半导体芯片组体的利记博彩app

专利名称：半导体芯片组体的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种半导体芯片组体，尤指一种适用于高功率半导体组件，特别指由 半导体组件、基板、黏着层及散热座组成的半导体芯片组体。
背景技术：
诸如经封装与未经封装的半导体芯片等半导体组件可提供高电压、高频率及高效 能的应用；该些应用为执行特定功能，故所需消耗的功率甚高，然功率愈高则半导体组件生 热愈多。此外，在封装密度提高及尺寸缩减后，可供散热的表面积亦缩小，更导致产热加剧。半导体组件在高温操作下易产生效能衰退及使用寿命缩短等问题，甚至可能立即 故障。高热不仅影响芯片效能，亦可能因热膨胀不匹配而对芯片及其周遭组件产生热应力 作用。因此，必须使芯片迅速有效散热方能确保其操作效率与可靠度。一条高导热性路径 通常将热能传导并发散至一表面积较芯片或芯片所在的晶粒座更大的区域。发光二极管(Light Emitting Diode,LED)近来已普遍成为白炽光源、荧光光源及 卤素光源的替代光源。LED可为医疗、军事、招牌、讯号、航空、航海、车辆、可携式设备、商用 及住家照明等应用领域提供高能源效率及低成本的长时间照明。例如，LED可为灯具、手电 筒、车头灯、探照灯、交通号志灯及显示器等设备提供光源。LED中的高功率芯片在提供高亮度输出的同时亦产生大量热能。然而，在高温操作 下，LED会发生色偏、亮度降低、使用寿命缩短及立即故障等问题。此外，LED在散热方面有 其限制，进而影响其光输出与可靠度。因此，LED格外突显市场对于具有良好散热效果的高 功率芯片的需求。LED封装体通常包含一 LED芯片、一基座、一电接点及一热接点。其中该基座热连 结至该LED芯片并用以支撑该LED芯片；该电接点则电性连结至该LED芯片的阳极与阴极； 以及该热接点经由该基座热连结至该LED芯片，其下方载具可充分散热以预防该LED芯片 过热。业界积极以各种设计及制造技术投入高功率芯片封装体与导热板的研发，以期在 此极度成本竞争的环境中满足效能需求。塑料球栅数组(Plastic Ball Grid Array, PBGA)封装是将一芯片与一层压基板 包裹于一塑料外壳中，然后再以锡球黏附于一印刷电路板(Printed Circuit Board, PCB) 之上。其中该层压基板包含一通常由玻璃纤维构成的介电层，且该芯片产生的热能可经由 此塑料及介电层传至锡球，进而传至该印刷电路板。然而，由于塑料与介电层的导热性低， 因此PBGA的散热效果不佳。方形扁平无引脚(Quad Flat No-lead,QFN)封装是将芯片设置在一焊接于印刷电 路板的铜质晶粒座上。该芯片产生的热能可经由此晶粒座传至该印刷电路板。然而，由于 其导线架中介层的路由能力有限，使得QFN封装无法适用于高输入/输出(I/O)芯片或被 动组件。导热板为半导体组件提供电性路由、热管理与机械性支撑等功能。导热板通常包含一用于讯号路由的基板、一提供热去除功能的散热座或散热装置、一可供电性连结至半 导体组件的焊垫，以及一可供电性连结至下一层组体的端子。其中该基板可为一具有单层 或多层路由电路系统及一或多层介电层的层压结构；该散热座可为一金属基座、金属块或 埋设金属层。导热板接合下一层组体。例如，下一层组体可为一具有印刷电路板及散热装置的 灯座。在此范例中，一 LED封装体安设于导热板上，该导热板则安设于散热装置上，导热板 /散热装置次组体与印刷电路板又安设于灯座中。其中，该导热板经由导线电性连结至该 印刷电路板。藉此，该基板可将电讯号自该印刷电路板导向该LED封装体，而该散热座则将 该LED封装体的热能发散并传递至该散热装置。因此，该导热板可为LED芯片提供一重要 的热路径。授予Juskey等人的第6，507，102号美国专利揭示一种组体，其中一由玻璃纤维与 固化的热固性树脂所构成的复合基板包含一中央开口，并具有一类似该中央开口正方或长 方形状的散热块黏附于该中央开口侧壁因而与该基板结合，且于该基板顶部及底部分别黏 附有上、下导电层，并透过贯穿该基板的电镀导孔互为电性连结。再者，另有一芯片设置于 该散热块上并打线接合至上导电层，且具有一封装材料模设成形于该芯片上，而下导电层 则设有锡球。当上述专利案于制造时，该基板原为一置于下导电层上的乙阶(B-stage)树脂胶 片。该散热块插设于该中央开口，因而位于下导电层上，并与该基板以一间隙相隔，而该上 导电层则设于该基板上。待该上、下导电层经加热及彼此压合后，使树脂熔化并流入前述间 隙中固化，该上、下导电层即形成图案，因而在该基板上形成电路布线，并使树脂溢料显露 于该散热块上。接着去除树脂溢料，俾使该散热块露出，最后再将芯片安置于该散热块上并 进行打线接合与封装。因此，上述芯片产生的热能可经由该散热块传至该印刷电路板。然而，当在大批量 生产时，以手工方式将该散热块放置于该中央开口内的作业极为费工，且成本高昂。再者， 由于侧向的安装容差小，该散热块不易精确定位于该中央开口中，导致该基板与该散热块 之间易出现间隙以及打线不均的情形。如此一来，该基板仅部分黏附于该散热块，既无法自 散热块获得足够的支撑力，并且容易脱层。此外，用于去除部分导电层以显露树脂溢料的化 学蚀刻液亦将去除部分未被树脂溢料覆盖的散热块，致使散热块不平且不易结合，最终导 致组体的合格率偏低、可靠度不足且成本过高等缺点。授予Ding等人的第6，528，882号美国专利所揭露的一种高散热球栅数组封装体， 其基板包含一金属芯层，而芯片则安置于该金属芯层顶面的晶粒座区域。其中，于该金属芯 层的底面形成有一绝缘层，并有盲孔贯穿该绝缘层直通该金属芯层，且孔内填有散热锡球， 而在该基板上并另设有与该散热锡球相对应的锡球。藉此使芯片产生的热能可经由该金属 芯层流向该散热锡球，再流向印刷电路板；然而，夹设于该金属芯层与该印刷电路板间的绝 缘层却对流向该印刷电路板的热流造成限制。授予Lee等人的第6，670，219号美国专利乃教示一种凹槽向下球栅数组(Cavity DownBall Grid Array，⑶BGA)封装体，其中一具有中央开口的接地板设置于一散热座上 以构成一散热基板，且于该散热座上由该接地板的中央开口所形成的一凹槽内安装有一芯 片，并透过一具有中央开口的黏着层设置一具有中央开口的基板于该接地板上，而该基板
6上则设有锡球。然而，由于该锡球位于该基板上，该散热座并无法接触印刷电路板，导致该 散热座的散热作用仅限热对流而非热传导，因而大幅限缩其散热效果。授予Woodall等人的第7，038，311号美国专利提供一种高散热BGA封装体，其散 热装置为倒T形且包含一柱部与一宽基底。其中一设有窗型开口的基板安置于该宽基底 上，一黏着层则将该柱部与该宽基底黏附于该基板；一芯片安置于该柱部上并打线接合至 该基板，一封装材料模制成形于该芯片上，该基板上则设有锡球。于其中，该柱部延伸穿过 该窗型开口，并由该宽基底支撑该基板，至于该锡球则位于该宽基底与该基板周缘之间。藉 此，上述芯片产生的热能可经由该柱部传至该宽基底，再传至印刷电路板；然而，由于该宽 基底上必须留有容纳该锡球的空间，该宽基底仅在对应于中央窗口与最内部锡球之间的位 置突伸于该基板下方。如此一来，该基板在制造过程中便不平衡，且容易晃动及弯曲，进而 导致该芯片的安装、打线接合以及封装材料的模制成形均十分困难。此外，该宽基底可能因 封装材料的模制成形而弯折，且一旦锡球崩塌，便可能使该封装体无法焊接至下一层组体。 是以，此封装体的合格率偏低、可靠度不足且成本过高。授予Erchak等人的美国专利申请公开案第2007/(^67642号乃提出一种发光装置 组体，其中一倒T形的基座包含一基板、一突出部及一具有通孔的绝缘层，该绝缘层上并设 有电接点。其中一具有通孔与透明上盖的封装体设置于该电接点上；一 LED芯片设置于该 突出部并以打线连接该基板，且该突出部邻接该基板并延伸穿过该绝缘层与该封装体上的 通孔，进入封装体内。并且，该绝缘层设置于该基板上，且该绝缘层上设有电接点，而该封装 体设置于该等电接点上并与该绝缘层保持间距。藉此，该芯片产生的热能可经由该突出部 传至该基板，进而到达一散热装置；然而，该等电接点不易设置于该绝缘层上，难以与下一 层组体电性连结，且无法提供多层路由。现有封装体与导热板具有重大缺点。举例而言，诸如环氧树脂等低导热性的电绝 缘材料对散热效果造成限制；然而，以陶瓷或碳化硅填充的环氧树脂等具有较高导热性的 电绝缘材料则具有黏着性低且量产成本过高的缺点，致使该电绝缘材料可能在制作过程中 或在操作初期即因受热而脱层。该基板若为单层电路系统则路由能力有限，但若该基板为 多层电路系统，则其过厚的介电层将降低散热效果。此外，前案技术尚有散热座效能不足、 体积过大或不易热连结至下一层组体等问题，且前案技术的制造工序亦不适于低成本的批 量作业。有鉴于现有高功率半导体组件封装体及导热板的种种发展情形及相关限制，故， 一般现有者无法符合使用者于实际使用时供业界所需的一种具成本效益、效能可靠、适于 批量生产、多功能、可灵活调整讯号路由且具有优异散热性的半导体芯片组体。

发明内容
本发明主要目的在于，克服已知技艺所遭遇的上述问题并提供一种具成本效益、 效能可靠、适于批量生产、多功能、可灵活调整讯号路由且具有优异散热性的半导体芯片组 体。为达以上目的，本发明所采用的第一种技术方案为一种半导体芯片组体，用于提 供垂直讯号路由，其包括一黏着层，至少具有一开口；
一散热座，至少包含一凸柱及一基座，其中该凸柱邻接该基座并沿一向上方向延 伸于该基座上方，而该基座沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方，并沿垂 直于该向上及向下方向的侧面方向从该凸柱侧向延伸；一基板，设置于该黏着层上并延伸于该基座上方，其至少包含一焊垫、一路由线、 一第一导电孔及一介电层，其中该焊垫延伸于该介电层上方，该路由线延伸于该介电层下 方并埋设于该黏着层中，以及该第一导电孔延伸贯穿该介电层至该路由线，且有一通孔延 伸贯穿该基板；一第二导电孔，延伸贯穿该黏着层至该路由线；—端子，延伸于该黏着层下方；一半导体组件，位于该凸柱上方并重叠于该凸柱，抑或位于该凸柱下方并被该凸 柱重叠，该半导体组件电性连结至该焊垫与该端子，并热连结至该凸柱与该基座；以及上述凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔以达该介电层上方，该基座则延伸于该黏着 层及该基板下方，并由该第一导电孔、该路由线及该第二导电孔构成一位于该焊垫与该端 子间的导电路径，其中该黏着层设置于该基座上，并于该基座上方延伸进入该通孔内一位 于该凸柱与该基板间的缺口，于该缺口中延伸跨越该介电层，并介于该凸柱与该介电层之 间、以及该基座与该基板之间。该半导体组件为一半导体芯片，其延伸于该凸柱上方，重叠于该凸柱，并电性连结 至该焊垫，从而电性连结至该端子，且该半导体芯片热连结至该凸柱，从而热连结至该基座。该半导体组件为一半导体芯片，利用一固晶材料设置于该散热座上，经由一打线 电性连结至该焊垫，并经由该固晶材料热连结至该凸柱。该黏着层在该缺口中接触该凸柱与该介电层，并在该缺口之外接触该基座、该介 电层、该路由线、该第二导电孔与该端子。该黏着层在该等侧面方向覆盖且环绕该凸柱。该黏着层填满该缺口。该黏着层填满该基座与该基板间的一空间。该黏着层重叠于该端子。该黏着层延伸至该组体的外围边缘。该凸柱与该基座一体成形。该凸柱与该黏着层于该介电层上方处于同一平面。该凸柱为平顶锥柱形，其直径自该基座至该凸柱的平坦顶部呈向上递减。该基座与该端子于该黏着层下方处于同一平面。该基座从下方覆盖该凸柱，支撑该基板，且与该组体的外围边缘保持距离。该基板与该凸柱及该基座保持距离。该基板为一层压结构。该散热座至少包含一盖体，位于该凸柱的一顶部上方，邻接该凸柱的顶部并从上 方覆盖，同时沿该等侧面方向自该凸柱的顶部侧向延伸。该盖体为矩形或正方形，且该凸柱的顶部为圆形。该散热座至少包含一盖体，且该盖体与该焊垫于该介电层上方处于同一平面。
该散热座的材质为铜。为达以上目的，本发明所采用的第二种技术方案为一种半导体芯片组体，用于提 供垂直讯号路由，其包括一黏着层，至少具有一开口；一散热座，至少包含一凸柱、一基座及一盖体，其中该凸柱邻接该基座并与该基座 一体成形，且该凸柱沿一向上方向延伸于该基座上方，并使该基座与该盖体形成热连结，该 基座沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方，并沿垂直于该向上及向下方向 的侧面方向自该凸柱侧向延伸，该盖体位于该凸柱的一顶部上方，邻接该凸柱的顶部并从 上方覆盖，同时沿该等侧面方向自该凸柱的顶部侧向延伸；一基板，设置于该黏着层上并延伸于该基座上方，其至少包含一第一与第二导电 层、一第一导电孔及一介电层，其中该第一导电层接触该介电层且延伸于该介电层上方，该 第二导电层接触该介电层且延伸于该介电层下方并埋设于该黏着层中，且具有一焊垫包含 在该第一导电层的一选定部分，该焊垫接触该介电层并延伸于该介电层上方，以及具有一 路由线包含在该第二导电层的一选定部分，该路由线接触该介电层并延伸于该介电层下 方，而该第一导电孔则接触且延伸贯穿该第一导电层与该路由线间的介电层，且有一通孔 延伸贯穿该基板；一第二导电孔，接触并延伸贯穿该黏着层至该路由线；一端子，接触并延伸于该黏着层下方；一半导体芯片，设置于该盖体上，重叠于该凸柱，并电性连结至该焊垫，从而电性 连结至该端子，且该半导体芯片热连结至该盖体，从而热连结至该基座；以及上述凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔以达该介电层上方，该基座则沿该向下方向 延伸于该半导体芯片、该黏着层及该基板下方，且从下方覆盖该半导体芯片与该凸柱并支 撑该基板，由该第一导电孔、该路由线及该第二导电孔构成一位于该焊垫与该端子间的导 电路径，其中该黏着层设置于该基座上，并于该基座上方延伸进入该通孔内一位于该凸柱 与该基板间的缺口，于该缺口中延伸跨越该介电层，并于该缺口内介于该凸柱与该介电层 之间，于该缺口外则介于该基座与该基板之间，该黏着层更沿该等侧面方向覆盖且环绕该 凸柱，并延伸至该组体的外围边缘。该半导体芯片利用一固晶材料设置于该盖体上，经由一打线电性连结至该焊垫， 并经由该固晶材料热连结至该盖体。该基板与该凸柱及该基座保持距离，由该黏着层填满该缺口以及该基座与该基板 间的一空间，并使该黏着层被限制于该散热座与该基板间的一空间内。该凸柱的顶部为圆形，且其上的盖体为矩形或正方形，该凸柱为平顶锥柱形，其直 径自该基座至该盖体呈向上递减。该凸柱与该黏着层以及该盖体与该焊垫皆于该介电层上方共处同一平面，而该基 座与该端子则于该黏着层下方共处同一平面，且该散热座的材质为铜。本发明还提供了一种制作半导体芯片组体的方法，其包含提供一凸柱及一基座； 设置一黏着层于该基座上，并将该凸柱插入该黏着层的一开口 ；设置一基板于该黏着层上， 并将该凸柱插入该基板的一通孔，因而在该通孔内形成一介于该凸柱与该基板间的缺口 ； 使该黏着层向上流入该缺口 ；固化该黏着层；设置一半导体组件于一散热座上，其中该散热座至少包含该凸柱及该基座；电性连结该半导体组件至该基板与一位于该黏着层下方的 端子；以及热连结该半导体组件至该散热座。上述基板至少包含一第一及第二导电层与位 于其间的一介电层，藉此使该组体可提供垂直讯号路由。本发明还提供了另一种制作半导体芯片组体的方法，包含下列步骤(Al)提供一凸柱、一基座、一黏着层以及一基板，其中该基板至少包含一第一导电 层、一第二导电层及一位于其间的介电层；该凸柱邻接该基座，沿一向上方向延伸于该基座 上方，延伸贯通该黏着层的一开口，并延伸进入该基板的一通孔；该基座沿一与该向上方向 相反的向下方向延伸于该凸柱下方，并沿垂直于该向上及向下方向的侧面方向自该凸柱侧 向延伸而出；该黏着层设置该基座上，延伸于该基座上方，并位于该基座与该基板之间，且 未固化；该基板设置于该黏着层上，延伸于该黏着层上方，于其中该第一导电层系延伸于该 介电层上方，该介电层延伸于该第二导电层上方；以及一缺口位于该通孔内且介于该凸柱 与该基板之间；(Bi)使该黏着层向上流入该缺口 ；(Cl)固化该黏着层；(Dl)设置一半导体组件于一至少包含该凸柱及该基座的散热座上，其中该半导体 组件若非重叠于该凸柱即被该凸柱重叠。本组体至少包含一焊垫、一端子、一路由线及第一 与第二导电孔，其中该焊垫包含该第一导电层的一选定部分；该路由线包含该第二导电层 的一选定部分；该第一导电孔接触且延伸贯穿该第一导电层与该路由线间的介电层；第二 导电孔接触并延伸贯穿该黏着层至该路由线；以及该端子接触并延伸于该黏着层下方；(El)电性连结该半导体组件至该焊垫与该端子其中之一，藉此电性连结该半导体 组件至该焊垫与该端子中的另一者，其中一位于该焊垫与该端子间的导电路径包含该第一 导电孔、该路由线及该第二导电孔；以及(Fl)热连结该半导体组件至该凸柱与该基座其中之一，藉此热连结该半导体组件 至该凸柱与该基座中的另一者。本发明还提供了第三种制作一半导体芯片组体的方法，包含下列步骤(A2)提供一凸柱及一基座，其中该凸柱邻接且一体成形于该基座，并沿一向上方 向延伸于该基座上方，且该基座沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方，并 自该凸柱沿垂直于该向上及向下方向的侧面方向侧向延伸而出；(B2)提供一黏着层，其中包含一开口延伸贯穿该黏着层；(C2)提供一基板，其中该基板至少包含一第一及第二导电层与一位于其间的介电 层，并含有一路由线包含在该第二导电层的一选定部分，且有一通孔延伸贯穿该基板；(D2)设置该黏着层于该基座上，并包含将该凸柱插入该开口，其中该黏着层延伸 于该基座上方，而该凸柱延伸贯穿该开口 ；(E2)设置该基板于该黏着层上，并包含将该凸柱插入该通孔，其中该基板延伸于 该黏着层上方，于该基板中的第一导电层延伸于该介电层上方，该介电层并延伸于该基板 中的第二导电层上方，而该凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔，该黏着层介于该基座与该基 板之间且未固化，并有一缺口位于该通孔中且介于该凸柱与该基板之间；(F2)加热熔化该黏着层；(G2)将该基座与该基板彼此靠合，藉此使该凸柱在该通孔内向上移动，并对该基座与该基板间的熔化黏着层施加压力，该压力迫使该熔化黏着层向上流入该缺口，而该凸 柱与该熔化黏着层则延伸于该介电层上方；(H2)加热固化该熔化黏着层，藉此将该凸柱及该基座机械性黏附至该基板；(12)提供一第一导电孔，其由该第一导电层延伸贯穿该介电层至该路由线；(J2)提供一第二导电孔，其延伸贯穿该黏着层至该路由线；(K2)提供一延伸于该介电层上方的焊垫，并去除该第一导电层的选定部分；(L2)提供一延伸于该黏着层下方的端子，并去除该基座的选定部分；(M2)在该凸柱上提供一盖体，该盖体位于该凸柱的一顶部上方，邻接且从上方覆 盖该凸柱的顶部，并沿该等侧面方向从该凸柱的顶部侧向延伸而出；(N2)设置一半导体芯片于该盖体上，其中一散热座至少包含该凸柱、该基座及该 盖体，且该半导体芯片重迭于该凸柱；(02)电性连结该半导体芯片至该焊垫，藉此电性连结该半导体芯片至该端子，其 中一位于该焊垫与该端子间的导电路径依序包含该第一导电孔、该路由线及该第二导电 孔；以及(P2)热连结该半导体芯片至该盖体，藉此热连结该半导体芯片至该基座。上述步骤m提供该凸柱与该基座可包含提供一金属板；于该金属板上形成一 图案化的蚀刻阻层，其选择性曝露该金属板；蚀刻该金属板，使其形成该图案化的蚀刻阻层 所定义的图案，藉此于该金属板上形成一凹槽，其延伸进入但未贯穿该金属板；而后去除该 图案化的蚀刻阻层，其中该凸柱为该金属板的一未受蚀刻部分，突出于该基座上方，且被该 凹槽侧向环绕，该基座亦为该金属板的一未受蚀刻部分，且位于该凸柱与该凹槽下方。上述步骤(B》提供该黏着层可包含提供一未固化环氧树脂的胶片，且步骤(G2) 使该黏着层流动可包含熔化该未固化环氧树脂；并挤压该基座与该基板间的未固化环氧 树脂，以及步骤0 )加热固化该熔化黏着层可包含固化该熔化的未固化环氧树脂。上述步骤(以)提供该基板可包含提供该路由线，此步骤包含去除该第二导电层 的选定部分；之后形成该通孔。上述步骤(以)提供该焊垫可包含研磨该凸柱、该黏着层及该第一导电层，致使 该凸柱、该黏着层及该第一导电层在一面向该向上方向的上侧表面彼此侧向齐平；而后去 除该第一导电层的选定部分。于其中，该研磨可包含研磨该黏着层而不研磨该凸柱，而后研 磨该凸柱、该黏着层及该第一导电层。上述步骤(以)提供该焊垫亦可包含去除该第一导电层的选定部分。步骤(L2)提 供该端子可包含去除该基座的选定部分。步骤(1 提供该第一导电孔可包含形成一第一 孔洞，其延伸贯穿该第一导电层与该介电层至该路由线；然后在该第一孔洞内及该第一导 电层与该路由在线沉积导电金属以形成一第三导电层。步骤(E)提供该第二导电孔可包 含形成一第二孔洞，其延伸贯穿该基座与该黏着层至该路由线；然后在该第二孔洞内及 该基座与该路由在线沉积导电金属以形成一第四导电层。上述步骤(1(2丄2、12及J》提供该焊垫、该端子及该第一与第二导电孔亦可包含 形成上述孔洞；于该等孔洞内沉积导电金属以形成该第三与第四导电层；而后利用一可定 义该焊垫的第一图案化蚀刻阻层去除该第一与第三导电层的选定部分，并利用一可定义该 端子的第二图案化蚀刻阻层去除该第四导电层与该基座的选定部分。
上述步骤(1 提供第一导电孔可包含于该第一孔洞内以及该凸柱、该第一导电 层、该黏着层与该路由在线沉积导电金属以形成一第三导电层。步骤(E)提供该第二导电 孔可包含于该第二孔洞内以及该基座、该黏着层与该路由在线沉积导电金属以形成一第 四导电层。步骤(以)提供该焊垫可包含去除该第一与第三导电层的选定部分。步骤(L2) 提供该端子可包含去除该基座与该第四导电层的选定部分。其中提供该第三与第四导电层可包含同时被覆该第三与第四导电层；去除该第 一、第三及第四导电层与该基座的选定部分可包含同时蚀刻该第一、第三与第四导电层及 该基座。上述提供该散热座可包含在固化该黏着层之后与设置该半导体组件之前，于该 凸柱上提供一盖体，该盖体位于该凸柱的一顶部上方，邻接该凸柱的顶部，同时从上方覆盖 该凸柱的顶部，且自该凸柱顶部沿该等侧面方向侧向延伸而出。上述步骤(IC)提供该盖体可包含在研磨并去除该第三导电层的选定部分之后， 于该凸柱上沉积导电金属以形成一第三导电层。例如，提供该盖体可包含于该第三导电层 上形成一图案化的蚀刻阻层；利用该图案化的蚀刻阻层蚀刻该第三导电层以定义该盖体； 而后去除该图案化的蚀刻阻层。同样，在形成该焊垫时，亦可利用该图案化的蚀刻阻层蚀刻 该第一及该第三导电层以定义该焊垫。上述步骤(G》使该黏着层流动可包含以该黏着层填满该缺口 ；亦可包含挤压该 黏着层，使其通过该缺口，到达该凸柱与该基板上方，并及于该凸柱顶面与该基板顶面邻接 该缺口的部分。上述步骤0 )加热固化该熔化黏着层系可包含将该凸柱与该基座机械性结合 于该基板。上述步骤(N2)设置该半导体芯片可包含将该半导体芯片设置于该凸柱、该开口 与该通孔上方，使该半导体芯片重叠于该凸柱、该开口与该通孔。或者，设置该半导体芯片 亦可包含将该半导体芯片设置于该凸柱、该开口与该通孔下方，使该半导体芯片被该凸 柱、该开口与该通孔重叠。上述步骤(N2、02及P2)设置、电性连结与热连结该半导体芯片可包含将该半导 体芯片设置于该凸柱上；电性连结该半导体芯片至该焊垫，藉此电性连结该半导体芯片至 该端子；以及热连结该半导体芯片至该凸柱，藉此热连结该半导体芯片至该基座。或者，设 置、电性连结与热连结该半导体芯片亦可包含将该半导体芯片设置于该基座下方；电性 连结该半导体芯片至该端子，藉此电性连结该半导体芯片至该焊垫；以及热连结该半导体 芯片至该基座，藉此热连结该半导体芯片至该凸柱。上述步骤(N2、02及P2)设置、电性连结与热连结该半导体芯片系可包含利用一 固晶材料将一半导体芯片设置于该盖体上；在该半导体芯片与该焊垫之间提供一打线；以 及在该半导体芯片与该盖体之间提供该固晶材料。或者，设置、电性连结与热连结该半导体 芯片亦可包含利用一固晶材料将一半导体芯片设置于该基座上；在该半导体芯片与该端 子之间提供一打线；以及在该半导体芯片与该基座之间提供该固晶材料。上述黏着层可接触该凸柱、该基座、该盖体、该介电层、该路由线、该第二导电孔及 该端子，于该等侧面方向覆盖并环绕该凸柱，且延伸至该组体制造完成后与同批生产的其 它组体分离所形成的外围边缘。
当该组体制造完成且与同批生产的其它组体分离后，该基座可从下方覆盖该凸 柱，沿该等侧面方向从该凸柱侧向延伸而出，同时支撑该基板。本发明乃具有多项优点。包含该散热座可提供优异的散热效果，并使热能不流经 该黏着层，因此，该黏着层可为低导热性的低成本电介质且不易脱层；该凸柱与该基座可一 体成形以提高可靠度；该盖体可为该半导体组件量身订做以提升热连结的效果；该黏着层 可介于该凸柱与该基板之间以及该基座与该基板之间，藉以在该散热座与该基板之间提供 坚固的机械性连结；该基板可提供复杂的电路系统图案以实现具弹性的多层讯号路由；以 及该基座可为该基板提供机械性支撑，防止其弯曲变形。藉此，本组体可利用低温工序制 造，不仅可降低应力，亦能提高可靠度，此外，本组体亦可利用电路板、导线架与卷带式基板 制造厂可轻易实施的高控制工序加以制造。


图1A，系本发明--较佳实施例中制作凸柱与基座的结构一剖视示意图。
图1B，系本发明--较佳实施例中制作凸柱与基座的结构二剖视示意图。
图1C，系本发明--较佳实施例中制作凸柱与基座的结构三剖视示意图。
图1D，系本发明--较佳实施例中制作凸柱与基座的结构四剖视示意图。
图1E，系图ID的俯视示意图。
图1F，系图ID的仰视示意图。
图2A,系本发明--较佳实施例中制作黏着层的结构一剖视示意图。
图2B,系本发明--较佳实施例中制作黏着层的结构二剖视示意图。
图2C,系图2B的俯视示意图。
图2D,系图2B的仰视示意图。
图3A,系本发明--较佳实施例中制作基板的结构一剖视示意图。
图3B,系本发明--较佳实施例中制作基板的结构二剖视示意图。
图3C,系本发明--较佳实施例中制作基板的结构三剖视示意图。
图3D,系本发明--较佳实施例中制作基板的结构四剖视示意图。
图3E,系本发明--较佳实施例中制作基板的结构五剖视示意图。
图3F，系图3E的俯视示意图。
图3G,系图3E的仰视示意图。
图4A，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构一剖视示意图。
图4B，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构二剖视示意图。
图4C，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构三剖视示意图。
图4D，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构四剖视示意图。
图4E，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构五剖视示意图。
图4F，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构六剖视示意图。
图4G，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构七剖视示意图。
图4H，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构八剖视示意图。
图41，系本发明--较佳实施例中制作导热板的结构九剖视示意图。
图4J，系本发明--较佳实施例中制作导热板之结构十剖视示意图。
图4K，系本发明一较佳实施例中制作导热板的结构十一剖视示意图。图4L，系本发明一较佳实施例中制作导热板的结构十二剖视示意图。图4M，系本发明一较佳实施例中制作导热板的结构十三剖视示意图。图4N，系图4M的俯视示意图。图40，系图4M的仰视示意图。图5A，系本发明一较佳实施例的半导体芯片组体剖视示意图。图5B，系本发明一较佳实施例的半导体芯片组体俯视示意图。图5C，系本发明一较佳实施例的半导体芯片组体仰视示意图。图6A，系本发明另一较佳实施例的半导体芯片组体剖视示意图。图6B，系本发明另一较佳实施例的半导体芯片组体俯视示意图。图6C，系本发明另一较佳实施例的半导体芯片组体仰视示意图。标号说明金属板10表面 12、14图案化的蚀刻阻层16、40、60、62全面覆盖的蚀刻阻层18、38凹槽 20凸柱22基座 M黏着层沈开口28基板30第一导电层32介电层；34第二导电层36路由线42、66通孔44缺口 46孔洞48、50第三导电层52第四导电层M第一导电孔56第二导电孔58焊垫 64盖体68端子70导线72散热座74第一防焊绿漆76
第二防焊绿漆78被覆接点80导热板82半导体芯片组体100、200半导体芯片102、202打线104、204固晶材料 106、206封装材料108、208顶面110、210底面 112、212打线接垫114、21具体实施例方式本发明上述及其它特征与优点将于下文中藉由各种实施例进一步加以说明。请参阅图IA 图IF所示，分别为本发明一较佳实施例中制作凸柱与基座的结构 一剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作凸柱与基座的结构二剖视示意图、本发明一较 佳实施例中制作凸柱与基座的结构三剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作凸柱与基座 的结构四剖视示意图，及图ID的俯视示意图、图ID的仰视示意图。如图所示本发明为一 种半导体芯片组体，首先提供一金属板10，其包含相背的主要表面(12、14)，如图IA所示。 该金属板10可由多种金属制成，如铜、铝、铁镍合金42、铁、镍、银、金及其合金。其中尤以铜 具有导热性高、结合性良好与低成本等优点，因此本实施例的金属板10使用一厚度为300 微米的铜板。于该金属板10上形成有一图案化的蚀刻阻层16以及一全面覆盖的蚀刻阻层18， 如图IB所示。该图案化的蚀刻阻层16与该全面覆盖的蚀刻阻层18是沉积于该金属板10 上的光阻层，其制作方式是利用压模技术以热滚轮同时将光阻层分别压合于该表面(12、 14)，于其中湿性旋涂法及淋幕涂布法亦为适用的光阻层形成技术。继之，将一光罩(图中 未示)靠合于光阻层，然后依照已知技术，令光线选择性通过该光罩，再以显影液去除可溶 解的光阻层部分以使光阻层形成图案，即构成该图案化的蚀刻阻层16。因此，在该表面12 上的光阻层为具有一可选择性曝露图案从而形成图案化的蚀刻阻层16，在该表面14上的 光阻层则为无图案并维持覆盖从而形成全面覆盖的蚀刻阻层18。于该金属板10上形成有一掘入但未穿透该金属板10的凹槽20，如图IC所示。该 凹槽20以蚀刻该金属板10的方式形成，以使该金属板10形成由图案化的蚀刻阻层16所 定义的图案。于本实施例中，该蚀刻方式为湿式化学蚀刻，可利用一顶部喷嘴(图中未示) 将化学蚀刻液喷洒于该金属板10 ；亦或，利用全面覆盖的蚀刻阻层18提供背面保护，将结 构体浸入化学蚀刻液中以形成该凹槽20。其中，该化学蚀刻液可对铜具有高度针对性，能刻 入该金属板10达270微米。因此，该凹槽20自该表面12延伸进入但未穿透该金属板10， 可与该表面14距离30微米，深度则为270微米；另外，此化学蚀刻液亦对图案化的蚀刻阻 层16下方的金属板10造成侧向蚀入。据此，能适用的化学蚀刻液可为含碱氨的溶液或硝 酸与盐酸的稀释混合物，换言之，上述化学蚀刻液可为酸性或碱性。于其中，足以形成该凹
15槽20而不致使该金属板10过度曝露于化学蚀刻液的理想蚀刻时间则可由试误法决定。去除图案化的蚀刻阻层16及全面覆盖的蚀刻阻层18后的金属板10，如图1D、图 IE及图IF所示。其中该等光阻层已经溶剂处理去除，所用溶剂可为pH为14的氢氧化钠/ 氢氧化钾溶液。如是，经蚀刻后的金属板10因此包含一凸柱22及一基座M的结构。上述凸柱22为该金属板10上一受图案化的蚀刻阻层16保护而未被蚀刻的部分。 该凸柱22邻接该基座24，与该基座M形成一体，且突伸于该基座M上方，于侧向则由该凹 槽20所包围。其中该凸柱22的高等于该凹槽20的深度，为270微米，其顶面的直径等于 该表面12的圆形部分的直径，为1000微米，而底部的直径则等于邻接该基座M的圆形部 分的直径，为1100微米。因此，该凸柱22类似一平截头体呈平顶锥柱形，其侧壁渐缩，直径 则自该基座M处朝其平坦圆形顶面向上递减。于其中，该渐缩侧壁因化学蚀刻液侧向蚀入 该图案化的蚀刻阻层16下方而形成，故该顶面与该底部的圆周乃同心，如图IE所示。该基座M为该金属板10在该凸柱22下方的一未受蚀刻部分，自该凸柱22沿一 侧向平面，如左、右等侧面方向侧向延伸，厚度为30微米。该凸柱22与该基座M可经处理以加强与环氧树脂及焊料的结合度。例如，该凸 柱22与该基座M可经化学氧化或微蚀刻以产生较粗糙的表面。该凸柱22与该基座M在本实施例中为透过削减法形成的单一金属(铜)体。于 其中，亦可利用一具有凹槽或孔洞的接触件冲压该金属板10，该凹槽或孔洞用以定义该凸 柱22的部位，俾使该凸柱22与该基座M成为冲压成型的单一金属体；亦或，利用增添法形 成该凸柱22，例如透过电镀、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)、物理气相 沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)等技术，将该凸柱22沉积于该基座M上；亦或， 利用半增添法形成该凸柱22，例如可于该凸柱22其蚀刻形成的下部上方沉积该凸柱22的 上部；又或者，该凸柱22亦可烧结于该基座M。此外，该凸柱22与该基座M并可为多件 式金属体，例如于铜质基座M上电镀焊料凸柱22 ；在此情况下，该凸柱22与该基座M系 以冶金界面相接，彼此邻接但并非一体成形。请参阅图2A 图2D所示，分别为本发明一较佳实施例中制作黏着层的结构一剖 视示意图、本发明一较佳实施例中制作黏着层的结构二剖视示意图，及图2B的俯视示意 图、图2B的仰视示意图。如图所示提供一乙阶(B-stage)未固化环氧树脂的胶片作为一 黏着层26，其厚150微米，如图2A所示。上述黏着层沈可为多种有机或无机电性绝缘体制成的各种介电膜或胶片。例如， 该黏着层26起初可为一胶片，当树脂型态的热固性环氧树脂浸入一加强材料后即部分固 化至中期。其中，该环氧树脂可为FR-4，亦可使用诸如多官能与双马来酰亚胺-三氮杂苯 (BT)树脂等其它环氧树脂。在特定应用中，氰酸酯、聚酰亚胺及聚四氟乙烯(PTFE)亦为可 用的环氧树脂。此外，该加强材料可为电子级玻璃，亦可为其它加强材料，如高强度玻璃、低 诱电率玻璃、石英、克维拉纤维(Kevlar Aramid)及纸等；再者，该加强材料也可为织物、不 织布或无方向性微纤维。藉此，可将诸如硅(研粉熔融石英)等填充物加入胶片中以提升 导热性、热冲击阻抗力与热膨胀匹配性。于其中，可利用市售预浸渍体，如美国威斯康星州 奥克莱 W. L. Gore&Associates 的 SPEEDB0ARD C 胶片即为一例。该黏着层沈至少具有一开口 28，如图2B、图2C及图2D所示。该开口 28为穿透 该黏着层26的中央窗口，系以机械方式钻透该胶片而形成，其直径为1150微米。于其中，该开口观亦可利用其它技术制作，如冲制及冲压等。请参阅图3A 图3G所示，分别为本发明一较佳实施例中制作基板的结构一剖视 示意图、本发明一较佳实施例中制作基板的结构二剖视示意图、本发明一较佳实施例中制 作基板的结构三剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作基板的结构四剖视示意图、本发 明一较佳实施例中制作基板的结构五剖视示意图、及图3E的俯视示意图、图3E的仰视示意 图。如图所示提供一基板30，其包含一第一导电层32、一介电层34及一第二导电层36， 如图3A所示。该第一导电层32接触该介电层34并延伸于其上方，该第二导电层36接触 该介电层34并延伸于其下方，该介电层34接触该第一、二导电层(32、36)并贴合夹置于其 间。其中该第一、二导电层(32、36)为电性导体，而该介电层34则为电性绝缘体。例如，该 第一、二导电层(32、36)为40微米厚且无图案的铜板，并在陆续完成去除光阻层及清洁等 步骤后，其厚度将减至30微米，而该介电层34则为120微米厚的环氧树脂。上述基板30的第一、二导电层(32、36)上分别形成有一全面覆盖的蚀刻阻层38 及一图案化的蚀刻阻层40，如图;3B所示。该全面覆盖的蚀刻阻层38与该图案化的蚀刻阻 层40均为光阻层，且分别类似前述的蚀刻阻层18及16。其中该蚀刻阻层38无任何图案且 覆盖该第一导电层32，而该蚀刻阻层40则设有可选择性曝露该第二导电层36的图案。在图3C中，该基板30的第二导电层36已经由蚀刻去除选定部分，因而形成一由 该图案化的蚀刻阻层40所定义的图案化导线层。其中，该蚀刻为背面湿式化学蚀刻，其与 用于该金属板的蚀刻方法相仿。此时该第一导电层32仍为一无图案的铜板，该第二导电层 36则经蚀刻后导致该介电层34外露，使该第二导电层36从一无图案层转换为一图 案层。于本实施例中，为便于各图比较，该第二导电层36于图式中一大致位于该介电层34 下方，但在此步骤中可将结构体倒置以便利用重力加强蚀刻效果。在图3D的基板30中，全面覆盖的蚀刻阻层38与图案化的蚀刻阻层40均已移除。 剥除此蚀刻阻层38及40的方式可与剥除蚀刻阻层16及18的方式相同。上述蚀刻后的第 二导电层36包含路由线42。因此，该路由线42为该第二导电层36受图案化的蚀刻阻层 40保护而未被蚀刻的部分。此外，该路由线42为一接触该介电层34并延伸于其下方的铜 线。该基板30具有一通孔44，如图3E、图3F及图3G所示。该通孔44为穿透该基板 30的中央窗口，将该第一导电层32与该介电层34以机械方式钻透形成(惟其中不包含该 第二导电层36，因该层已透过湿式化学蚀刻自此区域去除)，该通孔44的直径为1150微 米。于其中，该通孔44亦可以其它技术形成，例如冲制及冲压。较佳者，该开口 28(如图2B 所示)与该通孔44具有相同直径，且以相同钻头在同一钻台上透过相同方式形成。上述基板30在此绘示为一层压结构，惟该基板30亦可为其它多层电性相连体，如 陶瓷板或印刷电路板。同样地，该基板30可另外包含数个内嵌电路的层体。请参阅图4A 图40所示，分别为本发明一较佳实施例中制作导热板的结构一剖 视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构二剖视示意图、本发明一较佳实施例 中制作导热板的结构三剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构四剖视示意 图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构五剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作 导热板的结构六剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构七剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构八剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板 的结构九剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构十剖视示意图、本发明一 较佳实施例中制作导热板的结构十一剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结 构十二剖视示意图、本发明一较佳实施例中制作导热板的结构十三剖视示意图、及图4M的 俯视示意图、及图4M的仰视示意图。如图所示本发明的导热板包含该凸柱22、该基座M、 该黏着层26及该基板30。其中该黏着层沈设置于该基座M上，如图4A所示，该黏着层 26下降至该基座M上，使该凸柱22向上插入并贯穿该开口 28，而该黏着层沈则接触并定 位于该基座M。较佳者，该凸柱22在插入及贯穿该开口观后位于该开口观内的中央位置 而不接触该黏着层26。上述基板30设置于该黏着层沈上，如图4B所示。该基板30下降至该黏着层沈 上，使该凸柱22向上插入并贯穿该通孔44，而该基板30则接触并定位于该黏着层26。较佳 者，该凸柱22在插入并贯穿该通孔44后位于该通孔44内的中央位置而不接触该基板30。 是以，产生一缺口 46位于该通孔44内且介于该凸柱22与该基板30之间。该缺口 46侧向 环绕该凸柱22，同时被该基板30侧向包围。此外，该开口观与该通孔44相互对齐且具有 相同直径。此时，该基板30安置于该黏着层沈上并与之接触，且延伸于该黏着层沈上方。该 凸柱22延伸通过该开口观进入该通孔44，并到达该介电层34。该凸柱22较该第一导电 层32的顶面低60微米，并经由该通孔44于一向上方向外露。该黏着层沈接触该基座M 与该基板30且介于该两者之间，但与该介电层34保持距离。在此阶段，该黏着层沈仍为 乙阶未固化环氧树脂的胶片，而该缺口 46中则为空气。该黏着层沈经加热加压后流入该缺口 46中，如图4C所示。迫使该黏着层沈流 入该缺口 46的方法是对该第一导电层32施以向下压力及/或对该基座M施以向上压力， 亦即将该基座M与该基板30相对压合，藉以对该黏着层沈施压；在此同时亦对该黏着层 26加热。受热后的黏着层沈可在压力下任意成形。因此，位于该基座M与该基板30间的 黏着层26受到挤压后，改变其原始形状并向上流入该缺口 46。于其中，该基座M与该基 板30仍持续朝彼此压合，直到该黏着层沈填满该缺口 46为止。此外，在该基座M与基板 30间的间隙缩小后，该黏着层沈仍旧填满此一缩小的间隙内。例如，可将该基座M及该第 一导电层32设置于一压合机的上、下压台(图中未示)之间，并且，可将一上挡板及上缓冲 纸(图中未示)夹置于该第一导电层32与上压台之间，并将一下挡板及下缓冲纸(图中未 示)夹置于该基座M与下压台之间。以此构成的叠合体由上到下依次为上压台、上挡板、 上缓冲纸、基板30、黏着层沈、基座M、下缓冲纸、下挡板及下压台。此外，可利用从下压台 向上延伸并穿过该基座M对位孔(图中未示)的工具接脚(图中未示)将此叠合体定位 于下压台上。继之，将上、下压台加热并相互推进，藉此对该黏着层沈加热并施压。其中以挡板 将压台的热分散，使热均勻施加于该基座M与该基板30乃至于该黏着层26。该缓冲纸则 将压台的压力分散，使压力均勻施加于该基座M与该基板30乃至于该黏着层26。起初， 该第二导电层36伸入该黏着层沈并嵌入其中，导致该介电层34接触并压合于该黏着层 26。随着压台持续动作与持续加热，该基座M与该基板30间的黏着层沈受到挤压并开始 熔化，因而向上流入该缺口 46，通过该介电层34，最后到达该第一导电层32。例如，未固化环氧树脂遇热熔化后，被压力挤入该缺口 46中，但加强材料及填充物仍留在该基座M与该 基板30之间。该黏着层沈在该通孔44内上升的速度大于该凸柱22，终至填满该缺口 46。 该黏着层26亦上升至稍高于该缺口 46的位置，并在压台停止动作前，溢流至该凸柱22顶 面以及该第一导电层32的顶面邻接该缺口 46处。若胶片厚度略大于实际所需便可能发生 此一情形。如此一来，该黏着层26便在该凸柱22顶面形成一覆盖薄层。压台在触及该凸 柱22后停止动作，但仍持续对该黏着层沈加热。该黏着层沈于该缺口 46中向上流动方向(如图中向上粗箭号所示)，该凸柱22 与该基座M相对于该基板30向上移动如向上细箭号所示，而该基板30相对于该凸柱22 与该基座M向下移动则如向下细箭号所示。在图4D中的黏着层沈已经固化。例如，压台停止移动后仍持续夹合该凸柱22与 该基座对并供热，藉此将已熔化的乙阶环氧树脂转换为丙阶(C-stage)固化或硬化的环氧 树脂。因此，环氧树脂以类似已知多层压合的方式固化。待环氧树脂固化后，压台分离，以 便将结构体从压台机中取出。经上述固化后的黏着层26在该凸柱22与该基板30之间以 及该基座M与该基板30之间提供牢固的机械性连结。该黏着层沈可承受一般操作压力 而不致变形损毁，遇过大压力时则仅暂时扭曲；再者，该黏着层26亦可吸收该凸柱22与该 基板30之间以及该基座M与该基板30之间的热膨胀不匹配。在此阶段，该凸柱22与该第一导电层32大致共平面，而该黏着层沈与该第一导 电层32则延伸至一面朝该向上方向的顶面。例如，该基座M与该第二导电层36间的黏着 层沈厚90微米，较其初始厚度150微米减少60微米；该凸柱22在该通孔44中升高60微 米，而该基板30则相对于该凸柱22下降60微米。该凸柱22高度270微米基本上等同于 该第一导电层32 (30微米)、该介电层34 (150微米)、该第二导电层36 (30微米)与下方该 黏着层沈(90微米)的结合高度。此外，该凸柱22仍位于该开口观与该通孔44的中央位 置并与该基板30保持距离，该黏着层沈则填满该基座M与该基板30间的空间并填满该 缺口 46。例如，该缺口 46 (以及该凸柱22与该基板30间的黏着层26)在该凸柱22顶面处 宽75微米((1150-1000)/ 。该黏着层沈在该缺口 46中延伸跨越该介电层34。换言之， 该缺口 46中的黏着层沈沿该向上方向及一向下方向延伸并跨越该缺口 46外侧壁的介电 层34厚度。该黏着层沈亦包含该缺口 46上方的薄顶部分，其接触该凸柱22与该第一导 电层32的顶面并在该凸柱22上方延伸10微米。将该凸柱22、该黏着层沈及该第一导电层32的顶部去除，如图4E所示。该凸柱 22、该黏着层沈及该第一导电层32的顶部以研磨方式去除，例如以旋转钻石砂轮及蒸馏水 处理结构体的顶部。起初，钻石砂轮仅磨去该黏着层沈；持续研磨，则该黏着层沈因受磨 表面下移而变薄。钻石砂轮终将接触该凸柱22与该第一导电层32(不必然同时)，因而开 始研磨该凸柱22与该第一导电层32 ；持续研磨后，该凸柱22、该黏着层沈及该第一导电层 32均因受磨表面下移而变薄。待研磨持续至去除所需厚度为止，以蒸馏水冲洗结构体去除 污物。上述研磨步骤将该黏着层沈的顶部磨去25微米，将该凸柱22的顶部磨去15微 米，并将该第一导电层32的顶部磨去15微米。其中，厚度减少对该凸柱22或该黏着层26 的影响并不明显，但却使该第一导电层32的厚度从30微米大幅缩减至15微米。至此，该 凸柱22、该黏着层沈及该第一导电层32共同位于该介电层34上方的一面朝该向上方向的平滑拼接侧顶面上。如图4F所示的结构体具有孔洞48与50。该孔洞48为一盲孔，其延伸贯穿该第一 导电层32与该介电层34至该路由线42，惟与该黏着层沈保持距离。而该孔洞50同为一 盲孔，其延伸贯穿该基座M与该黏着层26至该路由线42，惟与该介电层34保持距离。其 中该孔洞G8、50)以镭射钻孔方式形成，但亦可搭配机械钻孔及电浆蚀刻等其它技术。于 其中，该孔洞(48、50)可具有渐缩的侧壁以及随深度递减的直径，但为便于绘示，图式中的 孔洞(48、50)均具有垂直侧壁及固定不变的直径。如图4G所示结构体具有一第三导电层52、一第四导电层54、一第一导电孔56及 一第二导电孔58。该第三导电层52沉积于该凸柱22、该黏着层沈及该第一导电层32的 前述侧顶面并与之接触。同时从上方覆盖该凸柱22、该黏着层沈及该第一导电层32。其 中，该第三导电层52是一无图案且厚15微米的铜层，并与该第一导电孔56 —体成形。上述第四导电层M沉积于该基座M的底面并与之接触，同时从下方覆盖该基座 M。其中，该第四导电层M是一无图案且厚15微米的铜层，并与该第二导电孔58 —体成 形。上述第一导电孔56从该第一导电层32延伸进入该孔洞48。该第一导电孔56在 该孔洞48内系沉积于该介电层34及该路由线42上并与之接触。其中，该第一导电孔56 是一经被覆的通孔，其可将该第一、三导电层(32、52)电性连结至该路由线42。上述第二导电孔58从该基座M延伸进入该孔洞50。该第二导电孔58在该孔洞 50内沉积于该黏着层沈及该路由线42上并与之接触。其中，该第二导电孔58是一经被覆 的通孔，其可将该基座M及该第四导电层M电性连结至该路由线42。例如，可将结构体浸入一活化剂溶液中，因而分别使该孔洞(48、50)其侧壁的介 电层34与该黏着层沈可与无电镀铜产生触媒反应，接着将一第一铜层以无电镀被覆方式 设于该凸柱22、该基座M、该黏着层沈、该第一导电层32、该路由线42 (位于结构体反面) 及该孔洞G8、50)的侧壁上，然后将一第二铜层以电镀方式设于该第一铜层上。该第一铜 层厚约2微米，该第二铜层厚约13微米，故被覆铜层的总厚度约为15微米。如此一来，该 第一导电层32的厚度便增为约40微米05+15)，于其中，在陆续完成去除光阻层及清洁等 步骤后，该第一导电层32的厚度将减至约30微米；同样地，该基座M的厚度增为约55微 米(30+25)，惟在陆续完成去除光阻层及清洁等步骤后，其厚度亦将减至约45微米。该第三导电层52作为该凸柱22的一覆盖层及该第一导电层32的一加厚层，而该 第四导电层M则为该基座M的一加厚层。此外，该第一、二导电孔(56、58)乃分别形成于 该孔洞G8、50)中。为便于说明，该基座24、该第一 四导电层(32、36、5254)以及该第 一、二导电孔(56、58)均以单层显示。由于铜为同质被覆，该凸柱22与该第三导电层52间 的界线、该基座M与该第四导电层M间的界线、以及该第一导电层32与该第三导电层52 间的界线(均以虚线绘示)可能不易察觉甚至无法察觉。然而，该黏着层26与该第三导电 层52在邻近该凸柱22处的界线则清楚可见。同样地，该介电层34与该第一导电孔56在 该孔洞48内的界线、以及该黏着层沈与该第二导电孔58在该孔洞50内的界线亦清楚可 见。此外，为便于绘示，该第一、二导电孔(56、58)在图式中均显示为填满该孔洞(48、50) 的柱状物而非中空的管体。在图4H所示结构体的上、下表面分别设有图案化的蚀刻阻层60与62。如图所示的图案化的蚀刻阻层60与62类似该蚀刻阻层16与40的光阻层。其中该蚀刻阻层60设 有可选择性曝露该第三导电层52的图案，而该蚀刻阻层62则设有可选择性曝露该第四导 电层讨的图案。在图41所示的结构体中，该第一、三导电层(32、52)已经由蚀刻去除其选定部分 以形成图案化的蚀刻阻层60所定义的图案；该基座M与该第四导电层讨亦经由蚀刻去除 其选定部分以形成图案化的蚀刻阻层62所定义的图案。所述蚀刻与施用于该金属板的正 面及背面湿式化学蚀刻相仿。例如，可利用一上方喷嘴与一下方喷嘴(图中皆未示)将化 学蚀刻液喷洒于结构体的顶面与底面，抑或将结构体浸入化学蚀刻液中。经上述化学蚀刻 液蚀刻穿透该第一、三导电层(32、52)以曝露该黏着层沈及该介电层34，因而将原本无图 案的第一、三导电层(32、5幻转换为图案层。于其中，该化学蚀刻液亦蚀刻穿透该基座M 与该第四导电层M以曝露该黏着层26。在图4J中，结构体上的图案化的蚀刻阻层60与62均已去除，且去除方式可与去 除蚀刻阻层16及18的方式相同。蚀刻后的第一、三导电层(32、5幻包含一焊垫64与一路由线66，且蚀刻后的第三 导电层52包含一盖体68。其中该焊垫64与该路由线66是该第一、三导电层(32、5幻受图 案化的蚀刻阻层60保护而未被蚀刻的部分，该盖体68则为该第三导电层52受图案化的蚀 刻阻层60保护而未被蚀刻的部分。因此，该第一、三导电层(32、5幻便成为图案层，其上包 含该焊垫64与该路由线66但不包含该盖体68。此外，该路由线66为一铜导线，其接触该 介电层34并延伸于其上方，同时邻接且电性连结该第一导电孔56与该焊垫64。蚀刻后的基座M与第四导电层M包含该基座M的中央部分及一端子70，其中 该基座M的中央部分是由该第四导电层M从下方覆盖(以下统称基座对/54)。该基座 24/54是该基座M与该第四导电层M受图案化的蚀刻阻层62保护而未被蚀刻的部分，其 沿侧向延伸超出该凸柱22之外1000微米。该端子70是该基座M与该第四导电层M受 图案化的蚀刻阻层62保护而未被蚀刻的部分，其接触该黏着层沈并延伸于其下方。该基 座24Λ4本身仍为一无图案层，但在该基座M周缘之外则形成一包含该端子70且与该基 座对保持侧向间距的图案层。因此，该端子70与该基座M彼此分隔，且该端子70已非该 基座M的一部分。此外，该第二导电孔58邻接该端子70并在该路由线42与该端子70之 间形成电性连结。该路由线42与66、该第一、二导电孔56与58、该焊垫64及该端子70共同形成导 线72。同样地，在该焊垫64与该端子70间的一导电路径乃依序经过该路由线66、该第一 导电孔56、该路由线42及该第二导电孔58 (反之亦然)。该导线72提供从该焊垫64至该 端子70的垂直(从上至下)路由，且该导线72并不限于此一构型，例如该焊垫64亦可直 接形成于该第一导电孔56上方，藉此省却该路由线66 ；而该第二导电孔58则透过该黏着 层沈下方由图案化的蚀刻阻层62所定义的一路由线电性连结至该端子70。再者，上述导 电路径可包含其它导电孔及路由线(其位于第一、第二及/或其它导电层中)以及被动组 件，例如设置于其它焊垫上的电阻与电容。由上述凸柱22、基座ΜΛ4及盖体68构成散热座74。其中该凸柱22与该基座 24/54 一体成形，且该盖体68位于该凸柱22的顶部上方，邻接该凸柱22的顶部，同时从上 方覆盖该凸柱22的顶部，并由该凸柱22的顶部往侧向延伸。待设置该盖体68后，该凸柱
2122坐落于该盖体68圆周内的中央区域，且该盖体68亦从上方接触并覆盖其下方黏着层沈 的一部分，此黏着层沈的该部分与该凸柱22共平面，邻接该凸柱22，同时侧向包围该凸柱 22。上述散热座74实质上为一倒T形的散热块，其包含柱部(即凸柱22)、翼部(即基 座对/54自柱部侧向延伸的部分)以及一导热垫(即盖体68)。在图4K所示的结构体中，于该介电层34、该第三导电层52及该盖体68上设有一 第一防焊绿漆76，且在该基座M/54、该黏着层沈与该端子70上亦设有一第二防焊绿漆 78。其中，该第一防焊绿漆76为一电性绝缘层，其可依吾人的选择形成图案以曝露该焊垫 64与该盖体68，并从上方覆盖该介电层34的外露部分与该路由线66。于其中该第一防焊 绿漆76在该焊垫64上方的厚度为25微米，且该第一防焊绿漆76于该介电层34上方延伸 55微米(30+25)；而该第二防焊绿漆78同为一电性绝缘层，可依吾人的选择形成图案以曝 露该基座M/54与该端子70，并从下方覆盖该黏着层沈的外露部分。于其中该第二防焊 绿漆78在该端子70下方的厚度为25微米，且该第二防焊绿漆78于该黏着层沈下方延伸 70 微米(45+25)。上述第一、二防焊绿漆(76、78)起初为涂布于结构体上的一光显像型液态树脂， 之后再于该第一、二防焊绿漆(76、78)上形成图案，其作法令光线选择性透过光罩(图中未 示)，然后利用一显影溶液去除该第一、二防焊绿漆(76、78)的可溶解部分，最后再进行硬 烤，以上步骤乃已知技艺。在图4L所示的结构体中，于该基座M/54、该焊垫64、该盖体68与该端子70上设 有被覆接点80。该被覆接点80为一多层金属镀层，其从上方接触该焊垫64与该盖体68同 时覆盖其外露部分，并从下方接触该基座M/54与该端子70同时覆盖其外露部分。例如， 一镍层以无电镀被覆方式设于该基座M/54、该焊垫64、该盖体68及该端子70上，而后再 将一金层以无电镀被覆方式设于该镍层上，其中内部镍层厚约3微米，表面金层厚约0. 5微 米，故该被覆接点80的厚度约为3. 5微米。上述以该被覆接点80作为该基座M/54、该焊垫64、该盖体68及该端子70的表 面处理具有几项优点，包含内部镍层提供主要的机械性与电性连结及/或热连结，而表面 金层则提供一可湿性表面以利焊料回焊；该被覆接点80亦保护该基座M/54、该焊垫64、该 盖体68与该端子70不受腐蚀；以及该被覆接点80可包含各种金属以符合外部连结媒介的 需要。例如，一被覆在镍层上的银层可搭配焊锡或打线。其中，为便于说明，设有该被覆接 点80的基座M/54、焊垫64、盖体68及端子70均以单一层体方式显示，且该被覆接点80 与该基座M/54、该焊垫64、该盖体68及该端子70间之界线(图中未示)为铜/镍界面。 至此，完成一导热板82的制作。该导热板82的边缘已沿切割线而与支撑架及/或同批生产的相邻导热板分离，如 图4M、图4N及图40所示。该导热板82包含该基座M/54、该黏着层沈、该基板30、该端子 70、该散热座74及该第一、二防焊绿漆(76、78)。其中，该基板30包含该介电层34、该路由 线(42、66)、该第一导电孔56以及该焊垫64 ；该散热座74包含该凸柱22、该基座24/M及 该盖体68。于其中，该导线72系由该路由线02、66)、该第一、二导电孔(56、58)、该焊垫 64及该端子70所构成。该凸柱22延伸贯穿该开口 28并进入该通孔44后，仍位于该开口 28及该通孔44内的中央位置，并与该黏着层26位于该介电层34上方的一相邻部分共平面。该凸柱22保 持平顶锥柱形，其渐缩侧壁使其直径自该基座24Λ4朝邻接该盖体68的平坦圆顶向上递 减。该基座ΜΛ4从下方覆盖该凸柱22，并与该导热板82的外围边缘保持距离。该盖体 68位于该凸柱22上方，与之邻接并为热连结，该盖体68同时从上方覆盖该凸柱22的顶部， 并自该凸柱22顶部沿侧向延伸。该盖体68亦从上方接触并覆盖该黏着层沈的一部分，该 黏着层26的该部分邻接该凸柱22，与该凸柱22共平面，且侧向包围该凸柱22。该盖体68 亦与该焊垫64共平面。 该黏着层沈设置于该基座24Λ4上并于其上方延伸。该黏着层沈接触且介于该 凸柱22与该介电层34之间，用以填满该凸柱22与该介电层34间的空间。此外，该黏着层 沈亦接触且介于该基座ΜΛ4与该基板30之间以填满其间的空间。该黏着层沈同时沿侧 面方向覆盖并环绕该凸柱22，且该黏着层沈已固化。该基板30设置于该黏着层沈上且与之接触，同时亦延伸于下方黏着层沈与该基 座M/54的上方。其中，该第一导电层32 (以及该焊垫64与该路由线66)接触该介电层34 并延伸于其上方；该介电层34接触该第二导电层36 (包含该路由线42)并延伸于其上方， 且该介电层34系介于该第一、二导电层32、36之间；该第二导电层36 (包含该路由线42) 则接触该黏着层26并嵌设其中。上述凸柱22、基座24Λ4及盖体68均与该基板30保持距离。因此，该基板30与 该散热座74机械性连接且彼此电性隔离。同批制作的导热板82经裁切后，其黏着层沈、介电层34及第一、二防焊绿漆(76、 78)均延伸至裁切而成的垂直边缘。该焊垫64是一专为半导体芯片等半导体组件量身订做的电性接口，该半导体组 件将于后续制程中设置于该盖体68上。该端子70是一专为下一层组体量身订做的电性接 口，例如下一层组体可为一印刷电路板，而该导热板82则于后续制程中设置于该印刷电路 板上。该盖体68是一专为该半导体组件量身订做的热接口。该基座ΜΛ4是一专为该印 刷电路板量身订做的热界面。此外，该盖体68是经由该凸柱22而热连结至该基座M/54。该焊垫64与该端子70在垂直方向上彼此错位且分别外露于该导热板82的顶面 与底面，藉此提供该半导体组件与下一层组体间的垂直路由。且该焊垫64与该盖体68位 于该介电层34上方的顶面彼此共平面，而该基座24Λ4与该端子70位于该黏着层沈下方 的底面亦彼此共平面。于其中，为便于说明，该导线72于剖视图中绘示为一连续电路迹线； 然而，该导线72通常同时提供X与Y方向的水平讯号路由，亦即该焊垫64与该端子70彼 此在X与Y方向形成侧向错位，且该路由线42与66各自或共同构成X与Y方向的路径。该散热座74可将随后设置于该盖体68上的半导体组件所产生的热能扩散至该基 座ΜΛ4所连接的下一层组体。该半导体组件产生的热能流入该盖体68，自该盖体68进入 该凸柱22，并经由该凸柱22进入该基座M/54。热能从该基座24Λ4沿该向下方向散出， 例如扩散至一下方散热装置。同样地，该散热座74亦可将随后设置于该基座24Λ4上的半 导体组件所产生的热能扩散至该盖体68所连接的下一层组体。该导热板82的凸柱22、第一、二导电孔56与58或路由线42与66均未外露。该 凸柱22被该盖体68覆盖，而该第一、二导电孔(56、58)以及该路由线42与66是由该第一 防焊绿漆76覆盖，至于该黏着层沈的顶面则同时由该盖体68及该第一防焊绿漆76覆盖。为便于说明，图4N中将以虚线绘示该凸柱22、该黏着层沈、该第一、二导电孔(56、58)以及 该路由线42与66。该导热板82亦包含其它导线72，该些导线72基本上是由该第一、二导电孔(56、 58)、该路由线42与66、该焊垫64以及该端子70所构成，且在该焊垫64与该端子70间具 有一多层导电路径。为便于说明，在此仅说明并绘示单一导线72。于该导线72中，该第一、 二导电孔(56、58)、该焊垫64及该端子70通常具有相同的形状及尺寸，而该路由线42与66 则通常采用不同的路由构型。例如，部分导线72设有间距，彼此分离，且为电性隔离，而部 分导线72则彼此交错或导向同一焊垫64、路由线(42、66)或端子70且彼此电性连结。同 样地，部分焊垫64可用以接收独立讯号，而部分焊垫64则共享一讯号、电源或接地端。此 外，部分导线72可包含该路由线42及该第一、二导电孔(56、58)以提供多层路由，而部分 导线72则不含该路由线42及该第一、二导电孔(56、58)，且仅于该第一导电层32提供单层 路由。该导热板82的构造可有所调整以搭配多个芯片使用，俾使各输入/输出讯号从个 别焊垫64导向个别的端子70，而各焊垫64在接地时则导向同一接地端子70。在各制造阶段均可利用一简易清洁步骤去除外露金属上的氧化物与残留物，例如 可对本发明结构体施行一短暂的氧电浆清洁步骤。或者，可利用一过锰酸钾溶液对本发明 结构体进行一短暂的湿式化学清洁步骤。同样地，亦可利用蒸馏水淋洗本发明结构体以去 除污物。此清洁步骤可清洁所需表面而不对结构体造成明显的影响或破坏。本发明的优点在于该导线72形成后不需从中分离或分割出汇流点或相关电路系 统。汇流点可于形成该焊垫64、该路由线66、该盖体68与该端子70的湿式化学蚀刻步骤 中分离。该导热板82可包含钻透或切通该黏着层26、该基板30与该第一、二防焊绿漆 (76,78)而成的对位孔(图中未示)。如此一来，当该导热板80需于后续制程中设置于一 下方载体时，便可将工具接脚插入该对位孔中，藉以将该导热板82置于定位。该导热板82可略去该盖体68。欲达此一目的，可调整图案化的蚀刻阻层60，使整 个通孔44上方的第三导电层52均曝露于用以形成该焊垫64及该路由线66的化学蚀刻液 中。该导热板82可容纳多个半导体组件而非仅容纳单一半导体组件。欲达此一目的， 可调整图案化的蚀刻阻层16以定义更多凸柱22，调整该黏着层沈以包含更多开口 28，调 整该基板30以包含更多通孔44，调整图案化的蚀刻阻层40以定义更多路由线42，调整图 案化的蚀刻阻层60与62以定义更多焊垫64、路由线66、盖体68与端子70，并调整该第一、 二防焊绿漆(76、78)以包含更多开口。同样地，该基板30亦可包含更多路由线42及导电 孔56与58。该端子70以外的组件可改变侧向位置以便为四个半导体组件提供一 2X2数 组。此外，部分但非所有组件的剖面形状及高低(即侧面形状)亦可有所调整。例如，该焊 垫64、该盖体68与该端子70可保持相同的侧面形状，而该路由线42与66则具有不同的路 由构型。请参阅图5A 图5C所示，分别为本发明一较佳实施例的半导体芯片组体剖视示 意图、本发明一较佳实施例的半导体芯片组体俯视示意图、及本发明一较佳实施例的半导 体芯片组体仰视示意图。如图所示此实施例中的半导体组件是一设置于盖体上的芯片。该芯片重叠于前述凸柱，且电性连结至前述焊垫，进而与前述端子形成电性连结，该芯片同 时热连结至前述盖体，从而与前述基座形成热连结。本实施例的半导体芯片组体100包含一导热板82、一半导体芯片102、一打线104、 一固晶材料106及一封装材料108所构成，且该半导体芯片102包含一顶面110、一底面112 与一打线接垫114，其中该顶面110为活性表面且包含该打线接垫114，而该底面112则为 热接触表面。上述半导体芯片102设置于该散热座74上，电性连结至该基板30，并热连结至该 散热座74。详而言之，该半导体芯片102设置于该盖体68上，位于该盖体68的周缘内，重 叠于该凸柱22但未重叠于该基板30。此外，该半导体芯片102经由该打线104电性连结 至该基板30，同时经由该固晶材料106热连结且机械性黏附于该散热座74。例如，该打线 104连接并电性连结至该焊垫64与该打线接垫114，藉此将该半导体芯片102电性连结至 该端子70。同样地，该固晶材料106接触且位于该盖体68与该热接触表面112之间，同时 热连结且机械性黏附于该盖体68及该热接触表面112，藉此将该半导体芯片102热连结于 该基座M。该焊垫64上设有镍/银的被覆金属接垫以利与该打线104稳固结合，藉此改善 自该基板30至该半导体芯片102的讯号传送。此外，该盖体68的形状及尺寸与该热接触 表面112配适，藉此改善自该半导体芯片102至该散热座74的热传送。该封装材料108为一固态可压缩的保护性塑料包覆体，可为该半导体芯片102及 该打线104提供抗潮湿及防微粒等环境保护。其中，该半导体芯片102与该打线104埋设 于该封装材料108中。并且，若该半导体芯片102是一诸如LED的光学芯片，则该封装材料 108可为透明状，于其中，该封装材料108在图5B中即呈透明状以利图示说明。若欲制造上述半导体芯片组体100，可利用该固晶材料106将该半导体芯片102设 置于该盖体68上，然后将该焊垫64与该打线接垫114以打线接合，之后再形成该封装材料 108。例如，该固晶材料106原为一具有高导热性的含银环氧树脂膏，并以网版印刷方 式选择性印刷于该盖体68上。然后利用一抓取头及一自动化图案辨识系统，以步进重复方 式将该半导体芯片102放置于该环氧树脂银膏上；继而加热该环氧树脂银膏，使其于相对 低温(如190°C)下硬化以完成固晶。该打线104为金线，其随后以热超音波连接至该焊垫 64与该打线接垫114 ；以及，最后再将该封装材料108转移模制于该结构体上。该半导体芯片102可透过多种连结媒介电性连结至该焊垫64，利用多种热黏着剂 热连结或机械性黏附于该散热座74，并以多种封装材料封装。至此，该半导体芯片组体100为一第一级单晶封装体。请参阅图6A 图6C所示，分别为本发明另一较佳实施例的半导体芯片组体剖视 示意图、本发明另一较佳实施例的半导体芯片组体俯视示意图、及本发明另一较佳实施例 的半导体芯片组体仰视示意图。如图所示此实施例中的半导体芯片设置于前述基座而非 设置于前述盖体上。该芯片被前述凸柱重叠，且电性连结至前述端子以便与前述焊垫形成 电性连结，同时热连结至前述基座以便与前述盖体形成热连结。为求简明，凡与组体100(请参图5A 图5C所示)相关的说明适用于此实施例均 并入此处，相同的说明不予重复。同样地，本实施例组体的组件与组体100的组件相仿者， 均采对应的参考标号，但其编码的基数由100改为200。例如，半导体芯片202对应于半导体芯片102，而打线204则对应于打线104，以此类推。本实施例的半导体芯片组体200包含一导热板82、一半导体芯片202、一打线204、 一固晶材料206及一封装材料208所构成，且该半导体芯片202在此倒置且包含(于未倒 置时)一顶面210、一底面212与一打线接垫214，其中该顶面210为活性表面且包含该打 线接垫214，而该底面212则为热接触表面。上述半导体芯片202设置于该散热座74上，电性连结至该基板30，并热连结至该 散热座74。详而言之，该半导体芯片202设置于该基座M上，位于该基座M的周缘内，被 该凸柱22重叠但未被该基板30重叠。此外，该半导体芯片202经由该打线204电性连结 至该端子70，同时经由该固晶材料206热连结且机械性黏附于该散热座74。例如，该打线 204连接并电性连结至该打线接垫214与该端子70，藉此将该半导体芯片202电性连结至 该焊垫64。同样地，该固晶材料206位于该基座M与该热接触表面212之间，同时热连结 且机械性黏附于该基座M及该热接触表面212，藉此将该半导体芯片202热连结于该盖体 68。于其中，该封装材料208在图6C中呈透明状以便图示说明。若欲制造上述半导体芯片组体200，可利用该固晶材料206将该半导体芯片202设 置于该基座M上，然后将该打线接垫214与该端子70以打线接合，之后再形成该封装材料 208。至此，该半导体芯片组体200为一第一级单晶封装体。上述半导体芯片组体与导热板仅为说明范例，本发明尚可透过其它多种实施例实 现。此外，上述实施例可依设计及可靠度的考虑，彼此混合搭配使用或与其它实施例混合搭 配使用。例如，一具有多个凸柱以配合多个半导体芯片的导热板，其部分导线72可包含该 路由线42与66、该第一、二导电孔56与58以及该端子70，而另部分导线72则不含该路由 线42与66及该第一、二导电孔56与58，并且未延伸贯穿该黏着层沈或该介电层34。同 样地，该半导体组件与该盖体可重叠于该基板以及下方的黏着层，且该半导体组件亦可被 该基板重叠。该半导体组件可独自使用该散热座或与其它半导体组件共享该散热座。例如，可 将单一半导体组件设置于该散热座上，或将多个半导体组件设置于该散热座上。举例而言， 可将四枚排列成2X2数组的小型芯片黏附于该凸柱，而该基板则可包含额外的导线以配 合该些芯片的电性连接。此一作法远较为每一芯片设置一微小凸柱更具经济效益。该半导体芯片可为光学性或非光学性。例如，该芯片可为一 LED、一太阳能电池、一 功率芯片或一控制器芯片。此外，可利用多种连结媒介将该半导体组件机械性连结、电性连 结及热连结至该导热板，包括利用焊接及使用导电及/或导热黏着剂等方式达成。该散热座可将该半导体组件所产生的热能迅速、有效且均勻散发至下一层组体而 不需使热流通过该黏着层、该基板或该导热板的他处。如此一来便可使用导热性较低的黏 着层，因而大幅降低成本。该散热座可为铜质，且包含一体成形的凸柱与基座，以及与该凸 柱为冶金连结及热连结的一盖体，藉此提高可靠度并降低成本。该盖体可与该焊垫共平面， 以便与该半导体组件形成电性、热能及机械性连结。此外，若欲将该半导体组件置于该散热 座上方，该盖体可依该半导体组件量身订做，而该基座则可依下一层组体量身订做，藉此加 强自该半导体组件至下一层组体的热连结。例如，该凸柱在一侧向平面上可呈圆形，该盖体 在一侧向平面上可呈正方形或矩形，且该盖体的侧面形状与该半导体组件热接点的侧面形状相同或相似。同样地，若欲将该半导体组件置于该散热座下方，该基座亦可依该半导体组 件量身订做，而该盖体则可依下一层组体量身订做。该散热座可与该半导体组件及该基板为电性连结或电性隔离。例如，该第三导电 层的一路由线可在该基板与该盖体之间延伸通过该黏着层，藉以将该半导体组件电性连结 至该散热座。而后，该散热座可电性接地，藉以将该半导体组件电性接地。该凸柱可沉积于该基座上或与该基座一体成形。例如，该凸柱可与该基座一体成 形而成为单一金属体，抑或该凸柱与该基座可于其接口包含单一金属体而于其它部分包含 其它金属。该凸柱可包含一平坦的顶面或顶部。例如，该凸柱可与该黏着层共平面，或者该 凸柱可在该黏着层固化后接受蚀刻，因而在该凸柱上方的黏着层形成一凹穴。亦可选择性 蚀刻该凸柱，藉以在该凸柱中形成一延伸至其顶面下的凹穴。在上述任一情况下，该半导体 组件均可设置于该凸柱上并位于该凹穴中，而该打线则可延伸至位于该凹穴内的该半导体 组件，然后离开该凹穴并延伸至该焊垫。在此范例中，该半导体组件可为一 LED芯片，该凹 穴则可将LED光线朝该向上方向聚焦。该基座可为该基板提供机械性支撑。例如，该基座可防止该基板在金属研磨、芯片 设置、打线接合及模制封装材料的过程中弯曲变形。此外，该基座的背部可包含沿该向下方 向突伸的鳍片。例如，可利用一钻板机切削该基座的底面以形成侧向沟槽，而此等侧向沟槽 即为鳍片。在此范例中，该基座的厚度为500微米，该等沟槽的深度为300微米，亦即该等 鳍片的高度为300微米。该等鳍片可增加该基座的表面积，若该等鳍片曝露于空气中而非 设置于一散热装置上，则可提升该基座经由热对流的导热性。该盖体可于该黏着层固化后，该焊垫及/或端子形成的前、中或后，以多种沉积技 术制成，包括以电镀、无电镀被覆、蒸发及喷溅等技术形成单层或多层结构。该盖体可采用 与该凸柱相同的金属材质。此外，该盖体可延伸跨越该通孔并到达该基板，抑或维持在该通 孔的圆周范围内。因此，该盖体可接触该基板或与该基板保持距离。在以上任一状况下，该 盖体均从该凸柱的顶部沿侧面方向侧向延伸而出。该黏着层可在该散热座与该基板之间提供坚固的机械性连结。例如，该黏着层可 填满该散热座与该基板间的空间，该黏着层可位于此空间内，且该黏着层可为一具有均勻 分布的结合线的无孔洞结构。该黏着层亦可吸收该散热座与该基板间的因热膨胀所产生的 不匹配现象。此外，该黏着层可为一低成本电介质，且不需具备高导热性。再者，该黏着层 不易脱层。可调整该黏着层的厚度，使该黏着层实质填满该缺口，并使所有黏着剂在固化及/ 或研磨后，实质位于结构体之内。例如，理想的胶片厚度可由试误法决定。该基板可在X与Y方向提供弹性的多层讯号路由，以提供复杂的路由图案。该焊 垫与该端子可视该半导体组件与下一层组体的需要而采用多种封装形式。此外，该基板可 为一低成本层压结构，且不需具有高导热性。该焊垫与该盖体的顶面可为共平面，如此一来便可藉由控制锡球的崩塌程度，强 化该半导体组件与该导热板间的焊接。该介电层上方的该焊垫与该路由线可于该基板置于该黏着层之前或之后以多种 沉积技术制成，包括以电镀、无电镀被覆、蒸发及喷溅等技术形成单层或多层结构。例如，可 在该基板尚未置于该黏着层时，即在该基板上形成该第一及第二导电层。
以所述被覆接点进行表面处理的工序可于该焊垫及该端子形成之前或之后为之。 例如，该被覆层可沉积于该第三与第四导电层上，而后利用图案化的蚀刻阻层定义该焊垫 与该端子并进行蚀刻，以使该被覆层具有图案。该导线可包含额外的焊垫、端子、路由线与导电孔以及被动组件，且可为不同构 型。该导线可作为一讯号层、一功率层或一接地层，视其相应半导体组件焊垫的目的而定。 该导线亦可包含各种导电金属，例如铜、金、镍、银、钯、锡及其合金。理想的组成既取决于外 部连结媒介的性质，亦取决于设计及可靠度方面的考虑。此外，精于此技艺之人士应可了 解，在该半导体芯片组体中所用的铜可为纯铜，但通常以铜为主的合金，如铜-锆(99.9% 铜)、铜-银-磷-镁(99.7%铜)及铜-锡-铁-磷(99. 7%铜)，藉以提高如抗张强度与 延展性等机械性能。在一般情况下最好设有该盖体、该防焊绿漆、该被覆接点及该第三与第四导电层， 但于某些实施例中则可省略之。该导热板的作业格式可为单一或多个导热板，视制造设计而定。例如，可单独制作 单一导热板。或者，可利用单一金属板、单一黏着层、单一基板、单一顶面防焊绿漆与单一底 面防焊绿漆同时批次制造多个导热板，而后再行分离。同样地，针对同一批次中的各导热 板，亦可利用单一金属板、单一黏着层、单一基板、单一顶面防焊绿漆与单一底面防焊绿漆 同时批次制造多组分别供单一半导体组件使用的散热座与导线。例如，可在一金属板上蚀刻出多条凹槽以形成该基座及多个凸柱；而后将一具有 对应该等凸柱的开口的未固化黏着层设置于该基座上，俾使每一凸柱均延伸贯穿一对应开 口 ；然后将一所述基板(其具有单一第一导电层、单一介电层、多个分别对应该等凸柱的 通孔、以及多条分别对应该等通孔的下方路由线)设置于该黏着层上，俾使每一凸柱均延 伸贯穿一对应开口并进入一对应通孔；而后利用压台将该基座及该基板彼此靠合，以迫使 该黏着层进入该等通孔内介于该等凸柱与该基板间的缺口 ；然后使该黏着层固化，继而研 磨该等凸柱、该黏着层及该第一导电层以形成一顶面；之后形成多个第一孔洞及多个第二 孔洞，其中该等第一孔洞贯穿该第一导电层与该介电层至该等路由线，该等第二孔洞则贯 穿该基座与该黏着层至该等路由线；然后将该第三导电层被覆设置于该等凸柱、该黏着层 及该第一导电层上，将该第四导电层被覆设置于该基座上，将多个第一导电孔分别被覆设 置于该等第一孔洞中，并将多个第二导电孔分别被覆设置于该等第二孔洞中；接着蚀刻该 第一及第三导电层以形成多个分别对应该等凸柱的焊垫，蚀刻该第三导电层以形成多个分 别对应该等凸柱之盖体，并蚀刻该基座与该第四导电层以形成多个分别对应该等凸柱之端 子；而后将该第一防焊绿漆置于结构体上，并使该第一防焊绿漆产生图案，藉以曝露该等焊 垫及该等盖体，另将该第二防焊绿漆置于结构体上，使该第二防焊绿漆产生图案，藉以曝露 该等基座及该等端子；而后以被覆接点对该基座、该等焊垫、该等端子及该等盖体进行表面 处理；最后于该等导热板外围边缘之适当位置切割或劈裂该基板、该黏着层及该等防焊绿 漆，俾使个别导热板彼此分离。该半导体芯片组体的作业格式可为单一组体或多个组体，取决于制造设计。例如， 可单独制造单一组体。或者，可同时批次制造多个组体，之后再将各导热板一一分离；同样 地，亦可将多个半导体组件电性连结、热连结及机械性连结至批次量产中的每一导热板。例如，可将多个固晶材料分别沉积于多个盖体上，而后将多个芯片分别放置于该等固晶材料上，之后再同时加热该等固晶材料以使其硬化并形成多个固晶，而后将该等芯 片打线接合至对应的焊垫，接着在该等芯片与打线形成对应的封装材料，最后再将各导热 板--分离。可透过单一步骤或多道步骤使各导热板彼此分离。例如，可将多个导热板批次制 成一平板，而后将多个半导体组件设置于该平板上，之后再将该平板所构成的多个半导体 芯片组体一一分离。或者，可将多个导热板批次制成一平板，而后将该平板所构成的多个导 热板分切为多个导热板条，接着将多个半导体组件分别设置于该等导热板条上，最后再将 各导热板条所构成的多个半导体芯片组体由条状分离为个体。此外，在分割导热板时可利 用机械切割、镭射切割、分劈或其它适用技术。藉此，本发明制造工序具有高度适用性，且以独特、进步方式结合运用各种成熟的 电连结、热连结及机械性连结技术。此外，本发明的制造工序不需昂贵工具即可实施。因此， 此制造工序可大幅提升传统封装技术的产量、良率、效能与成本效益。再者，本案的组体极 适合于铜芯片及无铅的环保要求。在本文中，「邻接」一语意指组件是一体成形，即形成单一个体；或相互接触，即彼 此无间隔或未隔开。例如，该凸柱邻接该基座，此与形成该凸柱时采用增添法或削减法无关。「重叠」一语意指位于上方并延伸于一下方组件的周缘内。「重叠」包含延伸于该 周缘的内、外或坐落于该周缘内。例如，该半导体组件重叠于该凸柱，乃因一假想垂直线可 同时贯穿该半导体组件与该凸柱，不论该半导体组件与该凸柱间是否存在有另一同为该假 想垂直线贯穿的组件(如该盖体)，且亦不论是否有另一假想垂直线仅贯穿该半导体组件 而未贯穿该凸柱(亦即位于该凸柱的周缘外)。同样地，该黏着层重叠于该基座与该端子 并被该焊垫重叠，而该基座则被该凸柱重叠。同样地，该凸柱系重叠于该基座且位于其周缘 内。此外，「重叠」与「位于上方」同义，「被重叠」则与「位于下方」同义。「接触」一语意指直接接触。例如，该介电层接触该第一及第二导电层但并未接触 该凸柱或该基座。「覆盖」一语意指于从上方、从下方及/或从侧面完全覆盖。例如，该基座从下方覆 盖该凸柱，但该凸柱并未从上方覆盖该基座。「层」字包含设有图案或未设图案的层体。例如，当该基板设置于该黏着层上时，该 第一导电层可为一空白无图案的平板而该第二导电层可为一具有间隔导线的电路图案；当 该半导体组件设置于该散热座上时，该第一导电层可为一具有图案的电路。此外，「层」可 包含多个迭合层。「焊垫」一语与该基板搭配使用时指一用于连接及/或接合外部连接媒介(如焊料 或打线)的连结区域；当该半导体组件位于该散热座上方时，该外部连接媒介可使该焊垫 与该半导体组件达成电性连结。「端子」一语与该组体搭配使用时是指一连结区域，其可接触及/或接合外部连结 媒介(如焊料或打线)；当该半导体组件位于该散热座上方时，该外部连结媒介可将该端子 电性连结至一外部设备(如一印刷电路板或与其连接的一导线)。「盖体」一语与该散热座搭配使用时是指一用于连接及/或接合外部连接媒介(如 焊料或导热黏着剂)的接触区域；当该半导体组件位于该散热座上方时，该外部连接媒介
29可使该盖体与该半导体组件达成热连结。「开口」与「通孔」等语同指贯穿孔洞。例如，当该凸柱插入该黏着层的该开口时， 其沿向上方向曝露于该黏着层。同样地，当该凸柱插入该基板的该通孔时，该凸柱沿向上方 向曝露于该基板。「插入」一语意指组件间的相对移动。例如，「将该凸柱插入该通孔中」包含该凸 柱固定不动而由该基板向该基座移动；该基板固定不动而由该凸柱向该基板移动；以及该 凸柱与该基板两者彼此靠合。又例如，「将该凸柱插入(或延伸至)该通孔内」包含该凸 柱贯穿(穿入并穿出)该通孔；以及该凸柱插入但未贯穿(穿入但未穿出)该通孔。「彼此靠合」一语亦指组件间的相对移动。例如，「该基座与该基板彼此靠合」包含 该基座固定不动而由该基板移往该基座；该基板固定不动而由该基座向该基板移动；以及 该基座与该基板相互靠近。「设置于」一语包含与单一或多个支撑组件间的接触与非接触。例如，该半导体组 件设置于该散热座上，不论该半导体组件实际接触该散热座或与该散热座以一固晶材料相 隔。同样地，该半导体组件设置于该散热座上，不论该半导体组件仅设置于该散热座上或同 时设置于该散热座与该基板上。「黏着层…于该缺口之中」一语意指位于该缺口中的该黏着层。例如，「黏着层在 该缺口中延伸跨越该介电层」意指该缺口内的该黏着层延伸并跨越该介电层。同样地，「黏 着层于该缺口之中接触且介于该凸柱与该介电层之间」意指该缺口中的该黏着层接触且介 于该缺口内侧壁的该凸柱与该缺口外侧壁的该介电层之间。「上方」一语意指向上延伸，且包含邻接与非邻接组件以及重叠与非重叠组件。例 如，该凸柱延伸于该基座上方，同时邻接、重叠于该基座并自该基座突伸而出。同样地，该凸 柱延伸至该介电层上方，即便该凸柱并未邻接或重叠于该介电层。「下方」一语意指向下延伸，且包含邻接与非邻接组件以及重叠与非重叠组件。例 如，该基座延伸于该凸柱下方，邻接该凸柱，被该凸柱重叠，并自该凸柱突伸而出。同样地， 该凸柱延伸于该介电层下方，即便该凸柱并未邻接该介电层或被该介电层重叠。所谓「向上」及「向下」的垂直方向并非取决于该半导体芯片组体(或该导热板) 的定向，凡熟悉此项技艺的人士可轻易了解其实际所指的方向。例如，该凸柱沿向上方向垂 直延伸于该基座上方，而该黏着层则沿向下方向垂直延伸于该焊垫下方，此与该组体是否 倒置及/或是否设置于一散热装置上无关。同样地，该基座沿一侧向平面自该凸柱「侧向」 延伸而出，此与该组体是否倒置、旋转或倾斜无关。因此，该向上及向下方向彼此相对且垂 直于侧面方向，此外，侧向对齐的组件在一垂直于该向上与向下方向的侧向平面上彼此共 平面。本发明的半导体芯片组体具有多项优点。该组体的可靠度高、价格平实且极适合 量产。该组体尤其适用于诸如大型半导体芯片等易产生高热且需优异散热效果方可有效及 可靠运作的高功率半导体组件。在此所述实施例为例示之用，其中所涉及的本技艺已知组件或步骤或经简化或有 所省略以免模糊本发明特点。同样地，为使图式清晰，图式中重复或非必要的组件及参考标 号或有所省略。精于此项技艺之人士针对本文所述之实施例当可轻易思及各种变化及修改。例如，前述原料、尺寸、形状、大小、步骤内容与步骤顺序皆仅为范例。上述人士可于不脱离本 发明精神与范围条件下从事此等改变、调整与均等技艺，其中本发明范围由权利要求书加 以界定。 综上所述，本发明是一种半导体芯片组体，可有效改善已用的种种缺点，本组体的 可靠度高、价格平实且极适合量产，尤其适用于诸如大型半导体芯片等易产生高热且需优 异散热效果方可有效及可靠运作的高功率半导体组件，可大幅提升产量、良率、效能与成本 效益，并符合环保要求，进而使本发明的产生能更进步、更实用、更符合使用者所须，确已符 合发明专利申请要件，爰依法提出专利申请。
权利要求
1.一种半导体芯片组体，用于提供垂直讯号路由，特征在于包括一黏着层，至少具有一开口 ；一散热座，至少包含一凸柱及一基座，其中该凸柱邻接该基座并沿一向上方向延伸于 该基座上方，而该基座沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方，并沿垂直于 该向上及向下方向的侧面方向从该凸柱侧向延伸；一基板，设置于该黏着层上并延伸于该基座上方，其至少包含一焊垫、一路由线、一第 一导电孔及一介电层，其中该焊垫延伸于该介电层上方，该路由线延伸于该介电层下方并 埋设于该黏着层中，以及该第一导电孔延伸贯穿该介电层至该路由线，且有一通孔延伸贯 穿该基板；一第二导电孔，延伸贯穿该黏着层至该路由线；一端子，延伸于该黏着层下方；一半导体组件，位于该凸柱上方并重叠于该凸柱，抑或位于该凸柱下方并被该凸柱重 叠，该半导体组件电性连结至该焊垫与该端子，并热连结至该凸柱与该基座；以及上述凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔以达该介电层上方，该基座则延伸于该黏着层及 该基板下方，并由该第一导电孔、该路由线及该第二导电孔构成一位于该焊垫与该端子间 的导电路径，其中该黏着层设置于该基座上，并于该基座上方延伸进入该通孔内一位于该 凸柱与该基板间的缺口，于该缺口中延伸跨越该介电层，并介于该凸柱与该介电层之间、以 及该基座与该基板之间。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该半导体组件为一半导体芯 片，其延伸于该凸柱上方，重叠于该凸柱，并电性连结至该焊垫，从而电性连结至该端子，且 该半导体芯片热连结至该凸柱，从而热连结至该基座。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该半导体组件为一半导体芯 片，利用一固晶材料设置于该散热座上，经由一打线电性连结至该焊垫，并经由该固晶材料 热连结至该凸柱。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该黏着层在该缺口中接触该 凸柱与该介电层，并在该缺口之外接触该基座、该介电层、该路由线、该第二导电孔与该端 子。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该黏着层在该等侧面方向覆 盖且环绕该凸柱。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该黏着层填满该缺口。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该黏着层填满该基座与该基 板间的一空间。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该黏着层重叠于该端子。
9.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该黏着层延伸至该组体的外 围边缘。
10.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该凸柱与该基座一体成形。
11.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该凸柱与该黏着层于该介电 层上方处于同一平面。
12.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该凸柱为平顶锥柱形，其直径自该基座至该凸柱的平坦顶部呈向上递减。
13.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该基座与该端子于该黏着层 下方处于同一平面。
14.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该基座从下方覆盖该凸柱， 支撑该基板，且与该组体的外围边缘保持距离。
15.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该基板与该凸柱及该基座保持距离。
16.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该基板为一层压结构。
17.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该散热座至少包含一盖体， 位于该凸柱的一顶部上方，邻接该凸柱的顶部并从上方覆盖，同时沿该等侧面方向自该凸 柱的顶部侧向延伸。
18.根据权利要求17所述的半导体芯片组体，其特征在于，该盖体为矩形或正方形，且 该凸柱的顶部为圆形。
19.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该散热座至少包含一盖体， 且该盖体与该焊垫于该介电层上方处于同一平面。
20.根据权利要求1所述的半导体芯片组体，其特征在于，该散热座的材质为铜。
21.一种半导体芯片组体，用于提供垂直讯号路由，其特征在于包括一黏着层，至少具有一开口 ；一散热座，至少包含一凸柱、一基座及一盖体，其中该凸柱邻接该基座并与该基座一体 成形，且该凸柱沿一向上方向延伸于该基座上方，并使该基座与该盖体形成热连结，该基座 沿一与该向上方向相反的向下方向延伸于该凸柱下方，并沿垂直于该向上及向下方向的侧 面方向自该凸柱侧向延伸，该盖体位于该凸柱的一顶部上方，邻接该凸柱的顶部并从上方 覆盖，同时沿该等侧面方向自该凸柱的顶部侧向延伸；一基板，设置于该黏着层上并延伸于该基座上方，其至少包含一第一与第二导电层、一 第一导电孔及一介电层，其中该第一导电层接触该介电层且延伸于该介电层上方，该第二 导电层接触该介电层且延伸于该介电层下方并埋设于该黏着层中，且具有一焊垫包含在该 第一导电层的一选定部分，该焊垫接触该介电层并延伸于该介电层上方，以及具有一路由 线包含在该第二导电层的一选定部分，该路由线接触该介电层并延伸于该介电层下方，而 该第一导电孔则接触且延伸贯穿该第一导电层与该路由线间的介电层，且有一通孔延伸贯 穿该基板；一第二导电孔，接触并延伸贯穿该黏着层至该路由线；一端子，接触并延伸于该黏着层下方；一半导体芯片，设置于该盖体上，重叠于该凸柱，并电性连结至该焊垫，从而电性连结 至该端子，且该半导体芯片热连结至该盖体，从而热连结至该基座；以及上述凸柱延伸贯穿该开口进入该通孔以达该介电层上方，该基座则沿该向下方向延伸 于该半导体芯片、该黏着层及该基板下方，且从下方覆盖该半导体芯片与该凸柱并支撑该 基板，由该第一导电孔、该路由线及该第二导电孔构成一位于该焊垫与该端子间的导电路 径，其中该黏着层设置于该基座上，并于该基座上方延伸进入该通孔内一位于该凸柱与该 基板间的缺口，于该缺口中延伸跨越该介电层，并于该缺口内介于该凸柱与该介电层之间，于该缺口外则介于该基座与该基板之间，该黏着层更沿该等侧面方向覆盖且环绕该凸柱， 并延伸至该组体的外围边缘。
22.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于，该半导体芯片利用一固晶 材料设置于该盖体上，经由一打线电性连结至该焊垫，并经由该固晶材料热连结至该盖体。
23.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于，该基板与该凸柱及该基座 保持距离，由该黏着层填满该缺口以及该基座与该基板间的一空间，并使该黏着层被限制 于该散热座与该基板间的一空间内。
24.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于，该凸柱的顶部为圆形，且其 上的盖体为矩形或正方形，该凸柱为平顶锥柱形，其直径自该基座至该盖体呈向上递减。
25.根据权利要求21所述的半导体芯片组体，其特征在于，该凸柱与该黏着层以及该 盖体与该焊垫皆于该介电层上方共处同一平面，而该基座与该端子则于该黏着层下方共处 同一平面，且该散热座的材质为铜。
全文摘要
一种半导体芯片组体，至少包含一半导体组件、一散热座、一基板及一黏着层。其中该半导体组件电性连结于该基板且热连结于该散热座；该散热座至少包含一凸柱及一基座，且该凸柱向上延伸通过该黏着层的一开口并进入该基板的一通孔，而该基座则为侧向延伸并支撑该基板；该黏着层延伸于该凸柱与该基板之间以及该基座与该基板之间；以及该基板至少包含第一与第二导电层及一位于其间的介电层。藉此，使本组体可在该第一导电层上方的一焊垫与该黏着层下方的一端子间提供垂直讯号路由。
文档编号H01L33/48GK102117877SQ20091031278
公开日2011年7月6日 申请日期2009年12月31日 优先权日2009年12月31日
发明者林文强, 王家忠 申请人:钰桥半导体股份有限公司