专利名称：氮化镓基大功率芯片散热结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及大功率芯片技术领域，尤其涉及一种散热效果好的氮化镓基大功
率芯片侧面出光结构。
背景技术：
现有的氮化镓(GaN)基大功率芯片，包括三氧化二铝(A1203)衬底层和氮化镓外延 层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型 氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，P电极金丝焊接在P型氮化 镓子层，N电极金丝焊接在N型氮化镓子层，三氧化二铝衬底层本身不导电，导热能力差，现 有的氮化镓基大功率芯片散热效果不好，影响芯片的使用寿命。
实用新型内容本实用新型提供一种散热效果好的氮化镓基大功率芯片侧面出光结构。 氮化镓基大功率芯片散热结构，包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓
外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子
层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热
金属层。 其中，散热金属层通过导电金属块与N型氮化镓子层连接。 其中，P电极金丝焊接在P型氮化镓子层。 其中，P型氮化镓子层上面设置有透明导电层，P电极金丝焊接在透明导电层。 其中，透明导电层通过一次性蒸镀固定在P型氮化镓子层的上面。 其中，散热金属层通过一次性蒸镀固定在三氧化二铝衬底层的下面。 其中，导电金属块通过一次性蒸镀固定在三氧化二铝衬底层的侧面。 从以上的技术方案可以看出，本实用新型包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延
层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型
氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，三氧化二铝衬底层的下面设
置有散热金属层。本实用新型增加散热金属层，可将氮化镓基大功率芯片产生的热量快速
散发出去，散热效果好，可延长芯片的使用寿命。 进一步，本技术方案的散热金属层通过导电金属块与N型氮化镓子层连接。相对 于现有技术中的P电极金丝焊接在P型氮化镓子层，N电极金丝焊接在N型氮化镓子层，本 技术方案不需要焊接N电极金丝，散热金属层和导电金属块即可作为N电极，本实用新型可 降低制造成本，降低产品不良率。
图1为本实用新型实施例一的结构示意图； 图2为图1中AA的剖视图；[0015] 图3为图1的分解示意图； 图4为本实用新型实施例二的结构示意图； 图5为图4的分解示意图。
具体实施方式实施例一 参见图1图2图3。氮化镓基大功率芯片散热结构，包括三氧化二铝衬底层14和 氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层14的上面，氮化镓外延层由P型氮 化镓子层12和N型氮化镓子层13组成，P型氮化镓子层12位于N型氮化镓子层13的上 方，三氧化二铝衬底层14的下面设置有散热金属层16。 本实用新型增加散热金属层16，可将氮化镓基大功率芯片产生的热量快速散发出 去，散热效果好，可延长芯片的使用寿命。 本实施例中，散热金属层16通过导电金属块15与N型氮化镓子层13连接。相对 于现有技术中的P电极金丝10焊接在P型氮化镓子层12， N电极金丝焊接在N型氮化镓子 层13，本技术方案不需要焊接N电极金丝，散热金属层16和导电金属块15即可作为N电 极，本实用新型可降低制造成本，降低产品不良率。 本实施例中，P型氮化镓子层12上面设置有透明导电层ll(ITO) ，P电极金丝10焊 接在透明导电层ll。透明导电层ll可使得P型氮化镓子层12导电均匀。透明导电层ll 通过一次性蒸镀固定在P型氮化镓子层12的上面。当然，也可不设置透明导电层11， P电 极金丝10直接焊接在P型氮化镓子层12，降低制造成本。 上述散热金属层16通过一次性蒸镀固定在三氧化二铝衬底层14的下面；导电金 属块15通过一次性蒸镀固定在三氧化二铝衬底层14的侧面。实际生产中，一次蒸镀可同 时产生散热金属层16和导电金属块15。散热金属层16和导电金属块15的材料可为铜或 铝。 参见图1。本实施例中，在相邻的两块氮化镓基大功率芯片的中间打一个圆孔，每 块氮化镓基大功率芯片的边缘各占半个圆孔，然后在这半个圆孔中进行蒸镀形成导电金属 块15，导电金属块15呈半圆状或半圆环状。 需要说明的是，为降低生产成本，也可在相邻的四块氮化镓基大功率芯片的中间 打一个圆孔，即每块氮化镓基大功率芯片各占四分之一个圆孔，然后在四分之一个圆孔中 进行蒸镀形成导电金属块15。 实施例二 参见图4图5。本实施例与实施例一不同之处在于，在相邻的两块氮化镓基大功率 芯片的中间打一条槽，然后，然后在这条槽中进行蒸镀形成导电金属块15，导电金属块15 呈条状；其达到的技术效果与实施例一相同。 以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实 用新型的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为 对本实用新型的限制。
权利要求氮化镓基大功率芯片散热结构，包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，其特征在于，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层。
2. 根据权利要求书l所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述散热金 属层通过导电金属块与N型氮化镓子层连接。
3. 根据权利要求书2所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，P电极金丝焊 接在所述P型氮化镓子层。
4. 根据权利要求书2所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述P型氮化 镓子层上面设置有透明导电层，P电极金丝焊接在透明导电层。
5. 根据权利要求书4所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述透明导 电层通过一次性蒸镀固定在所述P型氮化镓子层的上面。
6. 根据权利要求书2至5任意一项所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于， 所述散热金属层通过一次性蒸镀固定在所述三氧化二铝衬底层的下面。
7. 根据权利要求书6所述的氮化镓基大功率芯片散热结构，其特征在于，所述导电金 属块通过一次性蒸镀固定在所述三氧化二铝衬底层的侧面。
专利摘要本实用新型公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，涉及大功率芯片技术领域；本实用新型包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方，三氧化二铝衬底层的下面设置有散热金属层；本实用新型增加散热金属层，可将氮化镓基大功率芯片产生的热量快速散发出去，散热效果好，可延长芯片的使用寿命。
文档编号H01S5/32GK201438472SQ200920060270
公开日2010年4月14日 申请日期2009年7月10日 优先权日2009年7月10日
发明者张珠文, 李宏彦, 王维昀, 袁富胜 申请人:东莞市福地电子材料有限公司