专利名称：用于固定晶圆的支撑物的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种用于固定晶圆的支 撑物。
背景技术：
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术， 包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。CVD的反应过程是两种或两种以 上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材 料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应 形成的。CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压 CVD (APCVD)，亚常压CVD (SACVD)，超高真空CVD (UHCVD)，等离子体增强CVD (PECVD)，高密度 等离子体CVD (HDPCVD)以及快热CVD (RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD (MOCVD)，对LPCVD来说，由于有足够的反应气体到达晶圆表面，这意味着许多片晶圆可以 密集纵向堆放，纵向堆放的晶圆数量可以达到200片左右。图1所示为现有技术中用于 LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图。其中，晶圆101纵向堆放(图中仅示出两片晶圆， 其他晶圆省略)。支撑物102包括立柱103和在立柱103纵向均勻分布的多个支架104。为 了能够叠放较多的晶圆，相邻支架104间的距离一般在10毫米以内。至少3个支撑物102 按照晶圆的轮廓合围而立，有支架的一侧朝向晶圆的圆心，晶圆101放置在相同高度的支 架104上。最初晶圆都是正面向上放置在支撑物上的。但在LPCVD过程之后对晶圆表面进行 检测发现，在晶圆正面靠近支架的表面常常会检测到很多的杂质颗粒物，对晶圆造成污染。 图2所示为现有技术中LPCVD之后晶圆表面的检测图像，图2中一共示出了三个晶圆，分别 为晶圆2-1、晶圆2-2和晶圆2-3。每个圆代表一个晶圆，圆中点代表杂质颗粒物。经分析， 这是由于晶圆在放置到支撑物或从支撑物取下时，晶圆背面不可避免地与支撑物的支架发 生摩擦产生碎屑，碎屑就掉落在下方的晶圆上。为了解决这一问题，可以将晶圆正面朝下放置，这样下落的碎屑就会掉落在晶圆 的背面，避免了污染的问题，但这样一来又会造成新的问题晶圆正面与支架直接接触的面 积会遭到破坏，这一部分就无法用来生产芯片，造成一定的产量损失。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的目的在于，提出一种用于固定晶圆的支撑物，可以减少由 于晶圆正面朝下放置导致的产量损失。本实用新型实施例提出的一种用于固定晶圆的支撑物，所述支撑物包括立柱和沿 着立柱纵向分布的多个支架，所述支架与晶圆接触的面为斜面。所述立柱上相邻支架的间距为6毫米至10毫米。所述立柱上，上一个支架的底部到下一个支架的顶部之间距离为2毫米至3. 5毫米。所述支架的斜面与支架横截面的交线是直线或曲线。所述交线的切线与水平方向的夹角大于10度且小于90度。所述交线为直线，该交线与水平方向的夹角小于45度。从以上技术方案可以看出，支撑物的支架与晶圆接触的部分为斜面，这样晶圆与 支架接触的面积大大缩小，可以减少由于晶圆正面朝下放置导致的产量损失。
图1为现有技术中的用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图；图2中的2-1至2-3为现有技术中LPCVD之后晶圆表面的检测图像；图3为本实用新型实施例的用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图。图4中的4-1至4-12分别为本实用新型实施例的支撑物的12种截面示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，
以下结合附图对本实用新型 作进一步的详细阐述。图3示出了本实用新型实施例的用于LPCVD反应室中的晶圆支撑物的示意图。其 中支撑物302的结构包括立柱303和沿着立柱303纵向分布的多个支架304。图1所示的 现有技术的支架104的形状特征是其与晶圆接触的面是水平面，而支架304与晶圆接触的 面是与水平方向成b角的斜面。这样，在本实用新型实施例中，当晶圆正面向下放置在支撑 物上时，晶圆与支架接触的部分仅仅是晶圆的外沿，接触面积与现有技术相比大大缩小，因 此可以达到减小产量损失的效果。较佳地，相邻支架的间距a为6毫米至10毫米，上一个支架的底部到下一个支架 的顶部之间距离为2毫米至3. 5毫米。支架斜面与支架横截面交线的切线与水平方向的夹 角b大于10度小于90度。如果该斜面的是平面，则该交线的切线与水平方向的夹角不应 大于45度。如图3所示的支架，其截面形状如图4左上角第一个所示为直角三角形，该三角形 的斜边401是用于放置晶圆的斜面与横截面的交线。实际上其截面形状可不限于此，用于 放置晶圆的斜面与横截面的交线可以是直线也可以是曲线。也就是说，支架与晶圆接触的 斜面不仅仅限于倾斜的平面，也可以是倾斜的曲面。该曲面可以是向外弯曲，也可以是向内 弯曲。如果所述交线是曲线的话，该曲线上任一点的切线与水平方向的夹角大于10度且小 于90度。图4中的4-1至4-12共示出了 12种不同的支架截面形状。实际本实用新型的 支撑物支架的截面形状还可以不限于此。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本 实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型 的保护范围之内。
权利要求一种用于固定晶圆的支撑物，所述支撑物包括立柱和沿着立柱纵向分布的多个支架，其特征在于，所述支架与晶圆接触的面为斜面。
2.根据权利要求1所述的支撑物，其特征在于，所述立柱上相邻支架的间距为6毫米至 10毫米。
3.根据权利要求1所述的支撑物，其特征在于，所述立柱上，上一个支架的底部到下一 个支架的顶部之间距离为2毫米至3. 5毫米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的支撑物，其特征在于，所述支架的斜面与支架横截 面的交线是直线或曲线。
5.根据权利要求4所述的支撑物，其特征在于，所述交线的切线与水平方向的夹角大 于10度且小于90度。
6.根据权利要求5所述的支撑物，其特征在于，所述交线为直线，该交线与水平方向的 夹角小于45度。
专利摘要本实用新型公开了一种用于固定晶圆的支撑物，所述支撑物包括立柱和沿着立柱纵向分布的多个支架，所述支架与晶圆接触的面为斜面。采用本实用新型方案，当晶圆正面向下放置在所述支撑物上时，晶圆与支架接触的面积相对于现有技术大大缩小，可以减少由于晶圆正面朝下放置导致的产量损失。
文档编号H01L21/683GK201758118SQ20092021342
公开日2011年3月9日 申请日期2009年12月15日 优先权日2009年12月15日
发明者王秉国, 翟立君, 赵星, 高剑鸣 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司