Sip基板的封装结构的利记博彩app

文档序号:7189441阅读:1056来源:国知局
专利名称:Sip基板的封装结构的利记博彩app
技术领域
本实用新型涉及一种系统级封装技术,具体涉及一种SIP基板的封装结构。
背景技术
随着整个系统功耗、面积、便携性以及功能的要求越来越高,怎样将多个不同功能 的电路整合在一起,对芯片的设计、制造以及封装都提出了新的要求。 片上系统(S0C)是一种解决方案,在芯片设计阶段时就将各个不同功能的IP整合 到一个芯片中。此方案对芯片的设计和制造要求较高,面市时间较长。 作为一种替代方案,出现了一种系统级封装SIP (System in package)技术,该技 术将普通PCB(电路板)作为SIP基板,根据需求,在一块PCB基板上进行布线和芯片布局 设计,先将一些被动元件通过SMT (表面贴装技术)安装到这个PCB基板上,然后再将现有 的不同功能的芯片通过类似传统封装的工艺安装、打线、塑封到一个封装中。这种在封装内 实现的系统方案,由于只是涉及到封装方式的改变,因而实现较快,整个成本较低,方案也 更加灵活,可以快速应对市场的变化。 但是不同的芯片要整合到一个封装中,对于SIP基板的设计,尤其是应力设计提 出了极高的要求。而普通的PCB是塑胶材质,与硅材料的热膨胀系数(CTE)差别较大,如果 直接将其当作传统的lead frame (引线框)进行装片(Die attach)、打线(Wire bond)、模 塑(molding)等传统封装工艺,在封装的热过程中,由于SIP基板与硅的CTE不匹配,会导 致收縮率不同,使芯片产生变形、收縮、翘曲而产生额外的机械应力,严重的将导致芯片有 微裂纹,轻的也会使某些对外部应力敏感的芯片发生失效。如flash芯片,由于应力匹配不 好,封装过程中产生的外部机械应力容易引起芯片产生裂纹或氧化层质量变差等问题,从 而发生芯片失效或者性能退化。

实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种SIP基板的封装结构,它可以低成本 地防止待安装芯片因封装应力而产生的变形失效。 为解决上述技术问题,本实用新型SIP基板的封装结构的技术解决方案为 包括SIP基板、目标芯片;所述目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片。 所述假硅片与目标芯片之间,以及假硅片与SIP基板之间,或者假硅片与假硅片
之间分别通过芯片粘接胶粘接为一体。 本实用新型可以达到的技术效果是 本实用新型通过在待安装的目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片,由 假硅片来承担封装过程中由于SIP基板与目标芯片之间热膨胀系数不匹配而产生的应力, 从而起到保护待安装的目标芯片,增强目标芯片抗外部应力的作用。以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明

图1是本实用新型SIP基板的封装结构的示意图。
图中附图标记说明 1为SIP基板, 2为目标芯片(target die), 3为芯片粘接胶, 4为假硅片(dummy silicon)。
具体实施方式如图1所示,本实用新型SIP基板的封装结构,包括SIP基板1、目标芯片(target die) 2,目标芯片2与SIP基板1之间设置一层或多层假硅片(dummy silicon) 4 ;假硅片4 与目标芯片2及SIP基板1分别通过芯片粘接胶3粘接为一体。 本实用新型通过在待安装的目标芯片2与SIP基板1之间设置一层或多层假硅片 4,由假硅片4来承担封装过程中由于SIP基板1与目标芯片2之间热膨胀系数不匹配而产 生的应力,从而起到保护待安装的目标芯片2,增强目标芯片2抗外部应力的作用。 这是由于假硅片4与目标芯片2的材料都是硅,二者的热膨胀系数相同,所以目标 芯片2几乎不受到封装过程中额外的应力。同时假硅片4本身的强度远大于SIP基板1,从 而增加了目标芯片2抵御整个SIP封装应力的能力。 假硅片4可取材于晶圆厂报废的晶圆(wafer)或者其他适合的硅材料衬底基板, 成本低廉。 本实用新型的安装过程如下 1、在SIP基板1上点芯片粘接胶3 ; 2、安装假硅片4,烘烤固定; 3、在假硅片4上再次点芯片粘接胶3 ; 4、安装目标芯片2,烘烤固定; 5、导线键合(打线),模塑,固化,标记,切割,完成产品。 本实用新型在不改变基本封装流程和工艺的前提下,能有效改善目标芯片2与 SIP基板1之间的应力匹配,并且能够增加目标芯片2的抗应力能力。
权利要求一种SIP基板的封装结构,包括SIP基板、目标芯片;其特征在于所述目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片。
2. 根据权利要求1所述的SIP基板的封装结构,其特征在于所述假硅片与目标芯片 之间,以及假硅片与SIP基板之间,或者假硅片与假硅片之间分别通过芯片粘接胶粘接为一体。
专利摘要本实用新型公开了一种SIP基板的封装结构,包括SIP基板、目标芯片;所述目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片。所述假硅片与目标芯片之间,以及假硅片与SIP基板之间,或者假硅片与假硅片之间分别通过芯片粘接胶粘接为一体。本实用新型通过在待安装的目标芯片与SIP基板之间设置一层或多层假硅片,由假硅片来承担封装过程中由于SIP基板与目标芯片之间热膨胀系数不匹配而产生的应力,从而起到保护待安装的目标芯片,增强目标芯片抗外部应力的作用。
文档编号H01L23/12GK201549489SQ20092007472
公开日2010年8月11日 申请日期2009年11月26日 优先权日2009年11月26日
发明者曾志敏, 李强, 高金德 申请人:上海华虹Nec电子有限公司
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