专利名称：晶圆传送装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属于半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆传送装置。 背景技木
在半导体铜(Cu)布线工艺中，为了进行铜薄膜的电镀，首先需要通过物 理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)制程在半导体晶圆的氧化硅层上 生长出阻挡层，其成分比如是钽(Ta);然后需要在阻挡层上同样以PVD制程 沉积一层薄的铜籽晶层，然后再在Cu籽晶层上以电化学电镀(Electrical Chemical Plating, ECP)方法来生长出一层期望厚皮的Cu薄膜层。
在电化学镀铜过程中，首先将晶圆放置在电镀槽中与电镀液反应。其中， 晶圆是呈片状的晶片。然后，通过晶圆清洗及晶圆边缘快速去除工艺(Clean & EBR process)对晶圓进行处理。最后，需要将该晶圆通过晶圆转送装置运到退 火反应室。
现有的晶圆转送装置是由塑料制成。请参见图1,该晶圓转送装置包括一个 用于放置晶圓l，的空腔，所述空腔是一个开口向上、底面呈圆形的凹槽，且其 四周槽壁2，均竖直设置，即与底面相垂直。
由于现在通常采用机械自动化流水线生产，晶圆在从电镀槽到晶圓转送装
置的移送过程中可能会产生移位，例如晶圓r的一部分架在槽顶上，而没有放 置在空腔的正确位置，请参见图2，晶圆探测器一旦没有探测到晶圆r,就会发 出警报。接着，锁定装置也将被触发，工艺线上的所有晶圓r将因此停顿下来， 进而容易引发这些晶圓r在一起碰撞甚至碰碎。而且，这些晶圓r由于过长时 间停留在潮湿的酸性环境中，容易被侵蚀损坏。基于上述这些原因，晶圓的被 废弃比例非常高，生产成本骤升
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆传送装置，不仅结构简单、使用方便， 而且晶圆可以借助自身的重力自动调整到晶圓传送装置的正确位置。
为了达到上述的目的，本实用新型提供一种晶圓传送装置，包括一个用于 放置晶圆的空腔，所述空腔是一个开口向上的凹槽，所述凹槽具有向外且斜向 上延伸的槽壁面。
在上述的晶圆传送装置中，所述槽壁面在所述凹槽的纵剖面中为直线。 在上述的晶圓传送装置中，所述槽壁面在所述凹槽的纵剖面中为曲线。所 述曲线可以为上凹曲线或下凹曲线。
在上述的晶圓传送装置中，所述槽壁面与水平面的夹角为5-60°。进一步， 所迷槽壁面与水平面的夹角为30°。
在上述的晶圓传送装置中，所述晶圓传送装置由塑料制成。 本实用新型的晶圓传送装置通过将放置晶圓的空腔设置具有所述向外且斜 向上延伸的槽壁面的凹槽，4吏得当晶圆没有》文置在晶圓传送装置的正确位置时， 晶圆可以通过自身的重力自动下滑调整到空腔的正确位置，避免了由于晶圓位 置放置不正确，触发警报器及锁定装置，使得整个工艺生产线停顿。因而，有 效避免了晶圆由于生产线突然停顿而引发的碰撞。同时也可以有效避免晶圓由 于过长时间处在潮湿的酸性环境中易被侵蚀的风险。因此，提高了生产线的效 率，有效减少了晶圆的不合格率，降低了生产成本。
本实用新型的晶圆传送装置由以下的实施例及附图给出。 图l是现有的晶圆传送装置当晶圆正确;故置时的结构示意图； 图2是现有的晶圆传送装置当晶圆错误放置时的结构示意图； 图3是本实用新型具有曲线槽壁面(上凹曲线)的晶圆传送装置晶圆的结 构示意图4是本实用新型具有曲线槽壁面(下凹曲线)的晶圓传送装置晶圆的结 构示意图5是本实用新型具有直线槽壁面的晶圆传送装置晶圆的结构示意图； 图6是本实用新型晶圆传送装置当晶圓错误放置时的结构示意图；图中，1，， l-晶圆； 2，， 2-槽壁面。
具体实施方式
以下将对本实用新型的晶圆传送装置作进一步的详细描述。
请参见图3，本实用新型提供一种晶圆传送装置，包括一个用于放置晶圓l 的空腔，所述空腔是一个开口向上的凹槽，所述凹槽的4黄截面为圓形，所述凹 槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面2,这种槽壁面区別于现有的竖直向上的槽壁 面。当晶圆1没用;^丈置在晶圆传送装置的正确位置时，晶圓1可以借助该向外 且斜向上延伸的槽壁面2,利用自身重力作用自动调整到正确的位置。
本实施例中，所述凹槽的纵剖面呈上宽下窄的碗状，请参见图3，所述槽壁 面2在该纵剖面中为上凹曲线。所述曲线也可以为下凹曲线，请参见图4。当然， 所述凹槽的纵剖面也可以是呈上宽下窄的梯形，请参见图5，其中，槽壁面在该 纵剖面中为直线。这种结构加工更加方便。当晶圆1没用放置在晶圆传送装置 的正确位置时，可以方便晶圆l通过自身重力作用自动调整到正确的位置。
在上述的晶圆传送装置中，所述槽壁面2与水平面的夹角可以为5-60°。本 实施例中，所述槽壁面2与水平面的夹角为30°。 '在上述的晶圆传送装置中，所述晶圆传送装置由塑料制成。
本实用新型是这样工作的
首先将晶圆放置在电镀槽中与电镀液反应。此中，晶圆是呈片状的晶片。 然后，通过晶圆清洗及晶圆边缘快速去除工艺(Clean&EBRprocess )对晶圆进 行处理。最后，需要将该晶圆通过晶圆转送装置运到退火反应室。由于现在通 常采用机械自动化流水线生产，晶圆在从电镀槽到晶圆转送装置的移送过程中 可能会产生移位。在转运的过程中， 一旦晶圆1没有放置在晶圓转送装置的正 确位置，请参见图6，由于本实用新型的晶圓传送装置的放置晶圆1的空腔凹槽 具有向外且斜向上延伸的槽壁面2,使得当晶圓1没有放置在晶圓传送装置的正 确位置时，晶圆1可以通过自身的重力自动下滑调整到空腔的正确位置，避免 了现有技术中如图2所示的晶圆l，一端被架起的情况，从而避免了由于晶圆1 位置放置不正确，触发警报器及锁定装置，使得整个工艺生产线停顿。因而， 有效避免了晶圆由于生产线突然停顿而引发的碰:撞。同时也可以有效避免晶圆
5由于过长时间处在潮湿的酸性环境中易被侵蚀的风险。因此，有效减少了晶圆 的不合格率，降低了生产成本，提高了生产线的效率。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明 所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各 种的更动与润饰。因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求1、一种晶圆传送装置，包括一个用于放置晶圆的空腔，所述空腔是一个开口向上的凹槽，其特征在于所述凹槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面。
2、 如权利要求l所述的晶圓传送装置，其特征在于所述槽壁面在所述凹 槽的纵剖面中为直线。
3、 如权利要求l所述的晶圓传送装置，其特征在于所述槽壁面在所述凹 槽的纵剖面中为曲线。
4、 如权利要求3所述的晶圆传送装置，其特征在于所述曲线为上凹曲线 或下凹曲线。
5、 如权利要求2-4中任意一项所述的晶圆传送装置，其特征在于所述槽 壁面与水平面的夹角为5-60°。
6、 如权利要求5所述的晶圓传送装置，其特征在于所述槽壁面与水平面 的夹角为30°。
7、 如权利要求l所述的晶圓传送装置，其特征在于所述晶圓传送装置由 塑料制成。
专利摘要本实用新型公开了一种晶圆传送装置，包括一个用于放置晶圆的空腔，所述空腔是一个开口向上的凹槽，所述凹槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面。本实用新型的晶圆传送装置通过将放置晶圆的空腔设置具有所述向外且斜向上延伸的槽壁面的凹槽，使得当晶圆没有放置在晶圆传送装置的正确位置时，晶圆可以通过自身的重力自动下滑调整到空腔的正确位置，避免了由于晶圆位置放置不正确，触发警报器及锁定装置，使得整个工艺生产线停顿。因而，有效避免了晶圆由于生产线突然停顿而引发的碰撞。同时也可避免晶圆由于过长时间处在潮湿的酸性环境中易被侵蚀的风险。因此，提高了生产线的效率，减少了晶圆的不合格率，降低了生产成本。
文档编号H01L21/768GK201364889SQ200920067200
公开日2009年12月16日 申请日期2009年1月20日 优先权日2009年1月20日
发明者任存生, 刘志鹏, 凡 夏, 陈勇志 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司