专利名称：预涂布及无晶圆自动清洁系统与方法
背景技术：
半导体制造业逐渐重视节约成本，以增加持续衰减的利润率。推动成本降低的一个重要努力是通过在实际蚀刻处理之前涂敷预涂布沉积，而降低反应器内曝露于等离子的零件的磨耗率。此预涂布在蚀刻处理期间保护底下的表面免受等离子直接侵蚀，且被消耗。 在晶圆离开无晶圆自动清洁(WAC)处理中的处理腔室后，会蚀刻掉预涂布残留。为了使对产量与最终拥有成本的冲击减至最低，需注意要将预涂布与额外WAC时间保持在最小长度。
图1描绘了传统预涂布处理期间的传统晶圆处理系统。系统100包括限制腔室部分102、电极104、静电夹盘(ESC) 106、与电极104连接的上射频(RF)驱动器108、与ESC 106连接的下RF驱动器110及排气部分114。等离子形成空间112由电极104、ESC 106与限制腔室部分102界定。
为了降低晶圆处理工艺期间对限制腔室部分102与电极104的伤害，通常在限制腔室部分102、电极104与ESC 106的曝露于等离子形成空间112的表面上沉积预涂布材料。这是通过以下操作完成的经由上RF驱动器108与下RF驱动器110在电极104与地 (ground)间、或ESC与地间、或两者皆有提供电压差，同时在等离子形成空间112中降低压强。进一步，经由预涂布材料源(未示)供应预涂布材料至等离子形成空间112中。设定等离子形成空间112内的压强及如上RF驱动器108与下RF驱动器110中至少一个所创造的电压差，以使供应至等离子形成空间112中的预涂布材料产生等离子116。等离子116 使该预涂布材料沉积至限制腔室部分102、电极104与ESC 106的、曝露于等离子形成空间 112的表面上。
图2描绘传统预涂布处理后图1的传统晶圆处理系统。在此图中，等离子116已在电极104的底表面202、限制腔室部分102的内表面204与ESC 106的顶表面206上沉积预涂布材料层208。
如上面提到的，在传统预涂布处理期间，ESC 106中裸露于等离子形成空间112的部分另外具有沉积于其上的预涂布材料层。如下文将详细讨论的，不需要ESC 106上所沉积的预涂布层。因此，在ESC 106上沉积预涂布层浪费时间、能量与材料。此外，移除ESC106 上所沉积的预涂布层需要额外的时间、能量与金钱，下文将另外详述。
图3描绘在传统晶圆处理工艺期间图1的传统晶圆处理系统。在此图中，晶圆300 经由静电力而被保持在ESC 106上。同样，经由上RF驱动器108与下RF驱动器110在电极104与ESC 106间提供电压差，同时在等离子形成空间112中降低压强。此外，经由蚀刻材料源(未显示)供应蚀刻材料至等离子形成空间112中。设定等离子形成空间112内的压强及如上RF驱动器108与下RF驱动器110中至少一个所创造的电压差，以使供应至等离子形成空间112中的蚀刻材料产生等离子302。等离子302蚀刻等离子形成空间112内的材料，其除电极104的底表面202与限制腔室部分102的内表面204上的预涂布材料层 208之外还包括晶圆300。电极104的底表面202与限制腔室部分102的内表面204上的预涂布材料层208在晶圆处理期间保护底下的表面免受等离子直接侵蚀，且被消耗。
图4描绘传统晶圆处理工艺后图1的传统晶圆处理系统。在此图中，已从ESC 106 的顶部移除晶圆300。因为涂覆(coating)的量通常被预定成延续至晶圆蚀刻工艺结束以从电极104消除涂覆，故电极104的底表面202上预涂布材料层208的部分已被移除。然而，少量预涂布材料层404残留在限制腔室部分102的内表面204上。更重要地，相对大量的预涂布材料层402残留在ESC 106的上表面206上。这是因为在蚀刻处理期间ESC 106 的上表面206受晶圆300覆盖。因此，ESC 106上表面206上的部分预涂布材料层208不会遭遇到等离子302。因此，在蚀刻期间不会蚀刻掉ESC 106上表面206上的部分预涂布材料层208。
为了准备新的晶圆处理时程，需移除限制腔室部分102的内表面204上的预涂布材料层404与ESC 106的上表面206上的部分预涂布材料层208。这通常是通过传统的无晶圆自动清洁(WAC)工艺而完成的。
图5描绘传统WAC处理期间图1的传统晶圆处理系统。同样，经由上RF驱动器108 与下RF驱动器110在电极104与ESC 106间提供电压差，同时在等离子形成空间112中降低压强。此外，经由清洁材料源(未显示)供应清洁材料至等离子形成空间112中。设定等离子形成空间112内的压强及如上RF驱动器108与下RF驱动器110中至少一个所创造的电压差，以使供应至等离子形成空间112中的清洁材料产生等离子502。等离子502蚀刻等离子形成空间112内的材料，其包括限制腔室部分102的内表面204上的预涂布材料层 404与ESC106的上表面206上的预涂布材料层402。
如图5所描绘的，传统WAC处理持续至所有预涂布材料被移除。因为ESC 106的上表面206上的预涂布材料层402是最厚的预涂布材料层，所以传统WAC工艺应持续至层402 被移除。如此，在移除限制腔室部分102的内表面204上的预涂布材料之后，传统WAC工艺仍会持续一段时间。在此期间，限制腔室部分102的内表面204不必要地遭遇等离子502， 这对限制腔室部分102的寿命有负面影响。此外，在传统WAC工艺的整个期间，电极104的底表面202不必要地遭遇等离子502，这对电极104的寿命有负面影响。
在完成上文所讨论的工艺之后，系统100准备好新的晶圆处理时程，再次开始图1 中所描绘的预涂布工艺。
如同上面提到的，与传统晶圆处理系统相关的问题之一是浪费时间、能量与材料在不必要地涂布ESC 106，接着清洁ESC 106上。
所需要的是一种从由电极、ESC与限制腔室部分界定的等离子形成空间内选择性地沉积与移除预涂布材料的方法。
发明内容
本发明的目标是提供一种系统与方法，其从由沉积腔室的电极、ESC与限制腔室部分界定的等离子形成空间内选择性地沉积与移除预涂布材料。
本发明的一个方面涉及操作晶圆处理系统的方法，该系统具有电极、静电夹盘、限制腔室部分、第一射频驱动源、第二射频驱动源、预涂布材料源、清洁材料源、排气部分与切换系统。该电极与该静电夹盘间隔开且相对。等离子形成空间由该电极、该静电夹盘与该限制腔室部分界定。该第一射频驱动源被配置成经该切换系统而与该电极电气连接。该第二射频驱动源被配置成经该切换系统而与该静电夹盘电气连接。该预涂布材料源是可操作的以提供预涂布材料至该等离子形成空间中。该清洁材料源是可操作的以提供清洁材料至该等离子形成空间中。该排气部分是可操作的以从该等离子形成空间中移除预涂布材料与清洁材料。该方法可包括执行预涂布处理与清洁处理中至少一个。该预涂布处理可包括经由该切换系统连接该第一射频驱动源与该电极、连接该限制腔室部分与地、经由该切换系统切断该第二射频驱动源与该静电夹盘的连接、断开该静电夹盘与地的连接、经由该预涂布材料源而供应预涂布材料至该等离子形成空间中、在该等离子形成空间内产生等离子以及在该限制腔室部分上涂布该预涂布材料。该清洁处理可包括经由该切换系统切断该第一射频驱动源与该电极的连接、切断该电极与地的连接、连接该限制腔室部分与地、经由该切换系统连接该第二射频驱动源与该静电夹盘、经由该清洁材料源而供应清洁材料至该等离子形成空间中、在该等离子形成空间内产生等离子以及从该限制腔室部分中清洁该预涂布材料。
本发明的额外目标、优点与新颖特征部分阐明于下文的描述，且部分是本领域技术人员在审查下文或可借由实践本发明来学习后而变得明显。可借由所附权利要求所指明的工具与组合而实现和达到本发明的目标与优点。
并入说明书且形成其一部分的附图描绘本发明的示例性实施方式，并和说明书一起用以解释本发明的原理。在附图中 图1描绘了在传统预涂布处理期间的传统晶圆处理系统； 图2描绘了传统预涂布处理后图1的传统晶圆处理系统； 图3描绘了在传统晶圆处理工艺期间图1的传统晶圆处理系统； 图4描绘了传统晶圆处理工艺后图1的传统晶圆处理系统； 图5描绘了在传统WAC处理期间图1的传统晶圆处理系统； 图6描绘了依据本发明示例性预涂布处理期间的示例性晶圆处理系统； 图7描绘了依据本发明示例性预涂布处理后图6的腔室系统； 图8描绘了依据本发明示例性晶圆处理工艺期间图6的腔室系统； 图9描绘了依据本发明示例性晶圆处理工艺后图6的腔室系统； 图10描绘了依据本发明示例性WAC处理期间图6的腔室系统； 图11描绘了依据本发明示例性预涂布处理期间另一示例性晶圆处理系统； 图12描绘了依据本发明于示例性WAC处理期间图11的腔室系统； 图13是图表，包括依据本发明带有预涂布处理的传统预涂布处理；及 图14是图表，包括依据本发明带有WAC处理的传统WAC处理。
具体实施例方式图6说明依据本发明示例性预涂布处理期间的示例性晶圆处理系统。在此图中， 系统600包括限制腔室部分602、电极604、ESC 606、与电极604连接的上RF驱动器608、能经由切换器620与ESC 606连接的下RF驱动器610及排气部分614。等离子形成空间612 由电极604、ESC 606与限制腔室部分602界定。进一步，限制腔室部分602通过接地连接 618接地。
为了降低晶圆处理工艺期间对限制腔室部分602与电极604的伤害，在限制腔室部分602与电极604的曝露于等离子形成空间612的表面上沉积预涂层。这是通过以下操作完成的经由上RF驱动器608在电极604与限制腔室部分602间提供电压差，同时在等离子形成空间612中降低压强。此外，经由预涂布材料源(未显示)供应预涂布材料至等离子形成空间612中。设定等离子形成空间612内的压强及如上RF驱动器608所创造的电压差，以使供应至等离子形成空间612中的预涂布材料产生等离子616。等离子616使该预涂布材料沉积至限制腔室部分602与电极604的曝露于等离子形成空间612的表面上。 因为ESC 606不接地且不与RF源610连接，故ESC 606是RF浮接(RF floating)的。因为限制腔室部分602经接地连接618接地，所以限制腔室部分602和上电极604形成闭合电流回路。
因此，RF电流622被迫从上电极604流向接地的限制腔室部分602而进入等离子 616。RF电流602无法进入ESC 606，因为它排除在该电路外。那么等离子616沿着RF电流622被推动。因此，大多数等离子616具有环状(toroidal)形状，其大部分保持靠近限制腔室部分602的内表面626，且部分保持靠近电极604的底表面624。结果，电极604的底表面6M处的预涂布率较传统方法增加了至少50%。类似地，ESC 606的上表面6 处的预涂布率如图13所示减少为四分之一，下文将更详细的对其进行讨论。
图7描绘依据本发明示例性预涂布处理后图6的腔室系统。在图7中，预涂布材料层702覆盖上电极604的底表面624与限制腔室部分602的内表面626。然而，与上文关于图2所讨论的传统系统与方法相比，依据本发明，无预涂布材料覆盖ESC 606的上表面 628。因此，依据本发明会需要更少的预涂布材料。由上电极604的底表面拟4处所需的厚度决定了所需的预涂布材料量。具体来说，制定(tailor)预涂布材料量，使在蚀刻处理结束时，预涂布材料恰好开始从上电极604的底表面拟4清空。ESC 606上不具有预涂布材料层的优点包括1)相较于传统方法，在WAC期间，需要更短的时间以移除残留的预涂布材料；2)由于在ESC 606的顶表面拟8与晶圆间不存在额外的膜，经由ESC 606的晶圆夹持变得更可靠；及2、当从ESC 606中举离晶圆时，由ESC 606顶表面6 拉扯部分预涂布材料而产生微粒的可能性降低。
图8描绘依据本发明示例性晶圆处理工艺期间图6的腔室系统。在此图中，经由静电力使晶圆804保持在ESC 606上。经由上RF驱动器608与下RF驱动器610在电极604 与ESC 606间提供电压差，同时在等离子形成空间112中降低压强。进一步，经由蚀刻材料源(未显示)供应蚀刻材料至等离子形成空间612中。设定等离子形成空间612内的压强及如由上RF驱动器608与下RF驱动器610中至少之一所创造的电压差，以使供应至等离子形成空间612中的蚀刻材料产生等离子802。等离子802蚀刻等离子形成空间612内的材料，其除电极604的底表面6M与限制腔室部分602的内表面6 上的预涂布材料层702 之外还包括晶圆804。电极604的底表面6M与限制腔室部分602的内表面6 上的预涂布材料层702在晶圆处理期间保护底下的表面免受等离子直接侵蚀并被消耗。
图9描绘依据本发明示例性晶圆处理工艺后图6的腔室系统。在此图中，已从ESC 606的顶端移除晶圆804。因为涂覆量通常被预定成延续至晶圆蚀刻处理结束以从电极604 中消除涂覆，故电极604的底表面拟4上预涂布材料层702的部分已被移除。然而，变薄的预涂布材料层902残留在限制腔室部分602的内表面6 上。更重要地，与上文关于图4所讨论的传统系统与方法相比，依据本发明，无预涂布材料残留在ESC 606的上表面拟8上。 这是因为ESC 606的上表面6 上在上文关于图7所讨论的预涂布处理中未沉积预涂布材料。
为了为新的晶圆处理时程做准备，与上文关于图4所讨论的传统系统与方法相比，依据本发明，仅应移除限制腔室部分602的内表面6 上的变薄的预涂布材料层902。 这通常是通过如下文所讨论的无晶圆自动清洁(WAC)处理而完成。由于无需从ESC 606的上表面6 移除预涂布材料，且作为蚀刻工艺的结果，由于预涂布材料层902比预涂布材料层702薄，因而大幅缩短WAC处理所需时间。这表示除了节省清洁材料与RF功率的优点以外，还有产量优势。
图10描绘依据本发明示例性WAC处理期间图6的腔室系统。与上文关于图5所讨论的传统WAC处理(其持续至从ESC中移除所有的预涂布材料)相比，依据本发明的一个方面，该WAC处理仅持续至移除预涂布材料层902。
如图10所描绘的，系统600进一步包括切换器1002，其能够切断上RF驱动器608 与电极604的连接。同时，打开切换器1002将也使上电极因为没有提供到地的连接而电气浮接。为了从限制腔室部分602的内表面拟6移除预涂布材料层902，清洁用等离子曝露于限制腔室部分602的内表面626。这是通过以下操作完成的经由下RF驱动器610在ESC 606与限制腔室部分602间提供电压差，同时在等离子形成空间612中降低压强。此外，经由清洁材料源(未显示)供应清洁材料至等离子形成空间612中。设定等离子形成空间 612内的压强及如下RF驱动器610所创造的电压差，以使供应至等离子形成空间612中的清洁材料产生等离子1004。等离子1004从限制腔室部分602的内表面6 蚀刻预涂布材料层902。因为电极604未接地且未与RF源608连接，故电极604是RF浮接的。因为限制腔室部分602经接地连接618而接地，故限制腔室部分602和ESC 606形成闭合电流回路。
因此，RF电流1006被迫从ESC 606流向地的限制腔室部分602而进入等离子 1004。RF电流1006无法进入电极604，因为它排除在该电路外。那么等离子1004沿着RF 电流1006被推动。因此，大多数等离子1004具有环状形状，其大部分保持靠近限制腔室部分602的内表面626，且部分保持靠近ESC 606的上表面628。接着等离子1004从限制腔室部分602的内表面6 移除预涂布材料层902。
依据本发明的此方面，上电极604的磨耗率降低为传统系统中的传统WAC处理的三分之一。此外，依据本发明的此方面，等离子周围的接地表面处移除率也增加，此处在传统系统中难以用传统WAC处理清洁。
图11描绘依据本发明示例性预涂布处理期间另一示例性晶圆处理系统。在此图中，系统1100包括限制腔室部分1102、电极1104,ESC 1106、能经切换器1118与电极1104 连接的上RF驱动器1108、能经切换器1120与ESC 1106连接的下RF驱动器1110与排气部分1114。等离子形成空间1112由电极1104、ESC 1106与限制腔室部分1102界定。进一步，限制腔室部分1102通过接地连接IlM接地。
在此示例中，更详细地描绘了限制腔室部分1102。具体来说，限制腔室部分1102 包括顶板1126、上电极外延伸部1128、加热器1130、下接地部1132、介电质覆盖部1134、下接地部外壁1136、RF屏蔽部1138、腔室衬层1140、腔室壁1142、可挠式(flexible)RF带 1144、限制环吊架1146、垫片1148、限制环1150与排气覆盖部1152。
顶板11 、上电极外延伸部11 、加热器1130、下接地部1132与腔室壁1142构成系统1100的壳。如果需要，加热器1130是可操作的以加热系统1100。介电质覆盖部1134 保护下接地部1132免受等离子磨耗，而排气覆盖部1152保护排气部分1114免受等离子磨耗。介电质覆盖部1134与排气覆盖部1152中的每一个可包括已知的抗等离子材料，其非限定性的示例包括石英。内腔室外壁1136提供等离子形成空间1112的外壳与RF屏蔽部1138的下支撑。RF屏蔽部1138落在下接地部外壁1136上，且防止RF电流流出等离子形成空间1112。腔室衬层1140是可移除插入件，其能够在腔室外轻易清洁。可挠式RF带 1144向RF屏蔽部1138与限制环1150提供接地连接。限制环吊架1146经顶板11 提供对限制环1150的支撑。垫片1148确保RF屏蔽部1138与下接地部外壁1136间的接地连接。限制环1150将等离子1116局限在等离子形成空间1112内。
依据此实施方式的一个方面，系统1100的顶端部分可从底端部分移除。特别是， 顶板1126、上电极外延伸部1128、加热器1130、RF屏蔽部1138、可挠式RF带1144、限制环吊架1146、垫片1148、限制环1150与排气覆盖部1152可被移除以进行维修。进一步，限制环1150是可更换的。如此，与上文关于图1所讨论的作为示例的传统系统相比，在本示例中，不需因维修磨耗而更换整个限制腔室部分。限制环1150的更换成本远低于传统系统中整个限制腔室部分的更换成本。如此，系统1100的操作成本远低于传统系统的操作成本。
在示例性预涂布处理期间，上电极1104由上RF驱动器1108经切换器1118而供电。此外，在该涂布处理期间，ESC 1106不与下RF驱动器1110连接且不接地，因此是RF 浮接的。与关于图6所讨论的系统600相似，在系统1100中的预涂布处理期间，从上电极 1104经等离子1116朝接地的周边传送RF电流1122，该周边包括上电极外延伸部1128、下接地部1132上的介电质覆盖部1134、排气覆盖部1152与限制环1150。
图12说明依据本发明在示例性WAC处理期间图11的系统。与关于图10所讨论的系统600相似，在系统1100中的WAC处理期间，从ESC 1106经等离子1202朝接地周边传送RF电流1204，该周边包括上电极外延伸部11 、下接地部1132上的介电质覆盖部1134、 排气覆盖部1152与限制环1150。因切换器1118为开路，故上电极1104不与RF源1108连接且不接地。因此上电极1104是电气浮接的。
图13为一图表，将系统1100的三个分别的沉积情况进行了比较。在第一沉积情况中，电极1104接地，且下RF驱动器以2MHz驱动ESC 1106。在第二沉积情况中，电极1104 浮接，且下RF驱动器以2MHz驱动ESC 1106。在第三沉积情况中，上RF驱动器以2MHz驱动电极1104，且ESC 1106浮接。
在此图中，在电极1104的中心(UE中心)、电极1104的边缘(UE边缘)、上电极外延伸部1128(Si延伸部)、排气覆盖部1152 (QCR)、热边缘环(HER)、限制环1150(CR)、晶圆中心(晶圆C)与晶圆边缘(晶圆E)等处测量沉积速率(nm/min)。在此图表的每一组柱状图中，左边的柱代表第一沉积方案，中间的柱代表第二沉积方案且右边的柱代表第三沉积方案。
图13显示第三沉积方案(如依据本发明的一个方面的沉积方案)在上电极上的沉积速率比传统方案(即第一沉积方案)的沉积速率增加超过50%。此外，依据本发明的 ESC(无晶圆时，以晶圆C与晶圆E代表)上的沉积速率降低为该传统方案的沉积速率的四分之一。
图14是图表，将系统1100的二个分别的WAC情况进行了比较。在第一 WAC情况中，电极1104接地，且下RF驱动器以2MHz驱动ESCl 106。第二 WAC情况中，电极1104浮接，且下RF驱动器以2MHz驱动ESC 1106。
在此图中，在电极1104的中心(UE中心)、电极1104的边缘(UE边缘)、上电极外延伸部1128(Si延伸部)、排气覆盖部1152 (QCR)、热边缘环(HER)、限制环1150(因QCR与限制环两者零件接近，故以QCR表示)、晶圆中心(晶圆C)与晶圆边缘(晶圆E)等处量测蚀刻速率(nm/min)。在此图表中的左边的一组柱代表第一 WAC方案，而右边的一组柱代表第二 WAC方案。
图中清楚看到，第二 WAC方案(即依据本发明的一个方面的WAC处理)中上电极上的光阻蚀刻速率(磨耗速率)约为第一 WAC方案(即传统WAC处理)的光阻蚀刻速率的三分之一。进一步，第二 WAC方案(即据本发明的一个方案的WAC处理)中周边(QCR，Si 延伸部)的磨耗速率约为第一 WAC方案(即传统WAC处理)的磨耗速率的三倍。两种结果均表示一种效益因其允许缩短清洁所有硬件的总的WAC时间从而增加产量。
在上文关于图6-12所讨论的示例性实施方式中，晶圆处理系统具有切换系统，该切换系统包括第一切换器与第二切换器，其中该第一切换器是可操作的以连接/切断电极与RF驱动器，而该第二切换器是可操作的以连接/切断ESC与另一 RF驱动器。在其它实施方式中，切换系统包括具有第一状态与第二状态的单一切换器，其中该第一状态是电极与RF驱动器连接且ESC从相同的RF驱动器断开，而该第二状态是电极不与RF驱动器连接且ESC与相同的RF驱动器连接。在又一个实施方式中，切换系统包括具有第一状态与第二状态的单一切换器，其中该第一状态是电极与第一 RF驱动器连接且ESC从第二 RF驱动器断开，而该第二状态是电极从第一 RF驱动器断开且ESC与第二 RF驱动器连接。
依据本发明的一个方面，在预涂布处理期间，ESC被建立为RF浮接的，而限制腔室部分则接地。相应地，选择性地以限制腔室部分与上电极为目标以沉积预涂布材料。如此， ESC上所沉积的预涂布材料量较传统系统的预涂布材料量大幅降低。因此，在WAC处理期间会需要更少的时间、能量与材料，以从ESC移除预涂布材料。
依据本发明的另一方面，在WAC处理期间，上电极被建立为RF浮接的，而限制腔室部分则接地。如此，选择性地将清洁材料导向腔室的限制硬件部分与所需的ESC处。因此， 上电极在WAC处理期间遭受更少的磨耗。
为了说明与描述的目的提出本发明的实施方式的上述描述。其并不旨在穷尽的或使本发明限于所揭露的精确形式，且鉴于上文的教导，明显地可做许多修正与变化。为了更好解释本发明的原理及其应用，挑选且描述以如上文所述的示例性实施方式，从而使本领域的技术人员能够更好以各种实施方式和搭配各种修正而利用本发明，以适合于预期的特定用途。所意图的是，本发明的范围由所附权利要求限定。
权利要求
1.一种操作晶圆处理系统的方法，所述晶圆处理系统包括电极、静电夹盘、限制腔室部分、第一射频驱动源、第二射频驱动源、预涂布材料源、清洁材料源、排气部分与切换系统， 所述电极与所述静电夹盘间隔开且相对，等离子形成空间由所述电极、所述静电夹盘与所述限制腔室部分界定，所述第一射频驱动源被配置成经由所述切换系统而与所述电极电气连接，所述第二射频驱动源被配置成经由所述切换系统而与所述静电夹盘电气连接，所述预涂布材料源是可操作的以提供预涂布材料至所述等离子形成空间中，所述清洁材料源是可操作的以提供清洁材料至所述等离子形成空间中，所述排气部分是可操作的以从所述等离子形成空间中移除所述预涂布材料与所述清洁材料，所述方法包括执行预涂布处理与清洁处理中的至少一个； 其中所述预涂布处理包括经由所述切换系统连接所述第一射频驱动源与所述电极； 连接所述限制腔室部分与地；经由所述切换系统切断所述第二射频驱动源与所述静电夹盘的连接； 切断所述静电夹盘与地的连接；经由所述预涂布材料源而供应所述预涂布材料至所述等离子形成空间中； 在所述等离子形成空间内产生等离子；以及在所述限制腔室部分上涂布所述预涂布材料；以及其中所述清洁处理包括经由所述切换系统切断所述第一射频驱动源与所述电极的连接； 切断所述电极与地的连接； 连接所述限制腔室部分与地；经由所述切换系统连接所述第二射频驱动源与所述静电夹盘； 经由所述清洁材料源而供应所述清洁材料至所述等离子形成空间中； 在所述等离子形成空间内产生等离子；以及从所述限制腔室部分中清洁所述预涂布材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述执行预涂布处理与清洁处理中的至少一个包括执行所述预涂布处理。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述执行预涂布处理与清洁处理中的至少一个包括执行所述清洁处理。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述执行预涂布处理与清洁处理中的至少一个包括执行所述预涂布处理及执行所述清洁处理。
全文摘要
在具有电极、静电夹盘(ESC)与限制腔室部分的晶圆处理系统中，在预涂布处理期间ESC被建立为RF浮接，而限制腔室部分接地。相应地，选择性地以限制腔室部分与上电极为目标以沉积预涂布材料。如此，ESC上所沉积的预涂布材料量较传统系统大幅降低。因此，在晶圆自动清洁(WAC)处理期间，会需要更少的时间、能量与材料以从ESC中移除预涂布材料。此外，在WAC处理期间该上电极被建立为RF浮接，而该限制腔室部分接地。如此，选择性地将清洁材料导向腔室的限制硬件部分。因此，该上电极在WAC处理期间受到更少的磨耗。
文档编号H01L21/3065GK102187436SQ200980140633
公开日2011年9月14日 申请日期2009年10月16日 优先权日2008年10月17日
发明者安德烈亚斯·菲舍尔, 里亚姆·莫拉维茨 申请人:朗姆研究公司