)中任一项所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括在上述银或银合金层的表面形成所述表层，然后在100°c以上、且不超过能够使形成表层的材料与银或银合金形成固溶体的温度的温度范围内进行加热处理，从而使形成表层的材料扩散到由银或银合金形成的层的内部。(10)制造上述⑴ ⑶中任一项所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括利用电镀法形成所述由银或银合金形成的层。(11)制造上述(5)所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括利用电镀法形成所述由银或银合金形成的层及所述中间层。(12) 一种光半导体装置，该光半导体装置至少在装载光半导体元件的部位使用了上述(1) (8)中任一项所述的光半导体装置用引线框。需要说明的是，在本发明中，所谓“耐腐蚀性优异的金属或其合金”是指，在硫化试验(参照Jis H8502-1999)中，即使在含有硫化氢(H2S)的空气中保持M小时之后也不会发生变色的金属、合金，具体地，是指在进行硫化试验后，评级(RN)为9以上的金属、合金， 所述硫化试验是在含有3体积％硫化氢的空气中保持M小时。发明的效果对于本发明的引线框而言，形成由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层，并且由银或银合金形成的层中所含有的银形成固溶体层而不是形成金属间化合物，此外，在其下层中残存有银或银合金，由此，可具有银或银合金的良好的反射率特性、具有优异的密合性、并且可以确保良好的导电率。通过这些效果，可以得到长期可靠性高的光半导体装置用引线框。本发明的上述及其它特征及优点，可适当参照附图、通过以下的记载而明确。
图1是本发明的光半导体装置用引线框的一个实施方式的示意剖面图。图2是本发明的光半导体装置用引线框的另一实施方式的示意剖面图。图3是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图。图4是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图。图5是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图。图6是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图。图7是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图。符号说明1导电性基体2由银或银合金形成的层3固溶体层4 表层5光半导体元件6 中间层
具体实施例方式对于本发明的引线框而言，通过在由银或银合金形成的层的表面形成由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层，还可以抑制在近紫外区域的光反射率降低。 尤其是对于波长300nm附近的光的反射率，在导电性基体上仅设置有由银或银合金形成的层的情况下，其反射率较低，为数％左右，但通过在由银或银合金形成的层的表面形成由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层，可使其反射率提高至数十％。另外，对于本发明的引线框而言，通过形成由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层，不会使由银或银合金形成的层露出，因此，可以降低因湿度等的影响使银溶出而发生迁移从而在所形成的电路内发生短路事故的可能性。此外，通过在由银或银合金形成的层的表面形成由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层，可以抑制由银或银合金形成的层的硫化，从而可以抑制由银或银合金形成的层的变色。当将本发明的引线框用于光半导体元件(例如LED元件)的情况下，由于上述作用，即使光半导体装置经过 10000小时以上的长期发光(点灯)，也可以将该光半导体装置的亮度降低抑制在数％左右ο此外，通过在表层与由银或银合金形成的层之间形成由作为表层主成分的金属材料与银形成的固溶体层，也可以提高表层与由银或银合金形成的层之间的密合力。这是因为，在所述固溶体层中，形成上述表层的主要金属成分从表层侧向所述由银或银合金形成的层侧具有浓度分布，由此，表层与由银或银合金形成的层之间的晶格应变得到缓和而提高了整合性，从而密合性也得以提高。也就是说，本发明的引线框在从近紫外区域到近红外区域的宽波长区域的反射率特性良好，并且可以作为长期可靠性高的光半导体装置用引线框使用。其中，在由合金形成表层的情况下，只要是能够与由银或银合金形成的层形成固溶体层的合金系即可，例如可选择锡(Sn)-金(Au)合金作为表层。在该情况下，通过在由银或银合金形成的层上形成锡层，然后在该锡层上形成金层，并进行适当的加热处理，表层可形成为Sn-Au层、固溶体层可形成为Ag-Sn-Au层。另外，对于本发明的引线框而言，通过使表层的最表面部所含的耐腐蚀性优异的金属的浓度为50质量％以上，可以抑制由银或银合金形成的层与硫成分结合而变色。需要说明的是，表层的最表面部所含的耐腐蚀性优异的金属的浓度更优选为65质量％以上。其中所说的本发明的最表面部，表示的是从表层的表面向内部0. 0005 0. 001 μ m的部分，该部分的金属浓度可以通过实施例中所示的AES测定装置的定量分析来测定。另一方面，所述耐腐蚀性优异的金属与下面叙述的固溶体层的形成有关，扩散至银或银合金层而促进固溶体层形成的所述耐腐蚀性优异的金属比例，优选为所包覆的最表层金属量中的5 50质量％，更优选为5 35质量％，进一步优选为5 15质量％。需要说明的是，由于所形成的固溶体也可以不存在于表层的最表面部，因此，表层的最表面部中所含的耐腐蚀性优异的金属的浓度也可以为100质量％ (不包括不可避免的杂质)。对于本发明的引线框而言，通过使固溶体层含有形成表层的主要金属成分，并且使该金属成分从所述表层侧向所述表层及所述银或银合金形成的层侧具有浓度分布，可以提高表层与由银或银合金形成的层的密合性，从而可以缓和因热、晶格应变等引起的内部应力，提高耐热性。此外，由于具有浓度分布，可以在深度方向上降低侵入到内部的硫成分与银或银合金反应而发生硫化的程度，从而可进一步提高耐腐蚀性，所述硫成分是穿过存在于表面或表层的针孔而侵入到内部的，所述表面是因例如压制步骤的塑性变形而使表层丧失后而形成的。此外，对于本发明的引线框而言，通过使导电性基体为铜、铜合金、铝或铝合金，可以获得良好的反射率特性，并可以容易地在其表面形成被膜，还可以有助于降低成本。此外，将铜、铜合金、铝或铝合金用作导电性基体的本发明引线框具有优异的放热特性，这是因为，在发光元件发光时所产生的放热(热能)能够通过引线框顺利地释放到外部。由此， 可期待发光元件的长寿命化以及反射率特性的长期稳定化。此外，对于本发明的引线框而言，通过在导电性基体与由银或银合金形成的层之间形成至少1层由选自镍、镍合金、钴、钴合金、铜及铜合金中的金属或合金形成的中间层， 可以防止因发光元件发光时所产生的放热使构成导电性基体的材料扩散到由银或银合金形成的层中而导致反射率特性劣化，从而使反射率特性长期保持更高的可靠性，并且还可以使基体与由银或银合金形成的层的密合性提高。其中，所述中间层的厚度要考虑压制性、 成本、生产性、耐热性等来决定。在通常条件下，该中间层的总厚度优选为0. 2 2 μ m，更优选为0.5 Ιμπι。此外，虽然也可以形成多层中间层，但考虑到生产性，通常优选为2层以下。此外，为了使本发明的引线框确保长期可靠性、具有良好的反射率特性、并且具有良好的压制性及弯曲加工性，优选使由银或银合金形成的层的厚度为0.2μπι以上且 5.0μπι以下。这是因为，如果由银或银合金形成的层的厚度过薄，则反射特性会变得不充分，而如果由银或银合金形成的层的厚度过厚，则在压制时或弯曲加工时容易产生断裂。此外，通过使本发明的引线框的表层所使用的耐热性优异的金属或其合金从金、 金合金、铟、铟合金、钯、钯合金、锡及锡合金中选择，可以具有良好的耐腐蚀性、生产性，因此优选。另外，从可靠性的观点考虑，通过使表层的厚度为0. 001 μ m以上且0. 25 μ m以下， 可以确保长期可靠性而不使光反射率降低。这是因为，如果表层的厚度过薄，则耐腐蚀性、 在波长300nm的反射率提高效果会变得不充分，如果表层的厚度过厚，则在可见光区域的反射率会变得不充分，且弯曲加工性变差。另外，对于本发明的引线框的制造方法而言，通过在银或银合金层的表面形成表层，然后在100°c以上、且不超过能够使形成表层的材料与纯银之间形成固溶体的温度的温度范围内进行加热处理，使形成表层的材料中耐腐蚀性优异的金属成分以上述浓度残存在最表层中，同时使其余的成分扩散到由银或银合金形成的层的内部，由此促进固溶体形成， 进行溶体化处理。热处理温度优选为100 300°C，并且需要选择基材不会因热处理而发生软化或变质的温度。进行加热处理的时间优选为0.25 48小时的范围。此外，加热处理方法可以适当选择间歇处理、在线(in-line)等加热处理方法。另外，对于加热处理氛围气体而言，由于氧浓度越高越能促进表层的氧化，因此优选在氩气、氮气、一氧化碳等非活性或还原环境气体氛围中进行处理。更优选残存氧为 IOOOppm以下的气体氛围。但是，在加热处理时受到少量残存氧的影响而使最表面部被氧化被膜包覆的情况下，优选按照下述方法进行应对，所述方法为在加热处理后浸渍于还原性的酸(例如稀硫酸、稀盐酸)中，通过阴极电解法来除去氧化被膜等。由于该氧化被膜为几 A的水平，所以即使进行上述除去处理也不会对特性产生不良影响，并且能够获得如下效果其表面被活化，从而提高打线接合(wire bonding)性。此外，对于本发明的引线框的制造方法而言，通过以电镀法形成银或银合金形成的层，可以容易地调节所述由银或银合金形成的层的厚度。此外，作为其它形成方法，有金属包层法、溅镀法，但这些方法难以控制厚度且成本变高。此外，由于电镀法会在所形成的由银或银合金形成的层中形成许多晶界，因此，在利用扩散形成固溶体层时是有效的。另外，对于本发明的光半导体装置而言，通过至少在装载光半导体元件的部位使用本发明的引线框，能够以低成本有效地得到反射率特性。这是因为，如果能够通过仅在装载光半导体元件的部位形成表层来防止由银或银合金形成的层的变质，则不会对反射率特性带来显著影响。例如，对于进行树脂密封的部位，可以使由银或银合金形成的层在表面露出。此时，可以在由银或银合金形成的层上部分地形成表层，例如，可以利用带材镀敷 (strip plating)或点镀(spot plating)等部分镀敷的方式来形成表层。由于制造部分形成的引线框可减少在不需要的部分的金属使用量，因此，可以得到环境负担轻且低成本的光半导体装置。需要说明的是，其中，如果使由银或银合金形成的层在表面露出，则可以得到如下效果能够容易地确保焊料润湿性，在封装时是有用的。图1是本发明的光半导体装置用引线框的一个实施方式的示意剖面图。其中，图 1表示的是在引线框上装载有光半导体元件5的状态(下面的图2 8也相同)。如图1所示，本实施方式的引线框如下在导电性基体1上形成由银或银合金形成的层2，并具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层，在所述表层4与所述由银或银合金形成的层2之间形成有固溶体层3，该固溶体层3由作为所述表层的主成分的金属材料与银形成，在表层4的部分表面上装载有光半导体元件5。在本发明中，本发明的引线框可成为在近紫外可见光区域的反射特性优异、且耐腐蚀性与长期可靠性也优异的光半导体装置用引线框。上述导电性基体1可以使用例如铜、铜合金、铝、铝合金、铁或铁合金等，而作为放热性优异的基体，优选选自铜、铜合金、铝及铝合金中的金属或合金。通过以铜、铜合金、铝或铝合金来形成导电性基体1，可以提供容易形成表层4、且有助于成本降低的引线框。另外，对于上述引线框而言，由于与导电率良好相关的特性、即热传导率良好，因此，其具有优异的放热特性，能够将光半导体元件发光时所产生的放热(热能)通过引线框顺利地释放到外部。由此，可期待发光元件的长寿命化及反射率特性的长期稳定化。此外，本发明中所说的“反射特性良好”，是指在波长400nm以上的可见光区域的反射率为80%以上、且在波长低于400nm的近紫外区域的反射率为30%以上。需要说明的是，关于反射特性，根据用途而有所不同，有时只要在波长400nm以上的可见光区域的反射率为70%以上即可。所述由银或银合金形成的层2的厚度优选为0.2 5.0 μ m，更优选为1. 0 3.0μπι。该厚度可以通过调整由银或银合金形成的层2的包覆厚度来实现，可以廉价地制造而无须使用必要以上的贵金属。在此，如果上述由银或银合金形成的层2的厚度过薄，则对反射率的贡献不充分，另一方面，如果由银或银合金形成的层2的厚度过厚，则由于效果达到饱和，会使成本会变高。对于在所述由银或银合金形成的层中使用的银合金而言，可列举例如银-锡合金、银-铟合金、银-铑合金、银-钌合金、银-金合金、银-钯合金、银-镍合金、银-硒合金、银-锑合金、银-铜合金、银-锌合金、银-铋合金等，优选从银-锡合金、银-铟合金、 银-铑合金、银-钌合金、银-金合金、银-钯合金、银-镍合金、银-硒合金、银-锑合金及银-铜合金中选择。这些合金比较容易形成，并且虽然在可见光区域的反射率比纯银差，但仍可确保在80%以上，因此，对于宽波长区域的光都可以得到良好的反射特性。此外，通过合金化， 不易发生银的硫化，可以进一步保持耐腐蚀性。需要说明的是，如果银合金中的银含有率过低，则反射率会大幅降低，因此，优选该银含有率为80质量％以上。如上所述，通过使作为最外层的由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4的最表面部的耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上、更优选为65质量％以上，可以确保银或银合金的长期可靠性。本发明的引线框可通过如下方法制造在导电性基体1上形成由银或银合金形成的层2，然后形成表层4，然后在100°C以上且不超过能够使形成表层4的材料与银或银合金形成固溶体的温度的温度范围内进行加热处理。需要说明的是，上述由银或银合金形成的层2优选通过电镀法形成。此外，作为光半导体元件5，可以使用LED元件等任意的光半导体元件。图2是本发明的光半导体装置用引线框的另一实施方式的示意剖面图，相对于图 1所示实施方式的引线框，图2所示的本发明的光半导体装置用引线框在导电性基体1与由银或银合金形成的层2之间形成有中间层6。中间层6优选由选自镍、镍合金、钴、钴合金、铜、铜合金中的金属或合金形成。通过在导电性基体1与由银或银合金形成的层2之间设置由镍、镍合金、钴、钴合金、铜或铜合金形成的中间层6，可以防止因光半导体元件的放热使构成导电性基体的材料扩散到由银或银合金形成的层中而导致的反射率特性的劣化，从而可以得到长期可靠性高的反射率特性。图3是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图，其表示的是仅在装载光半导体元件5的部分形成有表层4、固溶体层3、由银或银合金形成的层2的情况。在本发明中，也可以仅在会产生黑色化问题的部分形成表层4、固溶体层3、及由银或银合金形成的层2。在本实施方式中，虽然中间层6形成在导电性基体1的整个面上，但只要是介于导电性基体1与由银或银合金形成的层2之间的形态，也可以部分地形成中间层 6。需要说明的是，在图3的说明中，对于未特别叙述的符号，表示与图1或图2中的符号相同的意义(在以下的图中也相同)。图4是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图，其与图3 所示的光半导体装置用引线框同样，仅在装载光半导体元件5的部分形成表层4、固溶体层 3、由银或银合金形成的层2，并且在固溶体层3中，构成表层4的主要金属成分从所述表层 4侧向所述由银或银合金形成的层2侧具有浓度分布。图5是与图2所示的实施方式同样的本发明的光半导体装置用引线框的示意剖面图，其在引线框的两面装载有光半导体元件5。如该实施方式所示，不仅可以使用一个面，也可以使用两面来构成光半导体装置。图6是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图，其在导电性基体1上设置凹部并在该凹部内侧装载有光半导体元件5。如该实施方式所示，本发明的光半导体装置用引线框可以适应于设置凹部来提高聚光性的引线框形状。图7是本发明的光半导体装置用引线框的又一实施方式的示意剖面图，其在导电性基体1上设置凹部并在该凹部内侧装载有光半导体元件5，并且仅在该凹部形成表层4及
9固溶体层3。在具有凹部的引线框中，通过仅在有助于光半导体发光元件所发出的光的反射的部分设置表层4及固溶体层3，可以适当地仅使反射部的耐腐蚀性提高。光半导体装置用引线框的制造可使用任意的方法，但由银或银合金形成的层2、表层4及中间层6优选通过电镀法形成。实施例以下，基于实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于这些实施例。(实施例1)作为实施例1，通过对厚度0. 3mm、宽度50mm的表1所示的导电性基体进行以下所示的前处理，然后进行以下所示的电镀处理，制作了表1所示结构的本发明例1 31、以往例1、及比较例1 2的引线框。各引线框的层结构如下本发明例1 5依次形成导电性基体、由银或银合金形成的层、固溶体层、表层；本发明例6 31及比较例1 2依次形成导电性基体、中间层、由银或银合金形成的层、固溶体层、表层；以往例1依次形成导电性基体、中间体、由银或银合金形成的层。需要说明的是，表1所示的中间层厚度、银或银合金层的厚度(表示为“银层厚度”)、表层厚度是以平均值(任意10点的测定值的算数平均)表示的厚度。各层厚度是使用荧光X射线膜厚测定装置(SFT9400 商品名，SII公司制造)进行测定的。另外，作为导电性基体使用的材料当中，“C19400”、“C11000”、“C26800”、 “C52100”、及“C77000”表示铜或铜合金基体，C后面的数值表示基于CDA(Copper Development Association)标准中的禾中类。此外，“Al 100 ”、“A2014”、"A3003 ”及“A5052 ”表示铝或铝合金基体，A后面的数值
表示基于JIS标准的种类。另外，“SUS304”及“42合金”表示铁系基体，“SUS304”表示JIS标准的该种不锈铜，“42合金”表示含有42% Ni的铁合金。作为前处理，对于导电性基体中的铜基体、铜合金基体、及铁系基体，进行下述电解脱脂，然后进行下述酸洗。此外，对于铝基体及铝合金基体，进行下面的电解脱脂、酸洗、 锌置换。需要说明的是，在进行银或银合金镀敷之前，以0. 01 μ m的厚度进行触击电镀 (strike plating)。(前处理条件)[电解脱月旨]脱脂液NaOH60g/l脱脂条件电流密度2. 5A/dm2、温度60°C、脱脂时间60秒[酸洗]酸洗液10%硫酸酸洗条件浸渍30秒，室温[锌置换]基体为铝时使用锌置换液NaOH500g/l、Zn0 100g/l、酒石酸(C4H6O6) 10g/l、FeCl2 2g/l处理条件浸渍30秒，室温[Ag触击电镀]包覆厚度0. 01 μ m
镀液KAg(CN)25g/l、KCN 60g/l镀敷条件电流密度2A/dm2、镀敷时间5秒、温度25°C在实施例1中使用的各镀敷的镀液组成及镀敷条件如下所示。(镀敷条件)[镀银]镀液AgCN50g/l、KCN 100g/l、K2CO3 30g/l镀敷条件电流密度1 A/dm2、温度30°C[镀铜]镀液=CuSO4· 5H20 250g/l、H2SO4 50g/l、NaCl 0. lg/1镀敷条件电流密度6A/dm2、温度40 V[镀镍]镀液Ni(SO3NH2) 2 · 4H20 500g/l、NiCl2 30g/l、H3BO3 30g/l镀敷条件电流密度5A/dm2、温度50°C[镀钴]镀液Co(SO3NH2) 2 · 4H20 500g/l、CoCl2 30g/l、H3BO3 30g/l镀敷条件电流密度5A/dm2、温度50°C[镀金]镀液KAu(CN)214. 6g/l、C6H8O7 150g/l、K2C6H4O7 180g/l
镀敷条件电流密度ΙΑ/dm2、温度40°C[镀金-钴]Au-O. 3% Co镀液KAu(CN)214. 6g/l、C6H8O7 150g/l、K2C6H4O7 180g/l、EDTA-Co (II) 3g/l、哌嗪 2g/l镀敷条件电流密度1 A/dm2、温度40 °C[镀钯]镀液Pd(NH3)2Cl 45g/l、NH4OH 90g/l、(NH4)2SO4 50g/l镀敷条件电流密度1 A/dm2、温度30°C[镀锡]镀液SnSO480g/l, H2SO4 80g/l镀敷条件电流密度2A/dm2、温度30 V[镀铟]镀液InCl345g/l、KCN 150g/l、K0H 35g/l、糊精 35g/l镀敷条件电流密度2A/dm2、温度20 V[表1]
权利要求
1.一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体上形成有由银或银合金形成的层，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层； 在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上； 所述表层的包覆厚度为0. 001 0. 25 μ m ；并且，在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层。
2.权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，所述固溶体层含有形成上述表层的主要金属成分，并且从所述表层侧至所述由银或银合金形成的层侧，该金属成分具有浓度分布。
3.权利要求2所述的光半导体装置用引线框，其中，所述金属成分在所述固溶体层中的浓度分布为在所述表层侧高、在所述表层与所述由银或银合金形成的层 侧低。
4.权利要求1 3中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述导电性基体由铜、铜合金、铝或铝合金构成。
5.权利要求1 4中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，在所述导电性基体与所述由银或银合金形成的层之间，形成有至少1层中间层，该中间层由选自镍、镍合金、钴、 钴合金、铜及铜合金中的金属或合金形成。
6.权利要求1 5中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述由银或银合金形成的层的厚度为0. 2 5.0 μ m。
7.权利要求1 6中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述表层由能够在常温与银或银合金形成固溶体的材料形成。
8.权利要求1 7中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述表层中的耐腐蚀性优异的金属或其合金选自金、金合金、铟、铟合金、钯、钯合金、锡及锡合金。
9.制造权利要求1 8中任一项所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括 在上述银或银合金层的表面形成所述表层，然后在100°c以上、且不超过能够使形成表层的材料与银或银合金形成固溶体的温度的温度范围内进行加热处理，从而使形成表层的材料扩散到由银或银合金形成的层的内部。
10.制造权利要求1 8中任一项所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括 利用电镀法形成所述由银或银合金形成的层。
11.制造权利要求5所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括利用电镀法形成所述由银或银合金形成的层及所述中间层。
12.—种光半导体装置，该光半导体装置至少在装载光半导体元件的部位使用了权利要求1 8中任一项所述的光半导体装置用引线框。
全文摘要
本发明提供一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体1上形成有由银或银合金形成的层2，其中，具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层4作为最外层；在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层3。
文档编号H01L33/62GK102265417SQ200980151768
公开日2011年11月30日 申请日期2009年12月24日 优先权日2008年12月26日
发明者小关和宏, 小林良聪, 菊池伸 申请人:古河电气工业株式会社