专利名称：发光二极管反射环以及其与基板的结合构造的利记博彩app
技术领域：
发光二极管反射环以及其与基板的结合构造技术领域：
本实用新型是有关一种发光二极管，特别是指发光二极管的基板和反射环 是陶瓷材质，用具有耐高温特性的含氧化矽成分结合剂粘结，以因应高功率发 光二极管工作温度，而且反射环内部为锥面或球面，具有较佳的反射特性。背景技术：
随着集成电路制作技术的进步，电子元件的设计与制作持续朝向细微化的趋势发展。为了因应IC制程技术微小化以及电子通信产品轻薄短小的走向，电 子元件连结在印刷电路板上的技术也由插件式演进成表面粘着式(Surface Mount Device，SMD)。常见的发光二极管结构，如附图1所示，是以发光二极管晶片(chip或die) 11设置于以BT树脂(Bismaleimide Triazine Resin)制成的基板12上，二极管晶片 (chip或die) 11的电极以导线(bonding wire)13与基板上预先设置的对外电气 连结的铜箔14连结，二极管晶片11的周围设置反射环15，最后再以树脂16将 二极管晶片11以及导线13封装。其优点是生产上能适用于大量发光二极管晶片 的封装，生产成本低；但其缺点则是树脂并不是良好的导热材料，晶片ll所产 生的高热必须依赖铜箔14来散发，这种电气通道和散热通道合为一体的封装方 弍并不适用于高功率发光的二极管晶片。为了改善上述缺点，有的企业提出了将基板和反射板当作散热槽(heat sink) 的高功率发光二极管晶片的封装结构。请参照附图2所示，其主要是利用一金属基板21的表面预先形成可电气连 接的槽道22，金属基板21的中央设置二极管晶片23，金属基板21的+端再设 置中央具有孔道的反射环24，反射环24的中央孔道241上方再设置一光学镜罩 25所构成。上述金属基板21及反射环24是使用具有高温传导但电性绝缘的金属材料。 由于金属基板21和反射环24都是金属材质，它们的间仅能使用低温树脂或性质 相近的粘结剂来相互粘结。当发光二极管的工作温度越来越高时，低温树脂等 粘结剂容易因受高热而变质，粘结性相对降低，导致基板和反射环的分离，造 成晶片的损坏。此外，如图所示，常见的反射环24，其内部中央孔道241为直 立筒状，直立反射面的反射效果差，也阻碍了光折射及散热。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术不足，提出了一种发光二极管反射环 以及其与基板的结合构造，使基板和反射环能因应高功率发光二极管的工作温 度，在高温时能保持稳固结合，不致分离。为了达到上述目的，本实用新型是这样构成的该发光二极管反射环以及其与基板的结合构造，包括 一基板、 一设于基 板上方呈环状包覆的反射环、 一设于基板上端表面的发光二极管晶片以及一设 于反射环上端的光学透镜；所述的反射环及基板的间使用含有氧化妙成分的高 温玻璃胶结合。上述的用于发光二极管反射环以及其与基板的结合构造中，所述的反 射环是陶瓷材质。上述的用于发光二极管反射环以及其与基板的结合构造中，所述的反射环 除了地面与基板的结合部位以外，其他表面是被覆有银或金的金属层。上述的用于发光二极管反射环以及其与基板的结合构造中，所述的反射环 的内表面是球面或锥面的非直立面。上述的用于发光二极管反射环以及其与基板的结合构造中，所述的基板是 陶瓷基板。上述的用于发光二极管反射环以及其与基板的结合构造中，所述的基板是 氧化铝基板或氮化铝基板。4上述的用于发光二极管反射环以及其与基板的结合构造中，所述的反射环 的内部设有中央通道，该中央通道为直管通道。该发光二极管反射环以及其与基板的结合构造，其基板和反射环间用含氧 化矽成分的结合剂粘结来因应高功率发光二极管的工作温度，使基板和反射环 在高温时能保持稳固结合。而且反射环内部为锥面或球面，能够增加发光二极 管的反射功能，减少热能的积聚，提升散热性。
图1是常见发光二极管的封装结构剖面图。图2是另一常见发光二极管的封装结构剖面图。图3是本实用新型的封装结构剖面图。图4是本实用新型另一实施例剖面图。图5是本实用新型反射环的另一实施例图。图中的标号分别为ll.发光二极管晶片12.基板13.导线H.铜箔15.反射环 16.树脂21.金属基板22.槽道23.二极管晶片24.反射环241.中央孔道25.光学镜罩3. 基板4.反射环41.金属层42.球面43.锥面5.发光二极管晶片6.光学透镜7.结合剂 8.反射环81.直管通道具体实施方式.现结合附图与实施例来说明本实用新型。 '本实用新型发光二极管反射环以及其与基板的结合构造，如附图3所示， 该发光二极管，包括 一氧化铝基板3、 一设于氧化铝基板3上方的反射环4、 一设于基板上端表面的发光二极管晶片5、以及一设于反射环上端的光学透镜6。如图所示，反射环4是氧化铝等陶党材质，其和氧化铝基板3的间是以耐 高温的含氧化矽成分的结合剂7 (如高温玻璃胶)结合，借此可以因应高功率发 光二极管的高温环境。如图所示，上述的反射环4，除了底面与基板3的结合部位外，其他表面是被覆银、金等金属层41,其内表面为球面42,可增加发光二极管的反射性能。 请参照附图4所示，该反射环4,其内表面又可以是锥面43非直立面。 借由上述的构成，由于基板3和反射环4是氧化铝陶瓷材质结合，能使用具有耐高温特性的高温玻璃胶等结合剂粘结。透过反射环4的内表面改为球面或锥面，能增加发光二极管射出光线的反射效能，减少热能的积聚，提升散热性。附图5是本实用新型发光二极管反射环以及其与基板的结合构造，其反射环的另一实施例，如困所示，由于反射环8是陶瓷材质，可直接令其内部中央通道为直管通道81，直接切割即可粘结于基板上使用，无需再对反射环内壁进行二次加工。以上所述是本实用新型较佳具体的实施例，依本实用新型的构想所作的改 变，所产生的功能作用，如果仍未超出说明书与图示所涵盖范围，均应在本实 用新型的范周内。
权利要求1.一种发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，该发光二极管，包括一基板、一设于基板上方呈环状包覆的反射环、一设于基板上端表面的发光二极管晶片以及一设于反射环上端的光学透镜；其特征在于所述的反射环及基板之间是使用高温玻璃胶结合的。
2. 如权利要求1所述的发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，其中反 射环是陶瓷材质。
3. 如权利要求1或2所述的发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，其中反射环除了地面与基板的结合部位以外，其他表面是被覆有银或金的金属层。
4. 如权利要求1或2所述的发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，其 中反射环的内表面是球面或锥面的非直立面。
5. 如权利要求1所述的发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，其中基 板是陶瓷基板。
6. 如权利要求1所述的发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，其中基 板是氧化铝基板或氮化铝基板。
7. 如权利要求2所述的发光二极管反射环以及其与基板之结合构造，其中反 射环的内部设有中央通道，该中央通道为直管通道。
专利摘要一种发光二极管反射环以及其与基板的结合构造，在基板的板面设有与印刷电路板连接的接脚，基板的上端设置二极管晶片，二极管晶片的外围设置一反射环；其特征在于所述的基板和反射环是陶瓷材质，陶瓷基板和陶瓷反射环的间，以含氧化矽成分的结合剂粘结来因应高功率发光二极管的工作温度，使基板和反射环在高温时能保持稳固结合，不致分离。
文档编号H01L33/00GK201407516SQ20092006743
公开日2010年2月17日 申请日期2009年1月23日 优先权日2009年1月23日
发明者吴颖昌, 曾国书, 李威昌 申请人:九豪精密陶瓷(昆山)有限公司