在基底上沉积材料的系统和方法

专利名称：在基底上沉积材料的系统和方法
技术领域：
本发明涉及光伏装置生产。
背景技术：
在光伏装置的制造中，半导体材料被沉积在基底上。在基底上沉积半导体材料可 通过以下过程来完成使半导体汽化并将汽化的半导体引向基底表面，使得汽化的半导体 冷凝并沉积在基底上，从而形成固体半导体膜。

发明内容
一种沉积系统可以包括分配器，被构造为在基底上提供半导体涂层；第一电源， 被构造为加热分配器；等离子体源，紧邻分配器设置，等离子体源包括被构造为驱动等离子 体源的电极，其中，电极电学地独立于第一电源。在一些情况下，系统或方法可以包括附加电极，附加电极被构造为相对于基底偏 置等离子体源。电极可以是分配器上方的后盖。例如，电极可以包括非金属材料，例如碳。 在一个示例中，电极可以包括石墨。电极可以为间隔物。电极可以为后盖。间隔物可以为 石墨间隔物。后盖可以为石墨后盖。在其他的情况下，分配器可以包括具有第一套管和第二套管的一对套管。电极可 以是在第一套管和第二套管之间的间隔物。电极可以是在第一套管和第二套管上方的后
至
ΓΤΠ ο在其他的情况下，分配器可以包括具有第一套管和第二套管的一对套管。电极可 以是平行于第一套管和第二套管的导体。电极可以是在第一套管和第二套管上方的后盖。在其他的情况下，分配器可以是包括第一套管和第二套管的一对套管，等离子体 源可以包括三个彼此电隔离的石墨部件。第一石墨部件可以是将第一套管与第二套管分隔 开的第一间隔物。第二石墨部件可以是将第一套管与第二套管分隔开的第二间隔物。第三 石墨部件可以是在第一套管和第二套管上方的后盖。在其他的情况下，系统还可以包括在 后盖和每个间隔物之间的绝缘物。在某些情况下，分配器可以包括至少一个被构造为在基底上提供半导体涂层的分 配孔。等离子体源可通过直流来驱动。等离子体源可通过交流来驱动。等离子体源可通过 脉冲直流来驱动。等离子体源可通过射频电激发来驱动。在特定的情况下，系统或方法可以包括被构造为传输基底以便基底通过分配器的 传送器。分配器可以位于沉积室内，沉积室包括入口，将要被涂覆的基底通过入口被引入到 沉积室中，沉积室包括出口，被涂覆的基底通过出口离开沉积室。分配器可以包括陶瓷管。 分配器可以包括莫来石管。分配器可以包括陶瓷套管。
在其他的情况下，系统或方法可以包括位于分配器内的能够透过的加热器。等离子体源可以被构造为在距基底小于10厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可以被构 造为在距基底小于7厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可以被构造为在距基底小于 5厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可以被构造为在距基底小于2厘米的区域中产 生等离子体。一种在基底上沉积材料的方法可以包括以下步骤提供第一电源，第一电源被构 造为加热分配器，分配器被构造为在基底上沉积半导体涂层；提供等离子体源，等离子体源 包括电学地独立于第一电源的电极；在紧邻分配器和紧邻基底的空间内激发等离子体。在附图以及下面的描述中阐述了一个或多个实施例的详情。通过描述和附图以及 通过权利要求，其他的特征、目的以及优点将是明显的。


图1为包括等离子体源的系统的示意图。图2为包括等离子体源的系统的示意图。图3为包括等离子体源的系统的示意图。
具体实施例方式通常，沉积系统可以包括分配器、第一电源和等离子体源，分配器被构造为提供基 底上的半导体涂层，第一电源被构造为驱动分配器，等离子体源紧邻分配器设置，等离子体 源包括被构造为驱动等离子体源的电极，其中，所述电极电学地独立于第一电源。在一些情 况下，系统或方法可以包括被构造为相对于基底偏置等离子体源的附加电极。电极可以为 平行于分配器的导体。电极可以是分配器上方的后盖(backcap)。例如，电极可以包括非金 属材料，例如碳。电极可以包括石墨。分配器是被构造为通过一个或多个开口在基底上沉积材料的组件，分配器包括进 料管、套管(sheath tube)或进料管和套管。分配器可以包括具有第一套管和第二套管的 一对套管。套管可以通过多个孔提供蒸气的空间分布。套管可以至少部分地围绕诸如粉末 注射管的进料管。加热器可以为管，该管被设置为套住进料管。然后，加热器可以被套管套 住，从而形成三层基本上同心的管。该加热器可以为可透过的加热器，所述可透过的加热器 允许来自进料管的材料透过该加热器进入该加热器和套管之间的空间。参照图1，例如，分配器可以为包括诸如陶瓷套管的套管34的组件。一方面，分配 器可以为包括套管、加热器和进料管的组件。陶瓷套管可以套住诸如可透过的加热器的加 热器24，然后加热器24可以套住进料管。套管可以包括一个或多个分配孔36，分配孔36 被构造为在基底8上提供半导体涂层。等离子体源可以包括被构造为驱动等离子体源的电 极。系统还可以包括被构造为相对于基底偏置等离子体源的附加电极。在某些情况下，分 配器可以包括一对套管。在一个实施例中，电极可以是在第一套管和第二套管之间的间隔 物(spacer)。间隔物可以包括石墨横杆(cross-rod)电极。间隔物可以包含诸如碳的非金 属材料或其他耐腐蚀的材料。在一个实施例中，间隔物可以为石墨间隔物。附加电极可以 是套管之上的后盖4。后盖可以为石墨后盖。绝缘物可以位于间隔物和石墨后盖之间。图2为沿图1的面A-A截取的剖视图。系统可以包括被构造为电阻式地加热分配器组件30的分配器电源100、紧邻分配器组件并紧邻基底8设置的第一等离子体源4和第 二等离子体源5。第二等离子体源可以包括石墨横杆电极5a。在该结构中，第一等离子体 源4和第二等离子体源5并联。第一或第二等离子体源可以在处于分配器内部且紧邻基底 的空间40内激发等离子体。等离子体源可以包括被构造为驱动等离子体源的电源10。等 离子体源还可以包括电极4和被构造为相对于基底8偏置等离子体的附加电源20。分配器 可以包括套管3、被套管套住的能够透过的加热器2和被能够透过的加热器套住的进料管。 分配器可以包括一个或多个被构造为在基底上提供半导体涂层的分配孔7。在一个实施例 中，例如，电极可以是在第一套管和第二套管之间的间隔物，或可以为横杆电极5a。间隔物 可以包含诸如碳的非金属材料。在一个实施例中，间隔物可以为石墨间隔物。附加电极可 以是第一套管和第二套管上方的后盖4。后盖可以为石墨后盖。绝缘物6可以位于间隔物 和石墨后盖之间。 图3为另一个实施例的剖视图，该剖视图示出了包括被构造为电阻式地加热分配 器组件30的分配器电源100、紧邻分配器组件并紧邻基底8设置的第一等离子体源4和第 二等离子体源5的系统。第一或第二等离子体源可以在处于分配器内部且紧邻基底的空间 40内激发等离子体。等离子体源可以包括被构造为驱动等离子体源的电源10。等离子体 源还可以包括电极4和被构造为相对于基底8偏置等离子体的附加电源20。分配器可以包 括套管3、被套管套住的可透过的加热器2和被可透过的加热器套住的进料管。分配器可以 包括一个或多个被构造为在基底上提供半导体涂层的分配孔7。在一个实施例中，例如，电 极可以是在第一套管和第二套管之间的间隔物，或可以为横杆电极。间隔物可以包含诸如 碳的非金属材料。在一个实施例中，间隔物可以为石墨间隔物。附加电极可以是在第一套 管和第二套管上方的后盖4。后盖可以为石墨后盖。绝缘物6可以位于间隔物和石墨后盖 之间。现有的沉积材料的方法和系统不涉及有目的性的等离子体处理。这里描述的系统 和方法包括在处于分配器内部且紧邻基底的空间内激发等离子体。等离子体会非常有益于 将能量加入到沉积源蒸气中。该加入的能量可以将诸如Te2或S2的二聚体拆分，从而改变 膜的生长。单体Te或S被认为具有更高的反应性，且表现出不同的表面迁移率以及晶体生 长特征。等离子体可以将带电物种提供给生长表面，这将改变膜的生长。等离子体还可以 将诸如N2、P2、P4、As2和Sb2 (掺杂物)的其他二聚体拆分，这些掺杂物参入热蒸气传输沉积 的可能性相对低。将掺杂物二聚体拆分可以极大地提高参入的可能性。等离子体还可以提 供诸如He*或Ar*或0/的激发的亚稳态中性物，这些激发的亚稳态中性物可以将额外的且 可控的能量传递给生长表面。可使用各种等离子体构造。例如，可通过直流(dc)、交流(ac)、脉冲直流或射频 (rf)电激发来驱动等离子体源。电极构造可以为二极管或三极管。等离子体可以相对于基 底被偏置(％、脉冲％或什)，所述基底是虚地。电极的各种几何形状都是可能的，且可以 施加各种压强。例如，在某些情况下，可以施加0. 1-5. 0托的压强。在一些情况下，如图1、2和3所示的双管的分配器的构造可以对等离子体的产生 非常有利。包括石墨后盖、两个莫来石管和两个石墨沙漏端部间隔物的构造限定了分配器 组件的空间的五个侧面，这五个侧面与剩下的指向基底的出口的侧面一起容纳沉积蒸气。 在该构造中，三个石墨部件可以彼此电隔离且可用作电极。以这种方式，电极与驱动可透过的SiC加热器管2的电阻式加热的电源完全隔开且独立于该电源。因为等离子体源独立于 分配器的电源而被驱动，所以可以以非常弱的激发态到高度激发态中的任何有利的条件来 操作等离子体源。在某些情况下，系统可以包括两个用于等离子体源的电源。一个电源可 以用于驱动等离子体，而另外的电源可用于相对于基底偏置等离子体。被构造为驱动等离 子体的电源可以独立于用于驱动分配器组件的电源。等离子体源可被构造为在距基底小于 7厘米的区域中产生等离子体。等离子体源可被构造为在距基底小于5厘米的区域中产生 等离子体。等离子体源可被构造为在距基底小于2厘米的区域中产生等离子体。例如，在第5，945，163号美国专利、第6，037，241号美国专利和第11/380，073号 美国申请中，描述了用于在玻璃基底上沉积半导体膜的各种分配器组件系统和方法，它们 的公开通过引用而完全包含于此。 通常，用于在基底上沉积半导体材料的方法和系统包括将材料和载气引入到具有 被加热的第一室的分配器组件中，以形成材料蒸气。材料可以为粉末，例如，半导体材料粉 末。然后，引导载气和蒸气通过一系列连续的被加热的室，以形成均勻的蒸气/载气组合 物。易于使蒸气和气体通过分配器组件的多个室，通过蒸气和气体的流动和扩散可以提供 均勻的气体组合物。在组合物已经变得均勻之后，组合物被弓I出分配器组件且被弓丨向基底， 从而使膜形成在基底的表面上。基底可以为玻璃基底或其他合适的具有适于形成均勻膜的 表面的基底(如聚合物基底)。膜可以为半导体组合物。蒸气和载气组合物在被引入到分 配器组件之后可以通过过滤器，以确保该材料的固体颗粒不被引向基底。有利的是，该用于 沉积半导体材料的方法和系统提供了膜厚均勻性和颗粒结构均勻性得到改善的半导体膜。沉积系统可以包括限定处理室的壳体，在处理室中材料被沉积在基底上。基底可 以为玻璃片。壳体可以包括入口和出口。可以以任何合适的方式来加热壳体，使它的处理 室可以维持在沉积温度。分配器的温度可以为大约500摄氏度到大约1200摄氏度。在处 理过程中，可将基底加热到基底温度。基底温度可以为200摄氏度到650摄氏度。基底400 可以通过任何合适的方式来传输，如辊230或传送带，优选通过连接的电动机来驱动。例如 在第11/692，667、11/918，009和11/918，010号美国申请中描述了用于传输的系统和方法， 这些美国申请通过引用而完全包含于此。分配器可以是包括进料管和材料供应器的组件，材料供应器可以包括容纳粉末的 料斗和容纳合适的载气的载气源。粉末可以在进料管中接触载气，并且载气和粉末二者可 以被引入到分配器组件中。在载气和粉末被引入到分配器组件中之后，粉末被汽化，且与载气一起以载气和 蒸气混合的方式被引导通过分配器组件，以形成均勻的蒸气/载气组合物。然后，均勻的蒸 气/载气组合物被引出分配器组件并被引向基底。与分配器组件的为了维持材料处于气相 的温度相比，基底的温度较低，基底较低的温度使得蒸气在基底表面上冷凝并使膜沉积，沉 积的膜具有基本上均勻的厚度和基本上均勻的结构，这表明结晶均勻且基本上不存在诸如 未汽化的粉末的微粒材料。半导体蒸气脱离分配器组件的点可以与基底间隔大约0.5cm到大约5. Ocm范围内 的距离，以提供更有效的沉积。虽然可以使用更大的间隔，但会需要更低的系统压强且会因 过喷(overspraying)而导致材料浪费。另外，在邻近较高温度的分配器组件进行传输的过 程中，较小的间隔会因基底的热翘曲而产生问题。基底可以以至少大约20mm每秒到大约60mm每秒的速度通过半导体蒸气脱离分配器组件的点的附近。
在执行沉积的过程中，使用碲化镉和硫化镉作为材料取得了良好的结果。然而，应 该理解，可以使用其他的材料，包括过渡金属(IIB族)和硫族化物(VIA族)。还应该理解， 可用于形成半导体膜的另外的材料具有许多有用的用途(如光伏装置的制造)，并且可以 与这里描述的系统和方法一起来使用。另外，掺杂物可以有利于改善所得的膜的特性和沉 积。通过将处理室250真空抽吸至大约0. 1托至760托来使用处理系统执行该方法。 处理系统可以包括合适的排气泵，排气泵用于在初始阶段对壳体的处理室进行排气，并持 续地对其进行排气，从而去除载气。从源提供的载气可以为氦气，已发现氦气能够增大玻璃温度范围和压强范围，这 提供了诸如沉积密实和良好结合的膜特性。选择性地，载气可以为另一种气体，如氮气、氖 气、氩气或氪气或这些气体的组合。载气还可以包括一定量的诸如氧气或氢气的反应性气 体，这些气体可以有利地改善材料的生长特性。已经确定载气每分钟0. 3到10标准升的流 速足以向分配器组件提供用于在基底上沉积的材料流。应该认识到，具有多个料斗和多个载气源的多个材料供应器可以将载气和材料引 入到分配器组件中。为了清晰起见，示出了图1和2中示出的分配器。可以使用材料供应 器的可选实施例。例如，振动式给料器产生的振动可以使粉末从料斗递增地进入到倾斜的 通道中。以这种方式，粉末与来自载气源的载气一起被引入到进料管中。可选择地，半导体 膜可以沉积在基底的朝下的表面上。下面还描述分配器组件的各种实施例。参照分配器组件的内部部件描述分配器组 件的一个实施例。如上面所描述的，载气和材料被引入到可以包括管的分配器组件中，管可 以由莫来石形成。加热器可以由石墨或碳化硅(SiC)形成，且可以对加热器管施加电流来 电阻式地加热加热器。分配器可以包括套管，套管具有至少一个被构造为在基底上沉积半导体材料分配 孔。分配孔可以具有大约Imm到大约5mm的直径。例如，包括在分配器组件中的分配孔的 数目可以根据需要而改变，且分配孔可以以例如大约19mm到大约25mm的距离而隔开。均 勻的蒸气/载气组合物可以被引入到由石墨托架(grahite cradle)形成的喷嘴中，在蒸气 /载气组合物被引入到喷嘴中之后，将汽化的半导体沉积在下面的基底上，基底可以为玻璃 片基底。将从分配孔喷出的均勻的蒸气/气体组合物流引入到托架中，这使均勻的蒸气/ 气体组合物分散开并且进一步提高了组成、压力和速度的均勻性，从而为在下面的基底上 沉积作准备。基底与喷嘴紧邻，这通过减少材料浪费的量提高了沉积膜的效率。套管可以由莫来石形成。在蒸气和载气通过加热器管进入到套管中并处于套管内 的过程中，蒸气和载气不规律的流动可以使蒸气组分和载气持续地混合和扩散，从而形成 均勻的蒸气/载气组合物。套管的内部还可以包括用于监控分配器组件温度的热电偶套 管，热电偶套管可以由氧化铝形成且可具有大约5mm到大约IOmm的外径。均勻的蒸气/载气组合物可以被引入套管或管形套的内部，使从出口引导的蒸气 和载气流分散开，且提高蒸气和载气的组成、压力和速度的均勻性。均勻的蒸气/载气组合 物可以被导向槽口或分配孔，槽口或分配孔可以位于套管的基本上与所述出口相对的一侧 上，以为蒸气和载气提供长的且曲折的通路，从而促进蒸气/载气组合物的最充分的混合和最大的均勻性。均勻的蒸气/载气组合物可以通过分配孔被引导出外套管，并且可以沉 积在下面的基底的表面上。分配器组件可选的实施例包括可透过的加热器。粉末和载气被引入到可透过的加 热器或加热管中，可透过的加热器和加热管被电阻式地加热。电阻电路可以由管形中心电 极提供，管形中心电极可以由石墨形成。加热管可以为可透过的且可由SiC形成。另外，热 电偶套管可以容纳在加热管的内部，用来监控加热管的温度。
由电阻式加热管提供的热使粉末在加热管的内部汽化，在粉末被汽化之后，得到 的蒸气和载气透过加热管的壁且被引到围绕的套管的内部，套管可以由莫来石构成。未被 汽化的粉末没有透过加热管的壁。围绕的套筒可以设置在直径更大的外部套管的内部，管 形中心电极的一部分将围绕的套筒与外部套管分开，外部套管像围绕的套筒一样可由莫来 石形成。可通过阻塞套筒来防止蒸气和载气漏出围绕的套筒的内部，阻塞套筒可由陶瓷带 填料形成。蒸气和载气可以被引入形成在管形中心电极中的通道中。随着蒸气和载气穿过 分配器组件，特别是穿过通道，不规律的流型使蒸气和载气混合且扩散为基本上均勻的蒸 气/载气组合物。在蒸气/载气均勻组合物被引入到加热管中之后，蒸气/载气均勻组合物可以在 加热管内部且沿着加热管行进，使蒸气/载气组合物持续地再次混合。均勻的蒸气/载气 组合物通过多个出口被引出加热管且引入套管内部，出口可以为沿加热管一侧长度的一部 分以线形钻的孔。如前面的实施例，在穿过出口之后，蒸气/载气组合物被引入到套管中， 使通过所述出口引入的蒸气/载气组合物流分散且进一步促进蒸气/载气的组成、压力和 速度的均勻性。然后，蒸气/载气组合物被引向槽口或分配孔，槽口或分配孔优选地设置 在外部管形套的与所述出口基本上相对的一侧上，以使蒸气/载气组合物的通路长度最大 化，从而使蒸气/载气组合物均勻。最后，基本上均勻的蒸气/载气组合物被引出槽口或分 配孔(槽口或分配孔可沿外部管形套的整个长度而设置)并被引向下面的基底，从而膜可 以沉积在基底上。在另一个实施例中，首先，可以将粉末和载气引入到位于加热器或加热管内部的 过滤管中。加热管将过滤管加热到足以使在过滤管内部的粉末汽化的温度。可以对过滤管 进行电阻式加热，所以蒸气和载气透过过滤管并且被引入到加热管中。过滤管可以由SiC 形成。当蒸气和载气从过滤管透入加热管中时，混合的蒸气和载气通过出口被引出加热 管，出口可以是位于加热管一端附近的单个孔或开口，出口可以具有例如大约IOmm到大约 15mm的直径。可以通过出口来引导蒸气和载气，出口使得蒸气和载气在进入集流管的内部 的同时继续混合，出口可由石墨形成，出口可以具有大约75mm到大约100mm(优选为大约 86mm)的外径和大约60mm到大约80mm(优选为大约70mm)的内径。蒸气和载气在集流管内 的流动使蒸气和载气继续混合并形成均勻的蒸气/载气组合物。蒸气和载气可以从加热管 一侧上的出口引出，围绕集流管内部的加热管，被引导到多个分配孔，其中，所述多个分配 孔在集流管的一侧上沿着集流管的长度布置成行，集流管的所述一侧基本上背对加热管的 设置有钻孔的一侧。另外，热电偶套管可以设置成紧邻加热管，以监控分配器组件的温度。在另一个实施例中，另外的进料管和材料源可以分别设置在分配器组件的相对端 处。
在可选的实施例中，粉末和载气通过进料管被引入到第一加热管的内部。第一加热管可以被电阻式地加热到足以将粉末汽化的温度，并且第一加热管可以透过得到的蒸气 和载气，但是不能透过粉末。因此，任何未汽化的粉末都不能透出第一加热管的内部。第一 加热管可以由SiC形成。在粉末被汽化形成蒸气之后，蒸气和载气透过第一加热管的壁并且被引向第一加 热管和第一管形套之间的空间，第一管形套可以由莫来石、石墨或铸造陶瓷形成。管形套内 的通道使蒸气和载气混合形成均勻的蒸气/载气组合物。均勻的蒸气/载气组合物通过形 成在管形套中的空间被引向下面的基底，蒸气在基底上沉积为膜。通过示出和示例的方式提供了上面描述的实施例。应该理解，上面提供的示例在 某些方面可以改变且仍然在权利要求的范围内。应该清楚，虽然已参照上面优选的实施例 描述了本发明，但其它的实施例在权利要求的范围内。
权利要求
一种沉积系统，所述沉积系统包括分配器，被构造为在基底上提供半导体涂层；第一电源，被构造为加热所述分配器；等离子体源，紧邻所述分配器设置，所述等离子体源包括被构造为驱动所述等离子体源的电极，其中，所述电极电学地独立于所述第一电源。
2.如权利要求1所述的系统，还包括附加电极，所述附加电极被构造为相对于所述基 底偏置所述等离子体源。
3.如权利要求1所述的系统，其中，所述电极包括非金属材料。
4.如权利要求1所述的系统，其中，所述电极包括碳。
5.如权利要求1所述的系统，其中，所述电极是所述分配器上方的后盖。
6.如权利要求5所述的系统，其中，所述后盖为石墨后盖。
7.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器是包括第一套管和第二套管的一对套管。
8.如权利要求7所述的系统，其中，所述电极是在所述第一套管和所述第二套管之间 的间隔物。
9.如权利要求8所述的系统，其中，所述间隔物为石墨间隔物。
10.如权利要求5所述的系统，其中，所述电极是在所述第一套管和所述第二套管上方 的后盖。
11.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器是包括第一套管和第二套管的一对套 管，所述等离子体源包括三个彼此电隔离的石墨部件。
12.如权利要求11所述的系统，其中，所述第一石墨部件是将所述第一套管与所述第 二套管分隔开的第一间隔物，所述第二石墨部件是将所述第一套管与所述第二套管分隔开 的第二间隔物，所述第三石墨部件是在所述第一套管和所述第二套管上方的后盖。
13.如权利要求12所述的系统，还包括在所述后盖与每个所述间隔物之间的绝缘物。
14.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括至少一个被构造为在基底上提供 半导体涂层的分配孔。
15.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过直流来驱动。
16.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过交流来驱动。
17.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过脉冲直流来驱动。
18.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源通过射频电激发来驱动。
19.如权利要求1所述的系统，还包括被构造为传输所述基底以便所述基底通过所述 分配器的传送器。
20.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器位于沉积室内，所述沉积室包括入口， 将要被涂覆的基底通过所述入口被引入到所述沉积室中，所述沉积室包括出口，被涂覆的 基底通过所述出口离开所述沉积室。
21.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括陶瓷管。
22.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括莫来石管。
23.如权利要求1所述的系统，其中，所述分配器包括陶瓷套管。
24.如权利要求1所述的系统，还包括位于所述分配器内的能够透过的加热器。
25.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于10厘米的 区域中产生等离子体。
26.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于7厘米的 区域中产生等离子体。
27.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于5厘米的 区域中产生等离子体。
28.如权利要求1所述的系统，其中，所述等离子体源被构造为在距基底小于2厘米的 区域中产生等离子体。
29.—种在基底上沉积材料的方法，所述方法包括以下步骤提供第一电源，所述第一电源被构造为加热分配器，所述分配器被构造为在基底上沉 积半导体涂层；提供等离子体源，所述等离子体源包括电学地独立于所述第一电源的电极；在紧邻所述分配器的空间内激发等离子体。
30.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源还包括附加电极，所述附加电极 被构造为相对于所述基底偏置所述等离子体。
31.如权利要求29所述的方法，其中，所述电极包括非金属材料。
32.如权利要求29所述的方法，其中，所述电极包括碳。
33.如权利要求29所述的方法，其中，所述电极是所述分配器上方的后盖。
34.如权利要求33所述的方法，其中，所述后盖为石墨后盖。
35.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器包括具有第一套管和第二套管的一对套管。
36.如权利要求35所述的方法，其中，所述电极是在所述第一套管和所述第二套管之 间的间隔物。
37.如权利要求36所述的方法，其中，所述间隔物为石墨间隔物。
38.如权利要求35所述的方法，其中，所述电极是在所述第一套管和所述第二套管上 方的后盖。
39.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器包括具有第一套管和第二套管的一 对套管，所述等离子体源包括三个彼此电隔离的石墨部件。
40.如权利要求39所述的方法，其中，所述第一石墨部件是将所述第一套管和所述第 二套管分隔开的第一间隔物，所述第二石墨部件是将所述第一套管和所述第二套管分隔开 的第二间隔物，所述第三石墨部件是在所述第一套管和所述第二套管上方的后盖。
41.如权利要求40所述的方法，还包括在所述后盖与每个所述间隔物之间的绝缘物。
42.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器包括至少一个被构造为在基底上提 供半导体涂层的分配孔。
43.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源通过直流来驱动。
44.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源通过交流来驱动。
45.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源通过脉冲直流来驱动。
46.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源通过射频电激发来驱动。
47.如权利要求29所述的方法，还包括被构造为传输所述基底以便所述基底通过所述分配器的传送器。
48.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器位于沉积室内，所述沉积室包括入 口，将要被涂覆的基底通过所述入口被引入到沉积室中，所述沉积室包括出口，被涂覆的基 底通过所述出口离开所述沉积室。
49.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器包括陶瓷管。
50.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器包括莫来石管。
51.如权利要求29所述的方法，其中，所述分配器包括陶瓷套管。
52.如权利要求29所述的方法，还包括位于所述分配器内的加热器。
53.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源被构造为在距离基底小于10厘 米的区域中产生等离子体。
54.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源被构造为在距离基底小于7厘米 的区域中产生等离子体。
55.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源被构造为在距离基底小于5厘米 的区域中产生等离子体。
56.如权利要求29所述的方法，其中，所述等离子体源被构造为在距离基底小于2厘米 的区域中产生等离子体。
全文摘要
一种在基底上沉积膜的方法和设备包括紧邻分配器设置的等离子体源，分配器被构造为在基底上提供半导体涂层。
文档编号H01L21/263GK101861639SQ200980100069
公开日2010年10月13日 申请日期2009年1月13日 优先权日2008年1月15日
发明者瑞克·C·鲍威尔 申请人:第一太阳能有限公司