专利名称：环氧塑封压入式汽车整流二极管的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种汽车发电机整流组件中的一种汽车整流二极管，尤其是涉及一种环氧塑封压入式汽车整流二极管，属于电子技术领域。
背景技术：
压入式汽车整流二极管是汽车发电机的关键零部件，通过组合成整流组件，将发 电机产生的交流电转换成直流电。由于汽车整流二极管的雪崩击穿特性，当汽车发生故障 时即抛负载时能吸收故障电压，保护调节器不受损伤。在调节器失控时它能立即击穿，使发 电机不发电，起到保险丝的作用，保护车内主控器不受损伤，把恶性事故化成一般故障。现有压入式汽车整流二极管的制造方法，都是采用液态“环氧灌封胶”(Epoxy Potting Adhesive)灌封的方法封装汽车整流二极管，这种方法制造的压入式汽车整流二 极管的密封性、导热性、可靠性均受到一定程度的限制，且制造成本较高，不适合大批量制 造。图1为采用液态环氧灌封工艺方法所制造的压入式汽车整流二极管结构示意图，二极 管包括芯座1、塑料圈12、环氧灌封胶13。早在20世纪70年代，半导体器件就开始使用环氧塑料封装，特别是伴随着微电子 技术以及微电子封装技术的发展，环氧塑封料(Epoxy MoldingCompound)以其高可靠性、 低成本、制造工艺简单、适合大规模生产等特点，已占据整个微电子封装材料97%以上的市 场。现在，已经广泛应用于半导体器件、集成电路、消费电子、军事、航空等各个封装领域。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种低成本、高可靠性、适合大规模生产 的压入式汽车整流二极管。为解决上述问题，本实用新型提供了一种环氧塑封压入式汽车整流二极管，包括 芯座，其特征在于在所述芯座的芯片部分的外侧包裹一层绝缘保护胶，环氧塑封料包履于 芯座的圆柱体以上、钉头引线的引线以下部分。前述的环氧塑封压入式汽车整流二极管，其特征在于所述的芯座的下部是底座， 底座的底部为圆柱体，在圆柱体的上部中心位置是一凸台，在凸台的外侧设置碗形圆环，底 座的上部为芯片，芯片的上部为一体化钉头引线，在所述钉头引线的头部表面设有圆环形 的凹槽。本实用新型所达到的有益效果本实用新型公开的环氧塑封压入式汽车整流二极管，其密封性、导热性好、可靠性 高、成本低、工艺简单、适合大规模制造。
图1为采用液态环氧灌封工艺方法所制造的压入式汽车整流二极管结构示意图；图2为采用固态环氧塑封工艺方法所制造的压入式汽车整流二极管结构示意图；[0012]图3为采用固态环氧塑封工艺方法所制造的压入式汽车整流二极管的芯痤结构 示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步的说明。图1为采用液态环氧灌封工艺方法所制造的压入式汽车整流二极管结构示意图， 二极管包括芯座1、塑料圈12、环氧灌封胶13。图2为采用固态环氧塑封工艺方法所制造的压入式汽车整流二极管结构示意图， 图3为压入式汽车整流二极管的芯座结构示意图。所述芯座1的下部是底座，底座的底部 为圆柱体5，在圆柱体5的上部中心位置是一凸台6，在凸台6的外侧设置碗形圆环7，底座 的上部为芯片4，芯片4的上部为一体化钉头引线8，在所述钉头引线8的头部表面设有圆 环形的凹槽9。在芯座1上芯片部位包裹一层绝缘保护胶2、环氧塑封料3包履于芯座1的 圆柱体5以上、钉头引线8的引线以下部分。产品芯片的基材是半导体硅，它的一个特点是比较脆，当硅材料受到一定外力作 用和热应力作用时，容易裂开，特别是当芯片产生一定的内应力时会导致产品早期失效、可 靠性降低。以上所述结构中碗形圆环7和凹槽9的作用是在产品受到外力或热应力作用， 特别是震动力的作用时，减小环氧塑封料、引线、底座之间的相对位移，使芯片受到的应力 减小到最小，保证产品在外力或热应力作用下的可靠性。以上已以较佳实施例公开了本实用新型，然其并非用以限制本实用新型，凡采用 等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求一种环氧塑封压入式汽车整流二极管，包括芯座(1)，其特征在于在所述芯座(1)的芯片(4)部分的外侧包裹一层绝缘保护胶(2)，环氧塑封料(3)包履于芯座(1)的圆柱体(5)以上、钉头引线(8)的引线以下部分。
2.根据权利要求1所述的环氧塑封压入式汽车整流二极管，其特征在于所述的芯座 (1)的下部是底座，底座的底部为圆柱体(5)，在圆柱体(5)的上部中心位置是一凸台(6)， 在凸台(6)的外侧设置碗形圆环(7)，底座的上部为芯片(4)，芯片(4)的上部为一体化钉 头引线(8)，在所述钉头引线(8)的头部表面设有圆环形的凹槽(9)。
专利摘要本实用新型公开了一种环氧塑封压入式汽车整流二极管，包括芯座，其特征在于在所述芯座的芯片部分的外侧包裹一层绝缘保护胶，环氧塑封料包覆于芯座的圆柱体以上、钉头引线的引线以下部分。本实用新型公开的环氧塑封压入式汽车整流二极管，其密封性、导热性好、可靠性高、成本低、工艺简单、适合大规模制造。
文档编号H01L23/13GK201556616SQ20092028476
公开日2010年8月18日 申请日期2009年12月7日 优先权日2009年12月7日
发明者戴小薇, 曹榆, 韩平 申请人:昆山晨伊半导体有限公司