专利名称：包括ic驱动器和电桥的半导体管芯封装的利记博彩app
包括IC驱动器和电桥的半导体管芯封装有关申请的交叉参照本申请是PCT申请，并且要求2009年3月12日提交的美国非临时申请12/046，734 的优先权(代理人案卷号018865-027800US)，其全部内容引用在此作为参考。
背景技术：
显示器设备包含各种电子器件，用于控制该设备、图片产生和其它显示功能。液晶 显示器(IXD)被广泛地用于各种显示应用，比如用于计算机监视器、个人数字设备、电视机 等。IXD系统使用液晶面板，这种液晶面板包括单独的像素。IXD内的电子器件控制可以这 些像素，以创建图片。一些IXD系统使用环境光来显示图像。其它系统使用额外的光源，比 如背光源。在LCD系统中使用背光源来照亮液晶面板，使得它可以产生可观看的图像。背 光源可以包括各种灯，比如冷阴极荧光灯(CCFL)，用于产生光；以及逆变器，用于驱动这 些灯。工业界当前的需求是针对空间效率的，比如显示器变得更薄。显示器的持续收缩 就需要越来越小的系统电子器件。此外，显示器系统的尺寸和功率要求的变化正变得更突 出。产生适宜小巧的电子器件且这种电子器件足够灵活能与各种系统一起工作，从技术方 面讲是困难的，并且成本会很高。期望有一种方式能解决这些需求。本发明的诸多实施方式单独地或共同地解决了这一问题和其它问题。
发明内容
本发明的诸多实施方式涉及封装中的系统、制造封装中的系统的方法以及使用这 种封装中的系统的电子组件和系统。本发明的一个实施方式涉及一种半导体管芯封装，包括引线框结构；附接到引 线框结构的集成电路管芯；包括附接到引线框结构的多个有源器件的多个半导体管芯，其 中，多个半导体管芯形成电桥电路的至少一部分。本发明的另一个实施方式涉及一种用于形成半导体管芯封装的方法，该方法包 括获得引线框结构；使包括多个有源器件的多个半导体管芯附接到引线框结构，其中，多 个有源器件形成电桥电路的至少一部分；以及使集成电路管芯附接到引线框结构。本发明的另一个实施方式涉及一种半导体管芯封装，包括引线框结构；以及附 接到引线框结构的多个晶体管，其中，多个晶体管构成全桥电路。本发明的另一个实施方式涉及一种用于形成半导体管芯封装的方法，该方法包 括获得引线框结构；以及使多个晶体管附接到引线框结构，其中，多个有源器件构成全桥 电路。结合附图，在详细说明部分详细描述了本发明的这些和其它实施方式。在附图中， 相同的标号可以指代相同的元件，可能不再重复一些元件的描述。
图1示出了半导体封装的第一实施方式的顶部透视图。图2示出了半导体封装的第一实施方式的底部透视图。图3A和3B示出了示例性电路图，用于表示半导体管芯封装的实施方式内所包含的电路。图4A-4E示出了半导体管芯封装的一实施方式的部分透视图，这些图示出了该封装的各部件。图5A-5B示出了根据第一实施方式用于制造半导体管芯封装的方法。图6A-6B示出了根据第二实施方式用于制造半导体管芯封装的方法。图7示出了半导体管芯封装的实施方式的高级应用。图8示出了用于实现图7的应用的电路图。图9示出了根据本发明一实施方式的半导体管芯封装的配置。
具体实施例方式
本发明的实施方式涉及半导体管芯封装及其制造方法。在较佳实施方式中，半导 体管芯封装包括引线框结构；附接到引线框结构的集成电路管芯；以及附接到引线框结 构的多个半导体管芯。多个半导体管芯可以包括多个有源器件，并且这些有源器件可以形 成电桥电路的至少一部分。电桥电路可以包括两个半桥器件，其中，可以将一个半桥器件附 接到引线框结构的一个表面，可以将另一个半桥器件附接到引线框结构的相反的表面。半 导体管芯封装可以与应用电路一起使用，比如用在LCD背光源逆变器中。下文参照附图，进一步详细描述本发明的实施方式的其它特征。图1和2分别示出了半导体封装100的第一实施方式的顶部和底部透视图。图1 和2示出了模制无引线型封装(MLP型封装)或“无引线四边扁平”(即QFN)封装。应该理 解，本发明的实施方式可以包括其它类型的封装配置，其中包括有引线的封装配置。半导体管芯封装100可以包括模制材料113 (比如环氧树脂模制材料或其它合适 的模制材料)，模制材料113可以覆盖并保护半导体管芯封装100内部的半导体管芯。可以透过模制材料113露出许多内部部件的表面。这使所得到的封装更薄，也使 半导体管芯封装100内的半导体管芯所产生的热更容易散去。例如，在图1中，透过模制材 料113露出顶部夹片结构101的表面，并且与模制材料113的外表面基本上共面。此外，如 图2所示，在半导体管芯封装100的底面，透过模制材料113露出与管芯附接焊片104、公 共源极引线103和底部夹片结构102相对应的表面。此外，通过模制材料113部分地露出 来的是引线105a，连接到引线框结构(未示出)；以及引线105b，连接到半导体管芯封装 100内的顶部和底部夹片结构(101，102)。在本发明的较佳实施方式中，顶部夹片结构101被耦合到与半导体管芯封装100 内的第一对MOSFET相关联的漏极区域。底部夹片结构102被耦合到与半导体管芯封装100 内的第二对MOSFET相关联的漏极区域。图3A和3B—起示出了示例性电路图，用于表示根据本发明一实施方式的半导体 管芯封装内所包含的电路。图3A示出了驱动器集成电路管芯中可能存在的驱动器电路的 实现方式的图。示例性驱动器集成电路管芯可以是FAN7310，这可从本申请的受让人仙童半导体公司购买。图3B示出了包括四个耦合到一起的MOSFET的电桥电路的实现方式的图。 四个MOSFET包括两个P-沟道MOSFET和两个N-沟道M0SFET。可以将这四个MOSFET嵌入 到四个半导体管芯中，并且可从仙童半导体公司大批量购买这四个半导体管芯。在较佳的 实施方式中，在该封装内，图3A的电路与图3B的电路电耦合。图3A和3B的电路图仅仅是 本发明的一个实施方式，还可以使用其它电路类型。图4A-4E示出了半导体管芯封装的各种剖视图，这些图进一步示出了根据本发明一实 施方式的封装的各部件。在这些图中，模制材料113是半透明的，以显示出内部的封装部件。图4A和4B分别示出了根据本发明一实施方式的半导体管芯封装100的顶视图和 底视图。半导体管芯封装100包括引线框结构106，引线框结构106包括公共源极引线103。 将集成电路管芯107附接到引线框结构106的管芯附接焊片104。在本发明的一些实施方 式中，集成电路管芯107是配置成驱动显示器的背光源电路的驱动器管芯。集成电路管芯 107可以是封装的或未封装的。接合导线108将集成电路管芯107中的端子连接到外围的 引线106(a)。在图4A中还示出第一夹片101，并且与集成电路管芯107横向地间隔开。在 图4B中，还示出第二夹片1 02，并且与管芯附接焊片104横向地间隔开。术语“引线框结构” 可以是指从引线框得到的结构或者与引线框相同的结构。每个引线框结构可以包括两个或 更多个引线，引线具有引线表面和管芯附接区域。引线从管芯附接区域横向地延伸。单个 引线框结构可以包括栅极引线结构和源极引线结构。引线框结构可以包括任何合适的材料。示例性引线框结构材料包括像铜、铝、金等 金属以及它们的合金。引线框结构也可以包括电镀层，比如金、铬、银、钯、镍等的电镀层。引 线框结构也可以具有任何合适的厚度，包括小于约lmm(比如小于约0. 5mm)的厚度。通过使用常规工艺，可以对引线框结构进行冲压、蚀刻和/或图案化，以使引线框 结构的引线或其它部分定形。例如，通过对连续的导电薄板进行冲压或蚀刻以形成预定的 图案，就可以形成引线框结构。如果通过蚀刻，则在蚀刻之前或之后也可以任选地对引线框 结构进行冲压，使得引线框结构的管芯附接表面相对于引线框结构的引线的引线表面是下 移设置的(downset)。如果使用冲压，则引线框结构可以是引线框结构阵列中的许多引线 框结构之一，它们是通过连接条连接的。也可以切割引线框结构阵列，以使引线框结构与其 它引线框结构分开。作为切割的结果，最终的半导体管芯封装中的引线框结构的多个部分 (比如源极引线和栅极引线)可以彼此并不电和机械地耦合。由此，引线框结构可以是连续 的金属结构或不连续的金属结构。图4C和4D示出了图4A和4B所示的半导体管芯封装实施方式的侧视图。通过使 用焊料或某种其它类型的导电粘合剂，可以将包括有源器件的第一组半导体管芯109附接 到引线框106和第一夹片结构101。通过使用焊料或某种其它类型的导电粘合剂，可以将包 括有源器件的第二组半导体管芯110附接到引线框结构106的反面和第二夹片结构102。 在本示例中，通过接合导线108，集成电路管芯107电耦合到引线框106、第一组半导体管芯 109和第二组半导体管芯110。第一组半导体管芯109位于引线框结构106和第一夹片结构101之间。第二组半 导体管芯110位于引线框结构106和第二夹片结构102之间。夹片结构101、102可以包括 铜、铝、或任何其它能导电的合适的金属。也可以用其它金属对它们进行电镀。可以按任何 合适的方式来形成它们(比如蚀刻、冲压等)。
在较佳实施方式中，第一组半导体管芯109和第二组半导体管芯110可以各自形 成半桥电路的至少一部分，并且可以电耦合到一起以形成全桥电路的至少一部分。例如，第 一组半导体管芯和第二组半导体管芯的每一个可以包括有源器件。有源器件是能够控制电 压或电流并且可以在电路中产生切换动作的部件，并且包括晶体管，比如MOSFET和双极结
晶体管第一组半导体管芯109可以包括两个MOSFET管芯，最好是一个P-沟道MOSFET和 一个N-沟道MOSFET。第二组半导体管芯110可以包括两个MOSFET管芯，最好是一个P-沟 道MOSFET和一个N-沟道MOSFET。通过引线框结构106和接合导线108，集成电路管芯107 电耦合到第一组半导体管芯109和第二组半导体管芯110。在较佳的方面，第一组半导体 管芯109被附接到引线框106的与第二组半导体管芯110相反的表面。第一组半导体管芯 109和第二组半导体管芯110可以处于一种层叠的关系中。图4E示出了根据本发明一实施方式的半导体管芯封装的一些部件的顶部透视 图。将集成电路管芯107附接到引线框106的管芯附接焊片104，后者进一步附接到电桥 电路115。电桥电路115可以包括多个半导体管芯，其中包括第一组半导体管芯109和第 二组半导体管芯110。第一组半导体管芯109可以包括N-沟道MOSFET管芯109a和P-沟 道MOSFET管芯109b。同样，第二组半导体管芯110可以包括N-沟道MOSFET管芯IlOa和 P-沟道MOSFET管芯110b。可以将第一和第二组半导体管芯109、110附接到夹片结构101、 102。通过连接到夹片结构101、102的引线105b以及引线105a(它形成引线框106的 一部分)，可以为半导体管芯封装提供输出连接。可以通过模制材料113露出引线105a和 105b，正如图2所示，这允许电连接到其它电路。引线框106进一步包括公共源极引线103。 在某些实施方式中，公共源极引线103电耦合到N-沟道MOSFET管芯109a的源极电极的接 触点，还电耦合到N-沟道MOSFET管芯IlOa的源极电极的接触点。电桥电路115可以包括任何合适的器件配置，其中包括有源器件。第一组半导体 管芯109可以包括第一组有源器件，第二组半导体管芯110可以包括第二组有源器件，它们 一起可以形成电桥电路115的一部分。在较佳的实施方式中，电桥电路115是全桥电桥电 路，它可以包括像4个H-配置的MOSFET这样的晶体管。在另一个示例性实施方式中，电桥 电路115可以包括双极结晶体管。在另一个示例性实施方式中，半导体管芯109和110可以 一起形成电桥电路115的一部分。在这种实施方式中，多个半导体管芯109和110可以各 自包括一个有源器件，并且可以在连接到该半导体封装的一个电路中实现电桥电路115的 其余部分(即，形成电桥电路所需的其它有源器件)。在另一个示例性实施方式中，电桥电 路115可以包括半桥电路。在本示例中，包括第一组有源器件的第一组半导体管芯109以 及包括第二组有源器件的第二组半导体管芯110可以各自形成半桥电路的至少一部分。本发明的一些实施方式涉及制造半导体管芯封装的方法。在一个实施方式中，该 方法包括获得引线框结构；使包括多个有源器件的多个半导体管芯附接到引线框结构， 其中，多个有源器件形成电桥电路的至少一部分；以及使集成电路管芯附接到引线框结构。 下文结合图5A-5B和6A-6B，提供了额外的处理细节。尽管图5A-5B和6A-6B示出了一个半 导体管芯封装，但是该半导体管芯封装也可以形成于阵列之中并且与许多其它封装一起并 行地形成。另外，尽管为了简化图示只提到了一个电桥电路和一个集成电路管芯，但是在本发明的其它实施方式中，在单个管芯封装内可以有多个半导体管芯、电路、夹片结构等。图5A-5B示出了根据本发明一实施方式用于制造半导体管芯封装的方法。如图 5A-5B和6A-6B所示，可以按任何合适的顺序发生所描述的步骤。在步骤500中，获得引线 框106。可以通过任何合适的方法来制造引线框106。例如，通过本领域公知的冲压处理， 可以形成引线框结构。通过蚀刻连续的导电薄板以形成预定的图案，也可以形成引线框结 构。示例性的引线框结构材料包括像铜、铝等金属以及它们的合金。引线框结构也可以包 括电镀层，比如金、铬、银、钯、镍等的电镀层。在步骤501中，可以将焊料膏Illa印刷在所获得的引线框106的背面。同时，在步 骤502中，第二组半导体管芯110可以包括N-沟道MOSFET管芯和P-沟道MOSFET管芯，并 且最好可以用软焊料112a将第二组半导体管芯110附接到夹片结构102。在具有焊料凸起 130a的表面上，可以对半导体管芯110进行涂敷，以帮助将管芯110附接到引线框106。在 步骤503中，最好通过倒装芯片接合方法，将夹片结构102和第二组半导体管芯110附接到 引线框结构106的底面。在这种方法中，夹片结构102是反转的，并且置于引线框结构106 上。对所得的结 构加热，使得焊料膏Illa和焊料凸起130a发生回流，以物理地将第二半导 体管芯110耦合到引线框结构106。焊料膏Illa也将第二组半导体管芯110电耦合到引线 框结构106。如在步骤501和503中所看到的那样，这包括公共源极引线103。在一些实施 方式中，公共源极引线103通过焊料膏Illa而耦合到半桥110中的N-沟道MOSFET的源极 电极上的接触点。一旦附接了第二组半导体管芯110和夹片结构102，在步骤504中，将引 线框结构106翻过来，从而露出引线框结构106的相反一面(即顶面)。在步骤505中，可以在引线框结构106的顶面上印刷焊料膏111b。在步骤506中， 第一组半导体管芯109可以包括N-沟道MOSFET管芯和P-沟道MOSFET管芯，并且最好可以 用软焊料112b将第一组半导体管芯109附接到夹片结构101。在具有焊料凸起130b的表 面上，可以对半导体管芯109进行涂敷，以帮助将管芯109附接到引线框106。在步骤507 中，最好通过倒装芯片接合方法，将夹片结构101和第一组半导体管芯109附接到引线框结 构106。这一步骤可以在第一组半导体管芯109和第二组半导体管芯110之间创建电连接， 这两组管芯可以一起形成电桥电路115的至少一部分。然后，在步骤508中，将管芯附接113a附接到引线框结构106。管芯附接113a可 以包括非导电的粘合剂或管芯附接条带或本领域已知的其它合适的非导电的接合材料。在 该步骤之后，在步骤509中，通过管芯附接113a，将包括集成电路管芯的第一结构107附接 到引线框106。一旦附接好，在步骤510中，该集成电路管芯就通过导线接合而电耦合到该 封装的其余部分。在导线接合之后，在步骤511中，在该封装周围浇铸了模制材料113，并且分离和 准备好该封装，使得它可用于各种应用中。可以使用常规模制工艺来浇铸上述模制材料。 本领域普通技术人员可以确定合适的模制温度和压力。一旦浇铸好该封装，就可以执行去 毛刺处理(deflash process)，以除去多余的模制材料。如步骤511所示，在去毛刺处理之 后，模制材料113使某些区域露出来以便用于电或热连接，比如夹片结构101和引线105a、 105b的部分。图6A-6B示出了根据本发明用于制造半导体管芯封装的备选实施方式。在步骤 600中，获得引线框结构106。在步骤601中，可以将焊料膏Illc印刷在引线框结构106的背面。在步骤602中，第二组半导体管芯110可以包括N-沟道MOSFET管芯和P-沟道MOSFET 管芯，并且最好可以用倒装芯片方法将第二组半导体管芯110附接到夹片结构106的底面。 在具有焊料凸起130c的表面上，可以首先对半导体管芯110进行涂敷，以帮助将管芯110 附接到引线框106。然后，在步骤603中，可以将软焊料112c附接到第二组半导体管芯110 的面朝外的表面。通过使用软焊料112c，接下来，在步骤604中，将夹片结构102附接到第 二组半导体管芯110。一旦附接了夹片结构102，则在步骤605中使引线框结构106翻过来， 从而露出相反的一面(即顶面)。在步骤606中，可以将焊料膏Illd印刷在引线框结构106的顶面上。在步骤607 中，第一组半导体管芯109可以包括N-沟道MOSFET管芯和P-沟道MOSFET管芯，并且最好 可以用倒装芯片接合工艺将第一组半导体管芯109附接到引线框结构106的顶面。在具有 焊料凸起130d的表面上，可以首先对半导体管芯109进行涂敷，以帮助将管芯109附接到 引线框106。这一步骤可以在第一组半导体管芯109和第二组半导体管芯110之间创建电 连接，这两组管芯可以一起形成电桥电路115的至少一部分。此外，引线框结构106的公共 源极引线103可以电耦合到第一组半导体管芯109中的N-沟道MOSFET管芯的源极电极的 接触点，并且也电耦合到第二组半导体管芯110中 的N-沟道MOSFET管芯的源极电极的接 触点。然后，在步骤608中，可以将软焊料112d附接到器件109的面朝外的表面。通过 使用软焊料112d，接下来，在步骤609中，将夹片结构101附接到第一组半导体管芯109。 然后，在步骤610中，将非导电的管芯附接113a附接到引线框结构106。在这之后，在步骤 611中，通过管芯附接113a，将集成电路管芯107附接到引线框结构106。一旦附接好，在步 骤612中，该集成电路管芯107就通过导线接合而电耦合到该封装的其余部分。在导线接合之后，在步骤613中，在该封装周围浇铸了模制材料113，并且分离和 准备好该封装使得它可用于各种应用中。可以使用常规模制工艺来浇铸上述模制材料。本 领域普通技术人员可以确定合适的模制温度和压力。一旦浇铸好该封装，就可以执行去毛 刺处理，以除去多余的模制材料。如步骤613所示，在去毛刺处理之后，模制材料使某些区 域露出来以便用于电或热连接，比如夹片结构101和引线105a、105b。上面的描述是制造方法的示例性实施方式。然而，可以通过其它合适的工艺来形 成半导体管芯封装的实施方式。例如，可以通过任何合适的工艺将像集成电路管芯、电桥管 芯和夹片结构等各种器件附接到引线框和彼此附接在一起。合适的工艺可以包括倒装芯片 接合、导线凸起、导电膏等。在另一个示例性实施方式中，电桥电路115可以包括半桥电路。 在本示例中，器件109和110可以各自包括半桥电路的一部分，比如各自包括单个开关晶体 管。图7示出了根据本发明一实施方式的半导体管芯封装的使用。在本实施方式中， 半导体管芯封装100是背光源逆变器电路的一部分，它驱动LCD应用的背光源。图8示出 了用于实现图7的电路图。在本示例中，半导体管芯封装100是用于驱动CCFL 801的背光 源逆变器器电路的一部分。表格I揭示了图8中的半导体管芯封装100的引出脚配置
权利要求
一种半导体管芯封装，包括引线框结构；附接到引线框结构的集成电路管芯；以及附接到引线框结构的多个半导体管芯，所述多个半导体管芯包括多个有源器件，其中，多个半导体管芯形成电桥电路的至少一部分。
2.如权利要求1所述的半导体管芯封装，还包括 接合到集成电路管芯的多个接合导线，其中，多个接合导线将多个有源器件电耦合到集成电路管芯。
3.如权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于， 引线框结构包括管芯附接焊片，其中，集成电路管芯被附接到管芯附接焊片，其中，半导体管芯封装还包括模制材料，用于覆盖引线框结构的至少一部分。
4.如权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于， 集成电路管芯包括集成电路驱动器管芯。
5.如权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于， 电桥电路的至少一部分是全桥电路，并且其中多个有源器件包括四个MOSFET。
6.如权利要求5所述的半导体管芯封装，其特征在于，四个MOSFET包括两个N-沟道MOSFET和两个P-沟道MOSFET,并且 其中，半导体管芯封装还包括公共源极结构，配置成将第一 N-沟道MOSFET的源极电极上的第一接触点连接到第二 N-沟道MOSFET的源极电极上的第二接触点。
7.如权利要求1所述的半导体管芯封装，还包括 电耦合到多个有源器件的至少一个夹片结构。
8.如权利要求7所述的半导体管芯封装，还包括 模制材料，用于覆盖引线框结构的至少一部分，其中，通过模制材料露出至少一个夹片结构的多个部分。
9.如权利要求1所述的半导体管芯封装，其特征在于，电桥电路的至少一部分包括附接到引线框结构的第一表面的第一对MOSFET管芯以及 附接到引线框结构的第二表面的第二对MOSFET管芯，其中，引线框的第一表面与引线框结构的第二表面相反。
10.如权利要求9所述的半导体管芯封装，其特征在于，使第一对MOSFET管芯连接到第一夹片结构，使第二对MOSFET管芯连接到第二夹片结构，其中，半导体管芯封装还包括模制材料，用于覆盖引线框结构的至少一部分、集成电 路管芯和电桥电路，其中，通过模制材料露出第一夹片结构的多个部分和第二夹片结构的多个部分。
11.一种IXD背光源逆变器，包括如权利要求1所述的半导体管芯封装。
12.一种用于形成半导体管芯封装的方法，所述方法包括 获得引线框结构；使包括多个有源器件的多个半导体管芯附接到引线框结构，其中，多个有源器件形成 电桥电路的至少一部分；以及使集成电路管芯附接到弓I线框结构。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，多个半导体管芯包括第一组半导体管芯和第二组半导体管芯，第一组半导体管芯包括 第一组MOSFET，第二组半导体管芯包括第二组MOSFET，以及 其中，所述方法还包括 将第一组半导体管芯附接到第一夹片结构； 将第一组半导体管芯附接到引线框结构的第一表面； 将第二组半导体管芯附接到第二夹片结构；以及 将第二组半导体管芯附接到引线框结构的第二表面， 其中，引线框结构的第二表面与引线框结构的第一表面相反。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，第一组和第二组MOSFET各自包括N-沟道MOSFET和P-沟道MOSFET。
15.如权利要求13所述的方法，还包括在引线框结构、集成电路管芯和电桥电路周围浇铸模制材料，其中，模制材料使第一夹片结构的多个部分和第二夹片结构的多个部分露出来。
16.如权利要求12所述的方法，其特征在于， 引线框结构包括铜。
17.如权利要求16所述的方法，还包括 在引线框结构周围浇铸模制材料。
18.如权利要求12所述的方法，其特征在于， 集成电路管芯包括驱动器集成电路管芯。
19.如权利要求12所述的方法，其特征在于， 电桥电路是全桥电路。
20.一种半导体管芯封装，包括 引线框结构；以及附接到引线框结构的多个晶体管， 其中，多个晶体管构成全桥电路。
21.一种用于形成半导体管芯封装的方法，所述方法包括 获得引线框结构；以及使多个晶体管附接到引线框结构， 其中，多个有源器件构成全桥电路。
全文摘要
一种半导体管芯封装。这种半导体管芯封装的实施方式可以用在背光源电路中。这种封装中的系统可以包括电桥电路或其一部分以及集成电路管芯(比如驱动器管芯)，模制材料或其它封装将这些包住。电桥电路可以被层叠在引线框的相对的表面上。
文档编号H01L23/495GK101971333SQ200980109311
公开日2011年2月9日 申请日期2009年3月6日 优先权日2008年3月12日
发明者Y·刘, 张江元, 钱秋晓 申请人:费查尔德半导体有限公司